Compuertas lógicas con MOSFET

Pre-Informe 6

Universidad de la Frontera Ingeniería Civil Electrónica

Laboratorio de Electrónica Digital

Docente: JOSE ESTEBAN SANCHEZ ALARCON

Justino Antonio Barahona Verdugo

Felipe Camilo Sandoval Painen
20/11/2023

1
 Introducción
Los MOSFET o transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor son dispositivos
semiconductores con capacidad de conmutación y amplificación, de forma similar a los BJT,
pero con una estructura y operación interna totalmente diferentes. Mientras que el
funcionamiento del transistor bipolar se debe a la difusión de portadores de carga en una
juntura, el MOSFET debe su comportamiento a la formación de un canal debido a la presencia
de un campo eléctrico en la región de la compuerta. En esta experiencia se implementarán
compuertas lógicas simples a partir de dispositivos MOSFET, revisando su comportamiento
ante distintas señales de entrada.

2
 Pre-informe
1. Describa los distintos tipos de MOSFET de acuerdo con la formación del canal
(enriquecimiento o empobrecimiento) y el tipo de semiconductor (tipo P o tipo N).

Los MOSFET son transistores de efecto de campo que se utilizan en una amplia variedad de
aplicaciones electrónicas. Existen dos tipos de MOSFET. MOSFET de enriquecimiento y
MOSFET de empobrecimiento. Los MOSFET de enriquecimiento se encienden con una
tensión, mientras que los MOSFET de empobrecimiento se encuentran encendidos y se
apagan con un nivel de tensión. Además, los MOSFET pueden ser de canal N o de canal P. Un
MOSFET de canal N tiene un canal de conducción de tipo N, mientras que un MOSFET de canal
P tiene un canal de conducción de tipo P.

2. Para el experimento práctico considere los MOSFET tipo N IRFZ44 y 2N7000, y tipo
P IRF9520 disponibles en pañol, presente una figura con la descripción de los terminales del
empaquetado a partir de la hoja del fabricante.

• A continuación, se mostrará las distribuciones de los pines en el MOSFET tipo P

IRF9520 en la Figura 1.

Figura 1. Distribución de pines en el MOSFET tipo p IRF9520.

3
• Se mostrarán la distribución de los pines en el MOSFET Tipo N IRFZ44 en la Figura 2.

Figura 2. Distribución de pines en el MOSFET Tipo N IRFZ44

• Representación de los pines en el MOSFET Tipo N 2N7000 ilustrados en la Figura 3.

Figura 3.
Representación de los pines en el MOSFET Tipo N 2N7000

4
3. Muestre los valores comunes de diseño a partir de las hojas del fabricante: 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ),
𝑉𝐷𝑆(𝑚á𝑥), 𝐼𝐷(𝑚á𝑥) y 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) y explique su significado. Además, mencione el modo de
funcionamiento de cada uno (enriquecimiento/enhancement o
empobrecimiento/depletion).

El MOSFET de Tipo P IRF9520 es un transistor de efecto de campo que se utiliza en una amplia
variedad de aplicaciones electrónicas.

𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) = 20 V
𝑉𝐷𝑆(𝑚á𝑥) = 100 V
𝐼𝐷(𝑚á𝑥) = -6.8 A
𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) = 0.48 Ω

Donde 𝑉𝐺𝑆 es la tensión de la puerta, 𝑉𝐷𝑆 es la tensión drenador-fuente, 𝐼𝐷 es la corriente

de drenador y 𝑅𝐷𝑆 es la resistencia de drenador-fuente. El modo de funcionamiento del
MOSFET IRF9520 es de enriquecimiento.
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
----- El MOSFET de Tipo N IRFZ44 es un transistor de efecto de campo que se utiliza en una
amplia variedad de aplicaciones electrónicas.

𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) = 10 V
𝑉𝐷𝑆(𝑚á𝑥) = 50 V
𝐼𝐷(𝑚á𝑥) = -49 A
𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) = 22 mΩ

Donde 𝑉𝐺𝑆 es la tensión de la puerta, 𝑉𝐷𝑆 es la tensión drenador-fuente, 𝐼𝐷 es la corriente

de drenador y 𝑅𝐷𝑆 es la resistencia de drenador-fuente. El modo de funcionamiento del
MOSFET IRFZ44 es de enriquecimiento.
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
----- El MOSFET de Tipo N 2N7000 es un transistor de efecto de campo que se utiliza en una
amplia variedad de aplicaciones electrónicas.

𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) = 10 V
𝑉𝐷𝑆(𝑚á𝑥) = 60 V
𝐼𝐷(𝑚á𝑥) = 200 mA
𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) = 5 Ω

5
Donde 𝑉𝐺𝑆 es la tensión de la puerta, 𝑉𝐷𝑆 es la tensión drenador-fuente, 𝐼𝐷 es la corriente
de drenador y 𝑅𝐷𝑆 es la resistencia de drenador-fuente. El modo de funcionamiento del
MOSFET 2N7000 es de enriquecimiento.

4. Explique cómo se mide el tiempo de paso de alto a bajo (𝑡𝑝𝐻𝐿) y de bajo a alto (𝑡𝑝𝐿𝐻) en
una señal digital y cómo se relaciona con el tiempo de retardo o propagación y frecuencia
de funcionamiento máxima de una compuerta, presente las ecuaciones.

El tiempo de propagación de una compuerta es el tiempo que tarda la señal en atravesar la

compuerta. El tiempo de retardo es el tiempo que tarda la señal en atravesar la compuerta
más el tiempo de propagación.

El tiempo de paso de alto a bajo (𝑡𝑝𝐻𝐿) se mide midiendo el tiempo que tarda la señal en
pasar del nivel alto al nivel bajo. El tiempo de paso de bajo a alto (𝑡𝑝𝐿𝐻) se mide midiendo el
tiempo que tarda la señal en pasar del nivel bajo al nivel alto.

El tiempo de propagación y el tiempo de retardo se relacionan con el tiempo de paso de alto

a bajo y el tiempo de paso de bajo a alto mediante las siguientes ecuaciones:

- 𝑡𝑝𝐻𝐿 + 𝑡𝑝𝐿𝐻 = 𝑡𝑝
- 𝑡𝑝 = 𝑡𝑟 + 𝑡𝑝𝑝

Donde 𝑡𝑝 es el tiempo de propagación, 𝑡𝑟 es el tiempo de retardo y 𝑡𝑝𝑝 es el tiempo de paso

de alto a bajo o de bajo a alto, según corresponda.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

 El tiempo de paso de alto a bajo (𝑡𝑝𝐻𝐿) y de bajo a alto (𝑡𝑝𝐿𝐻) en un MOSFET de Tipo
P IRF9520 se relaciona con el tiempo de retardo o propagación y la frecuencia de
funcionamiento máxima de una compuerta mediante las siguientes ecuaciones:

tpHL=tr+td+tf

tpLH=tr+td+tf

Donde:
• tpHL es el tiempo de paso de alto a bajo.

6
 • tpLH es el tiempo de paso de bajo a alto.
• tr es el tiempo de subida o bajada de la señal de entrada.
• td es el tiempo de retardo o propagación.
• tf es el tiempo de subida o bajada de la señal de salida.

El tiempo de retardo o propagación (td) se define como el tiempo que tarda la señal de salida
en cambiar de estado después de que la señal de entrada ha cambiado de estado. La
frecuencia de funcionamiento máxima de una compuerta se define como la frecuencia
máxima a la que la compuerta puede cambiar de estado.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

 El tiempo de paso de alto a bajo (𝑡𝑝𝐻𝐿) y de bajo a alto (𝑡𝑝𝐿𝐻) en un MOSFET de Tipo
N IRFZ44 se relaciona con el tiempo de retardo o propagación y la frecuencia de
funcionamiento máxima de una compuerta mediante las siguientes ecuaciones:

tpHL=tr+td+tf

tpLH=tr+td+tf

Donde:

• tpHL es el tiempo de paso de alto a bajo.

• tpLH es el tiempo de paso de bajo a alto.
• tr es el tiempo de subida o bajada de la señal de entrada.
• td es el tiempo de retardo o propagación.
• tf es el tiempo de subida o bajada de la señal de salida.

El tiempo de retardo o propagación (td) se define como el tiempo que tarda la señal de salida
en cambiar de estado después de que la señal de entrada ha cambiado de estado. La
frecuencia de funcionamiento máxima de una compuerta se define como la frecuencia
máxima a la que la compuerta puede cambiar de estado.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

 El tiempo de paso de alto a bajo (𝑡𝑝𝐻𝐿) y de bajo a alto (𝑡𝑝𝐿𝐻) en un MOSFET de Tipo
N IRFZ44 se relaciona con el tiempo de retardo o propagación y la frecuencia de
funcionamiento máxima de una compuerta mediante las siguientes ecuaciones:

7
tpHL=tr+td+tf

tpLH=tr+td+tf

Donde:

• tpHL es el tiempo de paso de alto a bajo.

• tpLH es el tiempo de paso de bajo a alto.
• tr es el tiempo de subida o bajada de la señal de entrada.
• td es el tiempo de retardo o propagación.
• tf es el tiempo de subida o bajada de la señal de salida.
El tiempo de retardo o propagación (td) se define como el tiempo que tarda la señal de salida
en cambiar de estado después de que la señal de entrada ha cambiado de estado. La
frecuencia de funcionamiento máxima de una compuerta se define como la frecuencia
máxima a la que la compuerta puede cambiar de estado.

Mosfet tipo P IRF9520

Estos resultados se midieron con el canal 1 y 2 del osciloscopio entregando una señal cuadrada
del generador de frecuencia, a la vez utilizamos el multímetro para comprobar que los
componentes estén en funcionamiento mediante el uso en laboratorio.
• Resultados obtenidos en laboratorio:

Vdd Vout VDSon Is RDSon F

3.3V 2.52V 0.78V 540uA 1.444Ohm 500.000Hz

Estos resultados fueron tomados por el osciloscopio mediante el juego perillas

• Tiempo de Propagación

Tphl Tplh tr tf
1uS 40nS 60nS 1.5uS

8
Mosfet tipo N IRFZ44

• Resultados obtenidos en laboratorio:

Vdd Vout VDSon Is RDSon F

3.3V 3.295V 5mV 0.000704A 7.13Ohm 0.073Hz

• Tiempo de Propagación

Tphl Tplh tr tf
1uS 5.8uS 12.6uS 1.5uS

Mosfet tipo N 2N7000

• Resultados obtenidos en laboratorio:

Vdd Vout VDSon Is RDSon F

3.3V 7mV 3.29V 1.49uA 2,200,000Ohm 4,165Hz

• Tiempo de Propagación

Tphl Tplh tr tf
21nS 120uS 352nS 31nS

9
Tipos de MOSFETs utilizados:

- IRFZ44: Es un MOSFET tipo N con características de alta corriente y baja resistencia. Se usa
comúnmente en aplicaciones de potencia.
- 2N7000: También es un MOSFET tipo N, pero con características diferentes, posiblemente
de menor potencia que el IRFZ44.
- IRF9520: Es un MOSFET tipo P, que se caracteriza por su comportamiento complementario
al de los MOSFETs tipo N. Se usa para controlar corrientes en aplicaciones donde se requiere un
voltaje positivo.

Para medir los tiempos tpHL, tpLH, tr, td y tf en un circuito con MOSFETs (IRFZ44, 2N7000,
IRF9520) y resistencias de 4.7k ohmios utilizando un osciloscopio, primero se construye y conecta
el circuito correctamente. Luego, se enciende el osciloscopio y se ajustan las escalas de voltaje y
tiempo adecuadas para visualizar la señal. La sonda del osciloscopio se conecta a puntos clave
del circuito, y se utilizan los cursores del osciloscopio colocados en el 90%, 10% y 50% de la señal
para medir directamente los tiempos de interés en la señal, registrando los valores obtenidos
junto con las configuraciones utilizadas. Estos datos se analizan posteriormente para
compararlos con las especificaciones de los MOSFETs y resistencias, permitiendo sacar
conclusiones sobre el comportamiento del circuito en términos de transiciones de señal y
tiempos de respuesta.

10
 Materiales

Materiales Cantidad Medición

MOSFET P IRF9520 1 -
MOSFET N IRFZ44 1 -
MOSFET N 2N7000 1 -
Chicotes 4 -
Protoboard 1 -
Resistencias 2 4,7kOhm
Multímetro 1 -
Fuente simple con ajuste 1 -
fino
Osciloscopio 1 -
Generador de señales 1 -
Pela cable 1 -
Sondas atenuadas 2 -

11