1.

2.- n, l, ml y ms:

3.-escriba la configuracin electrnica de los siguientes elementos C,N,F. C = 1s2s2sp N = 1s22s22p3 F = 1s22s22p5

4.-

5.-

6.-

7.Es la diferencia de energa entre niveles consecutivos

8.N = 6,023 x 10 23 9.La corriente elctrica es el flujo de portadores de carga elctrica, normalmente a travs de un cable metlico o cualquier otro conductor elctrico, debido a la diferencia de potencial creada por un generador de corriente. Un material conductor posee gran cantidad de electrones libres, por lo que es posible el paso de la electricidad a travs del mismo. Los electrones libres, aunque existen en el material, no se puede decir que pertenezcan a algn tomo determinado. Una corriente de electricidad existe en un lugar cuando una carga neta se transporta desde ese lugar a otro en dicha regin.

10.Un campo elctrico es un campo de fuerza creado por la atraccin y repulsin de cargas elctricas (la causa del flujo elctrico) y se mide en Voltios por metro (V/m). El flujo decrece con la distancia a la fuente que provoca el campo. 11.si 12.Portador de carga denota en fsica una partcula libre (mvil y no enlazada) portadora de una carga elctrica. Como ejemplo los electrones y los iones. En la fsica de semiconductores, los huecos producidos por falta de electrones son tratados como portadores de carga. 13.- El hueco es un portador, El hueco de electrn tiene valores absolutos de la misma carga que el electrn pero, contrariamente al electrn, su carga es positiva, el hueco si tiene masa.

14.- j= -|e|NeVe + |e|NhVh 15.16.[e]= [h]= Ke

17.Fermiones 18.El efecto fotoelctrico consiste en la emisin de electrones por un metal cuando se hace incidir sobre l una radiacin electromagntica (luz visible o ultravioleta, en general). 19.Lo que presento en su trabajo concepcin heurstica de la naturaleza de la luz fue que Cada paquete o cuanto de luz, como l lo llam (ms tarde seran denominados fotones), tendra un contenido de energa proporcional a la frecuencia, y resultaba natural suponer que un tomo slo sera arrancado si el cuanto transportaba una cantidad de energa suficiente para vencer su resistencia umbral a ser arrancado de la superficie metlica. A partir de ah, es claro que aumentando la intensidad luminosa (nmero de cuantos) tambin lo hara el nmero de electrones arrancados. 20.a) electrones ms de 1026 aos aproximadamente b) protones lmite inferior en su vida media de unos 1035 aos c) neutrones fuera del ncleo los neutrones son inestables, teniendo una vida media de 15 minutos d) huecos

21.-

22.Que los portadores de carga se difundirn cuando un extremo de un conductor est a una temperatura diferente del otro.

23.24.25.26.Cuando se polariza inversamente un diodo, los electrones y los protones se apartan de la unin. Se crea, por tanto, en la unin, una ausencia de carga, formndose una corriente que recibe el nombre de "corriente inversa de saturacin" o "corriente de fuga". Su valor es prcticamente despreciable, ya que llega a los nA (nanoamperes).

27.portadores minoritarios: se denominan portadores minoritarios a las partculas cunticas encargadas del transporte de corriente elctrica que se encuentran en menor proporcin en un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P. mayoritarios: se denominan portadores mayoritarios a las partculas cunticas encargadas del transporte de corriente elctrica que se encuentran en exceso en un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P. portadores En un semiconductor tipo N, el cual consiste en un material semiconductor puro al cual se le han agregado tomos de otro elemento qumico que posea al menos un electrn adicional al que posee naturalmente dicho semiconductor (usualmente Fsforo, Arsnico o Antimonio); hay en total mas electrones libres debido a los tomos de las impurezas agregadas, que huecos, por lo cual en este tipo de material semiconductor, los electrones son los portadores mayoritarios, mientras que los huecos (carencia de un electrn), son los portadores minoritarios. Para el caso de un semiconductor tipo P, que consisten en un material semiconductor puro al cual se le han agregado tomos de otro elemento qumico que pertenece al grupo III de la tabla peridica de los elementos (usualmente Aluminio, Galio, e Indio) los portadores mayoritarios son los huecos (o carencia de electrones), mientras que los portadores minoritarios son los electrones. 28.-

En mecnica cuntica, la barrera de potencial finita es un problema modelo monodimensional que permite demostrar el fenmeno del efecto tnel. Para ello se resuelve la ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo para una partcula que incide sobre una barrera de potencial. El comportamiento cuntico esperado es muy diferente del clsico. De hecho sucede que cunticamente hay siempre una probabilidad finita de que la partcula "penetre" la barrera y contine viajando hacia el otro lado, incluso cuando la energa de la partcula es menor que la de la barrera. La probabilidad de que la partcula pase a travs de la barrera viene dada por el coeficiente de transmisin, mientras que la probabilidad de que la partcula sea reflejada viene dada por el coeficiente de reflexin.

29.En mecnica cuntica, el efecto tnel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola los principios de la mecnica clsica penetrando una barrera de potencial o impedancia mayor que la energa cintica de la propia partcula. Una barrera, en trminos cunticos aplicados al efecto tnel, se trata de una cualidad del estado energtico de la materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica, compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto de un mvil entre dos o ms flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia. Si el objeto no dispone de energa mecnica suficiente como para atravesar la barrera, la mecnica clsica afirma que nunca podr aparecer en un estado perteneciente al otro lado de la barrera. 30.-

31.-

32.-

En polarizacin Directa: El potencial externo aplicado se opone al campo elctrico que limita la difusin arrastre y portadores V > 0 I del favorece la difusin de portadores. Electrones del lado N al P Huecos del lado P al N El resultado es una corriente neta elevada PN originada por el movimiento de los portadores mayoritarios hacia donde son minoritarios, que Disminuye el efecto

aumenta con la tensin aplicada

33.-

En polarizacin Inversa: El potencial externo refuerza el campo elctrico de arrastre. Las componentes de difusin son P N V<0 p prcticamente nulas. Dominan las componentes de arrastre (trasladan los minoritarios al otro lado): Electrones del lado P al N H dlldNlP I 0 x Huecos del lado N al P Son corrientes muy pequeas, que pueden considerarse despreciables e independientes de la tensin aplicada 34.19 atomos de silicio 35.1 atomo de grupo II o 1 atomo del grupo V

36.Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado que acta ms como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado. 37.los dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio. 38.La palabra fotovoltaico(a) est formada por la combinacin de dos palabras de origen griego: foto, que significa luz, y voltaico que significa elctrico. El nombre resume la accin de estas celdas: transfomar, directamente, la energa luminosa en energa elctrica. 39.Estn hechas de de materiales semiconductores, en especial de silicio, el mismo que se emplea en la industria de la microelectrnica. 40.Los diodos TODOS se usan para rectificar la corriente alterna, son semiconductores, que dejan pasar la corriente en un sentido y no la dejan pasar en otro. Las denominaciones que indicas, pueden deberse a la potencia de cada uno de ellos. Y esa debe ser su diferenciacin. 41.Son de gran robustez, no afectndoles los golpes mecnicos, vibraciones, etc. Tienen gran estabilidad elctrica y elevadas caractersticas. Su capacidad muy pequea (0,8 pf y ms) les permite trabajar con frecuencias de 100 MHz y ms altas. Su vida til es larga, pues se calcula en unas 10.000 horas. Por su construccin hermtica estn completamente protegidos contra las influencias atmosfricas y polvos e incluso pueden ser sumergidos en agua.

Recuperan sus caractersticas despus de variaciones de temperaturas de -40 a +70 C, tienen un tamao muy reducido y son de fcil montaje. Permiten Corrientes medias de hasta 50 mA y pueden soportar sin peligro sobrecargas transitorias importantes. Tienen elevadas tensiones inversas (de 50 -120 V), las ltimas investigaciones han permitido ya modelos con tensiones inversas superiores a 350 V Peak. 42.El diodo Zener es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. 43.Los MEMS son dispositivos mecnicos ultra pequeos, fabricados con tcnicas de nanotecnologa. Con estos sistemas se pueden miniaturizar mquinas completas hasta lmites insospechados. 44.Tipos de dispositivos MEMS 1. Sensores Sensorde presin Fueron introducidos en los 60s para aplicaciones militares y aeroespaciales, hoy en da, juegan un rol muy importante especialmente en la industria biomdica y automotriz.

2. ActuadoresSe aplican en la nano-metrologa, posicionamiento de obleas y mscaras, medicin dedimensiones crticas, microlitografa, sistemas de inspeccin y cancelacin de vibracin.

3. MEMSinteligentes Los cuales combinan circuitera adicional para controlar y procesar informacin. Algunos de ellos se encuentran en las bolsas de aire de los automviles. 45.SANDIA LOGISTICS IMPEX SAC es una Empresa creada para satisfacer sus requerimientos de importacin y exportacin y demas servicios asociados en sus operaciones en el Comercio Exterior.

Nuestra compaia ofrece una completa variedad de servicios -Consolidacion, Desconsolidacion -Manejo de Contenedores -Manejo de Carga sobredimencionada -Servicio de carga peligrosa y perecible -Servicio de puerta a puerta -Almacenamiento y distribucion con los principales almacenes. -Agenciamiento de Aduanas en todo los regimenes. -Transporte Local y Nacional -Embalajes

Todas nuestras operaciones son atendidas por personal especializado, que con su profecionalismo y dedicacion le aseguran a cada uno de nuestros clientes un servicio amistoso y personalizado, satisfaciendo asi cada uno de sus requerimientos, ubicandonos como una empresa de servicio de calidad. 46.Los nanotubos de carbono son una forma alotrpica del carbono, como el diamante, el grafito o los fulerenos. Su estructura puede considerarse procedente de una lmina de grafito enrolladas sobre s misma.1 Dependiendo del grado de enrollamiento, y la manera como se conforma la lmina original, el resultado puede llevar a nanotubos de distinto dimetro y geometra interna

47.El diodo de nanotubo de carbono, fue desarrollado por el Dr. Ji-Ung Lee, un cientficodel Nanotechnology Advanced Technology Program, del GE Global Research Center de Niskayuna, N.Y. [30].El dopado tipo n de los nanotubos semiconductores, es crucial para la elaboracin dedispositivos electrnicos como diodos o transistores. Fue establecido que el potasio (K)acta como donador del electrn para los nanotubos, aumentando su conductanciasignificativamente.Se pueden construir nano diodos con nanotubos de carbono de mltiples formas.Algunas de ellas se exponen a continuacin: y

Se ha comprobado que uniendo nanotubos metlicos y semiconductores dichasuniones se comportan como diodos permitiendo que la electricidad fluya slo enuna direccin [28]. y

Se pueden construir diodos similares a las uniones P-N tradicionales utilizandocampos elctricos para conseguir regiones tipo p y otras tipo n, en lugar de dopar los nanotubos como se hace normalmente con los semiconductores normales.La unin p-n se consigue polarizando una mitad de un nanotubo con una tensinnegativa y la otra mitad con una positiva. Adems, al no tener un dopaje fijo, eldiodo as construido puede cambiar dinmicamente de polaridad y pasar de ser p-n a n-p y viceversa. Polarizando de la misma forma ambas mitades se puedeconseguir, un transistor de canal p (ambas mitades polarizadas negativamente)ode canal n (ambas polarizadas positivamente). As es el diodo desarrollado por la empresa General Electrics

48.El potencial de polarizacin inversa que da como resultado un cambio muy drstico de las caractersticas dse le llama potencial Zener y se le da el smbolo VZ. Mientras el voltaje a travs del diodo se incrementa en la regin de polarizacin inversa, la velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturacin inversa IS tambin se incrementarn. Eventualmente, su velocidad y energa cintica asociada ser suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras estructuras atmicas estables. Esto es, se generar un proceso de ionizacin, hasta el punto en el cual se establece una gran corriente de avalancha que determina la regin

de ruptura de avalancha. La regin de avalancha (VZ) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de dopado en los materiales tipo p y tipo n. sin embargo, mientras VZ disminuye a niveles muy bajos, como - 5 V, otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuir con un cambio agudo en la caracterstica. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo elctrico en la regin de la unin que puede superar las fuerzas de unin dentro del tomo y "generar" portadores. Aunque el mecanismo de ruptura Zener es un controbuyente significativo slo en los niveles ms bajos de VZ, utilizan esta porcin nica de la caracterstica de una unin p-n son los diodos Zener. 49.El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsnico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisin infrarroja, diodos lser y clulas fotovoltaicas. 50.La foto conduccin: Los electrones de algunos materiales semiconductores cristalinos absorben energa de los fotones y llegan as subir a los niveles de energa en la que pueden desplazarse libremente y conducir electricidad. Este efecto puede producirse en todos los materiales pero en los buenos conductores la conduccin base es tal que impide la percepcin del efecto. La fotoconduccin es la propiedad que tienen algunos materiales de perder su carga positiva al incidir sobre ellos la luz. 51.Las propiedades de conductividad de la unin pn dependen de la direccin del voltaje, que puede a su vez utilizarse para controlar la naturaleza elctrica del dispositivo. Algunas series de estas uniones se usan para hacer transistores y otros dispositivos semiconductores como clulas solares, lseres de unin pn y rectificadores. 52.-

Un microscopio de efecto tnel (STM por sus siglas en ingls) 53.Un fonn, es una cuasipartcula o modo cuantizado de vibracin que tiene lugar en redes cristalinas como la red atmica de un slido. El estudio de los fonones es una parte importante en la fsica del estado slido debido a que los fonones juegan un papel muy importante en muchas de sus propiedades fsicas, incluyendo las conductividades trmicas y elctricas. En particular, las propiedades de los fonones de longitud de onda larga dan lugar al sonido en los slidos, de aqu el nombre fonn. En aislantes, los fonones son el mecanismo primario por el cual se produce la conduccin de calor. 54.Un excitn es una cuasipartcula (o excitacin elemental) de los slidos formada por un electrn y un hueco ligados a travs de la interaccin coulombiana. Se da nicamente en semiconductores y aislantes. 55.En fsica, un plasmn es un cuanto de oscilacin del plasma (estado de la materia). El plasmn es la cuasipartcula resultado de la cuantizacin de las oscilaciones del plasma, de la misma forma que un fotn o un fonn son cuantizaciones de ondas electromagnticas y mecnicas. Por tanto, los plasmones son oscilaciones de la densidad del gas de Fermi (gas de electrones libres), usualmente a frecuencias pticas. Tambin pueden interactuar con un fotn para crear una tercera cuasipartcula llamada polaritn de plasma. Como los plasmones son la cuantizacin clsica de las oscilaciones del plasma, la mayora de sus propiedades pueden ser derivadas de las ecuaciones de Maxwell. 56.Fonones (unidimensional longitudinal), Fonones (unidimensional Transversal), Fonones (acstico-ptico)

57.produce la vaporizacin de los tomos de un material slido denominado "blanco" mediante el bombardeo de ste por iones energticos. Este es un proceso muy utilizado

en la formacin de pelculas delgadas sobre materiales, tcnicas de grabado y tcnicas analticas.

58.utilizaramos los rayos x para ver la estructura de los cristales semiconductores.

59.Intel, Samsung, Texas instruments, Toshiba, stmicroelectronics, renesas technology, AMD, hynix, NXP, freescale semiconductor, NEC electronics, qimonda, micron technology, Infineon technologies, sony, qualcomm, matsushita electric, Broadcom, sharp electronics, elpida memory, ibm micreoelectronics, Rohm, spansion, analog devices, nVidia.

60.cinvestav, Inaoe, microna, benemrita universidad autnoma de puebla,instituto tecnolgico de apisaco, unam. 61.las reas de la electrnica que me interesan son como la nanotecnologa, robotica, semiconductores, automatizacin y control entre otros. 62.la nanotecnologa es algo casi increble y muy interesante, es el futuro, ya todo se va reduciendo en tamao haciendo que ocupen menos espacios y trabajen mas rapidos. 63.El grafeno es una alotropa del carbono; la cual consiste en un teselado hexagonal plano (como un panal de abeja) formado por tomos de carbono y enlaces covalentes que se formaran a partir de la superposicin de los hbridos sp2 de los carbonos enlazados. El grafeno tiene propiedades ideales para ser utilizado como componente en circuitos integrados. El grafeno tiene una alta movilidad de portadores, as como un bajo nivel de ruido, lo que permite que sea utilizado como canal en transistores de efecto de campo

(FET). La dificultad de utilizar grafeno estriba en la produccin del mismo material, en el substrato adecuado. Los investigadores estn buscando mtodos como la transferencia de hojas de grafeno desde el grafito (exfoliacin) o el crecimiento epitaxial (como la grafitizacin trmica de la superficie del carburo de silicio - SiC). En diciembre de 2008, IBM anunci que haban fabricado y caracterizado transistores operando a frecuencias de 26GHz. En febrero del 2010, la misma IBM anunci que la velocidad de estos nuevos transistores alcanzaba los 100 GHz. En septiembre del 2010 se alcanzaron los 300 GHz 64.Fsica: Albert Fert y Peter Grnberg "por el descubrimiento de la Magnetorresistencia Gigante", Fsica: Zhores I. Alferov y Herbert Kroemer "por el desarrollo de heteroestructuras para semiconductores de alta velocidad y optoelectrnica", ex aequo con Jack S. Kilby, "por inventar el circuito integrado monoltico", Fsica: Alexei A. Abrikosov, Vitaly L. Ginzburg y Anthony J. Leggett "por sus contribuciones pioneras a la Teora de los superconductores y los superfluidos" 65.Los ganadores fueron los estadounidenses Saul Perlmutter, Brian P. Schmidt y Adam G. Riess, por el descubrimiento de la expansin acelerada del Universo a travs de la observacin de supernovas distantes.