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ISSN 2448-7775
RESUMEN En el presente trabajo se muestra el análisis de los parámetros de eficiencia y la distorsión armónica total un inversor
multinivel asimétrico híbrido compuesto con la conexión en cascada de un inversor tipo T y un inversor puente H. Los inversores
tienen una relación de voltaje asimétrico de 1:1.5. Se propone una modulación basada en la técnica modulación por ancho de pulso
sinusoidal para obtener en la salida del inversor multinivel híbrido en cascada de 9 niveles. El aumento de niveles reduce el contenido
armónico, incrementa la eficiencia y reduce el filtro de acoplamiento. El inversor puede ser usado para inyección de potencia activa
a la red mediante fuentes de energías renovables. Se muestran resultados numéricos comparando con una topología de un inversor
puente H en cascada de relación 1:2.
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C. J. Rodríguez Cortes et al.: Análisis de eficiencia y THD de un inversor multinivel TT/HB de
9 niveles para sistemas de Energías Renovables
En la Fig. 1 se muestra el inversor propuesto de 9 niveles Fig. 2. Inversor 7L-CHB con voltajes asimétricos.
conectando en cascada el inversor 3L-TT en la parte superior y
el inversor 3L-HB en la parte inferior. El inversor propuesto es
A. Análisis de estados del inversor 9L-TT-HB.
llamado 9-Level T-Type-H-Bridge o 9L-TT-HB. El valor de
VCD, en Fig. 1 y Fig. 2, es el voltaje de alimentación del bus de El análisis de los estados y de los niveles del inversor 9L-
potencia de DC para uno de los inversores en cascada, mientras TT-HB se muestra en las Tablas I, II y III. En la Tabla I se
que VC1, VC2 y VC3 son los voltajes de los capacitores C1, C2 y muestran los estados de los interruptores 𝑇1 , 𝑇̅1, 𝑇2 y 𝑇̅2 para el
C3 del bus de alimentación. L es el inductor de acoplamiento inversor superior 3L-TT. En el Estado 1, se genera el voltaje
entre el inversor multinivel y la red eléctrica vred, i es la 𝑣𝑥𝑦 = +0.5 VCD cuando se activan los interruptores 𝑇1 y 𝑇̅2,
corriente de salida del inversor multinivel. Además, se define mientras que 𝑇̅1 y 𝑇2 están desactivados, como se muestra en la
el voltaje de salida para el inversor superior de 3 niveles como Fig. 3.
𝑣𝑥𝑦 y para el inversor inferior 𝑣𝑦𝑧 , la suma de ambas salidas da
como resultado la salida del inversor multinivel y se define TABLA I. ESTADOS PARA EL INVERSOR 3L-TT.
como 𝑣𝑥𝑧 . El inversor 9L-TT-HB tiene voltajes asimétricos
Estado 𝑻𝟏 ̅1
𝑻 𝑻𝟐 ̅2
𝑻 𝒗𝒙𝒚
para disminuir el THD del voltaje de salida en relación 1:1.5 en
los voltajes de alimentación VCD. Además se puede notar que 1 1 0 0 1 +0.5 VCD
el voltaje del inversor superior en menor que el voltaje del 2 0 1 0 1 0V
inversor inferior. En la Fig. 2 se muestra el inversor de 7 niveles 3 0 1 1 0 -0.5 VCD
puente H en cascada (7 Level Cascaded H-Bridge o 7L-CHB)
para comparar el inversor propuesto.
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+ C1
VC1 T1 T3 T4
_ 1.5 VDC y +
VDC +-
y x + C3
+ VC3 z v_yz
+ C2 + - _
V_C2 T2 T1
vxy T3 T4
T2
_
Fig. 6. Estado 4, inversor 3L-HB.
Fig. 3. Estado 1, inversor 3L-TT.
En el Estado 5, se genera el voltaje 𝑣𝑦𝑧 = +0V cuando se
En el Estado 2, se genera el voltaje 𝑣𝑥𝑦 = 0 V cuando se
activan los interruptores 𝑇3 y 𝑇4 , mientras que 𝑇̅3 y 𝑇̅4 están
activan los interruptores 𝑇̅1 y 𝑇̅2, mientras que 𝑇1 y 𝑇2 están
desactivados, como se muestra en la Fig. 7.
desactivados, como se muestra en la Fig. 4.
Finalmente, en el Estado 6, se genera el voltaje 𝑣𝑦𝑧 =
Finalmente, en el Estado 3, se genera el voltaje 𝑣𝑥𝑦 =
− VCD cuando se activan los interruptores 𝑇̅3 y 𝑇4 , mientras que
−0.5 VCD cuando se activan los interruptores 𝑇̅1 y 𝑇2 , mientras
𝑇3 y 𝑇̅4 están desactivados, como se muestra en la Fig. 8.
que 𝑇1 y 𝑇̅2 están desactivados, como se muestra en la Fig. 5.
En la Tabla III se muestran los voltajes obtenidos cuando se
En la Tabla II se muestra los estados de los interruptores 𝑇3 , conectan los inversores en cascada. Se observa que la suma de
𝑇̅3, 𝑇4 y 𝑇̅4 para el inversor inferior 3L-HB. En el Estado 4, se los voltajes individuales en la salida de los inversores 3L-TT y
genera el voltaje 𝑣𝑦𝑧 = + VCD cuando se activan los 3L-HB generan 9 niveles de voltaje 𝒗𝒙𝒛 entre los nodos x y z.
interruptores 𝑇3 y 𝑇̅4, mientras que 𝑇̅3 y 𝑇4 están desactivados,
como se muestra en la Fig. 6.
T3 T4
1.5 VDC y +
+ C3
+ VC3 z v_yz
- _
+ C1
VC1 T1 T3 T4
_
y x
VDC +-
+ C2 + Fig. 7. Estado 5, inversor 3L-HB.
V_C2 T2 T1
T2 vxy
_ T3 T4
1.5 VDC y +
Fig. 4. Estado 2, inversor 3L-TT. + C3
+ VC3 z v_yz
- _
T3 T4
+ C1
VC1 T1
_
+ y x Fig. 8. Estado 6, inversor 3L-HB.
VDC -
+ C2 +
V_C2 T2 T1 TABLA III. NIVELES DE VOLTAJE DE SALIDA PARA EL 9L-TT-HB.
vxy
T2
_ Nivel 𝒗𝒙𝒚 𝒗𝒚𝒛 𝒗𝒙𝒛
1 0 0 0V
Fig. 5. Estado 3, inversor 3L-TT. 2 +0.5 VCD 0 +0.5 VCD
TABLA II. ESTADOS PARA EL INVERSOR 3L-HB. 3 -0.5 VCD +1.5 VCD + VCD
4 0 +1.5 VCD +1.5 VCD
Estado 𝑻𝟑 ̅3
𝑻 𝑻𝟒 ̅4
𝑻 𝒗𝒚𝒛 5 +0.5 VCD +1.5 VCD +2 VCD
4 1 0 0 1 + VCD 6 -0.5 VCD 0 -0.5 VCD
5 1 0 1 0 0V 7 +0.5 VCD -1.5 VCD - VCD
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B. Esquema de modulación SPWM superior, mientras que la salida de voltaje máximo es de 𝑉𝑚á𝑥 =
225 𝑉 en el inversor inferior. Además, se puede notar que el
En la Fig. 9 se muestra el esquema de modulación propuesto inversor superior conmuta a frecuencia alta, y el inversor
para generar los 9 niveles en el inversor 9L-TT-HB. La inferior conmuta a frecuencia baja.
estrategia de modulación utilizada está basada en la
comparación de señales portadoras (señal triangular)
desplazadas en nivel con una señal de referencia (señal
sinusoidal). A esta técnica se le conoce convencionalmente m1 m5
como modulación por ancho de pulso sinusoidal de nivel
desplazado (Level Shifted- Sinusoidal Pulse Width m2 m6
Modulation, LS-SPWM).
m3 m7
Además, para generar los disparos de los semiconductores
se necesita una compuerta lógica XOR. Por ejemplo, para
activar y desactivar el transistor 𝑇1 y 𝑇̅1, se coloca una m4 m8
compuerta XOR con las salidas de los comparadores m1, m3,
m4, m6 y m7. Para activar y desactivar el transistor 𝑇2 y 𝑇̅2, se
coloca una compuerta XOR con las salidas de los comparadores
m1 m3 m4 m6 m7 T1 c3 T3
m2, m3, m5, m6 y m8. Para obtener las secuencias de conmutación T1 T3
para el semiconductor 𝑇3 y 𝑇̅3 es por medio de la comparación m2 m3 m5 m6 m8 T2 c6
m3. Finalmente, para las secuencias de conmutación para el
T4
T2
semiconductor 𝑇4 y 𝑇̅4 es por medio de la comparación m6. T4
Cabe mencionar que se utilizó un esquema de modulación Fig. 9. Inversor 7L-CHB con voltajes asimétricos.
similar para controlar el inversor multinivel 7L-CHB. Donde
se usan solamente 6 portadoras desplazadas horizontalmente.
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V, que el nivel de THD en el voltaje a la salida 𝑣𝑥𝑧 del inversor THD (%) 15.66 22.45
7L-CHB es mayor comparado con el del inversor 9L-HB. ∆𝑖 (A) 1 1.45
En la Fig. 13, de arriba a abajo, se muestra las formas de IV. ANÁLISIS DE EFICIENCIA
onda de la corriente de salida i del inversor multinivel 9L-TT-
HB y del inversor multinivel 7L-CHB. Para este análisis se Un parámetro importante para considerar en los inversores
propone colocar un filtro inductivo 𝐿 = 1.5 𝑚𝐻 y una carga aplicados a sistemas de energías renovables es la eficiencia, en
resistiva de 𝑅 = 15 Ω, sustituyendo al voltaje de la red eléctrica los sistemas fotovoltaicos ya que los inversores deben de
𝑣𝑟𝑒𝑑 . aprovechar la mayoría de la energía generada. Para realizar los
cálculos de la eficiencia de los inversores multinivel propuestos
Se observa que el rizo en la corriente de salida del inversor se utilizó el modelo real del semiconductor proporcionado en
9L-TT-HB tiene una diferencia menor de 0.45 A en las hojas de datos (IGBT modelo IRG4PC40FD). El cálculo de
comparación con el inversor 7L-CHB. Los datos para la eficiencia del convertidor permite calcular las pérdidas de
comparación se muestran en la Tabla V.
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EFICIENCIA (%)
eficiencia se calculó mediante la Ec. (1), donde 𝑃𝑒𝑛 es la 98
potencia de entrada del inversor, 𝑃𝑝é𝑟𝑑 son las pérdidas de
97.5
potencia de los semiconductores y 𝑃𝑠𝑎𝑙 es la potencia de salida
del inversor. 97
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BIOGRAFÍAS
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