Para cada uno de los siguientes circuitos, realice las siguientes simulaciones utilizando el programa

Multisim:

1- Para el siguiente circuito, y para cada fila de la tabla, obtenga lo siguiente:

 Curva característica del transistor
 Obtenga los valores en D.C. de VGS, ID y VDS utilizando el multímetro Agilent de
Multisim, y llene los espacios faltantes en la tabla.

VDD

RD1
R1

Q1

R2
RS1

Circuito R1 R2 RD1 RS1 VDD KP Vto L W VGS ID (mA) VDS

(V) (V)
Circuito 2MΩ 4MΩ 4kΩ 10kΩ 30V 60µA/V2 1V 15µm 100μm 3.84 1.61mA 7.97
1
Circuito 10MΩ 1MΩ 0 1kΩ 25V 45µA/V2 1.5V 50µm 300μm 2.57 0.15mA 29.84
2
Circuito 5MΩ 5MΩ 1kΩ 200Ω 15V 55µA/V2 2V 200µm 200μm 14.05 0.78mA 7.34
3
Circuito 2MΩ ∞ 0 130Ω 12V 50µA/V2 2.5V 45µm 100μm 11.66 4.42 mA 11.66
4
Circuito 10MΩ ∞ 500Ω 230Ω 22V 30µA/V2 2V 25µm 500μm 3.41 25.46mA 16.14
5

DESARROLLO
CIRCUITO #1

CIRCUITO #2
CIRCUITO #3
CIRCUITO #4

CIRCUITO #5