UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

ELC-115

LABORATORIO 3. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MOS

José Ramos López
PARTE I: INTRODUCCIÓN
En el trabajo de laboratorio el estudiante aplicará principalmente, los transistores NMOS y PMOS
que contiene el circuito integrado CMOS CD4007. Esta selección se justifica por varias razones
tanto académicas, como de índole práctica. Muchas buenas universidades utilizan el chip 4007. Este
circuito integrado contiene 3 transistores NMOS y 3 transistores PMOS. Este hecho convierte al
4007 en un laboratorio de bajo costo para el estudio y la experimentación con transistores MOS. Por
otra parte, su costo es moderado. En la actualidad se puede conseguir por $ 0.49. En la figura 1 se
muestra al 4007 en la página de una popular tienda de componentes electrónicos. En la figura 2 se
muestra la distribución de pines (pinout) del 4007.

Figura 1. El CD4007 en la página de una popular tienda de componentes electrónicos.

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Figura 2. Pinout del circuito integrado de 14 pines CD4007 [1].

En la figura 2 se puede observar que las compuertas de los transistores PMOS y NMOS vienen
interconectadas en parejas. Este hecho sugiere que la aplicación original del CD4007 es dar al
diseñador la posibilidad de construir tres inversores CMOS. Esta es la única limitación de este
circuito, por lo demás es casi seguro que un solo transistor NMOS o PMOS comprado
individualmente, cuesta más que el CD4007 completo con sus 6 transistores. Otro detalle que no se
entiende completamente la primera vez que uno observa el pinout del CD4007 es que, en el caso de
los NMOS, el sustrato de semiconductor tipo p ya se encuentra conectado internamente a la fuente
de uno de los transistores NMOS. En la figura 2, el pin 7 es al mismo tiempo la fuente de un
transistor NMOs, y el terminal del sustrato tipo p de todo el circuito integrado. Un análisis similar
aplica para los transistores PMOS y el sustrato tipo n. El pin 14 es la fuente de uno de los
transistores PMOS, y al mismo tiempo es el sustrato tipo n de todo el circuito integrado. Como
regla general el sustrato tipo n debe ir conectado a la tensión más positiva del circuito; mientras que
el sustrato tipo p debe ir conectado a la tensión más negativa. Esta regla es válida tanto en el
laboratorio del mundo real, como en LTspice (o PSpice). Esto nos debería dar una idea de las
bondades (en términos de exactitud), tanto de LTspice, como de PSpice. Desafortunadamente la
disponibilidad de PSpice en el futuro inmediato es algo con lo que no podemos contar.
En esta ocasión debido a las condiciones especiales en las que se imparte este curso, todo el trabajo
de experimentación debe ser realizado por medio de simulación, principalmente en LTspice. De

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manera que la primera tarea es seleccionar un modelo tanto para el transistor NMOS, como para el
PMOS del 4007. En [2], se presentan modelos para ambos transistores. De acuerdo a su autor, estos
modelos son suficientemente buenos como para simular el funcionamiento del 4007 como inversor.
A continuación discutiremos brevemenente, la aplicación del modelo del NMOS en LTspice.
APLICACIÓN DEL MODELO
Debe hacerse notar que el 4007 fue desarrollado precisamente para esta aplicación (inversor
CMOS), de manera que, si el modelo es suficientemente bueno para dicha aplicación, con mayor
razón lo es para simular los circuitos que aplicaremos en ELC-115. Después de descargar el archivo
pdf [2], el estudiante puede copiar separadamente el modelo de cada transistor. Por ejemplo, para el
NMOS, el modelo simplificado se muestra a continuación:

.MODEL RIT4007N7 NMOS (LEVEL=7

+VERSION=3.1 CAPMOD=2 MOBMOD=1
+TOX=4E-8 XJ=2.9E-7 NCH=4E15 NSUB=5.33E15 XT=8.66E-8
+VTH0=1.4 U0= 1300 WINT=2.0E-7 LINT=1E-7
+NGATE=5E20 RSH=300 JS=3.23E-8 JSW=3.23E-8 CJ=6.8E-8 MJ=0.5 PB=0.95
+CJSW=1.26E-10 MJSW=0.5 PBSW=0.95 PCLM=5
+CGSO=3.4E-10 CGDO=3.4E-10 CGBO=5.75E-10)

Nótese que en este caso hemos conservado el nombre original del modelo. Es importante recordar
el nombre del modelo que aparecerá dentro del archivo *.lib; así como el nombre del archivo, en
nuestro caso, llamaremos al archivo RIT4007N7.LIB, en honor a los autores [2]. Esto suele ser un
quebradero de cabeza, las primeras veces que se trata de incorporar nuevos modelos en LTspice.

En el primer intento, basta simplemente con copiar y pegar la descripción del modelo en LTspice

Figura 3. Copy & Paste del texto que describe el modelo usando SPICE directive, directamente sobre el
esquemático de LTspice.

Al indicarle a LTspice que el texto del modelo es una SPICE directive, el color cambiará a negro en
la pantalla del schematic de LTspice. Nótese que M1 en el circuito es un 4007N, tal como aparece

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en la descripción del modelo. Si lanzamos la simulación, obtendremos la familia de curvas de iD
contra vDS, cuando se usa vGS como parámetro.

En el siguiente paso, salvamos el archivo de texto en el subdirectorio destinado por defecto para
este propósito en LTspice, usando un nombre adecuado para el archivo *.LIB.

Figura 4. Salvando archivo RIT4007N7, desde el bloc de notas.

Una vez que el archivo con el modelo ha sido salvado con un nombre adecuado, podemos usar la
SPICE directive LIB, para que nuestro circuito lo pueda leer.

Figura 5. Versión casi final del circuito aplicando modelo del NMOS en el 4007.

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Dos cambios han sido aplicados al circuito siendo simulado: (i) la directriz LIBRARY (.lib), se
muestra en color negro; (ii) el texto con el modelo aparece en color azul, lo cual significa que ahora
es un comentario, ya que el circuito aplica el modelo descrito en el archivo RIT4007N7.lib. En el
tutorial de You Tube de la referencia [3], se ilustra el proceso completo, en el cual se llega un paso
más allá de lo que hemos discutido en este documento.

Finalmente, los autores en [2], muestran los parámetros que debemos especificar en la simulación,
incluyendo W, L, Ad, As, PD, PS, etc. En este momento nos venimos a dar cuenta de la necesidad
de usar el dispositivo nmos4 de LTpsice, en el cual se tiene acceso a los cuatro pines del MOSFET
(incluyendo el sustrato). Al hacer un click derecho sobre el MOS, LTspice nos permitirá especificar
W, L, etc.

Figura 6. Especificación final de parámetros del 4007.

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Figura 7. Características iD contra vDS usando vGS como parámetro para el CD4007.

TRABAJO DE PRELABORATORIO
 Revisar el ejemplo 1 [4], (ejemplo 4.1 en [5]); en el cual se explica la interpretación
de las características físicas de transistores CMOS. Aplicar la metodología del
ejemplo1 para calcular k´n y k´p en uA/V2.
 Descargar los modelos del CD4007 desde la dirección que aparece en [2].

TRABAJO DE LABORATORIO
1. Generar archivos independientes para los modelos del NMOS y del PMOS, y salvarlos en
la carpeta sub creada por LTspice (ver figura 8):

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Figura 8. Carpeta sub creada por LTspice para salvar archivos de modelos.

2. Diseñar simulaciones para trazar las características de iD contra vDS usando vGS como
parámetro, tanto para el NMOS; como para el PMOS del 4007. La figura 5, muestra el
circuito básico para el transistor NMOS. La figura 9, muestra el circuito básico para realizar
esta tarea con el transistor PMOS.

Figura 9. Circuito en LTspice para trazar característica de iD contra vSD usando vSG como parámetro,para
transistor PMOS.

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 3. Calcular Van y VAp [5].
REFERENCIAS

1. Jameco. https://www.jameco.com/z/CD4007UB-Major-Brands-IC-CD4007-DUAL-
COMPLEMENTARY-PAIR-PLUS-INVERTER_12597.html. Consultado 17 septiembre 2020.
2. CD4007Model. https://edisciplinas.usp.br/pluginfile.php/4357747/mod_resource/content/20/CD4
007_SPICE_MODEL.pdf. Consultado 22/06/2020

3. LTspice Tutorial: how to import Libraries and Components.

https://www.youtube.com/watch?v=8V5XabccFaE&t=179s
Consultado 23/06/2020.

4. Ramos. Lecciones MOSFET Semana 1. Universidad de El Salvador 2020.

https://drive.google.com/file/d/1F-HxC9wDl7dDua4bAamdfu2eVXAmOX9K/view

5. Sedra, et al. Circuitos Microelectrónicos, 5ª edición. McGraw-Hill Interamericana 2006.

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