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Recibido el 16 de junio de 2021, aceptado el 8 de julio de 2021, fecha de publicación 13 de julio de 2021, fecha de la versión actual 21 de julio de 2021.

Identificador de objeto digital 10.1109/ACCESS.2021.3096834

Una recolección de energía ambiental de doble banda

Diseño Rectenna para energía inalámbrica
Comunicaciones

SURAJO MUHAMMAD 1, (Miembro estudiante, IEEE), JUN JIAT TIANG 1, COSER KIN WONG 1,

AMOR SMIDA 2,3, (Miembro, IEEE), RIDHA GHAYOULA 3,4 ,

Y AMJAD IQBAL 1, (Miembro, IEEE)
1Centro de Tecnología Inalámbrica, Facultad de Ingeniería, Universidad Multimedia, Cyberjaya 63100, Malasia
2Departamento de Tecnología de Equipos Médicos, Facultad de Ciencias Médicas Aplicadas, Universidad Majmaah, Al Majma'ah 11952, Arabia Saudita
3Laboratorio de Investigación en Electrónica de Microondas, Departamento de Física, Facultad de Ciencias Matemáticas, Físicas y Naturales de Túnez, Túnez El Manar
Universidad, Túnez 2092, Túnez
4Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática, Universidad Laval, Ciudad de Quebec, QC G1V 0A6, Canadá

Autores correspondientes: Surajo Muhammad (doguwa_2002@yahoo.com) y Amjad Iqbal (aiqbal@ieee.org)

Este trabajo fue apoyado por TM Research and Development Malaysia en el marco del Proyecto MMUE/190001.

RESUMEN En este artículo, se presenta una reccena de doble banda de largo alcance para recolectar energía de
radiofrecuencia (RF) ambiental de GSM/900 y GSM/1800. El análisis teórico de la red de adaptación de impedancia (IMN)
de doble banda propuesta se realiza utilizando una red de adaptación de sección modificada (MN). El rectificador de RF
está integrado con una antena monopolo F invertida de doble banda. La complejidad del circuito de rectina se minimiza
mediante la introducción de un IMN de doble banda, que desempeña un papel importante en la mejora de la eficiencia de
conversión de energía (PCE) de RF a CC del recolector. Los resultados de las mediciones del diseño propuesto lograron
un PCE máximo de RF a CC de 12,93 % y 8,0 % para una potencia de entrada de ­30 dBm a 0,9 GHz y 1,8 GHz, respectivamente.
La medición de ambiente del recolector de RF alcanzó un voltaje de CC de salida de 0,374 V. El circuito genera 0,747 V utilizando un
módulo de evaluación (EVM) bq25504­674 de baja potencia. Por lo tanto, se puede utilizar una gestión de energía adecuada de la
rectina propuesta para alimentar muchos dispositivos de baja potencia a partir de la energía de RF ambiental recolectada.

ÍNDICE TÉRMINOS Captación de energía de RF (RFEH), red de adaptación de impedancia (IMN), eficiencia de
conversión de energía (PCE), rectenna.

I. INTRODUCCIÓN antena (rectenna) [11], [12]. La densidad de potencia ambiental de

Los recientes avances tecnológicos han hecho posibles los sistemas
autosostenibles a través de RFEH. [1], [2]. El ciclo de vida de la
batería y el coste de mantenimiento y sustitución [3] son los
principales retos de los dispositivos actuales de bajo consumo [4].
La disponibilidad de energía electromagnética (EM) de la estación
base transceptora (BS) y los dispositivos inalámbricos
correspondientes convierte al sistema RFEH en una fuente de
energía adicional [5], [6]. El principio de transformación de la energía
EM se remonta a los experimentos de Tesla a principios del siglo XX
[7], [8]. Académicos de Japón y Estados Unidos apoyaron esto en
las décadas siguientes [9], [10].
La antena y el rectificador de RF son los componentes clave del
sistema RFEH [3]. También lo denominaron rectificar.
El editor asociado que coordina la revisión de este manuscrito y
quien aprobó su publicación fue Raghvendra Kumar Chaudhary.
RF captada por la antena RFEH es considerablemente pequeña. Por
lo tanto, diseñar un recolector de RF con PCE de RF a CC eficaz es
todo un desafío [5]–[11], [13], [14]. Los autores en [15] propusieron
un rectificador de banda única con un multiplicador de voltaje de 6
etapas usando topología de Villard a 900 MHz. En [16] se presenta
una rectina con un multiplicador de voltaje de 7 etapas a través de
un –MN a 900 MHz. En [17] se combinan tres rectificadores para
formar una reccena de píxeles multipuerto a 1800 MHz.
En [18], los autores presentaron una rectina de doble banda que
opera en GSM/1800 y UMTS/2100 a través de una antena de banda
ancha y un MN de sección en T en cascada. Los autores en [19]
también informaron sobre un rectificador de doble banda a 915 MHz
y una frecuencia de funcionamiento Wi­Fi/2,45 GHz. Los autores en
[20] presentan el circuito RFEH sin definir el tipo de MN utilizado. La
rectenna utiliza un conjunto de antenas de doble banda que
funcionan a 1800 MHz y 2,5 GHz. Una recena de doble banda para

Este trabajo está bajo una licencia Creative Commons Attribution 4.0. Para obtener más información, consulte https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
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S. Muhammad et al.: Diseño de rectenna de recolección de energía ambiental de doble banda para comunicaciones de energía inalámbricas

La recolección de energía RF GSM/900 y GSM/1800 se analiza en [21]. II. DISEÑO DEL RECTIFICADOR

Los circuitos utilizan dos ramas de multiplicador de voltaje acopladas a
través de un IMN de múltiples secciones. Los autores presentan una
rectina diferencial de triple banda (2 GHz, 2,5 GHz y 3,5 GHz) en [22]. El
recolector de RF recibe una cantidad mínima de densidad de potencia de
RF aportada por las frecuencias operativas de 2 GHz y 3,5 GHz. En [23],
los autores describen un diseño de rectificador de cuatro bandas (0,95
GHz, 1,83 GHz, 2,45 GHz y 2,62 GHz) que utiliza un duplicador de voltaje
Las Fig. 2 y 3 representan la topología del rectificador RF de doble banda propuesto. El
rectificador de RF consta de un IMN de doble banda, un diodo Schottky, un filtro de paso
de CC y un terminal de carga (RL). El circuito está diseñado sobre un sustrato FR­4 de
doble capa de 1,6 mm de espesor con una constante dieléctrica de 5,4 y una tangente
de pérdida (tanδ) de 0,02 conectado a través de una línea de transmisión 50. El MN
minimiza las pérdidas por reflexión de la potencia de entrada de RF de la antena [3],
[11], [25], [26]. El diodo juega un papel importante al convertir la potencia de RF ambiental

de 4 etapas adecuado para RFEH de alta potencia. Los parásitos
adicionales informados por los autores en [15], [16], [20], [21] y [23]
redujeron el rendimiento del circuito además de su gran longitud eléctrica.
Los autores en [17] y [18] informaron una mejora del PCE de RF a CC,
pero tienen un tamaño eléctrico de antena grande, además de una
combinación de CC de múltiples rectificadores en [17].
disponible en una fuente de CC útil [11], [27]. El filtro de paso de CC elimina las frecuencias
fundamentales y armónicas de la señal de salida. También determina el rendimiento de la
impedancia de salida y almacena el suministro de CC de salida disponible [11], [28], [29].
RL es generalmente complejo y dependiente de la frecuencia [30], [31]. Rant representa
la impedancia característica de la fuente de entrada de RF, con una impedancia de entrada
típica de 50 [32], [33].

Este trabajo propuso una rectina compacta de doble banda (900 MHz
y 1800 MHz) con PCE de RF a CC mejorado para la recolección de
energía de RF ambiental. Una literatura espectral de RF abierta y la
realizada en este trabajo muestran que las bandas de frecuencia GSM/
900 y GSM/1800 son los dos espectros dominantes con mayor densidad
de potencia de RF [2], [4], [24]. La figura 1 presenta una medición en
exteriores de la densidad de potencia de RF utilizando un analizador de
espectro de RF de 6 GHz Aim TTi PSA6005. Se ha descrito que estas
dos frecuencias ofrecen la mayor energía de RF disponible que oscila
entre 36 nW/cm2 y 84 nW/cm2 [2], [4].
Una antena monopolo compacta de banda dual F invertida es la primera
estructura de diseño. La antena está integrada con un rectificador de RF
mediante IMN de doble banda. El prototipo fabricado se evalúa con un
módulo de administración de energía (PMM) de baja potencia utilizando
el módulo de evaluación (EVM) bq25504­674. Las principales contribuciones
de este artículo se centran en un PCE de RF a CC de rectina compacto
mejorado con evaluación práctica para aplicaciones inalámbricas de larga
distancia. El diseño propuesto puede alimentar un EVM bq25504­674 en
el entorno ambiente. Las secciones restantes del artículo están organizadas
de la siguiente manera.
La Sección II proporciona la configuración del rectificador de RF y el
diseño del circuito. La Sección III describe los resultados y discusiones del FIGURA 2. Configuración detallada del circuito del rectificador.

recolector de RF. Los parámetros de diseño de la antena, la geometría y

los resultados se informan en la sección IV. La Sección V presenta la
evaluación del desempeño del diseño fabricado. Las conclusiones se
exponen en la sección VI.

FIGURA 3. Diseño del modelo EM de rectificador propuesto. Los parámetros optimizados

del circuito son: L = 10.2, L8 = 4.6, L9 = 11.6, L10 = L14 = 1, L11 = 18.1, L12 = 16.7, L13 =
2.1, L15 = 10.5, L16 = 16, L17 = 19.7, L18 = 4,1, L19 = 8,2, L20 = 2,5, W = W12 = 0,9, W8 =
W10 = W14 = 1, W9 = W11 = W18 = W20 = 0,7, W13 = W14 = Wc = 0,6, W15 = 4,6,
W16 = 6, W17 = 10,7, W19 = 2,5, R = 9,8 (Todas las unidades están en mm). θ = 90o, C =
1000 pF, RL =
4,5 mil.

Una simulación de fuente­tracción es una cifra importante para calcular

el valor adecuado del terminal de carga. Esto se debe a la importancia del
RL en el PCE general de RF a CC [34], [35].
FIGURA 1. Densidad de potencia de RF ambiental medida en diferentes ubicaciones Para determinar el valor óptimo de RL, se realiza una simulación de
(Universidad Multimedia, Campus Cyberjaya). fuente­tracción en las dos frecuencias operativas. El

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Los resultados muestran una potencia de CC de salida máxima con una donde Zs = Zo.
carga de 4,5 k para una potencia de entrada de 0 dBm. La selección de
12
XL1+XL2
un diodo rectificador para trabajar a alta frecuencia y baja potencia de Z1 = RL1RL2+XL1XL2+ (RL1XL2­RL2XL1)
entrada requiere tener una respuesta de potencia estable. Para obtener RL2­RL1
un captador de energía óptimo y confiable, el diodo debe manejar la (4)
energía con una disipación mínima. Los rectificadores de un solo diodo −1 Z1(RL1 − RL2)
Z1 = (1 + fk ) arctán + nπ ,
en condiciones de baja potencia de entrada son más eficientes en (RL1XL2 − XL1RL2)
comparación con los rectificadores de onda completa de una o varias para norte = 0, 1, 3,. . . (5)
etapas bajo topología en serie/shunt [11], [17], [32], [36], [37]. Los
rectificadores de un solo diodo de RFEH a menudo ofrecen menos Por tanto, la longitud l1 de la línea de transmisión viene dada por:
pérdidas a niveles de potencia bajos, en comparación con sus Z1(RL1 − RL2)
homólogos de onda completa y de múltiples etapas que introducen l1 = (1 + fk ) −1β1 arctán + nπ ,
(RL1XL2 − XL1RL2)
parásitos adicionales en su terminal de unión. El rectificador propuesto
para norte = 0, 1, 3,. . . (6)
está diseñado sobre un solo diodo Schottky HSMS­2850 (con diseño de
circuito SOT­323). El diodo es un candidato prometedor para aplicaciones donde β1 da la constante de fase de la línea.
de RF de baja potencia con una capacitancia de unión mínima de 0,18 Para un análisis simple, fk es una relación de frecuencias definida
pF y un voltaje sensible mínimo de 150 mV a 0,1 mA [38], [39]. por f2/f1 (y en este trabajo, fk = 2). n se elige cuidadosamente de modo
Durante la primera etapa del proceso de diseño, un sistema de que θ1 sea siempre mayor que 0. Las dimensiones de la línea de
diseño avanzado (ADS) simula el circuito rectificador sin MN, que transmisión (W1, L1) y la impedancia de entrada transformada (Zin1)
consta únicamente de un diodo, un capacitor y RL. son las dos variables que se deben considerar al calcular el valor de n.
El filtro C del capacitor de paso de CC también está diseñado para TL1 = TL11 = (0,4 mm, 10,1 mm). Una combinación de TL1 y TL2
bloquear los armónicos de orden superior que ingresan a RL a 1000 pF. convierte Zin1 en Zin a través de terminales abiertos y en cortocircuito,
C se desvía con RL. Al diseñar RL y C, la impedancia de entrada del TL3 y TL3a, respectivamente. Los dos trozos se introducen para
diodo en las dos frecuencias operativas se calcula en ADS. Luego, la garantizar una respuesta dependiente de la frecuencia con cuatro
impedancia de entrada del rectificador se adapta a 50 para una grados de libertad. La susceptancia de los talones se expresa por:
terminación adecuada con la impedancia de entrada de la antena.
El proceso de diseño del IMN se realiza a través de un MN de sección
BTL(fi) = −YTL cot θi(fi), trozo en cortocircuito (7)
modificada. Por lo tanto, la rama IMN comprende un ramal de línea
de transmisión abierto y en cortocircuito conectado a través de un BTL(fi) = YTL tan θi(fi), trozo en circuito abierto (8)
transformador de impedancia TL1. Lograr un IMN con características de donde BTL e YTL denotan la susceptancia y admitancia del trozo a una
doble banda. Ecuación. (1) presenta la impedancia de carga compleja frecuencia fi .
del rectificador en las dos frecuencias de operación f1 y f2, suponiendo Para una línea de transmisión (TL1), la impedancia de entrada Zin en
que f2 sea mayor que f1. Considerando la dependencia de la frecuencia f1 y f2 se pueden expresar mediante la ecuación. (9)–(18):
de la impedancia de carga ZL, no existen relaciones directas entre la
(RL1 + jXL1) + jZ1 tan θ1
carga real RL1 y RL2 y sus lados de reactancia XL1 y XL2. La Zin(f1) = Z1 (9)
vinculación de TL1 con la red de sección modificada genera una Z1 + j(RL1 + jXL1) tan θ1
impedancia de doble banda para la transformación en f1 y f2. (RL2 + jXL2) + jZ1 tan θ2
Zin(f2) = Z1 (10)
Z1 + j(RL2 + jXL2) tan θ2

ZL1 = RL1 + jXL1 en f1, Los resultados de las transmisiones TL1 a TL3 transforman la
ZL = (1)
ZL2 = RL2 + jXL2 en f2. impedancia de Zin a Zo a través de una serie de líneas de transmisión
(TL4 y TL5) y un ramal en circuito abierto TL6 en f1 y f2.
Por lo tanto, el transformador libre TL1 convierte la impedancia de La longitud eléctrica de la línea θ es proporcional a la frecuencia de
carga compleja en un par de impedancias conjugadas complejas ZL2 funcionamiento f . Por lo tanto, θ1, θ2 y fk pueden relacionarse como θ2
en f1 y f2. = fk θ1. Tras la transformación de TL1, la impedancia de entrada Zin1
en ambas frecuencias se conjuga entre sí, lo que se puede expresar
ZL2|f1 = (ZL2|f2) (2)
además como:
Al calcular la longitud eléctrica (θ1) y la impedancia característica RL1 + j(XL1 + Z1 tan θ1)
(Z1) de la línea, TL1 se determina mediante la ecuación. (3)–(6). Zin1(f1) = Z1 (11)
(Z1 − XL1 tan θ1) + jRL1 tan θ1
RL2 + j(XlL2 + Z1 tan(fk θ1))
Mirando desde la impedancia de la fuente Zs , la forma general de la Zin1(f2) = Z1 (12)
ecuación viene dada por: (Z1−XL1 tan(fk θ1))+jRL1 tan(fk θ1)

Se calculan los parámetros de la línea de transmisión.

12
XL1+XL2 a través del siguiente conjunto de ecuaciones:
Zs = RL1RL2+XL1XL2+ (RL1XL2 − RL2XL1)
RL2­RL2 π
li = (13)
(3) β1 + β2
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La impedancia Z1 de la línea de transmisión (TL1) se deriva mediante Los resultados muestran una buena coincidencia entre los datos simulados
funciones polinómicas como: y medidos con una ligera variación de los dos datos. El resultado se logra
después de una serie de fabricación de prototipos para mitigar los efectos
Z 14 + pZ3 + qZ2 + rZ1 + s = 0 (14)
1 1
de la pérdida, la interconexión y la pérdida de soldadura del conector SMA.
dónde

2fkZoXL2
pag = (15)
Zo ­ RL2
2 2 2 R2 2 2
ZoRL2(X L2 − (Zo − RL2) ) −X L2 oh (1 + f k )
q= 2
(dieciséis)

Fk RL2(RL2 − Zo)

3 2fkZ oh XL2
r= (17)
RL2 ­ Zo
z 3 (R 2 + X 2 − ZoRL2)
s= oh L2 L2
(18)
Zo − RL2

Z2 se determina a partir de Z1 en la ecuación. 14. Los conectores de

fuente SMA, las líneas de transmisión de interconexión, los cables de
soldadura y las pérdidas de tolerancia del chip SMD se encuentran entre
otros parásitos que no se consideran durante el proceso de diseño. Por
lo tanto, todo el rectificador de RF se ajusta y optimiza para mitigar el
impacto de parásitos adicionales, como se presenta en la Fig. 3.

III. RESULTADOS Y DISCUSIÓN La Fig. 4a

presenta los circuitos fabricados del prototipo de rectificador de RF propuesto. El rectificador

de RF termina a través de una línea de alimentación con una impedancia característica de

50. Las mediciones de los parámetros del circuito propuesto se logran mediante el uso de

un analizador vectorial de redes (VNA) E5062A de Agilent Technologies, un generador de

señales APSIN12G de 12 GHz de AnaPico Suiza y un multímetro digital (DMM) de 4000

cuentas de Sanwa.

El coeficiente de reflexión medido (S11) del rectificador propuesto se

obtiene utilizando el VNA, como se muestra en la Fig. 4b.

FIGURA 5. Rectificador de doble banda propuesto simuló y midió PCE de RF a CC

versus: (a) frecuencia (b) Pin.

La figura 5a proporciona el PCE de RF a CC simulado y medido del

rectificador de RF de doble banda propuesto. La simulación se lleva a
cabo utilizando un balance armónico (HB) y un solucionador de barrido
de parámetros en ADS para gestionar las características no lineales del
diodo rectificador. El rectificador de RF de doble banda propuesto se
midió experimentalmente mediante un generador de señales. Se
generaron diferentes niveles de potencia (­30 dBm a 0 dBm en un intervalo
de 10 dBm) desde el generador de funciones entre 0,7 GHz y 2,3 GHz.
Luego se barre el Pin de potencia de entrada (de −30 dBm a 5 dBm en
un intervalo de 1 dBm) en cada frecuencia operativa para evaluar el PCE
de RF a CC del rectificador de RF frente al Pin. El DMM registra el voltaje
de CC de salida en cada punto de muestra a través del terminal de carga
de 4,5 k.
El voltaje de CC de salida medido (Vout) se utiliza para calcular el PCE
de RF a CC del rectificador de RF propuesto, como viene dado por:

1 2 ×100% = V 1
η(%) = Puchero × 100% (19)
Alfiler afuera
RL×Pin

FIGURA 4. Rectificador propuesto: (a) Prototipo fabricado (b) Coeficiente de reflexión S11 donde η representa PCE de RF a CC y Pout denota potencia de CC de
simulado y medido.
salida del rectificador de RF propuesto. Pin proporciona la

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potencia de entrada equivalente de la fuente. Vout es el voltaje de CC
rectificado a través de RL.
La medición inicial de PCE de RF a CC del rectificador de RF propuesto
frente a la frecuencia de funcionamiento se degradó.
Por ejemplo, el rectificador de RF obtuvo una eficiencia simulada del
70,1% y el 62,3%, mientras que la medición inicial del prototipo fabricado
alcanzó el 60,25% y el 52,43%, a 0,9 GHz y 1,8 GHz para una potencia
de entrada de 3 dBm, respectivamente. . Esto está asociado con pérdidas
(de la fuente SMA, cables de interconexión y línea de transmisión, cables
de soldadura y tolerancia del dispositivo SMD de los fabricantes) del
prototipo fabricado. Es necesario abordar los parásitos adicionales
atribuidos a los elementos agrupados en una alta frecuencia de operación
debido al cambio de fase y los efectos distribuidos. Estos factores facilitan
la causa principal de los parásitos, lo que a su vez conduce a resultados
inexactos entre la simulación y las mediciones.
Así, los impactos de los parásitos en altas frecuencias se tienen en cuenta
mediante el modelado de componentes de los fabricantes.
Para manejar adecuadamente estos problemas, se extrajo la reactancia
capacitiva (de C, con número de pieza GCM1555C1H102FA16 y diseño
0402) del circuito inicial. En consecuencia, los efectos de la interconexión
entre los componentes (TL y TL8 – TL11), Vias y otros parásitos
relacionados se abordaron mediante la optimización de las líneas de
transmisión en ADS. Después de una serie de optimizaciones, se volvió a
fabricar el rectificador de RF. Los resultados en la Fig. (4a ­ 5b) muestran
una buena concordancia entre los datos simulados y medidos. El circuito
propuesto alcanzó un PCE máximo medido de RF a CC de 68,62 % y
62,31 % a 0,9 GHz y 1,8 GHz para una potencia de entrada de 3 dBm,
respectivamente. Para mostrar el potencial del rectificador propuesto para
funcionamiento a baja potencia, el circuito alcanzó un PCE máximo medido
de RF a CC de 12,93% y 8,12% a 0,9 GHz y 1,8 GHz para una potencia
de entrada de −30 dBm, respectivamente. La figura 5b presenta los
resultados del PCE de RF a CC simulado y medido contra Pin. La Fig. 6
también proporciona las configuraciones de medición propuestas del
rectificador de RF de doble banda para S11 y el voltaje de CC de salida
rectificado.
FIGURA 6. S11 y las configuraciones de medición de voltaje CC de salida rectificada del
rectificador de doble banda propuesto.
Para validar el PCE óptimo de RF a CC del rectificador de RF propuesto
sobre el RL diseñado, el circuito se simula variando el terminal de carga
de 0,5 k a 20 k en un intervalo de 1 k. Durante el proceso de medición, se
despliega un rango en serie de RL (de 0,5 k, 1 k, 1,5 k... 20 k) en el
99948
FIGURA 7. PCE de RF a CC simulado y medido versus terminal de carga (RL ) de los
circuitos de rectina de doble banda propuestos.
dos frecuencias operativas para determinar el valor máximo de Vout para
una potencia de entrada de 0 dBm y −20 dBm. Se encuentra que el circuito
alcanzó un voltaje de CC de salida máximo medido de 1,6 V y 0,9 V y un
mejor PCE de RF a CC de 67,0% y 61,21% a 0,9 GHz y 1,8 GHz para una
potencia de entrada de 0 dBm. respectivamente. Durante el proceso de
simulación y medición, se observó que se registra un pico Vout de (3,2 V
y 2,98 V a 0,9 GHz) y (2,45 V y 2,23 V a 1,8 GHz) en el terminal de carga
de 20 k. Por lo tanto, esto se logra en detrimento del PCE de RF a CC
más bajo (22,35 % y 21,6 % a 0,9 GHz) y (12,3 % y 11,58 % a 1,8 GHz)
con la misma potencia de entrada, respectivamente. El prototipo de
rectificador fabricado logró un buen rendimiento en un rango de RL (de
2,5 k a 8,5 k) con un ligero ajuste, como se describe en la Fig. 7. Se realiza
un equilibrio entre los valores simulados y medidos de RL a 4,5 k. y 5k.
Los resultados medidos proporcionan un PCE de RF a CC mejorado en el
terminal de carga de 5 k a 0,9 GHz. Esto se debe a los efectos de las
pérdidas parásitas y otras pérdidas relacionadas en la frecuencia operativa
más alta, como se analizó anteriormente en esta sección. Por lo tanto, el
rectificador de RF refabricado final propuesto se analiza utilizando una
carga de 5 k, como se muestra en la Fig. (4a ­ 7).
IV. DISEÑO Y MEDICIÓN DE LA FUENTE DE ANTENA El diseño de la antena
monopolo F invertida de doble banda propuesta se logra a partir del concepto de teoría de
líneas de transmisión [5], [24], [40]. Inicialmente, se agrega al diseño una ranura plegada
rectangular de 3 mm que resuena a 0,9 GHz. La longitud de la ranura se calcula en λ/2 (71,7
mm) de la longitud de onda guiada.
Se carga un radiador rectangular de longitud (18,1 mm) en el brazo de la
ranura plegada, que forma la forma de F invertida para realizar la segunda
frecuencia de resonancia a 1,8 GHz. La ranura rectangular horizontal se
consigue a λ/4 de la longitud de onda guiada. La antena propuesta se
excita a través de una línea de transmisión 50. Para mejorar el ancho
de banda de la antena en las dos frecuencias operativas, se corta una
hendidura de 9,8 mm en la estructura de tierra defectuosa. El plano de
tierra recortado también está diseñado para ofrecer una mejor eficiencia
de radiación y directividad en las dos frecuencias operativas. La antena
también está diseñada e impresa en el mismo sustrato FR­4 económico,
disponible comercialmente y fácil de fabricar. La talla de
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FIGURA 8. Geometría de la antena monopolo de doble banda propuesta.

FIGURA 10. Patrón de radiación simulado y medido de la antena monopolo de doble banda
propuesta para Phi = 0 o y Phi = 90o: (a) y (b) a 0,9 GHz, (c) y (d) a 1,8 GHz respectivamente.

Instalaciones. El sitio está ubicado a 190 m de distancia de la estación

FIGURA 9. S11 simulado y medido de la antena de doble banda frente a la frecuencia.
la antena propuesta es de 0,30λg × 0,30λg. La Fig. 8 presenta la geometría
y los parámetros optimizados de la antena.
base de la torre celular (BS) cercana, y todo el equipo requerido está
colocado encima de una mesa rectangular de 0,5 m de altura. La densidad
de potencia de RF disponible en el terreno se analiza mediante el
analizador de espectro. Mesa. 1 muestra la densidad de potencia ambiental
disponible medida en las dos bandas de frecuencia. Se encuentra que la
intensidad de la señal de los canales de enlace descendente a través de
las dos bandas es la dominante entre las fuentes de energía de RF
ambiental disponibles, como se presenta en la Fig. 1 y la Tabla. 1. La
medición alrededor de cada BS se realiza a un intervalo de 10 m para un
tramo de 190 m. La medición se repite en cuatro (4) ubicaciones diferentes

La Fig. 9 presenta los resultados del S11 medido y simulado . La de la BS (a 90° de distancia).
pérdida de retorno de 10 dB de los resultados simulados y medidos Se coteja el punto de muestra de cada intervalo y se toma el resultado

muestra que la antena propuesta cubre la frecuencia operativa objetivo. promedio en cada tramo. Por lo tanto, los resultados muestran el potencial

Las propiedades variables del material del sustrato FR­4 de los fabricantes, de la potencia de RF ambiental para operaciones de larga distancia en

el conector de fuente SMA y las pérdidas de soldadura se encuentran GSM/900 y GSM/1800, y el diseño propuesto se centra principalmente en

entre las causas del ligero cambio entre los resultados medidos y las dos bandas. La medición de la rectina exterior alcanzó un voltaje CC

simulados. La antena proporciona un ancho de banda medido de 150 de salida de 0,374 V.

MHz (0,81 GHz – 0,96 GHZ) y 200 MHz (1,68 GHz – 1,88 GHz), a 0,875
GHz y 1,8 GHz, respectivamente. La antena de doble banda también
obtuvo una ganancia medida de 0,62 dBi y 2,36 dBi a 0,875 GHz y 1,8 TABLA 1. Energía ambiental recibida de varios públicos.
bandas de telecomunicaciones.
GHz. El patrón de radiación medido y simulado en la frecuencia de
operación respectiva hacia el plano xz y el plano yz dentro de los límites <
θ < 1800 ) y ( = 90o | 0 < θ < 1800 ) de ( = 0 se presenta en la Fig.
10.
oh oh oh
|0

V. MEDICIÓN EXTERIOR DEL

RECTENNA PROPUESTA
La medición del ambiente de la antena de doble banda propuesta se lleva
a cabo en la Universidad Multimedia de Cyberjaya.

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S. Muhammad et al.: Diseño de rectenna de recolección de energía ambiental de doble banda para comunicaciones de energía inalámbricas

TABLA 2. Una comparación entre la reccena de doble banda propuesta y otros estudios relacionados de la literatura.

Las señales multitono de la fuente de la antena tienen niveles de

potencia inestables debido a las variaciones de las señales ambientales
en un rango de frecuencias. Además, la impedancia del rectificador de RF
se caracteriza como una señal variable en el tiempo que necesita energía
amortiguada del PMM para mantener un funcionamiento estable del
circuito [3], [41], [42].
Como tal, la rectenna propuesta se evalúa más a fondo utilizando un EVM
bq25504­674. El dispositivo utiliza un módulo programable de seguimiento
del punto de máxima potencia (MPPT) para un flujo de energía máximo.
Bajo una corriente de reposo mínima de 330 nA, el módulo de baja
potencia puede captar un voltaje de entrada de 130 mV y 330 mV para un
arranque en frío y un arranque en caliente, respectivamente. El módulo
requiere una potencia de entrada mínima de arranque en frío de ­30 dBm
para una operación de carga, y el convertidor elevador CC­CC integrado
puede alcanzar un voltaje de salida práctico de 3,1 V. El módulo de gestión
de batería integrado gestiona el ciclo de trabajo del potencia de salida
[43], [44]. Las configuraciones de medición de rectenna al aire libre
propuestas se presentan en la Fig. 11. El recolector de RF obtuvo un
voltaje de CC de salida ambiental de 0,747 V.

Mesa. 2 analiza la relación entre la reccena propuesta y otros estudios

relacionados de la literatura. A pesar de lograr compacidad en [5], el
circuito obtuvo un PCE de RF a CC bajo con una potencia de entrada alta.
La rectenna propuesta muestra una mejor compacidad con un PCE de RF
a CC mejorado a baja potencia de entrada en comparación con el trabajo
informado por los autores en [15]­[18]. Los autores en [17] no proporcionan
el rendimiento de la rectenna en el ambiente.

Además, nuestro recolector de RF propuesto logró un RF­dc­PCE mejorado

de 13,2% y 8,0% para una potencia de entrada de ­30 dBm en dos
frecuencias operativas, respectivamente.
En [20] y [22], la rectina informada por los autores tiende a tener una
longitud eléctrica mayor. Además, los autores en [22], [23] informaron
FIGURA 11. Configuraciones de medición de ambiente de la reccena de doble banda propuesta.
sobre un recolector de RF adecuado para aplicaciones de alta potencia.
Una de las características únicas de la rectina de doble banda propuesta
en este trabajo es la complejidad reducida del circuito, que reduce los
el rendimiento general del sistema. Las ventajas del diseño propuesto en
efectos de los parásitos. El circuito adicional en [17], [18] y [20]­[23] se este artículo en comparación con otros trabajos reportados en la literatura
degrada incluyen compacidad, bajo costo y

99950 VOLUMEN 9, 2021

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S. Muhammad et al.: Diseño de rectenna de recolección de energía ambiental de doble banda para comunicaciones de energía inalámbricas
Rectenna fácil de fabricar que puede captar señales de RF en un largo alcance. El diseño
IMN del rectificador de RF de doble banda propuesto se deriva de ecuaciones de forma
cerrada. El IMN se realiza utilizando una sección modificada que tiene un grado adicional
de libertad. Además, la rectenna propuesta muestra una mejor eficiencia que impulsa un
EVM bq25504­674 de bajo consumo en un entorno ambiental.
VI. CONCLUSIÓN Este
artículo demuestra el diseño de una recena de doble banda para recolectar energía
ambiental de RF de las bandas GSM/900 y GSM/1800. Se realiza un estudio espectral de
RF para evaluar las frecuencias operativas adecuadas para los sistemas RFEH.
Se ha propuesto una rectina única con una antena F invertida de doble banda y un
rectificador de RF IMN de doble banda impulsado por ecuaciones. El exclusivo IMN de doble
banda del rectificador de RF se logra mediante el uso de un MN de sección modificada con
un grado adicional de libertad para una mejor impedancia en las frecuencias de diseño. El
rendimiento exterior de rectenna genera un voltaje de CC de salida de 0,747 V utilizando
bq25504­674 EVM y 0,374 V sin el módulo de baja potencia. La rectina propuesta logró un
PCE máximo de RF a CC del 12,93 % a 0,9 GHz para una potencia de entrada de ­30 dBm.
Por lo tanto, las señales de RF ambientales recolectadas pueden activar varios dispositivos
de baja potencia mediante la gestión de energía adecuada de la rectina propuesta.
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Calzoncillos, vol. 68, núm. 4, págs. 1458­1462, abril de 2021.
SURAJO MUHAMMAD (Miembro estudiante, IEEE) nació en
1984. Recibió su título de BE en ingeniería informática de la
Universidad Bayero, Kano, Nigeria, y su título de ME en
ingeniería electrónica y de telecomunicaciones de la Universiti
of Teknologi, Johor, Malasia. en 2004 y 2014, respectivamente.
Actualmente está cursando el Ph.D. Licenciatura en
recolección de energía de RF en la Universidad Multimedia,
Cyberjaya, Malasia. Sus intereses de investigación incluyen
el diseño de antenas de banda ancha/multibanda, sistemas
de energía renovable y recolección de energía de RF. Recibió
la Beca de Investigación y Desarrollo TM para su doctorado. investigación.
99952
JUN JIAT TIANG obtuvo su título en ingeniería electrónica
de la Universidad Multimedia de Malasia, su maestría de la
Universidad de Ciencias de Malasia y su doctorado.
Licenciado por la Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM).
Trabajó como ingeniero de automatización de diseño en el
equipo de diseño estructural de chipset de Intel Micro­
electronics (M) Sdn. Bhd., Penang, Malasia, de septiembre
de 2004 a julio de 2005, e ingeniero electrónico en el Grupo
de Desarrollo de Tecnología Global, Motorola Technology
Sdn. Bhd., Penang, de mayo de 2006 a mayo de 2007. Tiene una amplia experiencia
trabajando como líder de proyecto en diversas subvenciones de investigación, como TM
Research and Development, de 2017 a 2020; Beca de Investigación, Ministerio de Ciencia,
Tecnología e Innovación (MOSTI), de 2008 a 2010; y Mini Fondo de becas de investigación,
en 2016.
Actualmente es profesor titular e investigador de la Facultad de Ingeniería de la Universidad
Multimedia. Sus intereses de investigación incluyen RFID, circuitos de microondas, antenas
y propagación. Fue galardonado con la Medalla de Oro en la 23ª Exposición Internacional de
Invenciones, Innovación y Tecnología (ITEX) 2012, Kuala Lumpur, Malasia, en mayo de
2012, y la Medalla de Plata en la Exposición Tecnológica de Malasia (MTE) 2013, Kuala
Lumpur, en febrero de 2013.
SEW KIN WONG recibió el título de BE (Hons.) en ingeniería
electrónica de la Universidad de Ciencias de Malasia (USM),
en 1995, y la Maestría en Ciencias de la Ingeniería y el
Doctorado en Filosofía de la universidad, en 2003 y 2012,
respectivamente, donde realizó investigaciones sobre el
diseño de transceptores, amplificadores y mezcladores de
radiofrecuencia (RF). En el marco de sus contribuciones de
investigación, se desarrolló un prototipo de transceptor de RF
frontal para comunicación celular de tercera generación (3G),
un amplificador de potencia (PA), un amplificador de bajo
ruido (LNA) y un mezclador de circuitos integrados (IC) de conversión descendente para ultra
­Se implementó y desarrolló con éxito un sistema de comunicación de banda ancha. Después
de graduarse de su primer título en 1995, se unió a Mecomb Malaysia Sdn Bhd como
ingeniero de ventas a cargo de ventas técnicas, soporte de preventa y capacitación de
clientes para productos de telecomunicaciones, que van desde un simple probador de tasa
de error de bits (BER) hasta digitales síncronos de alta gama. Sistemas de prueba y medición
de jerarquía (SDH). Dejó Mecomb Malaysia Sdn Bhd en mayo de 2000 y se incorporó a la
Multimedia University como profesor asistente. Ha sido profesor titular en la Facultad de
Ingeniería de la Universidad Multimedia desde 2003. Sus principales responsabilidades
incluyen la realización de conferencias de pregrado y posgrado, tutorías y experimentos de
laboratorio, realización de investigaciones científicas, supervisión de estudiantes de
investigación de posgrado y realización de realizar las tareas administrativas del profesorado.
Desde 2005, imparte cursos cortos y capacitaciones corporativas para fabricantes de
ingeniería, como Agilent, Intel, Avago, Plexus y Venture. Ha realizado más de 50 cursos y
capacitaciones en el área de RF/microondas y telecomunicaciones, tales como fundamento
o concepto, sistema transceptor, técnicas de medición y verificaciones. Es un ingeniero
profesional (Ir) registrado ante la Junta de Ingenieros de Malasia (BEM).
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AMOR SMIDA (Miembro, IEEE) recibió el título de bachillerato
electrónico, el M.Sc. Licenciatura en análisis y procesamiento
digital de sistemas electrónicos, y el Ph.D. Licenciado por la
Facultad de Ciencias Matemáticas, Físicas y Naturales de
Túnez, Universidad El­Manar de Túnez, Túnez, en 2008,
2010 y 2014, respectivamente.
De 2008 a 2014 fue Estudiante Investigador de Posgrado de
la Unidad de Investigación en Circuitos y Sistemas
Electrónicos de Alta Frecuencia. Desde agosto de 2014, es
profesor asistente en el Departamento de Tecnología de Equipos Médicos de la Facultad de
Ciencias Médicas Aplicadas de la Universidad Maj­maah (Arabia Saudita). Sus intereses de
investigación actuales incluyen antenas inteligentes, biosensores, aplicaciones biomédicas,
aplicaciones de redes neuronales en antenas, arreglos adaptativos y diseño de circuitos de
microondas en el estudio CST de microondas.
AMJAD IQBAL (Miembro, IEEE) recibió su título en ingeniería
eléctrica de la Universidad COMSATS, Islamabad, Pakistán,
en 2016, y la maestría en ingeniería eléctrica del Departamento
de Ingeniería Eléctrica de la Universidad CECOS de TI y
Ciencias Emergentes, Peshawar, Pakistán. en 2018.
Actualmente está cursando el Ph.D. Licenciatura en la
Facultad de Ingeniería, Universidad Multimedia, Cyberjaya,
Selangor, Malasia. Trabajó como Ingeniero de Laboratorio
en el Departamento de Ingeniería Eléctrica de la Universidad
CECOS, de 2016 a 2018. Sus intereses de investigación
incluyen antenas impresas, antenas flexibles, antenas implantables, antenas MIMO, antenas
de resonador dieléctrico y síntesis de componentes de microondas.

RIDHA GHAYOULA recibió el Dipl. Ing. Licenciatura en

Ingeniería Eléctrica, el M.Sc. Licenciatura en análisis y
procesamiento digital de sistemas electrónicos, y el Ph.D.
Licenciado por la Facultad de Ciencias Matemáticas, Físicas
y Naturales de Túnez, Universidad El­Manar de Túnez,
Túnez, en 2002, 2005 y 2008, respectivamente.

De 2004 a 2012 fue Estudiante Investigador de Posgrado

en la Unidad de Investigación en Circuitos y Sistemas
Electrónicos de Alta Frecuencia.
Desde agosto de 2009, ha sido profesor asistente en el Departamento de Ingeniería
Eléctrica del Instituto Superior de Ciencias de la Computación de El Manar, Túnez, y profesor
asociado de 2014 a 2015. Desde mayo de 2012, ha sido becario postdoctoral en el LRTS,
Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática, Universidad Laval, Ciudad de Quebec,
Canadá. Ha trabajado en varias experiencias industriales en Canadá, como Diseñador de
FPGA con Aerostar Research and Development en 2014; Doric Lenses Inc., en 2017; Telops
Inc., en 2018; y M2S Electronics Canada, en 2019. Ha publicado más de 80 revistas y
artículos de conferencias sobre antenas inteligentes y sistemas integrados. Sus intereses
actuales incluyen ingeniería de software, FPGA, procesador softcore, modelado y simulación,
TDOA, DOA, arreglos en fase, antenas inteligentes, radiogoniometría, sistemas de
radiocomunicaciones, aplicaciones de redes neuronales en antenas, arreglos adaptativos y
diseño de circuitos de microondas. Participó en varios proyectos industriales en Norteamérica
durante siete años en el campo embebido, tiempo real, LidAR y FPGA, estimulación
optogenética dual con fuente de luz de fibra de diodo láser, cámaras IR hiperespectrales,
DE­8209 ORKAN ­ UP15 (C0069A), HVAC aplicación: TNG15­TX070 y aplicación HVAC:
DE­8209 TOUCH18 WiFi­TX120.

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