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INTRODUCCIN
1.1. GENERALIDADES. 1.2. REGLAS PARA EL ANLISIS DE CIRCUITOS DE POTENCIA. 1.3. DESARROLLO EN SERIE. 1.3.2. Potencia. 1.3.3. Clculo de valores ecaces. 1.4. FORMULACIN SISTEMTICA UTILIZANDO VARIABLES DE ESTADO. 3.2. CONSTITUCIN DEL BJT 3.3. FUNCIONAMIENTO DEL BJT 3.3.1. Zona Activa 3.3.2. Zona de Cuasi-Saturacin 3.3.3. Zona de Saturacin 3.3.4. Ganancia 3.4. TRANSISTOR DARLINGTON 3.5. EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN 3.6. EXCITACIN DEL BJT 3.7. CONSIDERACIONES TRMICAS 3.8. AVALANCHA SECUNDARIA 3.9. ZONA DE OPERACIN SEGURA (SOA)
4.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE POTENCIA 4.4. DIODO EN ANTIPARALELO 4.5. CARACTERSTICAS ESTTICAS, DINMICAS Y TRMICAS 4.6. REA DE OPERACIN SEGURA
6.3. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT 6.3.1. Estado de Bloqueo 6.3.2. Estado de Conduccin 6.4. EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) 6.4.1. Efecto del Latch up
TEMA 5. EL TIRISTOR
5.1. INTRODUCCIN 5.1.1. Estructura Bsica. 5.1.2. Caracterstica Esttica 5.2. FUNCIONAMIENTO DEL SCR.
6.4.2. Mtodos para Evitar el Efecto del Latch up 6.5. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN 6.5.2. Apagado 6.6. REA DE OPERACIN SEGURA
5.2.1. Polarizacin Inversa 5.2.2. Polarizacin Directa 5.2.3. Mecanismo de Cebado 5.2.4. Mecanismo de Bloqueo. 5.3. RELACIN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU CIRCUITO EXTERNO 5.4. CARACTERSTICAS DINMICAS 5.4.1. Encendido del SCR 5.4.2. Bloqueo Dinmico del SCR 7.4. CONMUTACIN DEL GTO 5.5. FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO DEL SCR 5.6. TRIAC 5.6.1. Constitucin y Funcionamiento 5.6.2. Caracterstica Esttica 7.4.1. Encendido del GTO 7.4.2. Apagado del GTO 7.5. MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE POR CORRIENTE DE PUERTA 7.6. OTROS DISPOSITIVOS DE APAGADO DESDE LA PUERTA. 7.6.1. Tiristor Controlado por Puerta Integrada: IGCT. 7.6.2. Tiristor Controlado por Puerta MOS: MCT 6.7. CARACTERSTICAS Y VALORES LMITE DEL IGBT
7.7. COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA. 7.8. ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA
9.2.3.2. Alimentacin con circuitos - Bootstrap 9.2.4. Circuitos de Puerta para SCRs 9.3. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN SERIE 9.4. PROTECCIONES DEL INTERRUPTOR DE POTENCIA INCORPORADAS EN EL CIRCUITO DE CONTROL 9.4.1. Proteccin contra Sobrecorriente 9.4.2. Proteccin contra Cortocircuitos en Montajes Tipo Puente 9.4.3. Conmutacin sin Snubbers
DE
8.3.1. Proteccin contra Sobreintensidades 8.3.2. Proteccin contra Sobretensiones 8.3.2.1. Proteccin con Redes RC 8.3.2.2. Proteccin con Semiconductores y Varistores de xido Metlico
12.3.2.2. Conexin en Oposicin de Fases 12.3.3. Conexin Puente Completo 12.3.4. Conexin Paralelo 12.3.5. Tensiones y Corrientes Recticadas 12.3.5.1. Valor Medio de la Tensin Recticada 12.3.5.2. Valor Ecaz VRMS 12.3.5.3. Factor de Ondulacin 12.3.5.4. Desarrollo en Serie 12.3.5.5. Factor de Potencia del Secundario 12.3.5.6. Corriente Para Carga Altamente Inductiva
13.2.1. Recticador de Media Onda 13.2.1.1. Estudio para diferentes tipos de cargas 13.2.1.2. Diodo de Libre Circulacion 13.2.2. Recticador Puente Monofasico 13.2.2.1. Conmutacion Ideal 13.2.2.2. Valor Medio de la Tension Recticada 13.2.2.3. Efecto de sobre la Componente Fundamental de IS 13.2.2.4. Conmutacion no Instantanea 13.2.3. Sincronizacion del Circuito de Disparo
12.3.RECTIFICADORES TRIFSICOS Y POLIFSICOS 12.3.1. Montajes Simples 12.3.2. Conexin Serie 12.3.2.1. Conexin en Fase
13.3.RECTIFICADORES SIMPLES
POLIFASICOS
13.3.1. Valor Medio de la Tension Recticada 13.3.2. Funcionamiento como Recticador y como Ondulador
13.3.3. Inuencia de la Naturaleza de la Carga 13.3.4. Conmutacion no Instantanea 13.4.RECTIFICADOR PUENTE POLIFASICO 13.4.1. Valor Medio de la Tension Recticada 13.4.2. Conmutacion no Instantanea 13.5.RECTIFICADORES LADOS 13.5.1. Puente Monofasico 13.5.2. Puente Polifasico SEMICONTRO-
REDUCTOR-
14.5.1 Modo de Conduccin Continua 14.5.2 Modo de Conduccin Discontinua 14.5.3 Rizado de la tensin de salida 14.5.4 Efecto de componentes no ideales 14.6 CONVERTIDOR DE CK 14.6.1 Modo de Conduccin Continua 14.6.2 Lmite entre Modos de Conduccin
TEMA 15. CONVERTIDORES DC/DC TEMA 14. CONVERTIDORES CON- II MUTADOS CC-CC. TOPOLOGAS 15.1 INTRODUCCIN BSICAS CON UN SOLO IN15.2 CONVERTIDOR PUENTE TERRUPTOR SIN AISLAMIENTO 15.2.1 Estrategias de Control GALVNICO
14.1 INTRODUCCIN 14.2 CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC 14.3 CONVERTIDOR REDUCTOR 14.3.1 Modo de Conduccin Continua 14.3.2 Modo de Conduccin Discontinua 14.3.2.1 Modo de Conduccin Discontinua con Vd Constante 14.3.2.2 Modo de Conduccin Discontinua con Vo Constante 14.3.3 Rizado de la tensin de salida 14.3.4 Prdidas en el Condensador 14.4 CONVERTIDOR ELEVADOR 16.1.2. Conexin de un Convertidor CC/AC 14.4.1 Modo de Conduccin Continua 16.1.3. Clasicacin 14.4.2 Modo de Conduccin Discontinua 14.4.3 Rizado de la tensin de salida 14.4.4 Efecto de componentes no ideales 16.3. INVERSOR MONOFSICO PUENTE COMPLETO 16.4. INVERSOR TRIFSICO EN 15.2.1.1 Control Bipolar 15.2.1.2 Control Unipolar 15.3 CONVERTIDORES MIENTO GALVNICO 15.3.1 Convertidor Flyback 15.3.2 Convertidor Forward 15.3.3 Convertidor Puente 15.4 CIRCUITOS DE CONTROL DE CONVERTIDORES CON AISLA-
16.4.1. Tensin en el Neutro 16.4.2. Armnicos 16.4.3. Espacio de Estados 16.5. OTROS INVERSORES 16.5.1. Inversor con Fuente de Corriente 16.5.2. Inversores de tres niveles 16.5.3. Inversores Multinivel
GENERALIDADES
Aos 50: SCR. Aos 70: Microprocesadores. Aos 90: ASIC y DSP IGBT Frecuencias mayores Menor tamao y coste de componentes reactivos aplicaciones. Aplicaciones Industriales: Control de Motores DC, AC (70% de la energa elctrica consumida). Fuentes de Alimentacin. Energas Renovables. El objetivo de la ELECTRONICA DE POTENCIA es:
Otras caractersticas a tener en cuenta son: coste del dispositivo y de los elementos auxiliares, potencia necesaria para controlar el dispositivo.
GENERALIDADES
Flujo de Potencia
R=50
Fuente de Energa Elctrica Convertidor de Estado Slido
Carga
Circuito de Mando
Fuente de Energa
Alterna (Mono Trifsica): Red Elctrica Generador aislado: Diesel Elico Continua: Bateras Celdas de Combustible Paneles Solares
Carga
Alterna (Mono Trifsica): Motor Estufa Horno Iluminacin ... Continua: Motores
VCE 499.95V 2V
Valores reales Ideal: Cortado Saturado IC 0 Amp 10 Amp VCE 500V 0V VRes 0mV 500V
Valores ideales Error (%): Cortado Saturado IC 0.01 0.4 VCE 0.01 0.4 VRes 0.01 0.4
Circuito de mando
Microprocesadores/DSP Circuitos microelectrnicos: ASIC FPGA
Convertidor de potencia
Interruptores Componentes reactivos: Transformadores Bobinas Condensadores
v=L
di dt
1 t v(t )dt L t 0
1 2 Li 2
IL VL
i (t ) = i (t 0 ) +
= ivdt = L idi =
i C V
i=C
dv dt
1 t i (t )dt C t 0
i (t ) = i (t0 ) +
1 t v (t ) dt L t0
v(t ) = v(t0 ) +
1 = ivdt = C vdv = Cv 2 2
Ecuaciones fundamentales de Bobinas y Condensadores
Ic
C
IL
Vc
L
VL
IL VL
Carga LR
L
V = E sen t
i(t)
Suponiendo como condicin inicial i(0)=0, cuando V se hace positivo en t=0, el diodo se polariza directamente y empieza a conducir. El circuito equivalente si se supone el diodo ideal ser:
Diodo Conduciendo
Carga LR
L
V = E sen t
i(t)
Ecuacin de mallas:
V = E sen t = R i + L
di dt
que, para i(0) = 0 tiene una solucin del tipo: Funcionamiento de una Bobina al aplicar una tensin alternada positiva y negativa
i (t ) =
Rt sen e L + sen( t ) 2 2 2 R +L
Este circuito es vlido para el anlisis en tanto i (t ) 0 . Sea t1 el instante en el que la intensidad se anula. El valor de t1 se obtiene de resolver la ecuacin i(t1)=0
Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 9 de 21 Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 10 de 21
di V = E sen t = R i + L dt
cuya solucin para i(0) = 0 es:
Rt E sen e L + sen( t ) i(t ) = R 2 + L2 2
Carga LR
L
V = E sen t
i(t)
Grficamente:
Circuito equivalente en el segundo intervalo Este circuito es vlido hasta que la tensin de la fuente se hace positiva en t=2/. A partir de este instante, vuelve a ser vlido el circuito del intervalo 1.
no podemos saber a priori cuantos intervalos habr y cual ser su duracin, ya que depender de los parmetros del circuito e
Por ello, incluso, en algunos casos, de sus condiciones iniciales de funcionamiento.
i (t ) =
donde:
A0 + A cos( k 0 t ) + Bk sen( k 0 t ) 2 k =1 k
0 =
Ak = Bk =
2 T
2 t0 + T i (t ) cos( k 0 t ) dt , T t0 2 T
k = 0,1,2K
k = 1,2,3K
I p = max i (t ) , 0 t T - Valor de pico Pueden distinguirse dos valores de pico (positivo y negativo) para considerar los casos de polarizacin directa e inversa.
- Valor Medio
t0 + T
Im =
1 T i (t ) dt , T 0
t0
i (t ) sen( k 0 t ) dt ,
I AV
Para el clculo de la corriente media empleada para dimensionar un dispositivo, se calcula el valor medio del valor absoluto de la seal.
El
- Valor eficaz
I=
f =
armnico de orden 1 se le denomina tambin componente fundamental. El mdulo del armnico de orden k viene dado por:
I kp =
Ak2 + Bk2
- Factor de forma
y su valor eficaz:
Ik =
I kp 2
- Factor de pico
I = max f = I I RMS
Ip
i (t ) = I m + 2 I k sen( k 0 t k )
k =1
Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 15 de 21 Tema 1. Introduccin al Modelado y Anlisis de Circuitos de Potencia. Transparencia 16 de 21
P=
1 T v (t ) i (t ) dt T 0
un perodo de un seno, o de los productos cruzados de senos y cosenos o productos de razones trigonomtricas de diferente frecuencia son nulas, quedar:
P=
I=
2 Im +
(A
2 1
+B 2
2 1
) (A
+
2 2
+B 2
2 2
+L =
2 I m + I 12 + I 22 +L
(A)
Se define la distorsin del armnico k como la relacin Dk = valor eficaz del k-simo armnico.
Ik I I 1 donde k es el
S =V I
I + I +L
2 2 2 3
PF =
De la misma forma, pueden definirse magnitudes anlogas para las tensiones, con la salvedad de que en el caso de la red elctrica los armnicos en tensin no suelen ser significativos.
donde DPF es el factor de potencia debido al desfase, la ecuacin anterior puede reescribirse (para ondas cuyo valor medio sea cero, como es habitual en sistemas de alimentacin alterna):
PF =
1 1+ D
2 t
DPF
I=
1 T 2 i (t )dt T 0
I=
T= t
Ip
Ip 2
2 I = I12 + I 22 + I 32 + L I N
I = Ip
D , con D = 2 T
I3
I4
I5 I6
t
I7 I8
Aproximacin I9 I10
t10 t i = t N=10 t
I=
2 I 12 + I 22 + I 32 + L + I N N
I = Ip
D sen( (1 D ))cos( (1 D )) + 2 2 D = 1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t9
(, en radianes)
Onda rectangular:
T t
T=t1+t2+t3+t4 i(t)
i2(t)
Ib
I = Ip D
con
D=
T D=
i3(t) t1 t2 t3 t4 t i4(t)
Ia
T Ip
I = D(I + I a I b + I a2 )
2 b
Onda trapezoidal:
3
con
Onda triangular:
T t
t1
t2
t3
t4
I = Ip
D 3
con
D=
El comportamiento de cualquier sistema dinmico puede representarse por un conjunto de ecuaciones diferenciales de la forma:
dx1 = f 1 ( x1 ( t ) ,L x n ( t ) , u1 ( t ) ,L um ( t ) ) dt
dx 2 = f 2 ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t )) dt
M
dx n = f n ( x1 (t ),L x n (t ), u1 (t ),L um (t )) dt
donde
Cuando las funciones f i no dependen del tiempo, el sistema se denomina invariante en el tiempo. Si f i son lineales, entonces el sistema se dice lineal. Un sistema lineal e invariante en el tiempo, se denomina LTI. Para estos ltimos:
Concentracin Intrnseca:
n = A0 T e
2 i 3
p0 n0 = ni2 ; p0 + N d = n0 + N a
En un cristal tipo p: Material n Material p
Minoritarios Mayoritarios
p0 n0
ni2 Nd ni2 Na
n0 N d p0 N a
n0
ni2 p Na Na y 0
El valor de es muy importante para conocer la velocidad de conmutacin de un dispositivo bipolar y sus prdidas en conduccin. sube con la Temperatura y con las concentraciones de portadores muy altas (n>nb 1017, Recombinacin de Auger). Control de centros de recombinacin: a) Impurezas de oro b) Radiacin con electrones (varios MeV)
d (n) n = dt
Tiempo (s)
NA p
ND n
W0 El campo elctrico mximo que soporta el Silicio es tericamente 300.000 V/cm, pero debido a impurezas e imperfecciones de la estructura cristalina, en la prctica es de 200.000 V/cm.
p+
dRD ND=1014imp/cm3
VBD
VBD V V vD
dRD : Es funcin de la tensin inversa a soportar A : rea de la seccin perpendicular al plano del dibujo, es funcin de la corriente mxima
Seccin de un diodo de potencia tpico mostrando su estructura de tres capas.
POLARIZACIN INVERSA.
= Potencial Externo Aplicado =-Edx = Extensin de la zona de deplexin = Conexin metlica (nodo y ctodo)
Area Area
p+
E
-
p+
E
n-
Emax x
n+
Emax x
Curva caracterstica esttica del diodo de potencia. Mxima Velocidad Mxima Cada en tensin de de Aplicaciones corriente conduccin ruptura conmutacin Circuitos de 30kV ~500mA ~10V ~100nS alta tensin Rectificadores ~5kV ~10kA 0.7 - 2.5 V ~25S 50 Hz Circuitos ~3kV ~2kA 0.7 - 1.5 V <5S conmutados Rectificadores ~100V ~300A 0.2 - 0.9 V ~30nS de BT y AF ~300 V Referencias y (funciona fijacin de ~75 W en tensiones ruptura)
a) Diodo sin perforar b) Diodo perforado Lmites de la zona de deplexin y distribucin del campo elctrico en diodos. El valor Emax es la mxima intensidad de campo elctrico que puede soportar el silicio y que ya se vio era unos 200.000 V/cm. Si suponemos espesores de las capas de los dos diodos iguales, en el caso b (perforado), el rea bajo la curva de la distribucin del campo elctrico es casi el doble que en el caso a. Por tanto, la tensin inversa que se puede aplicar es prcticamente el doble. Esto es una ventaja muy importante, no solo en diodos, sino en casi todos los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso.
Tipo de Diodo Rectificadores de alta tensin Propsito general Rpidos (fast recovery) Diodos Schottky Diodos Zener de potencia
p+
SiO2
SiO2
Regin de deplexin
Experimentalmente se comprueba que no se produce acumulacin de lneas de campo para R6*Wdep Para un diodo de 1000V, es aprox. Wdep=100, luego R=600. Como Wdiff R, el tiempo de fabricacin es excesivamente alto y por tanto no resulta rentable.
p+
Wdiff
n
n+
CTODO
da
db
V1 V2
SiO2
p+
SiO2 p+
p+
biselado de los bordes de un diodo de tres capas. Ventajas del biselado: Eliminacin por ataque qumico de zonas con posibles defectos en la estructura cristalina (zona del corte mecnico). Disminucin de la intensidad del campo elctrico en las zonas ms frgiles (superficie), al hacer d2 >d1 .
n-
n+
POLARIZACIN DIRECTA
Caractersticas de catlogo en Polarizacin Directa: Corriente media nominal, IFW(AV) : Valor medio de la mxima corriente de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma continuada con la cpsula mantenida a una determinada temperatura (tpicamente 100 C). Corriente de pico repetitivo, IFRM : Corriente mxima que puede ser soportada cada 20ms con duracin de pico 1ms. Corriente de pico nico, IFSM : Corriente mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 ms minutos siempre que la duracin del pico sea inferior a 10ms.
Segundo subndice
W=De trabajo R=Repetitivo S=No Repetitivo
Tercer subndice
M=Valor Mximo (AV)=Valor Medio (RMS)=Valor Eficaz
Caractersticas de Catlogo en Polarizacin Inversa: Tensin inversa de trabajo, VRWM : Mxima tensin inversa que puede soportar de forma continuada sin peligro de avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo, VRRM : Mxima tensin inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su frecuencia de repeticin inferior a 100 Hz. Tensin inversa de pico nico, VRSM : Mxima tensin inversa que puede soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es inferior a 10 ms. Tensin de ruptura, VBD : Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10 ms.
CARACTERSTICAS DINMICAS
iD IF 0.9IF 0.1IF 0.25Irr tr vD Vfr VON 1.1VON t VR tON Encendido del diodo Apagado del diodo
VON
CARACTERSTICAS DINMICAS
El tiempo de recuperacin inversa es el mayor de los dos tiempos de conmutacin y el responsable de la mayor parte de las prdidas de conmutacin.
iD IF diD/dt ta tb 0.25Irr vD Irr t Qrr (Carga Almacenada)
Qrr = i f dt
0
t rr
Irr trr
trr
I rr t rr 2 Qrr Qrr t rr 2 I rr
t VR
La derivada de la corriente durante ta depende del circuito externo, y normalmente ser: ta>> tb es decir: ta trr . Si se resuelve el circuito y se conoce el valor de la derivada de iD:
Curvas de tensin y corriente del diodo durante la conmutacin. Tensin directa, VON. Cada de tensin del diodo en rgimen permanente para la corriente nominal. Tensin de recuperacin directa, Vfr. Tensin mxima durante el encendido. Tiempo de recuperacin directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON. Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo (inductivo). Tiempo de recuperacin inversa, trr. Tiempo que durante el apagado del diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor mximo (negativo) y retornar hasta un 25% de dicho valor mximo. (Tip. 10s para los diodos normales y 1s para los diodos rpidos (corrientes muy altas).
I rr 2 Qrr
diD dt
Curvas de tensin y corriente del diodo durante la conmutacin a corte. Los factores que influyen en el tiempo de recuperacin inversa son: IF; cuanto mayor sea, mayor ser trr. Esto se debe a que la carga almacenada ser mayor. VR; cuanto mayor sea, menor ser trr. En este caso si la tensin inversa es mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados. diF/dt; cuanto mayor sea, menor ser trr. No obstante, el aumento de esta pendiente aumentar el valor de la carga almacenada Q. Esto producir mayores prdidas. T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarn tanto Q como trr.
PD
n-
n+ CTODO
IAV
25C
Curvas tpicas suministradas por un fabricante para el clculo de las prdidas en conduccin de un diodo Las prdidas aumentan con: La intensidad directa. La pendiente de la intensidad. La frecuencia de conmutacin. La tensin inversa aplicada. La temperatura de la unin.
125C
Tc
VBD V V vD
Caracterstica I-V de un diodo Schottky Uso en circuitos donde se precise: Alta velocidad Bajas tensiones Potencias bajas Por ej. Fuentes de alimentacin conmutadas.
Saturacin
C IC
IC(A)
3.3.1. Zona Activa 3.3.2. Zona de Cuasi-Saturacin 3.3.3. Zona de Saturacin 3.3.4. Ganancia 3.4. 3.5. 3.6. 3.7. 3.8. 3.9. TRANSISTOR DARLINGTON EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN EXCITACIN DEL BJT CONSIDERACIONES TRMICAS AVALANCHA SECUNDARIA
b)
Caracterstica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para distintas corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN. Valores mximos de VCE : BVCB0>BVCE0>BVSUS BVSUS : Continua. BVCE0 : Para IB=0 BVCB0 : Para IE=0 Definicin de Corte: de IC= - IE+IC0 ; -IE=IC+IB ; se deduce:
IC =
1 IB + IC0 1 1
1 I C 0 10 I C 0 1
I E = 0I C = I C 0
Por tanto se considera el transistor cortado cuando se aplica una tensin VBE ligeramente negativa IB = -IC = -IC0
Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 2 de 17
E
+ 1019 cm-3 n
p n-
1019 cm-3
n+
C
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Tpico Ventajas de la estructura vertical: Maximiza el rea atravesada por la corriente: Minimiza resistividad de las capas Minimiza prdidas en conduccin Minimiza la resistencia trmica. En la prctica, los transistores bipolares de potencia no se construyen como se ve en esta figura, sino que se construyen en forma de pequeas celdillas como la representada, conectadas en paralelo.
Los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso se construyen empleando una estructura vertical y en forma de pequeas celdillas en paralelo.
FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona Activa R nCarga (Exceso de electrones en la Base) Unin Colector-Base (inversamente polarizada) C
Vbb B E
p
Vcc p
n+
nn+ Colector
Seccin Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Multiemisor de Tipo NPN Ventajas de la estructura multiemisor: Reduce la focalizacin de la corriente debida al potencial de la base causante de la avalancha secundaria. Reduce el valor de RB (disminuye prdidas y aumenta la frecuencia fT ).
n+
n+
n+
n+
Vbb B E n
+
Vcc p
Vbb B p
Vcc
CuasiSaturacin
Saturacin
Q1 Base Virtual
Base Virtual
Distribucin de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de potencia tpico, en Cuasi-Saturacin. Cuasi-Saturacin: En activa al subir IB, IC VCE (=VCC - ICR ). Simultneamente: VjCB (=VCE - ICRd ). Donde Rd es la resistencia de la capa de expansin. El lmite de la zona activa se alcanza cuando: VjCB=0 (VCE = ICRd ). Si VjCB>0 (Unin directamente polarizada): Habr inyeccin de huecos desde p a n- (Recombinacin con electrones procedentes del emisor en n-) Desplaz. a la derecha de la unin efectiva: Rd Disminuye Aumento del ancho efectivo de la base. Disminuye
TRANSISTOR DARLINGTON
log( )
Base
n+
IeTA
Emisor
n+
T Ib B
T Ib A
SiO2
IcTA
nn+ Colector
IcTB
ICmax /10
ICmax
log(IC)
Variacin de en Funcin de IC
Colector Base
TA D1 Emisor TB
D2
=BA+B+A
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
Colector Vcc
ZL IC
Colector Vcc
ZL
Interruptor BJT conmutando una Carga Inductiva
IC
Base IB
VBE
VCE
Base IB
VBE
IC
VCE
IL IC IB IBon
dI B dt
IBon IB IBoff t
IBoff VBE
t
VCE VBE t t=0 tdon tri tfv1 tfv2
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
IC
1 2 3
VCC
Fotoacoplador
VCE
1, 2, 3, 4, 5 y 6: instantes de tiempo Trayectorias en el plano IC-VCE durante la conmutacin
IC IB IBon 1
dI B dt
IC 6 5
VBE
CONSIDERACIONES TRMICAS
VBE Vcc Vcontrol VBE t IC VCE td tr tf 90% 10% ts t IB VBE Pd t RC IC VCE
AVALANCHA SECUNDARIA
Cada de tensin Concentracin de corriente B B Cada de tensin E B + ee-
Vcc
Las prdidas en corte suelen despreciarse al ser la corriente muy baja. Las prdidas conduccin pueden aproximadas por: en ser
B +
p
e-
n+
e-
e-
p
e-
n+
+
T Pon = I c VCEsat ON T
n
T=1/f t
n
C C
Las prdidas en conmutacin pueden estimarse suponiendo que la corriente y la tensin siguen una lnea recta durante la conmutacin:
a) b) Concentracin o Focalizacin de Corriente en un BJT. a) En la Conmutacin a Saturacin (IB >0) y b) en la Conmutacin a Corte (IB <0)
t t 1 ) dt = Vcc Icmax tr ; tr tr 6
1 Vcc Icmax (t r + t f ) ; 6
Pcom =
IC ICM f1 dc f3 f2
Lmite trmico
Avalancha Secundaria
VCE0 VCE
a) FBSOA (f1 <f2 <f3 )
IC ICM
Fuente (S)
Sustrato p
S n+ ep
S n+ p
G S
VDS
e-
VGS
Canal
Corte
a) Smbolo
VBV VBD
VDS
Zonas de funcionamiento del transistor MOS: Zona de corte, VGS<VT , iD0 ; el transistor se considera un interruptor abierto. Zona de saturacin, VGS- VT <VDS, iDconstante (independiente de VDS): k W 2 i D = (VGS VT ) , el lmite de esta zona con la siguiente, se obtiene al 2 L k W 2 sustituir VGS- VT =VDS , en la frmula anterior, es decir: i D = (V DS ) , 2 L (=parbola)
2 VDS W , en esta Zona hmica, VGS- VT >VDS, i D = k (VGS VT ) V DS 2 L zona el transistor se considera un interruptor cerrado, con una resistencia (para valores muy pequeos de VDS): 1 RDS ( ON ) = . W k (VGS VT ) L
n+
n+
n+ p
n+
n+
n+
n+
canal
n+ p
10 1015 cm-3
14
n-epitaxial
n+ (oblea)
iD
iD
1019 cm-3
n+-oblea
Drenador
p n
-
Evolucin en el tiempo de las generaciones de transistores MOS a partir de DMOS hasta los transistores con trinchera.
n+ lmite de la zona de deplexin
p n
-
b) Para valores bajos de VDS (VGS2 > VGS1 , VGS2 < VT)
n+
c) Para valores bajos de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
VGS4
e) Para valores mayores de VDS (VGS3 > VGS2, VGS3 > VT)
p n
DIODO EN ANTIPARALELO
S n+ E G
B p nC
T2
D
D2 IDrenador VDD
B E S
El transistor MOS con el Diodo en Antiparalelo Conmutando una Carga Inductiva en una rama de un Puente.
DB
La velocidad de subida o bajada de la tensin VGS se controla fcilmente con el valor de la resistencia de la fuente de excitacin de puerta.
RG VG =0V
G CGS S
CDS
Transistor cortado
Efecto de la conmutacin de otros dispositivos sobre la tensin de puerta con distintos valores de RG .
RG =200
El efecto de la conmutacin de otros dispositivos puede provocar variaciones importantes en la tensin de puerta debido al acoplamiento capacitivo CGD CGS . Esto tiene como consecuencias no deseadas: a) Se supere la tensin mxima que el xido puede soportar. b) Haciendo que el transistor (que estaba cortado) conduzca. Si se produce un flanco de subida, ese flanco se transmitir a la puerta, con lo que si se supera la tensin umbral, el MOS entra en conduccin.
En ambos casos es determinante el valor de la resistencia equivalente de la fuente que excita a la puerta (RG) cuanto menor sea esta resistencia menos se notar este efecto. Se debe tener especial cuidado con las conexiones en el circuito de puerta, porque cualquier inductancia parsita presente dar una impedancia equivalente muy alta ante cambios bruscos.
Efecto de la conmutacin de otros dispositivos sobre la tensin de puerta con distintos valores de RG .
VGS
VDS
Si se produce un flanco de bajada, ese flanco se transmitir igualmente a la puerta, permaneciendo el transistor cortado, pero con peligro de superar la tensin mxima del xido.
Vcom
ID
RG =2000
Esto tiene el efecto de que baje la tensin VDS con lo que el efecto se compensa, cortndose de nuevo el transistor a costa de sufrir grandes prdidas por la corriente que circula durante el transitorio.
RG =20
SOA (DC)
Lmite de potencia a Tc=25C 0.1A 10V
100ms
a) Circuito Empleado V1
10V 0 Velocidades de subida y bajada reguladas por RG t Umbral de conduccin Umbral de corte
ID
DC
BVDSS=500V
VDS
VGS
10V 0
Zona de Operacin Segura (SOA) en un MOSFET de Potencia (iD y VDS en escala logartmica)
ID es funcin del rea del transistor IC depende de min
iD
9.85A 90% 0 10% tr tf
IC
SOA (DC)
VDS
100V 1.5V 0
Comparacin entre las Zonas de Operacin Segura de dos transistores MOSFET y BJT de Potencia construidos para las mismas tensiones mximas y de secciones anlogas.
BVDSS o BVCE
VDS
1000A
P=iDVDS
0 t
Ntese que los lmites de corrientes y tensiones de dispositivos de mayores potencias que pueden encontrarse en el mercado son aproximadamente:
100A
1000V 1500V
TEMA 5. EL TIRISTOR
5.1. INTRODUCCIN 5.1.1. Estructura Bsica. 5.1.2. Caracterstica Esttica 5.2. FUNCIONAMIENTO DEL SCR. 5.2.1. Polarizacin Inversa 5.2.2. Polarizacin Directa 5.2.3. Mecanismo de Cebado 5.2.4. Mecanismo de Bloqueo. 5.3. RELACIN DEL BLOQUEO DEL SCR CON SU CIRCUITO EXTERNO 5.4. CARACTERSTICAS DINMICAS 5.4.1. Encendido del SCR 5.4.2. Bloqueo Dinmico del SCR 5.5. FORMAS DE PROVOCAR EL DISPARO DEL SCR 5.6. TRIAC 5.6.1. Constitucin y Funcionamiento 5.6.2. Caracterstica Esttica
VAK>0
VAK<0
n+ Unin Catdica
n+ p
n+ Capa Catdica
Capa de Control
BJT
Unin de Control Unin Andica p+ n
-
Capa de Bloqueo
Capa Andica
10171019, 3050
NODO (A)
Puerta
Ctodo
n+
n+ nn
+
n+
n+
IH VRWM IB0 VH Bloqueo Inverso VB02 < VB01 < VB0
VAK
p+ nodo
Seccin de un SCR para potencias muy elevadas
Ruptura
RC
VAK
G K
VCC
VCC nRC
VCC p G RG n
+
RG VGG
n VGG
J1
J1
a) SCR Simplificado b) SCR como dos Transistores c) Circuito Equivalente Para el transistor pnp: Y para el transistor npn: Como:
I C1 = 1 I E1 I CO1
IH
t
I C 2 = 2 I E 2 + I CO 2
IK = IE 2 = I A + IG
I A = I E1
I C1 = 1 I A I CO1 I C 2 = 2 ( I A + I G ) + I CO 2
VAKon
I A + I C1 = I C 2
Y, sustituyendo I C1 e I C2 en (g) por sus valores dados por sus respectivas expresiones (e) y (f), se obtiene:
I A 1 I A I CO1 = 2 ( I A + I G ) + I CO 2
(h)
IA =
I G 1 + I CO1 + I CO 2 1 1 2
L1 VS L2 IL T2
CARACTERSTICAS DINMICAS
IG
4. Elevada derivada de la tensin nodo-Ctodo Los fabricantes definen un valor mximo VAK VFRM
dV AK dt max
td >tq
dVF < max dt
t Uso de redes RC (Snubbers) 5. Temperatura elevada Normalmente no ocurre, aunque si se produce una combinacin de varias causas, podra provocarse la entrada en conduccin 6. Radiacin luminosa Slo se ocurre en los dispositivos especialmente construidos para funcionar de esta forma (LASCR)
tps
VBD
Combinacin de dos SCR para formar un TRIAC. Smbolo del TRIAC T1 VBD
VT1T2
P1 J1 N1
N4
iG
J2 P2 G N3 N2
T2
vG
Caracterstica de Puerta de un TRIAC Caractersticas generales del TRIAC: Estructura compleja (6 capas). Baja velocidad y poca potencia. Uso como interruptor esttico.
INTRODUCCIN
Seccin de una celdilla elemental Fuente Puerta
SiO2
xido de puerta
n+ p n+ n+ canal n+ p 1019 cm-3 1016 cm-3
(sustrato)
n-
L
101415 cm-3
RD
WD
iD n+
iD 1019 cm-3
(oblea)
Drenador
Transistor D-MOS En un Transistor MOS para conseguir altas tensiones (BVDSS): Para un dopado Nd, la mxima tensin de ruptura es: BVDSS
5 La zona de deplexin tiene un espesor: WD 1 10 BVDSS
1.3 1017 ND
(cm)
BV
( cm 2 )
Grficamente:
log(cm2)
BVDSS
INTRODUCCIN
Seccin de una celdilla elemental Fuente Puerta
TECNOLOGAS DE FABRICACIN
Aparece en dcada de los 80 Entrada como MOS, Salida como BJT Velocidad intermedia (MOS-BJT) Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400Amp) Geometra y dopados anlogos a MOS (con una capa n mas ancha y menos dopada) Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT Tiristor parsito no deseado Existen versiones canal n y canal p
Seccin de una celdilla elemental Fuente Puerta
SiO2
xido de puerta
n+ p n+ n+ canal n+ p 1019 cm-3 1016 cm-3
(sustrato)
n-
L
101415 cm-3
RD
WD
iD n+
iD 1019 cm-3
(oblea)
Drenador
Transistor D-MOS En un Transistor MOS para conseguir tensiones (BVDSS) elevadas, RD tendr un valor elevado al ser ND necesariamente bajo y el espesor WD grande. La cada en conduccin ser: iDRON Donde RON ser la suma de las resistividades de las zonas atravesadas por la corriente de drenador (incluyendo la de canal). Si la BVDSS del dispositivo es mayor que 200 o 300 Voltios La resistencia de la capa n- (RD) es mucho mayor que la del canal.
Transistor n-MOS
n+ p
n+
n+ canal
n+ p
(sustrato) L
n
-
WD
iD n+ p+
RD
iD
1/RON
iD
iD
Drenador
VDS
a) MOS de alta tensin b) MOS de baja tensin
VDS
Transistor IGBT
n+
n+
n+ p
n+
VGS
VDS
Avalancha
p+-sustrato
a)
b)
G S Rarrastre n+ p nn+ p+ n+
D D
Seccin Vertical de un IGBT. Caminos de Circulacin de la Corriente en Estado de Conduccin Seccin Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la Estructura del IGBT
D J1
S
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
G S n+ p n+ Rdispersin n n+ p+ D
Seccin Vertical de un IGBT. Transistores MOSFET y BJT Internos a la Estructura del IGBT
-
S
Circuito Equivalente aproximado del IGBT.
Comparacin VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre Vj1=0.71Volt. Rcanal =Rcanal (MOS) Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS) + Debido a la inyeccin de huecos desde p Esta resistencia es menor an si es PT-IGBT, ya que para soportar la misma tensin puede ser casi la mitad de ancha. (adems en los PT-IGBT la tensin VJ1 es menor al estar ms dopadas las capas que forman la unin) La cada total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V para 1.200 Voltios) En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios
J1 J2
EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO INTERNO DEL IGBT (LATCH UP)
Si VJ3>V el transistor npn entra en conduccin y activa el SCR. Prdida de control desde puerta =latch-up esttico (ID>IDmax). Si se corta muy rpido, el MOS es mucho ms rpido que el BJT y aumenta la fraccin de la corriente que circula por el colector del p-BJT, esto aumenta momentneamente VJ3, haciendo conducir el SCR. latch-up dinmico. Debe evitarse porque se pierde el control del dispositivo desde la puerta
EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO INTERNO DEL IGBT (LATCH UP). Mtodos para Evitar el Efecto del Latch up
G S
p, 1016 n+ p+,1019 n+ p, 1016
J1 J2 J3
VJ3<V
nn+ p+
Entrada en conduccin del SCR parsito Mtodos para evitar el Latch-up en IGBTs: A) El usuario: A.1) Limitar ID mxima al valor recomendado por el fabricante. A.2) Limitar la variacin de VGS mxima al valor recomendado por el fabricante (ralentizando el apagado del dispositivo). B) El fabricante: En general intentar disminuir la resistencia de dispersin de sustrato del dispositivo: B.1) Hacer L lo menor posible B.2) Construir el sustrato como dos regiones de diferente dopado B.3) Eliminar una de las regiones de fuente en las celdillas.
D
Tcnica para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Modificacin del Dopado y Profundidad del Sustrato
EFECTO DE CEBADO DEL TIRISTOR PARSITO INTERNO DEL IGBT (LATCH UP) . Mtodos para Evitar el Efecto del Latch up
G S p+ p nn+ p
+
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola:
VGS(t) VT -VGG
n+
iD(t)
td(off)
VDS(t)
VD
D
Tcnicas para evitar el Latchup en los Transistores IGBT's. Estructura de bypass de la Corriente de Huecos Es un procedimiento muy eficaz. Disminuye la transconductancia del dispositivo. Formas de Onda Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta que no sube completamente Vd) La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga almacenada en su base (huecos en la regin n-). Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento. La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la resistencia de dispersin, es la causa del latch up dinmico. Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los huecos en dicha capa (creando centros de recombinacin). Tiene el inconveniente de producir ms prdidas en conduccin. Es necesario un compromiso. En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la ncon una vida media larga, as el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa n+ dnde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms rpido la corriente.
Tema 6. IGBT Transparencia 13 de 20 Tema 6. IGBT Transparencia 14 de 20
10-6s
DC
10-5s 10-4s
a) iD
VDS
b)
VDS
rea de Operacin Segura SOA de un Transistor IGBT. a) SOA directamente Polarizada (FBSOA) b) SOA Inversamente Polarizada (RBSOA) IDmax , es la mxima corriente que no provoca latch up. VDSmax , es la tensin de ruptura de la unin B-C del transistor bipolar. Limitado trmicamente para corriente continua y pulsos duraderos. La RBSOA se limita por la VDS/t en el momento del corte para evitar el latch-up dinmico
Cds
a)
VGS
Cgs S
Las capacidades que aparecen en los catlogos suelen ser: Cre o Cmiller : es la Cgd. Ci, Capacidad de entrada: es la capacidad suma de Cgd y Cgs. (Medida manteniendo VDS a tensin constante). Co, Capacidad de salida: es la capacidad suma de Cgd y Cds. (Medida manteniendo VGS a tensin constante).
105 pF
VDS/ t=0
Ci
104 pF
VDS
Efecto de la tensin VDS sobre las capacidades medidas en un transistor IGBT.
Co
103 pF
a) Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la cada en conduccin (Prdidas en conduccin). Uso de VGS mximo (normalmente=15V). b) Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la cada en conduccin respecto a la temperatura. Derivadas positivas permiten conexin en paralelo. Para funcionamiento de dispositivos aislados es preferible una derivada negativa, ya que al subir la corriente, sube la temperatura disminuyendo la cada de potencial (suben menos las prdidas). En los PT-IGBT, la corriente nominal suele quedar por debajo del lmite (siempre derivadas negativas) en los NPT-IGBT, se suele trabajar en zona de derivada positiva.
Tema 6. IGBT Transparencia 17 de 20
Cre
Puede observarse que cuando est cortado son mucho menores que cuando est conduciendo
102 pF 0.1 V
1V
10 V
100 V
VDS (V)
INTRODUCCIN
El SCR tiene una cada en conduccin muy baja, pero necesita que el circuito de potencia anule su corriente andica. Esto ha reducido su empleo a circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutacin por ciclo). Desde los primeros aos del SCR los fabricantes han intentado conseguir que los SCR pudiesen cortarse desde la puerta A principios de los aos 80 aparecen los primeros GTOs. Porqu no puede cortarse un SCR desde puerta?
CTODO (K) PUERTA (G)
VGK<0
p
Unin de Control Unin Andica p+
Capa de Control
n-
Al aplicar una tensin negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente saliente por la puerta. Aparece una focalizacin de la corriente ando-ctodo hacia el centro de la difusin n+ catdica debido a la tensin lateral. Esta corriente polariza directamente la zona central de la unin catdica, manteniendo al SCR en conduccin.
iA
Puerta
n+ p
Puerta
n+
Puerta
BV2030 V
VAK
np+ n+ p+ n+ p+
nodo
nodo
Seccin de un GTO: Las principales diferencias con el SCR son: Interconexin de capas de control (ms delgada) y catdicas, minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catdicas y aumentando el permetro de las regiones de puerta. Ataque qumico para acercar el contacto de puerta al centro de las regiones catdicas. Regiones n+ que cortocircuitan regiones andicas: Acelerar el apagado Tensin inversa de ruptura muy baja
nodo
Puerta Ctodo
Puerta Ctodo
off =
J1
J1
debe ser: 2 1 (lo mayor posible) y 1 0 (lo menor posible). 2 1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica) est muy dopado. Estas condiciones son las normales en los SCR. 1 0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta. La primera condicin es normal en SCRs de alta tensin, la segunda no, porque ocasiona un aumento de las prdidas en conduccin. Para conseguir una buena ganancia off ser necesario asumir unas prdidas en conduccin algo mayores. Los cortocircuitos andicos evitan estas prdidas extras, al quitar corriente de base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que disminuir la vida media. Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los huecos es larga, el transistor se vuelve muy lento, ya que solo pueden eliminarse por recombinacin al no poder difundirse hacia las capas p circundantes por estar llenas de huecos. Los cortocircuitos andicos aceleran la conmutacin de T1 al poder extraerlos (a costa de no soportar tensin inversa).
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que en el SCR normal. Para bloquearlo, ser necesario sacar los transistores de saturacin aplicando una corriente de puerta negativa:
/(1-2)
I B2 <
I C 2 (1 2 ) (1 1 ) (1 2 ) = I A; 2 2
I B2 = 1 I A I G <
(1 1 ) (1 2 ) I A
2
,
luego:
IG >
dnde off es la ganancia de corriente en el momento del corte y vendr expresada por:
IA off
off =
2 1 +2 1
IG
dIG /dt
IGM IGON
GM
Se necesita una fuente de tensin con toma media. Formas de Onda de la Corriente de Puerta a) Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si slo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente, se puede daar. Ntese que si slo entra en conduccin una parte bajar la tensin nodoctodo y el resto de celdillas que forman el cristal no podrn entrar en conduccin. b) Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente. (Tiene menos ganancia que el SCR). c) Para cortar el GTO se aplica una corriente IG =IA/off muy grande, ya que off es del orden de 5 a 10. d) Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero debe mantenerse una tensin negativa en la puerta para evitar que pudiera entrar en conduccin espordicamente.
-
+
Df
Carga + DLC Io
Limita la velocidad de subida de la corriente andica en el encendido, evitando que IA alcance valores muy altos cuando an no puede circular por todo el cristal (podra subir mucho debido a la recuperacin inversa de Df )
IG /t, Limitada por las inductancias parsitas IG IGM I GON t I A : Sin amortiguador de encendido IA td IAmax : Limitada por el amortiguador de encendido t V AK
AMORTIGUADOR DE APAGADO:
Limita la velocidad de subida de la tensin andica en el apagado, las evitando que al subir VAK corrientes por las capacidades de las uniones lo ceben de nuevo
Don
DS
Turn-off snubber
GTO
CS
Circuito para el Estudio de la Conmutacin del GTO: Al no poder hacerlo funcionar sin estos componentes auxiliares, vamos a estudiar la conmutacin del GTO sobre este circuito completo.
+ Puerta n
Puerta
n+
Puerta
IA
ts
tcola
Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo lateral, que provoca que la corriente andica se concentre en los puntos mas alejados de las metalizaciones de puerta. Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.
Para que circule la corriente IG requerida, se necesita ms tensin. Si sube IA se necesita an ms tensin -VGK. Se podr subir -VGK hasta la tensin de ruptura de la unin Puerta-Ctodo. Esta ruptura definir la mxima corriente controlable desde la puerta
GTO y Diodo de la misma tensin de ruptura. Para integrarlos en la misma oblea, hay que hacer el diodo ms ancho Ms prdidas
IGCT y Diodo de la misma tensin de ruptura. Se integran sin problemas. Se suprimen los cortocircuitos andicos, se sustituyen por una capa andica transparente a los electrones (emisor del transistor pnp muy poco eficaz 1 muy pequea. Esto permite hacer un dispositivo PT ms estrecho con menores prdidas en conduccin. Se mejora el diseo de la puerta (muy baja inductancia) 4.000 Amp/s (con una tensin Puerta-Ctodo de slo 20V). Apagado muy rpido menores prdidas en conmutacin.
En el IGCT, se consigue transferir TODA la corriente catdica a la puerta rpidamente, de forma que la unin catdica queda casi instantneamente polarizada inversamente y el apagado del SCR queda reducido al corte del transistor npn No es necesario un amortiguador de apagado. La ganancia de puerta ser 1 ya que toda la corriente andica se transfiere a la puerta.
G Doff n
Soff
+ +
G n+ p n pn+ K K Son p G
off-FET
a)
b)
MOS
G G
IGBT
rea de silicio /kVA Fcil de controlar No Snubber Cada en conduccin fmax 50kHz
SCR
rea de silicio /kVA Tensiones y corrientes muy altas No se apaga desde la puerta
GTO
Muy alta tensin rea de silicio /kVA
Fcil de controlar Velocidad Bajo coste (V<150V) Salida lineal Alto coste/kVA (V>300V)
b)
Estructura formada por un SCR y dos transistores MOS (uno para encenderlo y otro para apagarlo) Estructura compleja, con muchos requerimientos contradictorios. Comenzaron las investigaciones en 1992, en la actualidad se han abandonado al no poder alcanzar potencias elevadas y no ser competitivo con el MOS en bajas potencias (frecuencia menor y mayor complejidad de fabricacin mayor costo).
Evolucin de la mxima potencia controlable con GTO e IGBT. (Fuente ABB) IMAX (kA) 7 6 5 4 3 2 1 1 2 3 4 5 6 7 VMAX (kV) IGBT Consiguen que la resistencia en conduccin crezca casi linealmente con la tensin de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia 2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios). Existen comercialmente (Infineon). GTO
MOS
Mximas tensiones, corrientes y frecuencias alcanzables con transistores MOS, IGBT y GTO
Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 19 de 23 Tema 7. Tiristores de Apagado por Puerta. Transparencia 20 de 23
Fuente
Fuente
Puerta
SiO 2
SiO 2
xido de puerta
n
+
xido de puerta
n+ canal n+ p n
+
n+ canal
n+ p
(sustrato)
(sustrato)
n
Regin de arrastre del Drenador
Drenador
n+
p+ (oblea)
Drenador
p+ (oblea)
Drenador
a) IGBT
b)HiGT (Hitachi)
La cada en conduccin puede ser comparable a la del GTO para los dispositivos existentes de 4.500V y 1.500Amp. En investigacin (Toshiba) Existen variantes (HiGT Hitachi)
ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS NUEVOS Y LOS CONSOLIDADOS
INTRODUCCIN
1er tema dedicado a aspectos prcticos en el uso de Dispositivos de Potencia. Prximo tema: Circuitos de Disparo. Siguiente tema: Limitaciones Trmicas. Objetivo de este tema: No superar lmites recomendados por fabricantes (Tensiones, corrientes y sus derivadas) Evitar la destruccin de los dispositivos: Extensin de las caractersticas de los dispositivos por dificultad o imposibilidad de encontrar los dispositivos adecuados en el mercado: Conexin Serie. Conexin Paralelo. Empleo de dispositivos auxiliares para evitar que se superen los lmites de los dispositivos: Sobreintensidades. Empleo de Fusibles Sobretensiones: Redes Amortiguadoras. Limitadores de tensin.
IA IA SCR1 VAK2 VT SCR2 VAK1 VAK1 VAK2 VAK2 VAK1 VAK VT= VAK1+VAK2 I= IA1=IA2
Reparto de Tensiones en una Asociacin Serie de Tiristores Se pueden elegir R1 y R2 de tal forma que el par SCR1-R1 y el par SCR2-R2 tengan la curva caracterstica compuesta muy parecida.
IA VAK2 VAK1
Problemas: Si en vez de dos son un nmero elevado es imposible ajustarlo. Al cambiar la temperatura cambian las curvas. Cada vez que se sustituya un SCR por mantenimiento hay que reajustar todas las resistencias
Pn.(Ep)2/R
I2 R
I2 R
M M
I=IAmax SCRn VAKn I2 R
RD C
Ecualizacin Esttica de una asociacin serie de SCRs (Ep ser la mxima tensin que soporta un dispositivo en bloqueo directo o inverso)
I 1 > I 2 V AK > V AK = V AK L = V AK
1 2 3
V AK1 = I1 R = E P ; Em = E p + (n 1) R I 2
Como:
RD C C
I 2 = I 1 I Amax
resulta:
n E p Em (n 1) I Amax
Se ha de repetir para bloqueo directo e inverso y elegir el menor valor que resulte para R.
Esta solucin tiene el problema de que al cebar los SCR hay unas elevadas corrientes andicas y sobre todo una elevada derivada de dicha corriente
M
Esta solucin tiene el problema de no ser capaz de retrasar los SCR el tiempo requerido.
RD
D RS C
RD
VAK
Reparto de Corrientes en una Asociacin Paralelo de Tiristores El problema se agrava cuando la derivada de la tensin nodo-ctodo en conduccin es negativa
IA
IA
T1 T2
T1 +T1 T2 - T 2
IA1 IA2
IA1 IA2
IA2
IA1
IA
IA2
VAK
VAK VAK
a)
VAK VAK
VAK
b)
Uso de resistencias ecualizadoras. Problema: La Potencia crece con el cuadrado de la corriente No se puede usar para corrientes elevadas.
Conexin en paralelo de dos dispositivos de potencia: a) Con coeficiente de temperatura negativo y b) Con coeficiente positivo. Si por uno de los dispositivos pasa ms corriente, se calentar ms. Si sube la temperatura se desplaza la curva caracterstica esttica para disminuir su cada de tensin. Si tiene menor cada de tensin que los dems, circular una corriente an mayor. Ese incremento de corriente ocasionar un aumento de la temperatura, haciendo que el desequilibrio de corrientes sea muy grande. Si la derivada de la tensin nodo-ctodo en conduccin es positiva el efecto es justo el contrario y se equilibran las corrientes.
nodo
Puerta Ctodo Conexin de 2 y 3 Tiristores en Paralelo con Bobinas Ecualizadoras: Ventaja: No prdida de potencia en resistencias Desventajas: Demasiada complejidad al subir el nmero de dispositivos en paralelo: coste, peso y volumen. Conjunto de Varios Tiristores en Paralelo en un mismo Encapsulado incluyendo un SCR auxiliar para el disparo. En el encapsulado de estos mdulos, los fabricantes tienen en cuenta las recomendaciones anteriores, por lo que pueden usarse sin problemas.
PROTECCIONES.
En este tema se va a estudiar la proteccin de los dispositivos, no la proteccin de mquinas o personas (objeto de otras asignaturas). Los dispositivos debern protegerse contra: Sobreintensidades: Posibles causas: Sobrecargas. Cortocircuitos. Medidas a tomar: Al tratarse ambas causas de un mal funcionamiento, debe detenerse la operacin del dispositivo, hasta que un operador repare la causa. Fusibles. Interruptores. Sobretensiones: Posibles causas: Causas externas al circuito: Perturbaciones atmosfricas Conexiones y desconexiones de equipos en la red. Causas internas al circuito: Variaciones bruscas de corrientes por bobinas. Medidas a tomar: Al ser un funcionamiento normal del circuito, deber evitarse que se superen los lmites de tensin de cada dispositivo y sus derivadas. Por tanto, se limitar el efecto de las sobretensiones dejando el circuito en servicio. Redes RC. Dispositivos auxiliares limitadores de tensin.
Icc
Imax
Corriente sin el fusible
tm tc
ta
Efecto Limitador de Corriente en un Fusible Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en cuenta lo siguiente: 1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del dispositivo. 2. El valor de la energa permitida del fusible (i tc) debe ser menor que la del dispositivo que se pretende proteger. 3. El fusible debe ser capaz de soportar toda la tensin una vez que se haya extinguido el arco. 4. La tensin que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que la tensin de pico del dispositivo.
2
Rectificador
T1
T2 Carga
T4
T3
10-2
10-1
10
t, segundos
I(RMS)
F2
Red AC T4 T3
F4
F3
Carga
T1
T2
IA
Amortiguador de encendido
LS
IA
VAK
IA
I A 1 = V Lon t Lon
a)
b)
c)
Sobretensin Producida al Cortar un Circuito Inductivo.: a) Circuito, b) Conmutacin con un Dispositivo Ideal, c) Conmutacin con un Dispositivo Real
Red AC
S1
Transformador
Amortiguador
Convertidor de Potencia
VAC
Lm
R C
Vo
a) Circuito Equivalente antes de la Desconexin de la Red Uso de un Circuito Amortiguador en la Conmutacin de un Dispositivo
Circuito Resonante
Lm
R C
Vo
IL
C
a) Carga Conectada
Estructura, smbolo de circuito y fotografa de SVS Se conectarn en paralelo con el dispositivo o equipo que deba ser protegido, as para proteger a un SCR, se elegir un SVS de forma que teniendo en cuenta las tolerancias de fabricacin del SVS para la corriente mxima prevista por el SVS no se alcance la tensin VDRM o VRRM del SCR.
Circuito Resonante LS VS R C
b) Desconexin de la Carga
Carga
INTRODUCCIN
Flujo de Potencia
Carga
Elementos de clculo
Esquema de un convertidor de potencia. En este tema estudiaremos circuitos amplificadores (Drivers) siguientes caractersticas: con las
Toman seales procedentes de un sistema digital (5V, 3.3V...) y las amplifican a niveles adecuados para la conmutacin de dispositivos de potencia. Dependiendo de las caractersticas del dispositivo a controlar, podrn ser de baja o media potencia. Deben generar seales adecuadas para garantizar: La conmutacin rpida con prdidas mnimas. La entrada en conduccin segura del dispositivo, con prdidas en conduccin mnimas. El corte seguro evitando que entre en conduccin espontneamente. Deben incluir las protecciones adecuadas para evitar la destruccin del dispositivo que controlan: Sobrecorriente. Tiempos muertos en ramas de puentes.
Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 2 de 27
Circuito de Mando
Amplificadores de potencia
Dispositivo de Potencia
V BB I2 TB
Comparador
VBE (TA )
Circuito de VBB Disparo
Comparador
Vcc
Carga
VBB R1
R1 R2
ts
Circuito de Disparo
Vcc
Carga
I1
TA
I B (TA )
R1 R2 CGS
Comparador
M1
T1 R G T2 CGS
M1
(a) Circuito de Control de la Corriente de Base de un BJT. (b) Formas de Onda de Tensin y Corriente durante el Corte
R2 =
V BE almacenamiento I Balmacenamiento
VBB
I Bon = I 1
VBEon (TA )
Circuitos de Control de Puerta de un Interruptor MOSFET o IGBT de Potencia En el circuito a): on=(R1+R2)CGS y off= R2CGS ; Problemas: Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas resistencias de valor pequeo. Aparece una disipacin de potencia importante durante toff debido al 2 pequeo valor de R1: Poff(toff/T)(VBB /R1). En el circuito b): on= off= RGCGS. No se presenta el problema de disipacin, al conducir slo uno de los dos transistores a la vez. Puede hacerse RG muy pequea (incluso cero). La carga y descarga de la capacidad de puerta podr hacerse mucho ms rpido y por tanto la conmutacin del dispositivo (MOS o IGBT). Existen en el mercado numerosos CI con salida anloga a esta ltima, por ejemplo DS0026 UC1707 que pueden suministrar hasta 1Amp.
1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima el valor de la corriente negativa que debe circular por la base durante el tiempo de almacenamiento (corte del BJT de potencia, ecuacin 9-1). 2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensin base-emisor con el BJT en estado de conduccin, se determina I1 de la ecuacin 9-2. 3. Se calcula R1 de la ecuacin 9-3, suponiendo que VBB vale unos 8 Volt. Un valor pequeo de VBB disminuye las prdidas (del orden de VBB.I1) en el circuito de base pero, un valor excesivamente pequeo de VBB aumenta la influencia de VBEon en el circuito de base (ecuacin 9-3).
Circuito de Disparo
Comparador Tensin de Referencia
VBB+ Con
RB
Vcc
Circuito de control
+
Tb+ TA Tb
BJT MOS Divisor de tensin capacitivo
Vcc
VBB
Tb+
A
VBB 2
La tensin Vcc vale 55Volt., la resistencia de puerta es de 50 Ohmios y la tensin VGS vale inicialmente +20Volt. cambiando a 0Volt. en el caso Unipolar y a 20Volt. en el caso Bipolar. El retraso que se observa entre ambos casos es de unos 35nS.
Tb
IB
VBB 2
TA
Se puede comprobar, que gracias al divisor de tensiones capacitivo, se puede aplicar al transistor de potencia (MOS o IGBT) una tensin negativa a su entrada (al saturar el transistor Tb- cuando se corta el transistor Tb+ ).
VBB
Optoacoplador
Salida hacia el driver
Referencia Digital
Seal de Control Optoacoplada El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento elctrico entre el circuito de control y el de potencia. Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de disparos espreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido a la capacidad parsita entre el LED y el fototransistor. Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensin de ruptura. Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras pticas, (inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensin y evitan el efecto inductancia de los cables largos). No permiten transportar potencia, slo seal, por lo que ser necesario una fuente de alimentacin auxiliar y un amplificador.
Alimentacin de Potencia
Entradas de control
Necesidad de aislamiento de la Seal Lgica de Control: Tensiones elevadas (lineas rojas). Necesidad de proteccin del personal que maneja los equipos de control. Diferentes niveles de tensin dentro del convertidor y por tanto diferentes referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers. Se necesitan diferentes fuentes de alimentacin auxiliares para los diferentes niveles de tensin. Existen diferentes mtodos que se estudiarn en los prximos apartados. El aislamiento galvnico se consigue empleando optoacopladores o transformadores de pulsos.
DA
RG
VBB
Optoacoplador
Optoacoplador
Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de salida alta). Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y 15Volt.
Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control El diodo DA sirve para evitar la saturacin completa del BJT de potencia y as acelerar su conmutacin.
Vo
Vd
Seal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso El transformador de pulsos permite transportar una seal de cierta potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacin auxiliar. El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de magnetizacin. Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D0.5 pueden conectarse directamente, conectndose bien a la puerta de transistores de potencia, o en circuitos anlogos a los vistos sustituyendo a fotoacopladores.
Modulador
Demodulador
Seal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso La frecuencia del oscilador podra ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos rectificadores sern de alta frecuencia, pero de seal.
Vc Q /Q Vo Vd
Entrada al driver
Circuito de potencia Cp
ic N1
BJTPotencia
Q
Oscilador
ib N2
T2
R2
Buffer
Vcontrol
C2
C1
RG
Buffer Schmitt-trigger
T1
Circuito de disparo
DB
N3
vi
vo
Circuito de Base con Seal de Control Aislada mediante Uso de Transformadores de Pulso. Aplicacin para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante. Evita Fuente de Alimentacin. Si T1 est conduciendo, ib sera negativa y por tanto, T2 se cortar. La corriente de magnetizacin por el transformador (por Lm) ser transcurrido un tiempo: ipVBB/Rp. Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base, y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser: ib=icN3/N2. Adems, durante el tiempo que est cortado T1 Cp se descargar por Rp. Si en estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensin aplicada al devanado 1 es VBB y la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que: ib= icN3/N2- ipN1/N2 Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse la corriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia.
Vcontrol Q
Q
vi
vo
Circuito de Puerta con Seal de Control Aislada con Transformador de Pulso. Aplicacin para Bajas Frecuencias de Trabajo Si Vcontrol=1, aparece una seal de AF en el transformador, cargando una vez rectificada los condensadores C1 y C2 Vi=0 y el CI est alimentado, al ser inversor dar una salida Vo=1 , haciendo que el MOS de potencia conduzca. Si Vcontrol=0, no hay tensin de AF en el transformador y C2 se descarga por R2 Vi=1, mientras que C1 se mantiene en carga (DB impide que se descargue), luego Vo=0. Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se puede mantener cargado C1 hasta el prximo disparo.
Vcc
Circuito de disparo
Vcc 2
Carga
C2 D2 D1 VBB C1
VBB
VBB1 VBB2
Circuito de disparo
Vcc 2
CD-1
Osc.
VBB
VBB
CD-2
Montaje Semipuente
Vcc
VBB1
CD-1
Circuito de Disparo con Bombeo de Carga por Condensador Simplifica el circuito total, al evitar tres fuentes auxiliares en los puentes trifsicos. No se ve afectado por el rgimen de disparo de los interruptores de potencia. Los transistores MOS, y dems componentes auxiliares deben trabajar a altas tensiones (aunque con corrientes bajas). Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior de cada rama deben ser de alta tensin.
VBB2
CD-3
VBB3
CD-5
VBB
CD-2 CD-4 CD-6
Esquema de un Inversor Trifsico Son necesarias dos fuentes auxiliares de alimentacin para un montaje semipuente y cuatro para un puente trifsico. La complejidad y el costo es elevado, pero no hay restricciones respecto al rgimen de disparo de los interruptores de potencia.
VCC
+
VBB
Driver
VBB
C Driver
VBB
C Driver
VBB
Driver
Fase A Driver
Fase B
Fase C
VBB
Driver
VBB
Tierra de Potencia
VGK + VGGL
Inversor Trifsico con Circuitos Bootstrap El circuito resultante es bastante simple, al conseguirse las tensiones requeridas con un diodo y un condensador. Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior de cada rama deben ser de alta tensin. El rgimen de disparo de los interruptores debe tenerse en cuenta para que no se descarguen los condensadores. Al iniciar el funcionamiento, deben dispararse todos los interruptores de la mitad inferior de cada rama para arrancar con los condensadores cargados.
RG VGGH
D1 15v VGK D2 RG
Vcontrol
VD
Circuito de Control de Puerta del Tiristor con Amplificacin del Pulso de Corriente
V BB
RBSO
4*iDnom
Seal de Control
Conmutacin
iDnom
log iD
ic
v CE
Circuito de Control en Serie con el Emisor del Interruptor de Potencia Para circuitos de disparo de BJTs puede aprovecharse que si se provoca el corte anulando IE el rea de operacin segura ser la correspondiente al diodo C-B (no avalancha secundaria) luego ser cuadrada y con un valor lmite de VCE casi el doble (BVCB02*BVCE0). El transistor MOS empleado no necesita ser de alta tensin.
vDS
El problema que se plantea al intentar proteger contra sobrecorrientes a dispositivos tipo BJT, MOS o IGBT, es que la corriente no sube a valores lo bastante altos para que actuen a tiempo los fusibles, por ello debe realizarse la proteccin desde el circuito de disparo, as en los IGBTs: Al aplicar la tensin VGS de 15 voltios (recomendada por los fabricantes) en caso de cortocircuito la corriente se multiplica por cuatro y el circuito de control tiene entre 5 y 10 s para quitar la tensin de puerta (si la temperatura inicial es menor que 125C). Si se aplicase la tensin mxima permitida por el espesor del xido (20V), la corriente de cortocircuito subira mucho ms y el fabricante no garantiza el corte del dispositivo a tiempo. En un cortocircuito, pueden darse dos casos: a) Cierre del interruptor cuando ya se ha producido un cortocircuito b) Se produce un cortocircuito cuando el dispositivo est conduciendo.
VGS=RG*CGD*dVDS/dt+VGG
Al cerrar el IGBT sobre un cortocircuito, la tensin VDS cae ligeramente, pero se mantiene a un valor muy alto, lo que permite al circuito de control detectar el malfuncionamiento y dar orden de cortar al dispositivo. b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo
vDS iD 4*iDnom iD iDnom t vDScc vDS
El problema se agrava en este caso, ya que al subir la tensin de drenador, se acopla la subida a travs de la capacidad Miller y se polariza la puerta con una tensin mayor, con lo cual la corriente de drenador puede subir hasta valores que impidan el corte del dispositivo. Se debe limitar la tensin de puerta a 15 voltios empleando un par de diodos Zener:
CGD RG VGG
Tambin es necesario emplear para cortar el IGBT una tensin de puerta negativa (al menos 5V, mejor 15V), porque: Se acelera el corte disminuyendo las enormes prdidas debidas a las elevadas tensiones y corrientes del cortocircuito. Se asegura el corte, ya que la tensin umbral de corte disminuye en unos 10mV por cada grado de temperatura que suba la temperatura de la unin, de forma que durante un cortocircuito dicha tensin puede valer casi 2V menos que el valor que da el fabricante a 25C. Debido a que la derivada de la corriente de drenador es muy alta, aparecen cadas de tensin extra en las inductancias parsitas internas y del cableado externo, la tensin que ve la puerta es menor que la esperada.
Al producirse un cortocircuito cuando el IGBT est conduciendo, la corriente sube hasta aproximadamente 4 veces la corriente nominal y la tensin sube hasta prcticamente el valor de corte. Se produce una subida muy rpida de la corriente y de la tensin.
VCC
Entrada de Control
Interr. Cerrado
Interr. Abierto
T+
Control
D+
t a)
Control T-
T-
D-
V2
b)
t t
Control
tmin
tmin
tmin
V1 V2 T+ T
tc
tc
Circuito de Control con Generacin de Tiempos Muertos Si est circulando corriente por T+ (I saliente de la rama), cuando se da la orden de corte a T+ debe esperarse un tiempo (tc) antes de dar orden de cierre a T- para que d tiempo a cortarse a T+ y evitar un cortocircuito entre VCC , T+ y T-. El tiempo tc debe ser mayor que el tiempo de almacenamiento de T+. Si la corriente circula por T- (I entrante en la rama), el efecto es el mismo debiendo retrasarse el cierre de T+.
INTRODUCCIN
Problema a resolver: Al circular corrientes por los dispositivos y conmutar entre corte y saturacin se producen unas prdidas de potencia en forma de calor en el dispositivo. Si este calor no es extrado del interior del dispositivo, provocar una subida de la temperatura del semiconductor. La temperatura en el cristal de silicio no puede superar un valor mximo, (normalmente Tjmax=125C), ya que: Empeoran las caractersticas funcionales del dispositivo. La vida media esperada disminuye al aumentar la temperatura.
3 2 1
40 50 60 70 80 90 100 110 120
Tj=75C
TjMax= 125C
Temperatura en la unin Tj C
Puede observarse que un dispositivo funcionando a 75C durar unas cuatro veces ms que si trabaja a su temperatura mxima, por tanto es muy importante mantener la temperatura del cristal controlada, an en las condiciones ms desfavorables (Mximas disipacin de potencia y temperatura del medio ambiente) ACCIONES A TOMAR:
INTRODUCCIN
ACCIONES A TOMAR: Debe limitarse la potencia disipada en el dispositivo (prdidas): Usar dispositivos con menor cada en conduccin. Limitar la corriente mxima por el dispositivo. Usar tcnicas que minimicen las prdidas en conmutacin. O bien facilitar la evacuacin del calor generado hacia el medio ambiente (supuesto como un sumidero de calor infinito) empleando:
Flujo de aire a Ta
La transferencia de calor por Conveccin (natural, en el aire) se puede estimar por:
Ejemplo de Encapsulado: IGCT
Pconv=1.34 A(T)1.25/d0.25
donde:
Radiadores.
Pconv es la potencia transferida por el mecanismo de conveccin desde el disipador hacia el ambiente (W). A es el rea de la superficie vertical (m2). d es la altura vertical del rea de la superficie A (m). T es el incremento de temperatura entre el fluido y la superficie (C).
Rsa ,conv
1 d = 1.34 A T
1/ 4
En algunos manuales se suele aproximar por: Disipador de Aluminio con ventilador Refrigeracin por lquidos. (con o sin evaporacin) Dos refrigeradores por agua
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 3 de 22
Pconv=h A T
h (W m-2 K-1) 2-25 50-1.000 25-250 50-20.000 2.500-100.000
Sistema Empleado Gases Conveccin Natural Lquidos Gases Conveccin Forzada Lquidos Conveccin con Cambio Lquido+Gas (Evaporacin y de Fase Condensacin)
l
A
R =
T Q
ambiente a Ta PD
La transferencia de calor por Radiacin se rige por la ley de Stefan Boltzmann:
T1> T2
T C PD W ,
T2
Prad=
EA(Ts -Ta4)
donde:
Q = PD Q= con t
T1
donde: Prad es la potencia transferida entre la superficie del disipador y el ambiente (W). E es la emisividad de la superficie del disipador. Esta constante depende del tipo de material. Para objetos oscuros, como el aluminio pintado de negro utilizado en radiadores es 0.9. 2 A es el rea de la superficie (m ). Ts es la temperatura de la superficie expresada en grados Kelvin.
R =
l A
es la resistividad trmica del material (Cm/W). l es la longitud (m). A es el rea (m2). PD es la potencia disipada (W). R es la resistencia trmica del trozo de material (C/W).
Material Diamante Cobre Aluminio Estao Grasa trmica Mica Mylar Aire en calma
(C*cm/W)
0.02 - 0.1 0.3 0.5 2.0 130 150 400 3000
Rsa ,rad =
Al instalar radiadores, se debe tener en cuenta que si se colocan prximos a otros objetos ms calientes absorbern ms energa que la que emitan por radiacin.
j + PD Tj
Rjc +
Tc
Rcs +
Ts
Rsa +
Ta
Temperatura Ambiente Ta
Modelo Multicapa de un Semiconductor Montado sobre un Disipador para analizar la Transferencia de Calor desde el Silicio hacia el Ambiente
mecanismos de transferencia de calor por conduccin entre el silicio y el encapsulado del dispositivo.
Rcs es la resistencia trmica debido a mecanismos de transferencia de calor por conduccin entre el encapsulado del dispositivo y el disipador. Rsa es la resistencia trmica debido a mecanismos de transferencia
de calor por conveccin y radiacin entre el disipador y el ambiente. Estos mecanismos, aunque ms complejos, se pueden modelar de forma aproximada mediante una resistencia trmica y sern estudiados posteriormente.
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 7 de 22
Estos clculos no son exactos, debido a que las resistencias trmicas varan con: La Temperatura. Contacto trmico entre cpsula y radiador (Montaje). Dispersiones de fabricacin. Efectos transitorios.
=C R
C R
T1
Ts
PD
Ts
a) b)
a) Sistema Trmico Simple Consistente en una Masa a Temperatura inicial TS a la cual se le suministra un escaln de potencia PD, estando en contacto con un Disipador a Temperatura TS. La temperatura final alcanzada es T1. b) Modelo equivalente elctrico utilizado para modelar comportamientos transitorios de un sistema trmico. La evolucin en el tiempo de la temperatura cuando se aplica un cambio brusco (escaln) de la potencia disipada ser:
T = ( M C e )Q = C Q T Q V = C = C PD = C IC t t t
donde:
T1 (t ) TS = PD R (1 e t / )
En rgimen permanente coincide con lo estudiado anteriormente para el caso esttico:
Ce M C
es el calor especfico del material (W C-1 Kg-1) es la masa del material (Kg) es la capacidad trmica equivalente (W C-1)
T1 (t = ) TS = PD R
PD Po
Tn Tfn
Tn (t ) T0 n = P0 R (1 e t / )
T5 T4
T3 T2 T1
TS
PD
a) Sistema trmico
aproximado por cinco trozos.
T0n 0
a) Escaln de Potencia
T5 R5,4
T4 R4,3 C4
T3 R3,2 C3
T2 R2,1 C2
T1 R1,S C1
Definimos la impedancia transitoria como:
Z Z 0
Z (t ) = Z 0 (1 e t / )
PD
C5
Z (t ) =
T (t ) Tn 0 T (t ) = P0 P0
log(Z(t)/Z(t=))
10
D=
0.5
0.2 0.1
0.1
log(t/ ))
PD
Pulso nico, T=
Notas:
t1
Para formas de ondas diferentes de escalones y ondas cuadradas, se puede aproximar por ondas de duraciones comparables que inyecten la misma energa (rea) que la onda cuadrada, as por ejemplo:
T
0.318T P0 t P0u(t1) P0
0.01
t1 (seg) Curvas de la Impedancia Trmica Transitoria del transistor MOSFET IRF 330 donde la Impedancia Trmica Transitoria est parametrizada en funcin del ciclo de trabajo del MOSFET
Puede observarse que para valores altos de D y bajos de t1 (=altas frecuencias), las curvas se vuelven horizontales, es decir, la inercia trmica hace que la temperatura de la unin no vare y por tanto estas curvas no sirven. En general, para frecuencias mayores de 3kHz es suficiente trabajar con la caracterstica esttica.
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
10
Potencia
1-D=t1/T 2-TjMax=TC+PDMaxZthJC
Tj
Tj
t
0.318T
-P0u(t2)
P0 t1=0.09T t2=0.41T
Tj
Se hace equivalente un arco de senoide a una onda cuadrada de la misma amplitud y duracin 0.318T
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 13 de 22
El pulso se descompone en dos escalones: P(t)=P0u(t1)-P0u(t2)=P0(u(t1)-u(t2)) y la temperatura puede calcularse de: Tj(t)=Tj0+P0(Z(t1)- Z(t2))
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 14 de 22
P(t) P3 P1 t1 Tj(t) t2 t3 t4 t5
P5 Pm t6 tm t
Pulso a aproximar
P7 P8 O
P(t)
P1 t1 t2 P2 t3
t
t5 t6 t7 t8
Aproximacin
Pm t
t j0
t4
... t m
Tj(t)
Temperatura
t j0
tj0
t
Temperatura de la Unin con Pulsos de Potencia Rectangulares Llamando Zn=Z(t=tn) y teniendo en cuenta que P2=P4=P6=...=0, se puede escribir que la temperatura despus del pulso m es:
T j (t ) = T j 0 + Z 1 P1 + Z 2 ( P2 P1 ) + Z 3 ( P3 P2 ) + ...... = = T j0 +
n =1, 2....
Z n ( Pn Pn 1 )
T j (t ) = T j 0 + P1 ( Z 1 Z 2 ) + P3 ( Z 3 Z 4 ) + P5 ( Z 5 Z 6 ) + ...... = = TJ 0 +
n n =1, 3, 5....
ya que la secuencia de pulsos Pi se puede descomponer en una secuencia de pulsos de tipo escaln:
Pulso
P (Z
Z n +1 )
P0
P1 t
P0u(t0)
P0 t
(P1-P0)u(t1)
P1-P0 t0 t1
Rjc
Tc
Rcs
Ts
Rsa
Ta
La resistencia Rcs depende mucho de la forma como se conecten la cpsula y el disipador, le afecta especialmente el acabado superficial de ambos: Cpsula Disipador Cpsula Disipador Superficies Rugosas tpico: 1.6m Uso de materiales intermedios blandos que llenen los huecos, por ejemplo: Mica Grasa de Silicona Uso de tornillos que acerquen las superficies por presin
Tipos de Superficies (secciones): Las secciones de tipo corrugadas se usan en aplicaciones de conveccin natural Recta Serrada Corrugada porque son mas delgadas y permiten una separacin mayor entre lminas. Las secciones de tipo serradas se usan en H aplicaciones de conveccin forzada, ya que aumentan la turbulencia del flujo y por tanto el flujo de calor entre el disipador y el fluido. d d d Las secciones rectas no se recomiendan en aplicaciones de gran potencia debido a 100% 102% 107% su menor capacidad de transferencia de reas relativas para calor. tamaos iguales
Entrada de aire
Salida
Salida 1
Salida 2
En el segundo caso, al ser la superficie atravesada por el flujo de aire el doble, las prdidas de presin son la mitad y por tanto se necesita un esfuerzo menor (ventilador de menos potencia) para conseguir el mismo flujo. O bien con el mismo ventilador se puede conseguir una velocidad del aire mayor, bajando la resistencia trmica equivalente.
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 18 de 22
Conveccin Natural
a)
A1
b)
A2
(a) Ejemplo de Disipador. b) Definicin de las reas Usadas para Calcular la Resistencia Trmica en el Disipador de la Figura por Conveccin y Radiaccin.
Acon=2 A2 + n A1
Potencia Disipada (W)
donde: A1 es la superficie frontal del disipador. A2 es la superficie lateral del disipador. n es el nmero de superficies laterales generadas por las aletas que componen el disipador. En el caso del disipador de la figura n=16.
Conveccin Forzada
RSA (C/W)
0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Rsa ,conv =
Fred
Velocidad del Aire (ft/min)
Caractersticas de la Resistencia Trmica de dos disipadores comerciales (azul y rojo) con conveccin natural y forzada.
Tema 10. Control Trmico. Transparencia 19 de 22
A1
Arad=2 A1 + 2 A2
donde:
A2
Entrada de Lquido Salida de Lquido
Rsa ,rad
La Resistencia Trmica del Disipador ser la resistencia equivalente a conectar en paralelo las dos resistencias trmicas calculadas anteriormente:
Rsa =
Bomba Depsito
Condensacin
Evaporacin
INTRODUCCIN
En este tema se estudiar el diseo de inductores y transformadores as como la seleccin de condensadores.
En los aos iniciales de la electrotecnia se empleaban para la fabricacin de inductores y transformadores ncleos de acero y sus aleaciones. En los circuitos electrnicos modernos trabajando a altas frecuencias esto ocasionara demasiadas prdidas eddy. Uso de lminas o polvos sinterizados de acero inicialmente y a partir de los aos 30-40 se comenzaron a usar ferritas, especialmente a partir de los aos 50 con la introduccin de los televisores. Las ferritas estn formadas por xidos magnticos con alta resistividad elctrica y buenas caractersticas magnticas. Se emplean dos grandes grupos: Ferritas de Manganeso-Zinc (MnZn), formadas por una mezcla de xidos de hierro, manganeso y zinc (Fe2O3 + MnO + ZnO). Ferritas de Niquel-Zinc (NiZn), formadas por una mezcla de xidos de hierro, niquel y zinc. Las ferritas de NiZn tienen una resistividad muy alta por lo que se usan para frecuencias muy elevadas (desde 12 MHz a varios cientos de MHz) mientras que las MnZn se emplean hasta 2MHz. La permeabilidad magntica de las ferritas MnZn es del orden de 100 veces mayor que en las NiZn. Las caractersticas principales de las ferritas se pueden resumir: Alta resistividad Amplio rango de frecuencias de trabajo Bajas prdidas permeabilidad con alta Gran variedad de formas de ncleos Bajos coste y peso Baja conductividad trmica Fragilidad y poca resistencia mecnica Saturan a bajas densidades de flujo
INTRODUCCIN
Las unidades empleadas en electromagnetismo son (SM=Sistema Mtrico, UC=Uso cotidiano): Magnitud Inductancia Intensidad de campo magntico Flujo Magntico Densidad de Flujo Magntico/ Induccin Magntica Permeabilidad Carga elctrica Simb. SM H Unidad SM Henrio Amperio/ A/m metro Wb Weber T H/m C Tesla Henrio/ metro Culombio Simb. UC L Oe Mx g EM Unidad Factor UC Convers Henrios 1 Oersted Maxwell Gauss 79.58 1 108 1 104 4 10-7
DISEO DE INDUCTORES
Para el diseo de un inductor debe conocerse (del circuito dnde se conecta): La inductancia, L. La corriente de pico, Ip. La corriente eficaz, IRMS. La frecuencia, f
0
B
Bp t a)
10
BAV
Bp
b) t
B =
B (gauss)
Sin Gap Sin Gap
E 108 k Ac N f
B es el incremento de densidad de flujo mximo AC expresado en gauss y es igual a la diferencia entre el valor de pico de la densidad de flujo y su valor medio.
k es una constante que es igual a 4.44 para onda senoidal y 4 para onda
cuadrada.
H (oersted)
DISEO DE INDUCTORES
Las prdidas en un ncleo de ferrita pueden estimarse (segn los fabricantes):
DISEO DE INDUCTORES.
Tipos de ncleos magnticos mas usados
P = k f a B b
P es la prdida de potencia en mW/cm3.
t = 0.833
P A
c) UU
d) Toroidal
g) EC
h) EPC
DISEO DE INDUCTORES
DISEO DE INDUCTORES
rea de ventana (Aw=lwhw) Espacio para alojar los devanados
Seccin
Carrete lw g
Columna interior Gap Vista Externa del Ncleo POT con Ranuras Laterales y Entrehierro (Gap) rea de ventana (Aw=lwhw)
Conductores Gap (g) N espiras hw Seccin Transversal de los Ncleos POT, Cuadrados y en E
Para la seleccin del ncleo se emplea la frmula que da la caracterstica producto de reas. (se deducir posteriormente)
Aw Ac =
lw
hw
Gap (g)
Aw rea de ventana. Seccin media transversal del circuito magntico. Ac Lmax Inductancia mxima que puede obtenerse con el ncleo (se deducir posteriormente). Kcu Coeficiente de empaquetamiento del cobre (valores tpicos comprendidos entre 0.6 y 0.8). J Densidad de corriente. Carrete Es la base sobre la que se asienta el solenoide o bobina de cobre. Est caracterizado por el rea de ventana Aw y se define como el producto de la altura de ventana hw por el ancho de ventana lw. Conductores A partir de la corriente eficaz Irms, y una densidad de corriente aceptable (para cobre se suele fijar en 450 A/cm2) puede determinarse la seccin del conductor: Si se define N como el nmero mximo de espiras de cobre de seccin efectiva Acu (incluyendo la superficie de aislante que normalmente es barniz) que pueden ser alojadas en un ncleo de rea de ventana Aw, se cumple: En la prctica: Acu Acu
Acu =
I rms J
' NAcu = Aw k cu
DISEO DE INDUCTORES
El nmero mximo de espiras que puede alojar el ncleo se puede deducir de las dos ecuaciones anteriores: (A) Aplicando la definicin de densidad de flujo para la seccin media del ncleo magntico: La inductancia de una bobina formada por N espiras: Su valor mximo ser:
DISEO DE INDUCTORES
N = Aw kcu J I rms
Entrehierro (gap) Consiste en intercalar una zona de aire en el circuito magntico. Se realiza en la mayora de los inductores para aumentar la corriente mxima por la bobina para una misma densidad de flujo (evitar saturacin). L pero se compensa aumentando N ya que LN2. La distancia de entrehierro puede obtenerse aplicando la ley de Ampere al nuevo circuito magntico, La densidad de flujo en el aire, Bg puede relacionarse con la densidad de flujo en el circuito magntico, Bmax, sin ms que tener en cuenta que el flujo permanece constante a lo largo del circuito magntico:
= BAc
N I NBmax Ac = Ip L=
Lmax =
N max Ip
H dl = NI
Bg Ag = Bmax Ac
Este ser el valor de la inductancia mxima que puede obtenerse para un ncleo dado. Debe ser mayor que el valor de inductancia deseado. En caso contrario se selecciona un ncleo ms grande. Para este nuevo ncleo se determina la nueva inductancia mxima y as sucesivamente hasta que la inductancia mxima supere o iguale el valor deseado. El nmero de espiras necesario para construir una bobina de valor L, ser: (B)
N=
LI p Bmax Ac
Donde Ag es la seccin equivalente del entrehierro (esta seccin es ligeramente superior a la del ncleo). La intensidad del campo magntico en el entrehierro (Hg) viene dada por:
Igualando los valores de N dados por las ecuaciones (A) y (B) resulta la ecuacin del producto de reas del ncleo vista anteriormente:
Hg =
Bg
max 0 Ag
Aw Ac =
El producto AwAc depende de las dimensiones de cada ncleo, de forma que una vez evaluada la parte derecha de la expresin anterior, debe elegirse un ncleo con un producto de reas mayor o igual que el valor calculado.
Debido a que la permeabilidad del ncleo magntico () Bg B es mucho mayor que la del aire (o), la intensidad del Hg = >> c = H c campo en el ncleo (Hc) ser mucho menor que en 0 entrehierro (Hg). Despreciando, por tanto, la intensidad de campo en el material magntico frente a la intensidad de campo en el aire, de la ley de Ampere, puede obtenerse:
H g g = NI p
De estas ecuaciones se obtiene la longitud del entrehierro que hay que realizar para una corriente mxima Ip:
g=
NI p Hg
LI p
DISEO DE TRANSFORMADORES
Para el diseo de los transformadores se puede proceder de forma anloga al diseo de los S inductores. Para ello se deducir una expresin A A = c w anloga para el producto de reas escrita en funcin 2 fBmax Jkcu de la potencia aparente del transformador. (se deducir posteriormente): La relacin entre la tensin aplicada V1 en el primario de un transformador y el flujo que aparece es:
De las frmulas anteriores y de I1=Acu1J I2=Acu2J se pueden calcular las corrientes mximas por los devanados:
max
0
V1 = N1
2 max = 4 N1 f max 1 2f
JAw k cu 2N1 JA k = w cu 2N 2
Para demostrar la frmula del producto de reas, se puede despejar V1 de la ecuacin (C) obteniendo: Si la ecuacin anerior se multiplica por el valor de la corriente I1max del primario (D) se obtiene la potencia aparente mxima (para la que hay que dimensionar el transformador): Reorganizando los trminos de la ecuacin anterior se obtiene la ecuacin que da el producto de reas:
-max
1/f
N1 =
V1 V1 = 4 f max 4 fAc B
(C)
Suponiendo despreciable la corriente de magnetizacin, la fuerza magnetomotriz primaria es igual a la secundaria: Si J es la densidad de corriente mxima que admiten los conductores, en ambos devanados ser (Acu=Seccin de los conductores): De las expresiones anteriores, si se supone el mismo tipo de conductores en primario y secundario: El rea de ventana se reparte entre los dos devanados:
= N1 I 1 = N 2 I 2
I1=Acu1J I2=Acu2J N1Acu1=N2Acu2
SELECCIN DE CONDENSADORES
Capacidad. Tensin mxima. Corriente eficaz. Frecuencia. Resistencia Serie Equivalente (ESR). Autoinduccin Serie Equivalente (ESL). Volumen (tamao). En electrnica de potencia se utilizan fundamentalmente tres tipos: Electrolticos. Alta capacidad. Altas ESR y ERL (Fuertes prdidas I2R). Tensin mxima de unos 450500 V. Necesidad de conexin serie. Tienen polaridad (peligro de explosin si se cambia la polaridad). Plsticos y Cermicos. Muy baja capacidad. Muy bajas ESR y ERL. Tensiones mximas muy elevadas. No tienen polaridad. El uso principal de los condensadores electrolticos es para mantener en determinados nudos una tensin constante. Si se requiere que el condensador suministre altas corrientes con cambios bruscos, es necesario conectar en serie con el condensador electroltico un condensador plstico o cermico que pueda suministrar instantneamente la corriente solicitada, que el electroltico no puede dar debido a su ESL. Los condensadores plsticos y cermicos suelen emplearse adems para realizar circuitos resonantes o amortiguadores, en los que se requieren valores pequeos de las capacidades.
INTRODUCCIN
AC, 1
DC
AC, 1
DC
AC,3
DC
AC, 3
DC
Smbolos de Convertidores AC/DC Entrada AC, monofsica o polifsica. Salida DC no controlada, su valor depende de: La tensin de entrada La corriente por la carga Topologa del convertidor Flujo de potencia desde la entrada a la salida Aplicaciones: Pueden usarse en aplicaciones con las siguientes caractersticas: De coste mnimo No sensibles al valor de la tensin de salida No problema con el factor de potencia Algunos ejemplos: Entrada de fuentes de alimentacin Alimentacin de motores DC
RECTIFICADOR MONOFSICO
+ +
Carga Carga
VS
iR
VR
Carga
c)
VR ( AV ) =
1 2
2VS
Diferentes Topologas de Rectificadores: a) Media Onda, b) Onda Completa con Transformador de Toma Media, c) Onda Completa con Puente de Diodos
VR ( RMS ) =
VS 2
VS = VL + VR ; VL = L di =
di ; dt
D
Area B
iL VS
VL
t
E
Area A
Primer Intervalo
Area B
Primer Intervalo
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Inductiva y Fuerza Contraelectromotriz (Cargador de Bateras o Motor DC).
Area A Area B
Area A Area B
t
1er Intervalo 1er Intervalo 2o Intervalo 2o Interv
Formas de Onda en un Rectificador con Carga Inductiva y Fuerza Contraelectromotriz (Cargador de Bateras o Motor DC) y Diodo de Libre Circulacin.
+
D1 Carga Vd iS VS D2 D4 D3
+
Carga
Vd
D2
D4
Rectificador en Puente Completo Monofsico Se estudiarn los siguientes casos: Para LS despreciable. Con carga resistiva Con carga fuertemente inductiva. Teniendo en cuenta el efecto de LS. Con carga fuertemente inductiva.
Rectificador en Puente Completo Monofsico con conmutacin ideal y carga resistiva: Puente Rectificador D1 id D3
Carga
iS VS >0
VS
Vd = VS
VS
D2 a) Vs>0
D4
id
Puente Rectificador
Carga D2
iS VS <0
VS
D1
D3
Vd = -VS
VS
a) Vs<0
D4
VS iS
t
LS=0; IS no contiene armnicos
VS iS
Id Id t
I S1 =
Vd 0 =
I Sh
I d = 0. 9 I d ; 0 (h par ) = I S1 h (h impar )
2 2
Vd 0 =
Vd
4 2VS 2 2 VS = 0.9VS = T
Vd id
Id t
id
Vd 0 = 0.9Vs Id0 = Id
Id 0 =
t
Vd 0 V = 0.9 S R R
Formas de Onda de un Rectificador Monofsico Puente no Controlado para Carga Fuertemente Inductiva Formas de Onda de un Rectificador Monofsico Puente no Controlado para Carga Resistiva La distorsin total de la corriente de lnea IS ser:
%THD = 100
2 2 I S I S1
I S1
, como IS=Id , I S 1 =
2 2
Id
1 ( %THD = 100
2 2)2 = 48.43% 2 2
PF =
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 11 de 32
+
VS
iS
Carga
Vd
Circuito Equivalente Usado para el Estudio de la Conmutacin no Instantnea: La fuente y la bobina forman una malla con los cuatro diodos conduciendo. La ecuacin que rige el funcionamiento de este circuito es:
D2
D4
a) Circuito
VS = 2VS sen(t ) = LS
diS dt
(0 t )
( 0 t )
Id
2V S sen(t ) d (t ) = L S di S
A =
t
2V S sen(t ) d (t ) = L S
Id
di S = 2L S I d
A = 2V S (1 cos ) = 2L S I d ;
El valor medio de la prdida de tensin debida a la conmutacin no instantnea ser: A
Vd = Vd 0
= 0.9VS
2LS I d
VL
Puente Rectificador D1 D3
Id
Carga
t
VS
iS
Vd D2 D4
Puente Rectificador Monofsico con Carga a Tensin Constante (Carga capacitiva, Motor DC o Batera)
a) Circuito VL
V 1 = ar sen d 2V S
; p = 1
VL = LS
dI d = 2VS sen(t ) Vd ; dt
i
L S dI S =
0
2V S sen(t ) V d d (t )
L S
2V S t t1 cos(t ) Vd LS ; L S
El ngulo 2 en el que se anula la corriente, se calcula de: b) Formas de Onda Puente Rectificador Monofsico con Carga a Tensin Constante (Carga capacitiva, Motor DC o Batera)
(
2
1
2VS sen(t ) Vd d (t ) = 0
Id =
2
1
iS (t ) d (t )
UR iN=iR+iS+iT N
N +
Rect. 2
N
Rect. 3
UT
US
iS iT
Vd >0
Vd
h = 2 k +1
Poliandico
iR = 2 I S 1 sen (t 1 ) +
2 I Sh sen (ht h ),
k = 1, 2, 3 L
h = 2 k +1
iT = 2 I S 1 sen (t 1 240 ) +
La corriente por el neutro es:
h = 2 k +1
i N = i R + i S + iT
En esta suma todos los armnicos no triples suman cero, luego la corriente por el neutro ser:
h =3( 2 k 1)
Policatdico
iN = 3
2 I Sh sen (ht h ),
k = 1, 2, 3 L
iS = 2 I S 1 sen (t 1 120 ) +
IN = 3
h =3( 2 k 1)
2 I Sh 3I S 3
t
Vd
Esta ltima aproximacin se puede hacer si el tercer armnico es mucho mayor que los dems armnicos triples.
u1 Uc=u1-u2 + Comparacin con un solo rectificador: Tensin de pico menor que el doble (en trifsica 3 ). Frecuencia de rizado doble. Tensin de rizado menor.
u2
u2
Uc
Vd
Uc
Carga
2
TS
+
Uc
u1
Carga
R S
Uc
R S T
Carga
3
R S T u2
Uc
El montaje puente es equivalente al montaje serie en oposicin de fase, pero se ahorran devanados de transformadores.
+
Uc
S T
Carga
4
TS
Uc
S T
Carga
5
Uc
Uc
TS
R S T
Carga
6
Uc
Uc
t
+
S T
Carga
Uc
R S T
LS
Uc
Armnico
Armn Valor Armn Valor Armn Valor Armn Valor 0 0 5 0.220 10 0 15 0 1 1.102 6 0 11 0.100 16 0 2 0 7 0.157 12 0 17 0.064 3 0 8 0 13 0.084 18 0 4 0 9 0 14 0 19 0.0584 Armnicos de la corriente IR (normalizada con Id)
Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 23 de 32 Tema 12. Rectificadores no Controlados. Transparencia 24 de 32
u1 R S T
Uc= u1 = u2
u1
R S T
R S T
R S T
Vd
u2
u2
Vm = V M cos
Rectificador Hexafsico
TS
La tensin de salida estar formada por una serie de arcos que se repiten peridicamente:
u = VM cos t para
El valor medio
- < t < . m m
Vo =
VM sen
/2 /2
Vf2 Vf1
Vf
2/m Vfm
En el tringulo issceles, el lado mayor es la tensin compuesta Vc (tensin fase-fase) y los lados iguales son las tensiones de fase Vf. Al dividirlo por la bisectriz, quedan dos tringulos rectngulos, de dnde se calcula: Vc/2=Vfsen(/2) dnde =(2/m)trunc(m/2)
Para calcular la tensin media en un puente, se puede aplicar la frmula deducida para un montaje simple, pero teniendo en cuenta que la tensin de pico ser la tensin compuesta y que la frecuencia de rizado ser el doble:
m VM = Vc = 2V f sen trunc ( ) 2 m
Vo =
sen( ) = 2m
=4
m 2 2 1 = VM + sen m 2 4
VRMS = V M
Vo =
3 3
V f = 1.652V f
1 m 2 + sen m 2 4
TENSIN RECTIFICADA. Montaje Simple. Factor de Ondulacin. Desarrollo en Serie. Factor de Potencia del Secundario
donde
Ss
Factor de Ondulacin. Montaje Simple: El factor de ondulacin se define como la mitad del valor de pico-pico, dividido por el valor medio.
Veamos cuanto vale TUF para el caso de carga altamente inductiva. Si suponemos que i d es constante durante todo el periodo y de valor I d , Pd = V0 I d donde V0 es el valor medio de la tensin rectificada. La corriente que circula por el devanado secundario es igual a la que circula por cada diodo. Esta corriente es igual a durante el resto del perodo T, por tanto:
I s2 =
Luego:
Id 1 2 Id Is = m m
m
TUF =
Pd Vo I d = = S s m Vs I s
Vs 2 sen
I 2m m d = sen Id m m Vs m
6
TUF (m = 3) =
sen
= 0.675 3
TENSIN RECTIFICADA. Factor de Ondulacin. . Factor de Potencia del Secundario. Desarrollo en Serie
Grficamente:
m= Nmero de fases
Factor de potencia del Secundario (TUF) y Factor de Ondulacin (Km) en funcin del nmero de fases (m) del rectificador.
El valor eficaz de la corriente de una fase es: I S =
0,3
2 Id m
0,25
0,2
0,15
3 6 9 12
0,1
I S = I S1 = Para m=3: I Sh =
2 Id 3 Id 6
I S1 h (h = 5,7,11L)
0,05
0 1 2 3 4
11
12
13
14
15
PF =
I S 1 DPF 3 = = 0.955 IS
27 12
INTRODUCCIN
Flujo de Potencia
+
DC (+-)
Vd
Flujo de Potencia
Id Flujo de Potencia
Smbolos de Rectificadores Controlados Este tipo de convertidores en la actualidad es casi la nica aplicacin de los SCR, ya que son circuitos que requieren control de ngulo de fase y los dispositivos se bloquean naturalmente. Existen rectificadores controlados monofsicos y polifsicos, diseados para potencias muy elevadas.
VS
i(t)
Ud
VS
Ud
i(t) R
UR
El rea gris es la integral de VL. Las dos reas deben ser iguales
Carga Resistiva
VS E
Ud
i(t) R
UR
VS
Ud
VL
VL
VL
VL
1er Int 2 Intervalo
E 2VS
1er Intervalo
)
Carga Resistiva e Inductiva con Diodo de libre circulacin
+
Carga iS E VS
VS
Ud
i(t)
Vd
VL
di/dt constante VL
iS
=0
In. 1 In. 2 In. 3
Carga inductiva y fuente de alimentacin con Diodo de libre circulacin
In. 1
iS
Vd =
2VS sin ( t ) d ( t ) =
Vd = 0.9 VS cos
2 2
VS cos =
1 P = Id T
vd dt = 0.9 I d VS cos
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 9 de 30
+
a:1 Carga VS
diferenciador RC
3 Retraso ()
VS
iS
Vd
VS /a
3
Puente Monofsico con conmutacin no instantnea
t=
4
t=
t
u1 u2
um
2/m
2/m
U =
U =
U = U ov (1 cos )
U o = U ov U = U ov cos
La Tensin Eficaz: Los Armnicos:
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 13 de 30
U rms = U M
1 m 2 + sen cos m 2 4
U ok = U o
2 1 + k 2 m 2 tg 2 2 2 k m 1
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 14 de 30
Vo /VM
0,25
0,2
m
0,15
Tensin media rectificada en funcin del ngulo de disparo y del nmero de fases m
1 3
0,1 5 7 9 11
VRMS/VM
13
15
0,05 17 19
21
Nm. armnico
23
25
0 27 29 60 30 0 Alfa
Tensin eficaz rectificada en funcin del ngulo de disparo y del nmero de fases m
=0; Uo=257V
=30; Uo=222V
=60; Uo=129V
=90; Uo=0V
Segn el valor de :
Ud Ud
=150; Uo=-222V
<> 0
Uo > 0
Ud Ud
<> 0
Uo < 0
=180; Uo=-257V
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 18 de 30
u1
Uc =u1 -u2
LS
ic id =i1 +i2
2LS
u2
um
i2
LS Ud LS Uc =u1 -u2 ic
Tensin no aplicada
a)
b)
U o = U ov U = U ov cos
No es vlida en el caso de cargas Resistivas o con diodos de libre circulacin, ya que no se podrn aplicar tensiones negativas a la carga, en este caso, solo ser aplicable si como vimos antes est en el intervalo:
uc = u2 u1
; uc =
2 U c sen t ; U c = 2 sen
dic = 2 U c sen t dt
U f m
2 Ls
t
ic =
Ud 0 < < 2 m
siempre > 0
i1 = I d i2 = I d ic
, para t = + ,
i1 ( t = + ) = 0 .
Como:
ic ( + ) = I d ser:
u2
um
i2
t
0
2 U c ic = 2 L s
u1+u2
2
Vlida para:
1 U o = U ov [cos + cos( + )] 2
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 21 de 30 Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 22 de 30
Ud
Ud
Puente Trifsico
t=2
+ m + m
Ud =
1 2 2m
U d (t ) = U d (t )
c c
) U c = 2U M sen( ) cos(t 2m m
Ud =
Tensiones en un Puente Rectificador Trifsico con ngulo de Disparo
2U M sen( ) m
cos(t
)d (t ) 2m
Ud =
4m
Carga
A B C
Ud
=45; Uo=363V
Uo
=90; Uo=0V
Uo
1 U o = U ov [cos + cos( + )] 2
Para el puente trifsico ser:
=112; Uo=-192V
U ov =
Tema 13. Rectificadores Controlados. Transparencia 25 de 30
3 3
Vo /VM
T2
+
Carga
Vd
D2 Id
+
Carga
Puente Rectificador
T1 iS VS
D1
Vd
Vo/VM
T2 Rectificador Trifsico Puente D2
Tensin media rectificada en un rectificador trifsico en funcin del ngulo de disparo y de la duracin de la conmutacin no instantnea
M
Id
R S T
Ud
0
VS/2
Carga
D1 T2
Ud
- N
D2
D2 T2 D2 T1 D1 T1 D1 T2 D2 T2 D2 T1
-VS/2 VS/2
>Lim
Tensiones en un Puente Rectificador Trifsico semicontrolado con ngulo de Disparo
INTRODUCCIN
TEMA 14. CONVERTIDORES CONMUTADOS CC-CC. TOPOLOGAS BSICAS CON UN SOLO INTERRUPTOR SIN AISLAMIENTO GALVNICO
14.1 INTRODUCCIN 14.2 CONTROL DE LOS CONVERTIDORES CC-CC 14.3 CONVERTIDOR REDUCTOR 14.3.1 Modo de Conduccin Continua 14.3.2 Modo de Conduccin Discontinua 14.3.2.1 Modo de Conduccin Discontinua con Vd Constante 14.3.2.2 Modo de Conduccin Discontinua con Vo Constante 14.3.3 Rizado de la tensin de salida 14.3.4 Prdidas en el Condensador 14.4 CONVERTIDOR ELEVADOR 14.4.1 Modo de Conduccin Continua 14.4.2 Modo de Conduccin Discontinua 14.4.3 Rizado de la tensin de salida 14.4.4 Efecto de componentes no ideales 14.5 CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR 14.5.1 Modo de Conduccin Continua 14.5.2 Modo de Conduccin Discontinua 14.5.3 Rizado de la tensin de salida 14.5.4 Efecto de componentes no ideales 14.6 CONVERTIDOR DE CK 14.6.1 Modo de Conduccin Continua 14.6.2 Lmite entre Modos de Conduccin
Fuente DC:
Convertidor CC/CC
Tensin regulada Vo
Carga
Consigna de Tensin
Se supondrn las siguientes hiptesis: Funcionamiento en rgimen permanente. Los dispositivos semiconductores sern considerados como interruptores ideales. Las prdidas en los elementos inductivos y capacitivos sern despreciadas. La alimentacin continua se supondr contante en el tiempo. La etapa de salida del convertidor estar compuesta por un filtro paso bajo y la carga (R). Cuando la carga es un motor DC, ser necesario hacer otro tipo de modelado, (Tensin DC en serie con las L y R del devanado del motor).
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 2 de 37
1 de 37
Vst
Comparador
Vd
vo(t)
Vo
Vcontrol
Controlador PI
Seal de Disparo
vst vcont
vcont>vst
b) D=0.8
t on TS
vo(t)
Vd
1 Vo = TS
TS
1 on 1 vo(t )dt = Vd dt + TS Ts 0 0
TS
ton
0 dt
Generacin de la Modulacin por Anchura de Pulsos (PWM). Diagrama de Bloques y Estrategia de Comparacin de Seales
D=
Luego:
Vo = D Vd =
CONVERTIDOR REDUCTOR
iL L io
L
Vd C
Filtro
Vo =vo (t)
Vi
Vo
Filtro LC
Si C es de un valor adecuado, ser:
iL
vo(t) Vo
io
L Vd C R Vo =vo (t)
Atenuacin (dB)
f=1MHz f=3MHz
fr=159Hz
Empleo de un filtro LC para eliminar las frecuencias no deseadas en el convertidor. La frecuencia de resonancia del filtro LC es:
r =
1 = 2f r LC
fr =
1 2 LC
vL
Vd C R Vo
vL
C R Vo
Armnico:
0.6
1 5
2 6
3 7
0.5
0.4
a)
b)
0.3
0.2
VL = Vd Vo
0.1
Ic>0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VL = Vo
Ic<0
0.7
Armnico:
0.6
1 5
2 6
3 7
0.5
Anlisis del Convertidor Reductor por Intervalos. (a) Intervalo de Conduccin. (b) Intervalo de no Conduccin
TS
0.4
0.3
v (t )dt = (V
L 0 0
ton
V0 )dt +
TS
ton
( V )dt = 0
0
0.2
(Vd
Vo )t on
V t = Vo (TS t on ) o = on = D Vd TS
Pot = Vo I o = Vd I d 1 Io = Id D
7 de 37
0.1
Intervalo de conduccin
Lmite entre Modo de Conduccin Continua y Discontinua: (Vd constante y Vo regulable con D), Vo= DVd
IL
Inter.
Si No No
Diodo No Si No
DLimTS
En el lmite del modo continuo a discontinuo: La corriente media por L (ILB=Io, ya que en rgimen permanente Vc=Vo=cte) es:
I max = i L,pico =
I LB = I LB
t 1 iL,pico = on (Vd Vo ) = 2 2L TV = S d D( 1 D) 2L
Vo 1TS L
I L = Io =
D + 1 1 1 iL,pico(D + 1 ) TS = iL,pico 2 TS 2
Area del tringulo
I LB,max =
TS V d 8L
Zonas Io -D de funcionamiento en modo conduccin continua y conduccin discontinua
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 9 de 37
Io =
Vo (D + 1 ) = 4 D I 1T S LB,max 1 L 2
1 =
Io 4 I LB,max D
Luego: I LB = 4 I LB,max D( 1 D)
Vo = Vd
D2 1 I D2 + o I LB,max 4
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 10 de 37
Vo = Vd
D 1 I D2 + o I LB,max 4
Zona de conduccin discontinua
I LB =
Sea: I LB,max =
TS Vo , (Para D = 0) 2L
I LB = ( 1 D)I LB,max
Vo Vd
En conduccin discontinua:
V Vo D = 1 = D d 1 V Vd D + 1 o
iL , pico =
Como:
Io I LB ,max
Vo D + 1 Vo 1TS ; I o = iL , pico = TS 1 ( D + 1 ) L 2 2L
I LB,max =
Despejando D, se obtiene: Relacin de transformacin de un convertidor reductor, en Modos Continuo y Discontinuo con Vd Constante
Io Vo I LB,max D= Vd 1 Vo Vd
11 de 37
12 de 37
ton
I I
LB , max
Suponiendo variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo), y se puede suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C:
V o =
T V Vo = S o (1 D )TS 8C L
f Vo TS (1 D) 2 (1 D) c = = f 8 LC 2 Vo s
1 1 f = TS y c 2 LC
Dnde: f s =
CONVERTIDOR ELEVADOR
iL L io
vL
Vd C R Vo =vo(t)
IC
IC,pico
vL
Vd
ton
Vo =vo(t)
Suponiendo como en el caso anterior variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo), se puede suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C: La corriente de pico por el condensador ser (Calculndola durante toff ):
vL
Vd C R Vo =vo(t)
I C , Pico =
V 1 I L = o (1 D )TS ; 2 2L
Circuito equivalente con el interruptor abierto (intervalo de no conduccin)
C ( RMS )
V C , Pico = o (1 D )T S 3 2 3L
Las prdidas en el condensador se obtienen al multiplicar dicha corriente al cuadrado por la resistencia equivalente serie del condensador (ESR). Los condensadores de salida deben elegirse con una ESR lo menor posible.
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 15 de 37 Tema 14. Convertidores DC/DC I. 16 de 37
vL
Vd C R Vo Vd
vL
C R Vo
a)
b)
IL=Id
ton=DLimTS
En el Lmite:
I LB =
Como:
TV 1 i L,pico = S 0 D(1 D ) 2 2L
TS Vo Io 2 D(1 D ) = 1 D , ser: I oB = Id 2L
TS Vo e 8L
Haciendo: I LB,max =
I oB,max =
2 TS Vo 27 L
I LB = 4 D( 1 D)I LB,max
Resulta:
V o TS 1 = = Vd t off 1 D
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 17 de 37
I oB =
27 D( 1 D)2 I oB,max 4
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 18 de 37
4 Vo D= 27 V d
Vo I 1 o V I d oB,max
DTS
Vo 1 + D = Vd 1
El valor medio de la corriente por la bobina (=corriente por la fuente), resulta aplicando: rea del tringulo: Si no hay prdidas:
TS V0 D(1 D ) y calculando el L
Id = Vd DTS (D + 1 ) 2L
T V Io 1 I = S d D 1 = y resulta: o 2 L I d 1 + D
4 Vo D= 27 V d
Vo I 1 o V I d oB,max
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20 de 37
Vo/Vd
Ideal: 1/(1-D)
Real
ton
1
1 D 0 Relacin de transformacin teniendo en cuenta las prdidas en los elementos reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
Suponiendo variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo), y se puede suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C:
Vo =
= RC
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CONVERTIDOR REDUCTOR-ELEVADOR
L Vd
vL
iL
R io
Vo =vo
vL
vL
iL
R io
Vo
a)
b)
Convertidor Reductor-Elevador
L Vd
vL
iL
R io
Vo =vo
L Vd
ton
iL C R io Vo =vo
vL
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador para Modo de Conduccin Continua: D=0.4 (a) Intervalo de Conduccin. (b) Intervalo de no Conduccin
Vo D = Vd 1 D
23 de 37
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L Vd
L iL C R io Vo Vd
vL
vL
iL
R io
Vo
a)
b)
ton
En el Lmite:
ton
I LB =
TV 1 TV iL,pico = S d D I LB = S o (1 D ) , 2L 2 2L
Formas de Onda del Convertidor Reductor-Elevador para Modo de Conduccin Continua: D=0.6
Io 1 D TV = D I o = I L (1 D ) I oB = S o (1 D )2 Id 2L I = I + I d o L
Definiendo:
I LB,max =
TS Vo 2L
I oB,max =
TS V o 2L
, resulta:
2
I LB = (1 D )I LB,max
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 25 de 37
I oB = (1 D ) I oB,max
Tema 14. Convertidores DC/DC I. 26 de 37
TS ton=DTS
1TS
ton
V d DTS + ( V o ) 1TS = 0
IL =
Vo D = Vd 1
I o 1 = Id D
Vd DTS (D + 1 ) 2L
1
Vo I o 2 D= Vd I oB ,max
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28 de 37
D=
Vo I o Vd I oB ,max
1 2
ton
Zona de conduccin discontinua
Suponiendo variaciones de Vo pequeas (p.ej. 1% de Vo), y se puede suponer que todo el rizado de corriente lo absorbe el condensador de salida C:
Vo =
Relacin de transformacin de un convertidor reductor-elevador, en modos de funcionamiento continuo y discontinuo
Q I o DTS Vo DTS = = C C RC
Vo DTS DTS = = Vo RC
Dnde:
= RC
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CONVERTIDOR DE CK
C1 L2 iL2
vL1
vL2
C2 R io Vo
Vo/Vd
Ideal: D/(1-D)
Vd
Real
En rgimen permanente, los valores medios de las tensiones en las bobinas es cero, luego ser:
iL1 L1
VC1 = Vd + Vo ,
C1
1 D 0 Relacin de transformacin teniendo en cuenta las prdidas en los elementos reales (L, Interruptor, Diodo y Condensador)
vL1
Vd
vL2
C2 R io Vo
vL1
Vd
vL2
C2 R io Vo
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32 de 37
CONVERTIDOR DE CK
iL1 L1 C1 L2 iL2
vL1
Vd
vC1
vL2
a) iL1 L1 L2 iL2
vL1
Vd
vC1
vL2
C2 R io Vo
b)
Circuitos equivalentes en el funcionamiento por intervalos del Convertidor Ck. (a) Intervalo de no Conduccin. (b) Intervalo de Conduccin
VC1 1 = Vd 1 D (VC1 Vo )DTS + ( Vo )(1 D )TS = 0 VC1 = 1 L2: Vo D I L1 = I d Vo D Io 1 D = = Luego: donde y Vd 1 D Id D I L2 = I o L1: Vd DTS + (Vd VC1 )(1 D )TS = 0
iC
C R Vo
IC
0
Vd
vL
iC
C R Vo
IC
0
Vd
IC
0
Vd
vL
iL
R io
Vo
iC
id
vL1
vL2
C2 R Vo
IC
0
Vd
iC
io
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INTRODUCCIN
Objetivo: Estudio de los circuitos ms usados en las fuentes de alimentacin reguladas (de amplio uso en la alimentacin de equipos electrnicos).
Caractersticas: Regulacin de la tensin de salida a un valor Vo constante (dentro de un rango de tensiones de entrada y corrientes de salida. Aislamiento galvnico entre entrada y salida, sin emplear transformadores de 50Hz. Permitir si se precisa ms de una tensin de salida aisladas entre s. En este tema slo se va a analizar el funcionamiento en modo de conduccin continua (en las fuentes de alimentacin L suele ser de un valor bastante grande). Se va a suponer que Vo es constante (C se supone de un valor elevado).
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CONVERTIDOR PUENTE
id + S1 Vd io S3
CONVERTIDOR PUENTE
Potencia positiva o negativa
io
S1
A
Generacin del Retraso
A
S2
Carga
Vo = V A VB
B
S4 Si Di
Vo
Si IGBT o MOS
Esquema del convertidor Puente (4 cuadrantes)
id
+
S1
Vd D1
id
+
a)
S1
Vd D1
S2
io
io
A
S2 D2
Carga
A
S2
Carga
Corriente Inversa del Diodo D2
A B S1 S2 tc tc
b) Generacin de Tiempos Muertos: a) Circuito Simple para Generarlos. b) Formas de Ondas
a)
b)
Convertidor Puente, problemas en el disparo de los interruptores: a) No se pueden cerrar simultneamente los dos interruptores de una rama. Por tanto, si estaba conduciendo S1 hay que esperar un tiempo mayor que el que necesita S2 para cortarse antes de dar la orden de cierre a S1. Empleo de tiempos muertos en el disparo de los interruptores. b) Cuando est conduciendo D2 hay que controlar la velocidad de entrada en conduccin de S1 (controlando la velocidad de subida de VGS1) de forma que la corriente de recuperacin inversa de D2 no suba excesivamente. Los dos casos presentados son solo ejemplos, por simetra se pueden encontrar otros ejemplos.
tc
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CONVERTIDOR PUENTE
Puede estar abierto o cerrado
CONVERTIDOR PUENTE
iO D1
A
Conducen D1 y D4
S1 Vd
Vd
B
io>0
A
Vd
A
io<0
S2
iO<0 VO=Vd S4
D4
VA =Vd
VA =Vd
Circulacin de Corriente por dos Diodos, se devuelve energa. (Si io>0, se devuelve energa a la batera por los otros dos diodos).
Puede estar abierto o cerrado
S1 Vd iO
A
Conducen S 2 y D4
B
S2 D2
iO<0 VO=0 S4
Luego:
D4
Dnde: D A es el Duty cycle de la rama A. En la rama B se puede obtener de la misma forma: V B = Vd DB Luego:
Circulacin de Corriente por dos Diodos aplicando una tensin nula. (Si io>0, la corriente circulara por D2 y S4). Estados Posibles S1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 S2 0 0 0 1 1 1 0 0 0 S3 0 0 1 0 0 1 0 0 1 io>0 S4 0 1 0 0 1 0 0 1 0 VO Conduce -Vd D2 D3 0 D2 S4 -Vd D2 D3 -Vd D2 D3 0 D2 S4 -Vd D2 D3 0 S1 D3 Vd S1 S4 0 S1 D3 S1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 S2 0 0 0 1 1 1 0 0 0 S3 0 0 1 0 0 1 0 0 1 io<0 S4 0 1 0 0 1 0 0 1 0 VO Conduce Vd D1 D4 Vd D1 D4 0 D1 S3 0 S2 D4 0 S2 D4 -Vd S2 S3 Vd D1 D4 Vd D1 D4 0 D1 S3
5 de 39
Vo=VA-VB=Vd(DA-DB)
No se puede controlar con DA la tensin de la rama
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Filtro LC
S1
S3
io
Vo (t ) = VA VB
S3
L C Vo
c a r
g a
A
S2
Carga Vo=VAN-VBN N
B
S4
Vd
A B
S4 S2
Vd
Vd Ts 2Vtri
toff
ton
Vd
Ts
2Vtri
toff
ton
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8 de 39
Vd
-Vd
D2
S4
D4
Vd
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con control bipolar
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10 de 39
Vd
Vd
Dispositivos conduciendo: Io media negativa, pero Io(t) cambia de signo Dispositivos conduciendo: Io media positiva, pero Io(t) cambia de signo
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Vd
Vo=Van-Vbn
Vd
Van se genera comparando Vtri con Vcon Vbn se genera comparando Vtri con -Vcon
Vd
2Vtri
Ts
) ) t on Vcont + Vtri Vcont + Vtri Vtri + Vcont Vcont = = ) ) TS 2 Vtri D A DB = 2Vtri Vtri t' on Vtri Vcont D B= = TS 2 Vtri Vo = V d D A V d D B = V Vo = )d Vcont = k Vcont Vo = Vd (D A D B ) V DA =
tri
La tensin de salida es igual que en el control Bipolar, pero la frecuencia del rizado en la tensin de salida es doble Componentes del filtro ms baratos.
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 13 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 14 de 39
D2
S4
D4
S1
D1 Io
S3
D3
Vo=0 S2 D2 S4 D4
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con control unipolar. Corriente media negativa pero con valores positivos y negativos. Tensin de salida positiva
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con control unipolar
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16 de 39
Vd
Ts
Convertidor Puente: Circulacin de la corriente por los dispositivos con control unipolar. Corriente siempre negativa. Tensin de salida negativa
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Potencia Vo
Filtro EMI Rectif. + Filtro Convertidor DC/DC Rectif.+ Filtro Rectif.+ Filtro
Vo1
Tensiones DC no reguladas
Entrada RED 50 60 H z
Transf. AF Drivers Puertas Controladores PWM
Entrada RED 50 60 H z
Realimentacin
Amplificador de error
Vo2
Rectif.+ Filtro
Von
Tierra 1
Tierra 2
VRe f.
Esquema General de una Fuente de Alimentacin multisalida
Aislamiento Galvnico
Esquema General de una Fuente de Alimentacin Objetivos: Aislamiento galvnico entre Red y
Vo .
Evitar la transformacin de 50/60 Hz por ser muy pesado y costoso el transformador. Tener una mayor relacin de transformacin V que la que permite D, al i multiplicar por N . 1
Vo
N2
19 de 39
20 de 39
Transformador Ideal
Ld 2
Convertidor Reductor-Elevador
L
+Vd
L
C
R +
V2
i2
R + S
Circuito Equivalente de un Transformador Se desprecian las prdidas debidas a las resistencias de los devanados y ncleos Relacin de transformacin:
+ R
+ Vd
L
C
V1 V2 = N1 N 2
Vd
N1
Igualdad de potencias: P = V1 i1 = V2 i 2
Convertidor Flyback
N2 C
i1 i = 2 Relacin de corrientes: N 2 N1
Inductancias de dispersin: posible (fuerte acoplamiento magntico entre primario y secundario). Ya que la energa que almacenan la deben absorber los interruptores.
Inductancia de magnetizacin: Lm : Tan grande como sea posible (excepto en el convertidor Flyback), ya que las corrientes de magnetizacin se suman a las de los devanados para formar las corrientes por los interruptores y aumentan las prdidas.
21 de 39
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id = 0
Vd
io
Vo
io
R C Vo
i m V1 = Vd
N2 N1
R C
id = im = iSW
Lm
im=iL
V1 = Vd
Vd N1: N 2
N2 N1
N1: N 2
Circuito Equivalente del Convertidor Flyback con el Interruptor Cerrado
iD N1 Vo N2
Io
im
N1: N 2
Vo
Vd t Lm
( 0<t<t on = DTS )
I Lmax = I Lmin +
Integrando en un ciclo la tensin aplicada a la inductancia de magnetizacin:
Vd DTS Lm
V d DTS
N1 V o (1 D )TS = 0 N2
Vo N D = 2 Vd N1 1 D
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im
N1: N 2
Vo
i D (t ) = i L (t )
Vd D N 1 V N N1 = I Dmax t = I Dmax o 1 (1 D ) Lm N 2 N2 Lm N 2
I Dmin = I Dmax
Vo Lm
N1 N 2
(1 D )TS
ton
1 Io = TS
I Dmax = I Dmin =
Io V (1 D )TS + o 1 D 2 Lm Io V (1 D )TS o 1 D 2 Lm
N1 N 2 N1 N 2
io
iL
C
V2 Vd V1 N1 N2
D2
Vo
V1 = Vd ;
V2 =
ton
V L = Vd
N2 Vo N1
N2 Vd N1 (0 < t < t on )
Esta tensin debe ser positiva (es un reductor visto desde V2 ) luego en este intervalo
i L aumenta.
V L = Vo
Convertidor Flyback: Funcionamiento para D=0.6 y a=0.5
(t on
Igualando la integral de
N Vd 2 Vo t on = Vo (TS t on ) N1 N Vd 2 Vo D = Vo (1 D) N1
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 27 de 39
Vo N 2 = D Vd N1
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io
iLM
Lm
D3
isw
D3
Convertidor Forward Real: Se aade un tercer devanado que permite que la energa almacenada en Lm cuando el interruptor est cerrado, se devuelva a la batera al abrirlo.
Vd
i1=-iLM iLM Lm V1
N1
N3
N2 D1 V2
V1= -VdN1/N3
isw= 0
D3
V1= 0 Vd
isw= 0
D3
V1 = Vd
(0 < t < t on ) ,
i1 = i m
V1 =
N1 V N3 d
(t on < t < t on + t m )
tm
Vd t on =
N1 V (t ) N3 d m
ton
tm N = 3 D TS N1
Se tiene que cumplir que:
t m < toff
31 de 39
32 de 39
T1
A
D1 T3
D1 N2
Vd
Vo1 iL
V1
B
iLm
Lm N1 N2 iD2 D2
R C
Vo
T2
D2
T4
D4
ton
33 de 39
34 de 39
T1
A
D1 T3
D1
T1
R C
A
D1 T 3
D1
Vd
N2 iLm Lm N1 N2 iD2=0 D2
Vd
N2 io= iLm
B
V1=-Vd iLm
iL Vo1=0
Lm N1 N2 iD2=iL/2 D2
R C
Vo1=Vd(N2/N1)
T2
D4
T2
D2
T4
D4
T1 y T4 conduciendo
D1 L VL iL
D2
D3 conduciendo
L VL Vo
D1 T3
D3
iD1=0 N2 Lm N1 N2
T1 R C Vo Vd
A
D1 T3
i1=0
iD1=iL/2
D1
Vd
N2 io=- iLm
B
Vo1=Vd(N2/N1)
V1=Vd iLm
iL Vo1=0
Lm N1 N2 iD2=iL/2 D2
R C
T2
D2
D4
iD2= iL D2
T2
D2
T4
D4
T2 y T3 conduciendo
D1
D4 conduciendo
Si conducen:
T1 T4 V1 = +Vd N2 V V01 = T2 T3 V1 = Vd N1 d
VL = N2 V Vo N1 d
La relacin de transformacin se obtiene de integrar la tensin en la bobina en medio ciclo (ya que el otro medio es idntico):
N2 V N Vd Vo D TS = Vo TS (0.5 D) o = 2 2 D N Vd N1 1
35 de 39
36 de 39
RAMP 7
CURRENT LIMIT COMPARATOR VCC-0.43V
OSCILLATOR CT CLK
5 OUT
CS 3
VCC 4 GND 6
VCC
8 3V REF
SLEEP
MSLEEP RSLEEP 24k CVCC 10F C 3VREF 100nF 4 VCC 8 3VREF 7 RAMP 1 EAINV OUT 5 2 EAOUT RVSENSE2 39k 6 GND DBUCK MSWITCH LBUCK COUT 100F VOUT +5V OUT CS 3 RVSENSE1 91k RCS
ton/2
ton/2
CRAMP 680pF
UC 1573
CBULK 10F
RCOMP CCOMP
GND
GND
Realizacin de un Convertidor Reductor con el controlador UC1573 Funcionamiento del convertidor Puente para D=0.3
Tema 15. Convertidores DC/DC II. 37 de 39 Tema 15. Convertidores DC/DC II. 38 de 39
LX
FB
S TA R T- U P C O M PA R AT OR
ISET
T R IG 1V M AX O N -T IM E G E N E R AT O R Q (10s)
SHD N
C O N T R OL
VCC
G ND
35V L1 47 H D1
C3
SHDN
VCC
M BR 0 5 40 L
VOUT
+24V
1 0F
MAX 629
ISET POL FB
C2
35V
0.1 F
C4
REF
GND
39 de 39
INTRODUCCIN
Smbolos para la Representacin de Convertidores CC/CA (Inversores)
CC
CA
CC
CA
APLICACIONES: Actuadores para motores de corriente alterna. Permite variar la tensin y la frecuencia de estos motores. Fuentes de alimentacin ininterrumpida (UPS). Genera una tensin senoidal a partir de una batera con el fin de sustituir a la red cuando se ha producido un corte en el suministro elctrico. Generacin fotovoltica. Genera la tensin senoidal de 50Hz a partir de una tensin continua producida por una serie de paneles fotovoltaicos. En este tema, se considerar nicamente el funcionamiento a bajas frecuencias, es decir: los interruptores conmutando a la frecuencia de la red.
1 de 35
2 de 35
INTRODUCCIN
+Vd /2
INTRODUCCIN. Armnicos
Armnicos para D=0.5
Vd /2
0
1 0
iA
SA VZ Z
Vd /2 -Vd /2
Vz
Vd 2
0
Vd 2 iA Vd 2R Vd 2R
Armnico fundamental
iA Vd T 2L
0
Vd T 2L
INTRODUCCIN. Armnicos
INTRODUCCIN. Armnicos
0.5
0.5
Armnico nm.
1 en funcin de D 2
5 de 35
1 en funcin de D 2
6 de 35
I,P
CARGA
VC
a)
RED
+
s1 ( t ) s2 ( t ) sn ( t )
I,P
Batera
Control
VC
b)
Circuito de Alimentacin de Inversores. (a) Alimentacin Mediante un Rectificador Controlado. (b) Alimentacin Mediante Otro Inversor
VAC
7 de 35
8 de 35
INTRODUCCIN. Clasificacin
Inversores con fuente de corriente (CSI). Inversores con fuente de tensin (VSI).
IL
Vd /2 0 Vd /2
TA+ A TA-
DA+ iA
DA-
VC
Inversor en Medio Puente (a) (b) t0 , instante de tiempo en el que se abre el interruptor TA+ . t0+ t0 instante de tiempo en el que se cierra el interruptor TA- . t1, instante de tiempo en el que se abre en interruptor TA-. t1+ t1 instante de tiempo en el que se cierra el interruptor TA+. t0 y t1 son los tiempos muertos (generalmente coinciden).
Inversores con: (a) Fuente de Tensin (VSI). (b) Fuente de Corriente (CSI) Inversores de baja frecuencia (onda cuadrada). Inversores de alta frecuencia (modulacin por anchura de pulsos). Inversores de transistores bipolares. Inversores de MOSFETs. Inversores de IGBTs. Inversores de tiristores. Inversores de GTOs.
TA+ t1 + t1 TA t0 VA t 0 + t 0 t1 t
Inversores no resonantes. Inversores resonantes. Medio puente o batera con toma media. Transformador con toma medio o Push-Pull. Puente completo monofsico. Puente trifsico.
Vd 2
0
Vd 2
9 de 35
10 de 35
TA+
A
DA+
iA (t0 )
O
Vd 2
TA+
A
D A+ i ( t + t ) 0 A 0
Vd 2
TA
DA
Vd 2
TA
DA
a)
Vd 2
O
b)
Vd 2
O
TA+
A
DA+ i ( t ) A 1
TA+
A
DA+ i ( t + t ) A 1 1
Vd 2
TA
D A
Vd 2
TA
DA
c)
d)
Circuitos Equivalentes durante los Intervalos de Funcionamiento del Inversor en Medio Puente
Formas de Onda de Tensin y Corriente de un Inversor Medio Puente con Carga Inductiva considerando tiempos muertos y tiempos de almacenamiento de los interruptores
11 de 35
12 de 35
V pulso
iA Z
Vd 2
a) b)
Circuitos Simplificados del Inversor en Medio Puente: a) Como Conmutador. b) Como Fuente de Onda Cuadrada
Efecto de los Tiempos Muertos en la Prdida de Tensin en la Carga cuando la corriente no cambia de signo
V A = Vd
t c t alm sig (i A ) TS
13 de 35
14 de 35
INVERSOR TRIFSICO
Vd 2
TA+ A
DA+
TB+ B TB
DB+
O
Vd 2
iA
DA
iB
O
DB
Vd 2
TA+ A
DA+
TB+ B TB
DB+
TC+ C TC
DC+
iA
iB
iC
TA
Vd 2
TA
DA
DB
DC
Vd 2
O
sA i A
A
VZ
Z
sB
B
Vd 2
Estado 0 1 2 3
15 de 35
16 de 35
INVERSOR TRIFSICO
Vd /2 0 SA Vd /2
iA
A
iB SB
B
iC SC
C
t
Tensiones en las tres ramas del inversor. Determinacin de la tensin del neutro de la carga:
VA0 VAN VN0 N
Vd 2 Vd 2 Z N Z Vd 2 Z Z Z N Vd 2
VBN
VCN
(b)
Circuitos Equivalentes para Determinar la Tensin del Neutro de la carga Estados: Z V 2 d Z Vd = Vd Vd = Vd S1, S3 y S5 a) VNO = 3 2 3 Z 2 6 3 6 2Z 2
Z V V V V Z Vd 2 d = d d = d b) VNO = 3 3 Z 2 3 6 6 2 2 2Z
S2, S4 y S6
Luego:
t
y las tensiones aplicadas a la carga por fase son:
17 de 35
18 de 35
t
Tensiones en un puente trifsico
Tensiones fase-fase
Componente Fundamental
19 de 35
20 de 35
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7
SA 0 1 1 0 0 0 1 1
SB 0 0 1 1 1 0 0 1
SC VAN VBN VCN 0 0 0 0 0 2/3 -1/3 -1/3 0 1/3 1/3 -2/3 0 -1/3 2/3 -1/3 1 -2/3 1/3 1/3 1 -1/3 -1/3 2/3 1 1/3 -2/3 1/3 1 0 0 0
jIm S3 S2
TA + DA+
I
TB iA DB
B
iB
t
2V R= d 3
S1 Re
TA D A
TB+ DB+
Estados de un Inversor Trifsico. Conversin de coordenadas del espacio tridimensional al plano (proyeccin):
Inversor en Puente Completo con Fuente de Corriente. Los diodos son necesarios si los interruptores no soportan tensiones inversas. Nota: En este montaje pueden cerrarse simultneamente los dos interruptores de una rama, pero no se pueden dejar abiertos a la vez los dos de la parte de arriba (o de abajo) de ambas ramas.
1 1 Re 2 2 Im = 3 3 0 2
1 V A 2 V 3 B V 2 C
S4
S0, S7 S5 S6
A B
Modelo Equivalente del Inversor Monofsico con Fuente de Corriente Su uso principal es para grandes potencias con SCR (tendencia a desuso). Tienen una ventaja, ya que pueden devolver energa a la red si la fuente de corriente se construye con una bobina y un rectificador controlado.
para S5: V A =
Vd V 2V ; VB = d ; VC = d , resulta: 3 3 3
Re =
21 de 35
22 de 35
TA + T1 D1 T2 D2
B
DA +
TB +
DB +
TC+
DC +
T3 D3
C
V d
T1
D1
A
T2 iA
D2
B
T3 iB
D3
C
T4 D4
T5 D5
T6 D6
V d
iC
T4
D4
T5
D5
T
6
D6
T
A
DA
TB
DB
TC
DC
A B C
23 de 35
24 de 35
T1
D1
Io>0 Vo=-Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=-Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io>0 Vo=-Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=-Vd/2
T4 Vd/ 2
D4
T4
D4
T4
D4
T4
D4
DTADA -
TA-
DA -
TA-
DA -
TA-
DA -
Vd/ 2
D+
TA+
DA +
Vd/ 2
D+
TA+
DA +
D+ TA+ DA + Vd/ 2 D+ TA+ DA +
T1
D1
Io >0 Vo =0
Vd/ 2
T1
D1
Io<0 Vo=Vd/2
Vd/ 2
T1 D4 D4
D1
Io>0 Vo=0
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=0
T4 Vd/ 2
T4
T4 DTADA Vd/ 2
D4
T4
D4
DTADA -
DTADA -
TA-
DA -
Vd/ 2
D+
TA+
DA + Vd/ 2
TA+ D+
DA +
T1
D1
Io>0 Vo=-Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io <0 Vo =0
Vd/ 2
D+
TA+
DA + Vd/ 2
D+
TA+
DA +
T4 Vd/ 2
D4
T4
D4
T1
D1
Io>0 Vo=Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io<0 Vo=Vd/2
DTADA -
TA-
DA Vd/ 2
T4
D4
T4
D4
DTADA -
Vd/ 2
D+
TA+
DA + Vd/ 2
D+
TA+
DA +
TA-
DA -
T1
D1
Io>0 Vo=Vd/2
Vd/ 2 D-
T1
D1
Io <0 Vo =Vd /2
T4 Vd/ 2
D4
T4
D4
DTADA -
TA-
DA -
Vd /2 0 SA Vd /2
iA
A
iB SB
B
iC SC
C
VBN
VCN
Z Z Z 2 +V 2 +V 2 = V N 0 = V A0 B0 C0 Z +Z Z +Z Z +Z 2 2 2 (V + V B 0 + VC 0 ) V N 0 = A0 3
Las tensiones VA0 ,VB0 y VC0 pueden tomar los valores: +Vd /2 , -Vd /2 y 0. Luego los posibles valores de VN0 sern: 0, Vd /6 , Vd /3 y Vd /2
VAN 1/2 2/3 1/2 1/3 0 -1/3 -1/2 -2/3 -1/2 -1/3 0 1/3
VBN -1/2 -1/3 0 1/3 1/2 2/3 1/2 1/3 0 -1/3 -1/2 -2/3
VCN 0 -1/3 -1/2 -2/3 -1/2 -1/3 0 1/3 1/2 2/3 1/2 1/3
SA + + + + 0 0 +
SB 0 + + + + + 0 -
SC 0 0 + + + + +
VAN 1/2 2/3 1/2 1/3 0 -1/3 -1/2 -2/3 -1/2 -1/3 0 1/3
VBN -1/2 -1/3 0 1/3 1/2 2/3 1/2 1/3 0 -1/3 -1/2 -2/3
VCN 0 -1/3 -1/2 -2/3 -1/2 -1/3 0 1/3 1/2 2/3 1/2 1/3
SA + + + + 0 0 +
SB 0 + + + + + 0 -
0.4
0.2
-0.4
-0.6
-0.8
Comparacin de las tensiones de fase y sus armnicos entre un inversor convencional de dos niveles y otro de tres niveles
S5
S4
Componente Fundamental
S3 S2 Re S1
D+
D+
T2+
D2 +
T3+ Vd /5 D+ D+ D+
D3 +
D+
D+
D+
D+
T5+ Vd /5
D5 +
Vo
T1-
D1 -
D-
D-
D-
DT2D2 -
Vd /5
D-
D-
DT3D3 -
D-
DT4D4 -
Vd /5
DT5D5 -
Vd
4/5Vd
1/5Vd
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
0.02
Estado de interruptores
Re
T4+
D4 +
1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0
32 de 35
Niveles
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Vd
4/5 Vd
1/5 Vd
t
3 5 7 9 11 13 15
Nmero de Niveles
Tema 16. Inversores I. 34 de 35
3
0,3
Armnicos
0,25
0,2
0,15
0,1
0,05
0
Tensiones de salida en inversores multinivel
Tema 16. Inversores I.
35 de 35
INTRODUCCIN
Tema anterior: Inversores conmutando a bajas frecuencias: Formas de ondas cuadradas a frecuencia de red. Generacin de armnicos de baja frecuencia. Alto coste de elementos reactivos para filtrado. No es posible controlar la amplitud de las tensiones alternas generadas (en trifsica). Normalmente empleados en potencias muy elevadas (Empleo de convertidores multinivel).
Este tema: Inversores conmutando a altas frecuencias: Formas de ondas cuadradas de frecuencia mucho mayor que la de la red. Generacin de armnicos de alta frecuencia. Menor coste de elementos reactivos para filtrado. Control de la amplitud de las tensiones alternas generadas. Posibilidad de controlar las corrientes aplicadas a la carga. Empleados en potencias ms bajas: Control de velocidad de motores AC. Fuentes de alimentacin ininterrumpidas (UPS). Conexin a red de sistemas de energas renovables.
DA +
io
$ Vtri
Vd
TA
N
D A V AN
Vcont
$ Vtri
+ Vd 2
$ Vtri
ts = 1 f s
V AO
Vcont
$ Vtri
+ Vd 2
Vd 2
V AO
Vd 2
Formas de onda en una rama de un Puente Inversor
mf =
fs : Relacin de frecuencias. f1
Tema 16. Inversores II. 4 de 28
Vtri
ton
2Vtri
Va,cont t
Vtri
Si mf es grande, durante el tiempo ts la seal de control no variar, y el valor medio ciclo a ciclo ir coincidiendo con el valor de la senoide Va,cont ya que por semejanza de tringulos:
ma<1:
Va 0 t
V t t t V 2t t VAO = d on s on = d on s 2 ts ts 2 ts
ma h
1 (Fund.)
0.2
0.2 1.242 0.016 0.190
0.4
0.4 1.15 0.061 0.326 0.024 0.123 0.139 0.012 0.157 0.070
0.6
0.6 1.006 0.131 0.370 0.071 0.083 0.203 0.047 0.008 0.132 0.034
0.8
0.8 0.818 0.220 0.314 0.139 0.013 0.171 0.176 0.104 0.016 0.105 0.115 0.084 0.017
1.0
1.0 0.601 0.318 0.018 0.181 0.212 0.033 0.113 0.062 0.157 0.044 0.068 0.009 0.119 0.050
V AO =
Si:
f1 =
1
2
Va,cont Vd 2 Vtri
, ser:
(V AO )1 = Vcontrol
Vtri
Vd V = ma d sen ( 1 t ) (ma 1) 2 2
es decir,
(V ) = m
AO
V d 2
para ma1
mf mf2 mf4 2mf1 2mf3 2mf5 3mf 3mf2 3mf4 3mf6 4mf1 4mf3 4mf5 4mf7
0.335 0.044
0.163 0.012
ma=0.2
1.4 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1 0.8 0.6 0.4
99101 97 103
0.2 0
1.0
0.2
ma=1.0
Amplitudes de los primeros armnicos para ma entre 0.2 y 1.0, para mf=25
25
h ma
1 21 23 25 27 29
0,2
0,2 0,016 1,242 0,016
0,4
0,4 0,061 1,15 0,061
mf=25 0,6
0,6 0,131 1,006 0,131
0,8
0,8 0,22 0,818 0,22
1
1 0,018 0,318 0,601 0,318 0,018
23 27 47 53 4951 45
71 69
75 73
79 77 81
95 93
21
29
55
97
ma < 1 :
ma 1 es que se tiene una relacin lineal entre Vcontrol y la tensin de salida, y adems los armnicos que aparecen son de alta frecuencia (para m f
alto). Para ma > 1 se habla de sobremodulacin, el problema es que aparecen armnicos de bajas frecuencias.
(V$ )
Vd 2
AO 1
4 = 1,278
3,24
ma
Tensin de salida normalizada en funcin de ma para mf=15 Si mf=15, para ma>3,24, ser (onda cuadrada): y
(V$ )
(V ) = (V h )
AO h
AO 1
4 Vd V = 1,278 d 2 2
AO 1
h= 3, 5, 7.
( )
salvo variando Vd .
ESTUDIO DE UNA RAMA DE UN PUENTE INVERSOR. Generacin de Seales PWM con Microprocesadores
Vtri Va
C 0
Vd/2
TA+
DA+
Vd C
Z TADA-
Vd/2
Va
0 T0 T1 T0,T1= Instantes de Muestreo
Vtri
Va
Los condensadores consiguen un punto medio equivalente a tener una batera con toma media. Las formas de onda son exactamente las mismas que las que se acaban de estudiar.
T3
Va
t
TB+ B
DB+
1
Vsin
Vsal Bipolar
0.5
TBN
DB0
-0.5
Configuracin en Puente Completo Monofsico Son posibles las dos estrategias de disparo explicadas al estudiar los convertidores DC/DC: a) Bipolar: Se dispara TA + y TB y a continuacin TA y TB + . Las tensiones V AO y VBO son idnticas a las explicadas para una rama simple, solo que V BO (t ) = V AO (t ) , luego: V AB (t ) = V AO (t ) V BO (t ) = 2V AO (t ) , es decir, tendremos el doble de tensin.
-1
-1.5 1.5
Vsin
1
Vsal Unipolar
0.5
Si Vcontrol > Vtri T A + on (V AN = Vd ) Si V T A on (V AN = 0 ) control < Vtri Si (-Vcontrol ) > Vtri TB + on (VBN = Vd ) Si (-Vcontrol ) < Vtri TB on (VBN = 0 )
-1
-1.5
Comparacin entre modulacin Bipolar y Unipolar en un puente monofsico. Para ma=0.8 y mf=22
Tema 16. Inversores II. 16 de 28
Bipolar
0.8
Unipolar
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0 1 4 7 10 13 16 19 22 25 28 31 34 37 40 43 46 49 52 55 58 61 64 67 70 73
t
armnico
Comparacin entre modulacin Bipolar y Unipolar en un puente monofsico. Para ma=0.8 y mf=22 Interr. ON TA+TBTA-TBTA+TB+ TA-TBVAN Vd 0 Vd 0 VBN 0 Vd Vd 0 Vo =VAN VBN Vd -Vd 0 0
Efecto de los Tiempos Muertos en la Tensin de salida cuando la corriente cambia de signo
V A = Vd
V(i<0) Vo(t) V(i>0) 0 V(i<0)
t c t alm sig (i A ) TS
Real Ideal t
Estados Posibles de los interruptores en un Convertidor Puente Monofsico Como se vio al estudiar los convertidores DC/DC, la frecuencia de conmutacin efectiva para Vo es 2fs, ya que se producen 4 conmutaciones en el periodo de una onda triangular con lo que se consigue alejar los armnicos de mf a 2mf 1 (si mf es entero par). Ntese que para la modulacin unipolar, se escoge mf par, ya que en este caso el primer armnico de las tensiones VA y VB estn desfasadas 180. Luego la diferencia de fases AB = 180 mf=0 y por tanto desaparecen todos los armnicos pares.
Tema 16. Inversores II. 17 de 28
io(t) 0
I>0 I<0
I>0 I<0
PUENTE TRIFSICO
TA+ A Vd/2 TADADA+ iA TB+ B TBDBDB+ iB TC+ C TCDC+ iC DC-
N1
Vd/2
Va t Vb t Vc t
Formas de ondas
Vtri
Vcontrol,A
Vcontrol,B
Vcontrol,C
t
S0 S1 S2 S7 S2 S1 S0
Generacin de seales trifsicas PWM Generacin de las Seales de Control para un Puente Trifsico
jIm S3
S* S4 S1
S4
S1
Re
S0, S7 S5 S6
Re
S0, S7 S5 S6
S* Si
S0 --t0 /2
S1 +-t1 /2
S2 ++t2
O bien
S1 +-t1 /2
S0 --t0 /2
--t0 /2
S0
Ciclos impares S1 S2
+-t1
++t2
+++ t0 /2
S7
+++ t0 /2
S7
Ciclos pares S2 S1
++t1
+-t2
--t0 /2
S0
S7 +++ t0 /2
S2 ++t2 /2
S1 +-t1
S2 ++t2 /2
S7 +++ t0 /2
De esta forma el nmero de conmutaciones se minimiza (slo hay una conmutacin de rama en cada transicin)
De esta forma el nmero de conmutaciones se minimiza, ya que ahora el nmero de conmutaciones por ciclo es 4 (antes eran 6) . Esto permite subir la frecuencia de conmutacin (*3/2) con las mismas prdidas.
t
t
Tensiones de Fase y Lnea al aadir un Tercer Armnico de amplitud de la fundamental. La tensin lnea-lnea que se consigue es 1.124*VLL (Valor mximo posible con esta estrategia)
Armnico
a) Vo=0.8Vd/2
b) Vo=0.2Vd/2 Precalculando 1, 2 y 3 se controla la amplitud de la seal. Simetra respecto al origen: No armnicos pares. Con tres cortes por semiciclo: 7 Conmutaciones. Se eliminan los armnicos 5 y 7. El tercer armnico y sus mltiplos se cancelan en los inversores trifsicos. Es necesario comparar con otras estrategias (mf=7)
Tema 16. Inversores II. 26 de 28
Consigna iA
Vd 2 Vd 2
TA +
A
DA +
iA
L
Medida de corriente
Comparador
Inversor
TA
Vcont
DA
iA/C
A B C
iAMedida
Vtri 1/fs
Control PI de la Corriente
iB/C
iC/C
V AN
Frecuencia variable
El control de corriente (ambos mtodos) son muy usados en: Control de motores de induccin. Inyeccin de potencia procedente de fuentes de energas alternativas en la red. Ntese que la consigna de corriente puede elegirse de manera que: Est en fase con la tensin de la red. La red trabaja con el inversor como si fuese una resistencia. Est desfasado 180 con la tensin de la red. La red cede energa activa al inversor. Tenga un desfase en adelanto o retraso con la tensin de la red. La red toma o cede energa activa o reactiva. Esto permite su uso como compensador de energa reactiva. Se pueden introducir desequilibrios entre las corrientes de las fases. Esto permite compensar las corrientes que estn circulando por otra carga desequilibrada. Se pueden incorporar armnicos en las corrientes. Esto permite compensar los armnicos de las corrientes que estn inyectando las cargas conectadas a la red.
Consigna iA
Medida de corriente
iA/C
A B C
Banda de Histresis
iC/C