Conferencias Electronica

INTRODUCCION
INTRODUCCION
Quien por primera vez se encuentra con el computador queda impresionado con su capacidad intelectual. Aquellos clculos o aquella informacin difcil de procesar son obtenidos en forma rpida, eficiente y automtica. Tal vez nos hayamos preguntado ms de una vez: Cmo es posible que un aparato carente de vida logre realizar labores que hasta hace poco eran pertenencia nica y exclusiva del lento y poco confiable cerebro humano ? Aquellos, que han tenido la oportunidad de observar internamente el computador, quizs queden sorprendidos al ver solamente unos cuantos cables y otras tantas tarjetas impresas sobre las cuales se encuentran condensadores, resistencias, circuitos integrados y otros elementos. El avance de la Tcnica de Computacin (Hardware) ha sido tan vertiginoso, que de los antiguos Centros de Cmputo atestados de grandes cajones en amplias reas, se ha pasado a la diminuta oficina donde se atienden ms problemas y en forma ms eficiente. Los computadores han ingresado a todas las esferas de la labor humana, hoy es comn verlos en las empresas en todas sus reas: desde las de produccin controlando procesos tecnolgicos, hasta las administrativas procesando todo tipo de informacin y presentando informes oportunos, exactos y confiables. Estudiadas las operaciones llevadas a cabo por el cerebro humano para procesar informacin, se lleg a la conclusin que estas se reducan a un nmero muy limitado de funciones lgicas. Partiendo de este principio, Charles Babbage 1, dise la primera mquina automtica capaz de realizar las mismas funciones desarrolladas por el cerebro humano y conocida en nuestros das como computador. Este cerebro artificial, igual que el humano, est compuesto de clulas que tienen todas la misma estructura, sin importar el tipo de computador o su generacin. Cualquiera que sea la parte del computador que tomemos, ya sea la memoria o su unidad central de procesamiento o sus puertos de entrada/salida todos estn compuestos por estas clulas artificiales que en la mayora de los casos realizan la funcin lgica AND-NOT o OR-NOT. Es interesante anotar que al intercambiar clulas de diferentes partes del computador, su funcionamiento no es alterado y el cambio pasa inadvertido. Esta operacin era posible en las primeras generaciones, ya que cada compuerta lgica se realizaba en forma discreta (tubos al vaco) y permitan su intercambio. Lo anterior indica que la funcin de cada parte del computador est dada por la forma
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(1792 - 1871) Profesor de Matemticas de la Universidad de Cambridge(Gran Bretaa). LIGR
INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES
como se interconectan sus clulas, y no por la composicin de stas o su principio de funcionamiento. El objetivo de ste curso es estudiar la clula artificial desde su aparicin y metamorfosis hasta su estado actual: Consumo de energa, composicin, principio de trabajo, velocidad de respuesta, tamao, etc. Introduccin a los Sistemas Digitales dar las bases necesarias para futuras materias del Area como: Diseo lgico, Teora y Construccin de Autmatas, Microprocesadores, Diseo de Interfaces. Este conjunto de materias proporcionar las bases para interconectar clulas y lleguar a formar cerebros completos, dotados de inteligencia por los algoritmos que les enseemos. Sin embargo, no es nuestro objetivo trabajar con el computador de Designacin General, fabricado a muy bajos costos y en una gran variedad de marcas. Ms aplicable es disear tanto el hardware, como el software para aquel que se dedica a resolver algn tipo de problema en particular, ya sea en los procesos industriales, en la qumica, en la fsica, etc. y conocido como de Designacin Especial. Esto no quiere decir que los conocimientos expuestos no aclaren las dudas sobre los de Designacin General. Los mtodos de diseo son los mismos para los dos tipo de computadores, como tambin se emplea la misma base tecnolgica para su realizacin.
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HISTORIA DE LA TECNICA DE COMPUTACION

Todo mi tiempo, salud y posicin econmica he sacrificado al deseo de realizar la creacin de estas mquinas para los clculos. Yo dej a un lado incluso propuestas, que me daran grandes ganancias personales. Sin embargo, y a pesar de mi negativa a estas propuestas para poder perfeccionar la Mquina con casi potencial intelectual, y despus de haber gastado de mis propias pertenencias ms dinero que el asignado por el gobierno Ingls para esta Mquina (y solo en el comienzo del trabajo), no he recibido ni las gracias por mi esfuerzo, ni incluso aquellos honores o premios, con los que por lo general, se reconoce la labor a aquellas personas dedicadas a las investigaciones cientficas... Si el trabajo, en el cual he gastado tanto tiempo y esfuerzo moral, fuera solamente el triunfo sobre las dificultades tcnicas comunes o simplemente una curiosidad, o si hubiesen dudas en la conveniencia o utilidad de estas mquinas, entonces se podra hasta cierto punto entender y justificar este proceder; pero yo me permito afirmar, que ni un solo Matemtico de reconocido respeto nunca se atrevera pblicamente a dar su opinin, que una Mquina de estas si fuera realizada sera intil, y que ni una sola persona, reconocida como Ingeniero talentoso, se atrevera a declarar estas mquinas no convenientes e irrealizables. Yo entiendo, que cuando los grandes volmenes de trabajo intelectual y manual se convierten en una dificultad seria para el subsiguiente avance, la Mquina Analtica est destinada a facilitar esta labor, el uso de las mquinas como ayudantes en la ejecucin de los ms complejos y tediosos clculos no se puede tomar como un problema que no merece la atencin del Pas. Y realmente, no existe ninguna razn por la cual no se deba ahorrar esfuerzo intelectual, igual que se ahorra el fsico, gracias al empleo de las mquinas. CHARLES BABBAGE Fragmento del libro La vida del Filsofo [ ]
La historia de la aparicin de los computadores est dividida en dos periodos claramente demarcados por la aparicin de la electrnica. El primer periodo se prolonga hasta 1946. Su inicio no puede definirse exactamente, as como es imposible hacerlo para la rueda o el molino. A pesar de esto, se podra decir que los bacos y dems instrumentos antiguos, as como los primeros tratados de lgica fueron los primeros pasos del desarrollo de la computacin. En 1642, Pascal construy una mquina con capacidad para sumar y restar. Fue empleada para el clculos de los impuestos en Francia. Ms tarde Leibnitz mejor la mquina de Pascal pudiendo realizar las cuatro operaciones bsicas, elevar a una potencia y sacar raz cuadrada. El hecho ms importante, no solo del primer periodo de desarrollo, sino en general de la computacin, ocurri en 1833 cuando el Matemtico y Filsofo Charles Babbage lleg a la conclusin que se poda construir una mquina capaz de ejecutar cualquier operacin dada por el operador y no una sola como suceda con las anteriores. A esta mquina Babbage la llam Mquina Analtica y se compona de dos partes: El Molino y El Depsito, que no son ms que el prototipo de lo que hoy conocemos, en los modernos computadores digitales, como el Procesador y la Memoria. El Molino era el encargado de realizar las operaciones aritmticas sobre los nmeros (las cuatro operaciones bsicas). El Depsito serva para guardar los nmeros y segn el proyecto de Babbage contena 50000 ruedas digitales, es decir,
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ruedas que podan estar en dos posiciones: Una de las cuales representaba el uno y otra, con algn giro, el cero lgicos. Para la entrada de los nmeros y el control de la operaciones se supona utilizar una tira larga con la informacin codificada con perforaciones. Algo parecido a las tarjetas perforadas. [ ] El gran avance de la Mquina Analtica, fue el de ser una mquina de propsito general; lea las instrucciones de las tarjetas perforadas y las ejecutaba. Con la Mquina Analtica, era posible realizar diferentes clculos, perforando distintos programas en las tarjetas de entrada, algo que las Mquinas anteriores no podan realizar. Babbage contrat a Ada Augusta Lovelace para producir este software, haciendo de Ella la Primera Programadora de Computadores y en cuyo honor recibi el nombre el moderno lenguaje de programacin Ada. [ ] Vale la pena anotar que a pesar de que Babbage dedic toda su vida, esfuerzo y bienestar econmico a esta mquina, nunca encontr apoyo en el gobierno Ingls, ni de sus contemporneos pues no vean en la mquina de Babbage sino el exotismo de un proyecto irrealizable. Tal vez algunas de las causas objetivas del fracaso del proyecto de Babbage son: La complejidad tcnica para realizar la mquina y la lentitud de procesamiento mostrada por aquellas partes que fueron montadas. Esto era debido al principio mecnico con el que trabajaban sus clulas: Compuertas AND-NOT realizadas con ruedas dentada. La posibilidad de realizacin la aportara los avances en los conocimientos de los fenmenos elctricos y la velocidad la dara la electrnica cien aos despus. La poca dinmica y poca cantidad de datos de los rudimentarios Sistemas de Informacin existentes en esa poca, as como el lento desarrollo de las Ciencias Naturales. Condiciones dadas tambin en los aos cincuenta de ste siglo. A pesar de que durante su vida nunca fue realizada la Mquina, Babbage dej sentado los principios de diseo de los procesadores y memorias de los computadores modernos. Los mtodos empleados por Babbage, basados en las matemticas lgicas, se emplearan cien aos ms tarde cuando apareci la electrnica, que realmente lo nico que ha aportado es dotar de gran velocidad la mquina diseada en 1833. Para terminar no est de ms agregar que la Ciencia Moderna hizo justicia y le di el ttulo pstumo y muy merecido de Padre del Control Programable que prcticamente equivale a Padre de los autmatas, computadores, robots y, en general, del revolcn (palabra muy de moda en nuestros das) en el desarrollo del mundo moderno. Y no cabe duda de que si a alguien debemos nuestro sueldo los Ingenieros de Sistemas y Computadores es a este personaje, que se adelant en cien aos con su invento.
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A comienzos de nuestro siglo, fue llevado a cabo parte del Molino diseado por Babbage. Se emple para un clculo ms exacto del nmero Pi ( ). Pero solamente hasta 1944 Aiken construy en Hardvar un computador totalmente automtico basado en la mquina de Babbage y que utiliz como principio de funcionamiento de sus clulas al relevador (rel - fenmeno electromecnico). [ ] Este computador recibi el nombre de MARC 1. El segundo periodo de la tcnica de computacin comienza a partir de 1946 cuando fue diseado el computador ENIAC en Pensilvania por Mauchly y Eckert. Su base era una compuerta AND-NOT realizada con tubos electrnicos. Contena 6000 interruptores y 18000 tubos, consuma grandes cantidades de energa y su volumen era inmenso. Sin embargo, su velocidad de procesamiento super miles de veces la de MARC 1. Desde ste momento la tcnica de computacin se ha desarrollado ligadamente a los avances en la electrnica. El segundo periodo se ha dividido en generaciones, que se siguen unas a otras con intervalos de 8 a 10 aos, y que van acompaadas de considerables disminuciones del tamao de sus elementos y del consumo de energa. A la Primera Generacin (1950 - 1958) pertenecen los computadores construidos con tubos electrnicos y elementos discretos tales como resistencias, condensadores, etc. que eran montados superficialmente sobre las tarjetas. En las mquinas de Segunda Generacin (1959 - 1967) los tubos fueron reemplazados por los transistores y las interconexiones entre los elementos se hacan utilizando el montaje impreso sobre las tarjetas. En la Tercera Generacin (1968 - 1978), con la aparicin de la microelectrnica, los computadores se construyeron en base a los circuitos de baja y media escala de integracin, que reemplazaron casi en su totalidad los elementos discretos. Los circuitos de baja escala son aquellos que contienen menos de 13 compuertas en la lmina de silicio, los de media contienen entre 14 y 100. Todas la interconexiones se realizaron utilizando el montaje impreso sobre tarjetas de varias capas. A partir de 1979 se inici la Cuarta Generacin que tiene como caracterstica especial la utilizacin de circuitos de alta escala de integracin (entre 100 y 1000 compuertas en cada pastilla). Esta generacin se prolonga hasta finales de los aos 80. A partir de esta fecha se inici la Quinta Generacin, que utiliza muy alta escala de integracin (ms de 1000 compuertas en la pastilla). No se descarta que en un futuro no muy lejano la clula artificial funcione bajo un principio diferente al del electrn (electrnica) pues la velocidad de respuesta de las compuertas actuales se est acercando a la velocidad del electrn, punto a partir del cual ser imposible aumentar la rapidez de procesamiento de los computadores. Este nuevo principio tal vez puede emplear la velocidad de la luz (fotn) o probablemente la superconductividad lograda a bajas temperaturas. [ ]
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PARTE I
1.
CONCEPTOS BASICOS
INTRODUCCION
1.1. CARGA, CORRIENTE, TENSIN Y POTENCIA Carga: Normalmente, cada cuerpo contiene igual nmero de electrones y protones, pero es posible separar electrones de un cuerpo o agregrselos. De un cuerpo que contiene nmeros distintos de electrones y protones se dice que est cargado elctricamente. El electrn es el portador mnimo de carga elctrica negativa y sta es igual a 1.6021x 10-19 Culombios. Se representa a travs de la letra q. Corriente: Generalmente se conoce la corriente elctrica como el movimiento de carga a travs de un material. Un flujo de electrones mviles constituye una corriente elctrica. La corriente se representa a travs de i, y es igual:
i = dq dt
La unidad de corriente es el amperio.

1 Amp = 1 Cul Seg
Potencia: Es la razn de variacin a la cual se realiza un trabajo o se consume energa. La potencia es proporcional al nmero de Culombios transferidos por segundos (corriente) y a la energa necesaria para transferir un culombio a travs del elemento (tensin). [ ] [ ] La potencia se representa con la letra P y es igual: P=Vxi La unidad de potencia es el vatio: 1 W = 1 V x A = 1 Cul x Seg = 1 Seg
J Cul J
1.2. TIPOS DE CORRIENTES Y DE ELEMENTOS DE CIRCUITOS

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CONCEPTOS BASICOS INTRODUCCION
Continua: Corriente cuyo valor es siempre constante (no vara con el tiempo). Se denota como c.c.
i
Alterna: Corriente que vara sinusoidalmente en el tiempo. Se denota como c.a.

i
0 t
Otros tipos son la corriente exponencial y la sinusoidal amortiguadas. Elementos de circuito: En general un elemento de circuito es aquel que posee dos terminales con los cuales pueden hacerse conexiones con otros elementos. Existen dos tipos de elementos: Pasivos y activos. Elementos pasivos: Son aquellos que solo estn en capacidad de disipar energa, o bien, en capacidad de almacenarla temporalmente. Ellos son las resistencias, las bobinas y los condensadores.
Resistencias: Cuando la tensin entre los terminales de un elemento es directamente proporcional a la corriente que pasa por l, se dice que este elemento es una resistencia.
+ V + R i V =R x i
Donde: R es la constante de resistencia. La unidad de resistencia es el ohmio. Se representa mediante la letra . 1 = 1 V/A
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Bobinas: Cuando la tensin entre los terminales del elemento es proporcional a la derivada con respecto al tiempo de la corriente, entonces este elemento se llama bobina.
V(t)
i(t)
V(t) = L x
di dt
Donde: L es la constante de autoinductancia.
Condensadores: Cuando la tensin entre los terminales del elemento es proporcional a la integral con respecto al tiempo de la corriente, este elemento recibe el nombre de condensador. vt =cx id () 1/ i t
C x
Vt ()
it ()
V(t) =
i dt
Donde: C es la constante de capacidad. Elementos activos: Son aquellos que estn en capacidad de entregar energa a otros elementos. Se les conoce como fuentes. Existen dos tipos de fuentes:
Fuente ideal de tensin: Es aquella que tiene una tensin entre sus terminales completamente independiente de la corriente a travs de la carga.
Fuente ideal de corriente: En este caso la corriente que genera a travs suyo es independiente a la tensin entre los terminales de la carga.
1.3. LEYES DE KIRCHHOFF Las leyes enunciadas por Kirchhoff sern las ms empleadas en el anlisis de los circuitos que realizan las funciones lgicas, ellas son: [ ] [ ]
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Ley de las corrientes: Establece que la suma algebraica de todas las corrientes que llegan a un nudo es cero. Nudo es el punto en el cual dos o ms elementos tienen una conexin comn. Ejemplo: i1 i3 i4 i2
i1 + i2 i3 i4 = 0
i
n =1
=0
Ley de la tensiones: Establece que la suma algebraica de la tensiones alrededor de cualquier camino cerrado de un circuito es igual a cero. Ejemplo:
2 1 V1 V2 V3 3
V1-V2+V3=0
V
n =1
=0
1.4. RESISTORES Las dos principales caractersticas de un resistor son su resistencia dada en ohmios y su disipacin nominal de potencia en vatios. En el mercado se encuentran en una gran variedad, desde unos cuantos ohmios hasta varios megaohmios. [ ] La disipacin nominal de potencia indica la mxima cantidad de potencia que un resistor puede disipar sin un calentamiento excesivo, que pueda llegar a daarlo o a alterar sus parmetros. Existen dos tipos de resistores: De alambre devanado, que se emplean cuando la potencia a disipar es de 5 vatios o ms. De carbn, cuando la potencia a disipar es menor o igual a 2 vatios. Para potencias entre 2 y 5 vatios se emplean redes de resistencias de carbn. El tamao de los resistores depende de su valor nominal de potencia, a mayor valor ms tamao.
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Los resistores empleados en la electrnica digital son los de carbn con disipacin de 1 W y menos. Estos resistores se encuentran en el mercado con valores de resistencia desde 1 hasta 20 M y con disipacin nominal de potencia de 1/10, 1/8, 1/4, 1/2, 1 y 2 vatios. El costo comercial de estos resistores depende de su tolerancia, a menor tolerancia ms alto es su precio. Debido a su reducido tamao el valor de R se da utilizando el cdigo de colores:
A primera cifra. B segunda cifra. R = AB x 10C D% C potencia decimal. D tolerancia. La codificacin de colores es como sigue: [ ] Color Negro Caf Rojo Naranja Amarillo Verde Azul Violeta Gris Blanco Oro Plata Sin color Ejemplo: Cifra 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Multiplicador 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 0.1 0.01 Tolerancia % 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 5 10 20
Rojo
Verde
Rojo
Oro
R = 25 x 102 5% R = 2.5 K 5%
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Resistores variables: los potencimetros.
Existen dos tipos de resistores variables: Los restatos y
El restato tiene dos terminales que se conectan en serie con la carga, su funcin es regular la cantidad de corriente a travs de ella. Ejemplo:
RC
1
Los potencimetros tienen tres terminales. La resistencia fija mxima se conecta entre los terminales de la fuente de voltajes. El brazo se utiliza para variar el voltaje entre el terminal central y los de los extremos. Ejemplos:
3
+ 2 1
El potencimetro se puede implementar como restato.
1.5. CAPACITANCIAS Los materiales dielctricos, tales como el aire o el papel, estn en capacidad de almacenar carga debido a que los electrones en sus superficies no pueden fluir a travs de ellos. Esta carga debe ser aplicada por una fuente. [ ]
A Placa metlica Dielctrico B Placa metlica + B A Concentracin de electrones
En este caso los electrones se acumularn en la placa A del capacitor que est conectada al terminal negativo de la fuente. Como resultado de la concentracin de electrones en la placa A, aparece una carga negativa que genera lneas de fuerza elctrica. Estas repelen los electrones de la placa B y harn que se cargue con un valor de igual magnitud pero de signo contrario a la placa A. El proceso de acumulacin de electrones se le conoce como carga y al caso contrario descarga.
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La carga (o descarga) se prolonga hasta que la tensin entre los terminales del condensador sea igual al voltaje aplicado. Si no existe ninguna resistencia en serie con el condensador el proceso de carga o descarga es instantneo. En la prctica siempre existe una resistencia en serie que da origen a una corriente temporal de carga (o de descarga), y que desaparecer solo hasta que el capacitor este totalmente cargado (o descargado) al valor del voltaje aplicado.
Fig r A ua Fig r B ua Fig r C ua
S V
+
i INI
R
+ +
S V
+
i= 0 R V
+ +
R V
V= 0
I IN .IN T IC S
=V R /
I FIN L = 0 A
IINIC.
INST
V R
IFINAL = 0
Suponiendo que cerramos el interruptor S y que el condensador se encuentra totalmente descargado, figura A, entonces aparece una diferencia de potencial entre los terminales de R igual al valor del voltaje aplicado, es decir, V. Debido a que el capacitor se encuentra descargado aparece una corriente mxima instantnea igual a V/R. En la medida en que los electrones fluyen a travs de R y que se van concentrando en la placa del condensador, la tensin entre los terminales de ste aumenta y la diferencia de potencial en R se hace menor. Esto trae como consecuencia que la corriente de carga vaya disminuyendo con el tiempo y que sea igual a cero al cabo de cierto tiempo, figura B, cuando el condensador est cargado al valor de la fuente V. Si despus de esto abrimos el interruptor S, los electrones, acumulados en el capacitor, no encontrarn por donde fluir y esta energa se conservar. Las corrientes mostradas en las figuras anteriores corresponden al flujo de electrones, las convencionales (que son del positivo al negativo) tienen las mismas magnitudes en los mismos instantes de tiempo pero con sentido contrario. El capacitor se descarga cuando existe una trayectoria de conduccin entre sus placas o cuando el voltaje aplicado es inferior al del capacitor. Y se carga cuando el aplicado es superior al de este.[ ] i carga
5V + + +
i descarga
3V 3V + +
i descarga
3V
5V
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Fsicamente una capacitancia solo consta de dos conductores separados por un aislador. Este aislador puede ser aire, papel, cermica o mica. Capacitancia C: Es la medida de la cantidad de carga almacenada. Entre ms carga se almacene para determinado valor de voltaje, mayor ser la capacitancia. Un voltaje mayor entre los terminales de una capacitancia almacena ms carga. [ ] V C Donde: Q carga que almacena la capacitancia. V voltaje aplicado entre los terminales de la capacitancia. C constante fsica que indica la capacitancia en trminos de la cantidad de carga que puede almacenarse para un determinado valor de voltaje aplicado. La unidad de capacitancia es el Farad. Una capacitancia es de un Farad si almacena una carga de un Culombio para un voltaje aplicado de un Voltio. 1V 1 Cul 1F El Farad es un valor muy alto de capacitancia, por eso en la prctica se emplean el F, nF y pF. Circuitos RC en c.c.: El comportamiento de la corriente y la tensin lo observaremos en el siguiente ejemplo: [ ] i S1 10 V
+
Q = C xV
1 F =1 Cul / V
R S2
+
200 Vc
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S1 cerrado S2 abierto S1 y S2 abiertos S1 abierto S2 cerrado
i
1/20 A
-1/20 A
Vc
10 V
t1 tiempo de carga t3 tiempo de descarga
t1
t2
t3
Suponiendo que el condensador est descargado inicialmente, entonces durante t1, estando S1 cerrado y S2 abierto, circular una corriente de carga cuyo valor inicial ser de 1/20 A. Esta corriente disminuir exponencialmente hasta que se hace igual a cero, en el instante en que la diferencia de potencial entre los terminales del condensador sea igual a 10 V. Durante t2, S1 y S2 permanecen abiertos y el condensador continuar cargado a 10 V. En t3, S1 est abierto y S2 cerrado, se establece una trayectoria de descarga entre las placas y aparece una corriente de descarga igual inicialmente a V/R, o sea, 1/20 A. Esta corriente por ser de sentido contrario a la de carga se considera negativa y disminuir exponencialmente, hasta que al cabo de cierto tiempo sea igual a cero. Constante de tiempo: En circuitos no sinusoidales, por ejemplo de c.c., la respuesta transitoria de un circuito RC se mide en trminos del producto RC. [ ] T= RxC Donde: T es la constante de tiempo. Si R est en Ohmios y C en Farads, entonces T estar en segundos. Esto es debido a:
C = Q , V
Q = Ixt ,
V = IxR
Ixt T = R x I xR
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T= t
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La constante de tiempo indica la rapidez de carga o descarga. Durante el proceso de carga, RC indica el tiempo necesario para que la capacitancia se cargue en un 63.2% de la variacin de voltaje ocurrida entre sus terminales. Durante el proceso de descarga, RC indica el tiempo necesario para que la capacitancia se descargue en un 63.2% de la variacin de voltaje ocurrida entre sus terminales. Ejemplo: 3M S1 100 V
+
R S2 Vc
+
C =1
RC 63,2 V
S1 cerrado. S2 abierto.
S1 ab. S2 ab.
S1 abierto. S2 cerrado.
100 80 60 40 20 0
0 3 6 9 12 15 18 t, seg. 21 24 27 30 33 36,8 V
T = 3 x 106 x 1 x 106 = 3 seg. Durante los tres primeros segundos (1 T) el condensador se carga a 63.2 V y despus de 5 T, para un total de 15 segundos, estar cargado a 100 V. En t=15 los interruptores se encuentran abiertos y tericamente el condensador estar cargado indefinidamente. En t = 18 el condensador se comienza a descargar, al cabo de una constante de tiempo T se encontrar a 36.8 V y en 12 segundos ms quedar totalmente descargado. Una de las caractersticas ms importantes de las capacitancias es su oposicin a los cambios de voltaje entre los terminales de ellas mismas. Esto debido a que su diferencia de potencial no puede variar sino hasta que la corriente de carga no haya depositado una carga suficiente en el capacitor, o bien, la de descarga se haya llevado la cantidad de carga necesaria. Parmetros y nomenclatura:
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Se utilizan esencialmente dos parmetros para definir una capacitancia en concreto: Su capacidad en pF o F. Su voltaje nominal en Voltios. El voltaje nominal es aquel que se le puede aplicar a un condensador sin daar o alterar el dielctrico. Este valor es vlido para temperaturas hasta de 60 C. [ ] Un voltaje nominal mayor que el aplicado realmente es un factor de seguridad, que le permite a los condensadores una vida til prolongada. Los capacitores comerciales se clasifican segn el dielctrico que utilizan: Aire: Con capacitancias entre 10 y 400 pF y voltajes de ruptura (nominal) de 400 V. Cermica: Con voltaje nominal entre 500 y 20000 V. Existen dos tipos: De cilindro: Entre 0.5 y 1600 pF y con tolerancias entre 2% y 20%. De disco: Entre 0.002 y 0.1 F con tolerancia del 20%.
Ejemplos:
33 10% 02 104
10 4
10 0000 pF
33 F + 10%
2 F
Electrolticos: Tienen polaridad. El terminal negativo se identifica con un - . Para este tipo de condensadores se recomienda que el voltaje aplicado est cercano al nominal. Presentan una pequea corriente en fuga entre sus placas de 0.1 a 0.5 mA por F. Existen dos tipos: De aluminio: Entre 5 y 10000 F y con un voltaje de ruptura entre 10 y 450 V. De tantalio: C entre 0.01 y 300 F y voltaje nominal entre 6 y 50 V. Mica: Con C entre 10 y 5000 pF. Voltaje nominal de 500 a 20000 V. Tolerancias hasta del 1%. Su valor viene dado por el cdigo de colores para capacitancias. Papel: Con capacitancias entre 0.001 y 1 F. Voltaje de ruptura entre 200 y 1600 V. Tolerancia de 10%.
0,068 F 600 VDC
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1.6. EL PROTOBOARD Es un tablero plstico con una serie de orificios o puntos metlicos de contacto alineados horizontal o verticalmente. En cada orificio se aloja un terminal de un componente, un pin de un circuito integrado o el extremo de un cable. [ ] Buses Fila Canal Central
Laminas Metlicas Las ocho filas horizontales se denominan buses y se utilizan para distribuir el voltaje de alimentacin a lo largo del circuito que se va a ensamblar. Todos los puntos de un bus o de una fila vertical estn conectados elctricamente entre si, pero aislados de todos los dems. En el rea central se insertan y conectan los componentes del circuito como integrados, resistencias, condensadores, transistores, LEDs, puentes, etc. A lo largo del canal central se instalan circuitos integrados, reles miniatura y otros componentes que vienen en presentacin tipo DIP o doble hilera. Las pestaas, situadas en los cuatro costados del protoboard permiten acoplar mecnicamente entre s varias unidades similares, esto se hace cuando un solo protoboard es insuficiente para soportar los componentes de un determinado proyecto.
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2.
CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS
LOGICAS
2.1. FUNCIONES Y COMPUERTAS LOGICAS Se ha denominado compuerta lgica a aquel dispositivo que bajo algn principio, ya sea elctrico, mecnico, hidrulico, neumtico, electrnico o cualquier otro, permite realizar las funciones lgicas del Algebra de Boolean. Las funciones lgicas ms importantes y su representacin simblica son: [ ] FUNCION AND: F toma el valor de uno solamente cuando A, B Y C estn en uno.
A 0 0 . . 1 1 B 0 0 . . 1 1 C 0 1 . . 0 1 F 0 0 . . 0 1
A B C
&
F =ABC =A.B.C =A B C
FUNCION OR: F toma el valor de uno cuando por lo menos una de las entradas A, B O C toman el valor de uno.
A 0 0 . . 1 1 B 0 0 . . 1 1 C 0 1 . . 0 1 F 0 1 . . 1 1
A B C
F = A+B+C = AVBVC
FUNCION NOT: F toma el valor inverso de A.

A 0 1 F 1 0 A 1 F =A
FUNCION YES: F toma el mismo valor de A.

A 0 1 F 0 1 A 1 F =A
FUNCION AND-NOT:
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CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS LOGICAS

A 0 0 . 1 1 B 0 0 . 1 1 C 0 1 . 0 1 F 1 1 . 1 0
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A B C
&
F =A B C
FUNCION OR-NOT:
A 0 0 . 1 1 B 0 0 . 1 1 C 0 1 . 0 1 F 1 0 . 0 0
A B C
F = A +B + C
FUNCION OR-EXCLUSIVO: F toma el valor de uno solamente cuando una de las entradas est en uno.
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 F 0 1 1 0
A B
=1
F =B A +B A
FUNCION DE EQUIVALENCIA: F toma el valor de uno solamente cuando A, B Y C son iguales.

A 0 0 . 1 1 B 0 0 . 1 1 C 0 1 . 0 1 F 1 0 . 0 1
A B C
F = ABC + ABC
FUNCION UMBRAL LOGICO: F toma el valor de uno cuando dos o ms seales de entrada toman el valor de uno. El 2 se tom como ejemplo.
A 0 0 0 0 . . 1 B 0 0 1 1 . . 1 C 0 1 0 1 . . 1 F 0 0 0 1 . . 1
A B C
F =ABC + ABC +ABC +ABC
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FUNCION PAR: F toma el valor de uno solamente cuando un nmero par de entradas estn en uno.
A B C D 2K F
FUNCION IMPAR: F toma el valor de uno solamente cuando un nmero impar de entradas est en uno.
A B C D 2K +1 F
FUNCION MAYORIA: F toma el valor de uno solamente cuando ms de la mitad de las seales de entrada estn en uno.
A B C D E N/2 F
FUNCION 3 DE 4 : F toma el valor de uno solamente cuando tres seales de entrada son iguales a uno. 3 de 4 se tom como ejemplo.
A B C D =3 F
De todas las funciones anteriores solamente una tiene un nmero fijo de entradas: Esta funcin es la NOT, las dems pueden tener cualquier nmero de entradas. Solamente las compuertas AND-NOT y OR-NOT son sencillas, las dems funciones se obtienen combinando estas ltimas. 2.2 CIRCUITOS DIGITALES La Electrnica Digital representa el liderazgo tecnolgico de la vida moderna. Su aparicin hizo posible la realizacin de las compuertas lgicas que dieron paso a la
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21
fabricacin de calculadores, relojes, computadores, autmatas de uso domstico, comercial, industrial, cientfico, mdico, etc. Los circuitos de la electrnica digital trabajan solamente con seales que pueden tomar uno de dos valores de voltaje. Estos valores son conocidos como Nivel Alto y Nivel Bajo, en lo sucesivo los llamaremos NA o H y NB o L . A cada nivel corresponde un rango de voltaje que vara de acuerdo a la familia a la cual pertenece el dispositivo. Los circuitos anlogos, en cambio, pueden adoptar una amplia gama de valores de voltaje que por lo general varan en forma continua. Encuentran su mayor aplicacin en la radio, televisin, sonido y comunicaciones.
V 10 V 5V NB NB NB t t 5V V NA NA NA
Seal Anloga
Seal Digital
Segn la interpretacin que se de en el diseo a los dispositivos digitales existen dos tipos de lgica: Positiva o aquella que codifica el nivel ms positivo de voltaje como el uno lgico y el nivel menos positivo como el cero lgico; y negativa en el caso contrario.
2.3. CIRCUITOS DIGITALES INTEGRADOS Antiguamente los circuitos digitales se implementaban utilizando tubos al vaco y elementos discretos tales como resistencias y condensadores, entonces los computadores eran grandes conjuntos de tubos que consuman demasiada energa, ocupaban grandes espacios y su confiabilidad era mnima. Con la aparicin, inicialmente de los transistores, y despus de la microelectrnica los circuitos (tanto anlogos como digitales) fueron reducidos a pequeos encapsulados llamados chips, que son cada vez ms pequeos, ms rpidos, ms econmicos y consumen menos energa. El estudio de los circuitos actuales usados en los computadores digitales, desde los PC hasta los grandes mainframe, est centrado en la tecnologa de realizacin de los circuitos integrados (tecnologas de integracin). Actualmente en un solo chip pueden ser ensamblados desde unas cuantas compuertas sencillas hasta todo un microcomputador. Los circuitos integrados ( CI ) estn provistos de terminales o conectores de entrada/salida llamados pines o patas, que luego se interconectan en las tarjetas impresas usando cintas conductoras, alambres, caminos impresos sobre las tarjetas u otros medios.
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22
En la medida que avanzan las tecnologas de integracin se hizo necesario emplear chips de 8, 14, 16, 20, 28, 40, 50, 64 y ms pines. El cuerpo (cpsula) que recubre los CI tiene diferentes formas y su composicin tambin vara. Los cuerpos ms empleados son: Planos, DIP, chip-carrier y metlicos. Planos: Los primeros CI tenan sta forma y ya eran totalmente hermticos. Se realizaban de cermica o de metal. Los pines se ubican en forma paralela al cuerpo y esto haca difcil su montaje.
To
. .
..
. .
Metlicos
Planos
DIP
Chip-Carrier
DIP: (Dual In-Line Package). Paquete de doble hilera. Pueden ser de plstico o de cermica. El cuerpo de cermica se utiliza para montajes donde existe considerable consumo de potencia. Son conocidos tambin como cerDIP. El de plstico es ms econmico. Los DIPs fueron diseados para soldarse por la parte inversa de la tarjeta sobre la cual se encuentran. Chip-carrier: Se diferencia de los DIPs en que su montaje es superficial. DIP
....
Chip-Carrier
....
Soldadura
Tarjeta Impresa
Metlicos: La cpsula metlica TO se emplea sobre todo en aplicaciones militares. Sobre las cpsulas se encuentra informacin concerniente al fabricante y a las caractersticas del integrado. [ ] Ejemplo:
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14 13 12 11 10 9 8
23
M8228 Seal SN74LS08N

1 2 3 4 5 6 7
82 28 SN 74LS 08 N
Ao de fabricacin. Semana o da del ao. Siglas del fabricante en este caso Texas Instruments. Familia TTL Shottky de baja potencia. Funcin. En este caso 4 compuertas de 2 entradas AND. Indica que la cpsula es de plstico. J o F se emplean para cermica. T y W se emplean en los CI planos: T-metlico, W-de cermica.
Por estas normas se rige la firma Texas Instruments y gran parte de los fabricantes con ciertas modificaciones. Por conveniencia se ha decidido numerar los pines en el sentido contrario a las manecillas del reloj a partir de una seal hecha sobre el encapsulado.
14 13 12
Vcc
11 10 9
Tabla de Verdad 13 12 11 L L L L H L H L L H H H
& & &
&
Seal
GND
3 4
La funcin exacta de los CI est dada por la tabla de verdad que se encuentra en los manuales de circuitos integrados digitales del fabricante.
2.4. FAMILIAS DE CI DIGITALES Los CI se clasifican en dos grandes grupos de acuerdo al tipo de transistor que utilicen en su realizacin:[ ] Bipolares conocidos como PNP o NPN. De efecto de campo o conocidos como FET-MOS.
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Dentro de cada grupo se han desarrollado diferentes familias de CI, cada una de las cuales tiene su propio diseo que vara de fabricante a fabricante.
BIPOLARES FETMOS
RTL
DTL
ECL
I L
TTL
NMOS
PMOS
CMOS
MOS SOS
RTL DTL ECL I2L TTL NMOS PMOS CMOS MOS SOS
Lgica de Resistencia a Transistor. Lgica de Diodo a Transistor. Lgica Acoplada por Emisor. Lgica de Inyeccin Integrada. Lgica de Transistor a Transistor. Lgica de Metal-Oxido Semiconductor canal N. Lgica de Metal-Oxido Semiconductor canal P. Lgica de Metal-Oxido Semiconductor Complementaria. Lgica de Metal-Oxido Semiconductor sobre substrato de Zafiro.
2.5. CARACTERISTICAS DE LOS CI DIGITALES Entre los parmetros ms importantes estn: Disipacin de potencia, niveles lgicos de voltajes de salida y de entrada, tiempo de retardo en la propagacin de seales (mxima frecuencia de conmutacin), corrientes de entrada y de salida, inmunidad al ruido, fan-out o abanico de salida y confiabilidad. [ ] Por lo general los parmetros bsicos dependen entre s funcionalmente, y las variaciones en uno trae consigo cambios en otros. Por ejemplo, al disminuir los tiempos de conmutacin (retardo de propagacin) aumenta la disipacin de potencia. Disipacin de potencia: Se toma el promedio de la potencia media disipada durante un intervalo de tiempo largo. En los CI realizados con transistores bipolares el tiempo de conmutacin es solo una pequea parte del total de tiempo de trabajo, por esto la potencia media para estos circuitos se define teniendo en cuenta solo las disipaciones en rgimen esttico (es decir, cuando la salida de la compuerta esta en NA o en NB,pero no conmutando). Sin embargo la disipacin aumenta con la frecuencia de conmutacin. P = 0.5 ( PH + PL) Donde: PH Disipacin de potencia cuando la compuerta est en NA. PL Disipacin cuando est en NB.
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En los CI, realizados con transistores FETMOS, la disipacin de potencia en rgimen esttico es diez o ms veces menor que en rgimen dinmico (o sea, la disipacin se presenta en los tiempos de conmutacin). Por esto para ellos se toma la potencia media para la mxima frecuencia de conmutacin. Niveles de voltaje de salida y de entrada: dos estados lgicos. Ellos son: VMINO H VMAXO L VMINI H VMAXI L Define los rangos de voltaje para los
Voltaje mnimo de salida para NA. Voltaje mximo de salida para NB. Voltaje mnimo de entrada para NA. Voltaje mximo de entrada para NB.
Tiempo de retardo de propagacin: Determina la velocidad del CI y se define como el intervalo de tiempo necesario para que la salida refleje los cambios sucedidos en las seales de entrada. Corrientes de entrada y de salida: Este parmetro define la capacidad de carga de las salidas de los CI. En determinados momentos las entradas o salidas de los CI reciben corrientes, en otros ellas suministran. Estas corrientes se conocen como: IOH Corriente de salida para el NA. IOL Corriente de salida para el NB. II H Corriente de entrada para el NA. II L Corriente de entrada para el NB. Proteccin contra el ruido: Mide el grado de inmunidad de un CI contra el ruido electromagntico ambiental. En concreto es el intervalo de voltajes que puede tomar una salida en un nivel lgico y dentro del cual puede variar, sin que las entradas conectadas a ella lo tomen como un cambio de estado lgico. Fan-out: Es la capacidad que tiene una salida para conectarse a un determinado nmero de entradas de circuitos de un mismo tipo. El fan-out es un parmetro ms comparativo que prctico. Confiabilidad: Por lo general se da como la frecuencia de dao, segn la siguiente frmula: = n / (NT) Donde: T Tiempo de prueba. N Nmero total de CI. n Nmero de CI daados durante la prueba.
Las posibilidades de trabajo sin daos de CI en el tiempo t se calcula as:

P(t) = exp
( - t )
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Criterios de comparacin entre CI: Los parmetros ms empleados para comparar CI son el retardo de propagacin y la disipacin de potencia. A menor retardo ms velocidad de conmutacin y por esto a mayor frecuencia podrn procesar informacin las compuertas. Menor disipacin de potencia conlleva a un mayor coeficiente de integracin y menor consumo de energa. Pero toda disminucin en el tiempo de retardo conlleva un aumento de la disipacin de potencia. Por esto se ha tomado el producto P x t como valor comparativo. Se conoce como el Trabajo Medio de Conmutacin y sus unidades son el Julio. A=Pxt Donde: A Trabajo Medio de Conmutacin. P Disipacin media de potencia. t Tiempo medio de retardo de propagacin.
Un valor bajo de A indica un muy corto tiempo de propagacin con una baja disipacin de potencia. Un valor de cero indicara tiempos de propagacin igual a cero (cualquier programa correra en tiempo cero) sin consumo de energa, que sera lo ideal. 2.6. ESCALAS DE INTEGRACION De acuerdo a la cantidad de elementos que contenga un chip, los CI se clasifican en la siguiente forma: [ ] S.S.I. Baja Escala de Integracin. Chips que contienen menos de 13 compuertas, se realizan con tecnologas TTL, CMOS Y ECL. Ejemplos: Compuertas y Flips-Flops. M.S.I. Media Escala de Integracin. Contienen entre 13 y 100 compuertas, se realizan con tecnologas CMOS, TTL Y ECL. Ejemplos: Codificadores, registros, multiplexores, contadores, etc.
L.S.I. Larga Escala de Integracin. Contienen entre 100 y 1000 compuertas, se realizan con tecnologas I2L, NMOS Y CMOS. Ejemplos: Memorias, ALUs, micro-procesadores de 8 y 16 bits. V.L.S.I. Muy Larga Escala de Integracin. Contienen ms de 1000 2 compuertas, se realizan con tecnologas I L, NMOS Y CMOS. Ejemplos: Microprocesadores de 32 bits, microcontroladores, memorias de gran capacidad, etc.
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LOGICA DE DIODOS
27
PARTE II
3.
TECNOLOGIAS DE INTEGRACION
LOGICA DE DIODOS
3.1. EL DIODO SEMI-CONDUCTOR De acuerdo a su capacidad para conducir corriente los elementos se dividen en conductores, aisladores y semi-conductores. Los conductores son aquellos que tienen valencias de +1 y +2 o -7 y -6, es decir, el nmero de electrones que tiene en su capa ms externa o que le hacen falta para completar ocho. Ejemplo: El oro, plata y cobre tienen una valencia de +1 o -7. [ ] Los elementos aisladores son aquellos que tienen ocho electrones en su capa externa. Ellos son los gases inertes como el helio y el nen. Los semi-conductores son aquellos que tienen valencia +4 o -4. Ejemplo: Carbono, silicio, germanio. Por lo general ellos comparten de a un electrn con sus vecinos formando enlaces covalentes que conllevan a estructuras monocristalinas y aisladoras cuando se encuentran en alto estado de pureza. Para lograr que un semiconductor conduzca, por ejemplo el silicio, se le agrega al Si impurezas de fsforo que tiene una valencia de +5. De esta manera, los enlaces covalentes de las molculas de silicio tienen ahora un electrn de ms por cada tomo de impureza de fsforo. El resultado es un semi-conductor que tiene electrones libres o Tipo N. Cuando el Si se contamina con aluminio, que tiene una valencia de +3, la molcula de Si queda con siete electrones en su capa ms externa. El electrn faltante se conoce como hueco y el semi-conductor recibe el nombre de Tipo P o con huecos. Un diodo est formado por la unin de dos piezas de diferente tipo de materiales semi-conductores: Uno tipo P y otro Tipo N. Los materiales Tipo N tienen exceso de portadores de corriente negativa (electrones), mientras que los materiales Tipo P tienen exceso de portadores de corriente positiva (huecos). [ ] [ ] [ ] El material tipo P recibe el nombre de nodo y el tipo N de ctodo del diodo.
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EL DIODO SEMICONDUCTOR Figura A Figura B Anodo
Anodo Ctodo
Si con impurezas de
aluminio
Si con impurezas de
fsforo
Ctodo
Figura A : Estructura interna Figura B : Smbolo esquemtico Supongamos que aplicamos un voltaje, posiblemente a travs de una resistencia, de tal forma que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo est polarizado directamente ( PD ). R + R
p n
En este caso el positivo de la fuente atraer los electrones del conductor y de la resistencia creando una gran cantidad de huecos. Estos se concentrarn en el nodo del diodo y repelern los huecos del material Tipo P hacia la unin, debido a que son cargas iguales. R V
+
As mismo, los electrones provenientes del negativo de la fuente se agruparn en el ctodo del diodo y repelern los electrones del material Tipo N hacia la unin. De esta forma, los electrones pasarn prcticamente sin ninguna resistencia a los huecos del material Tipo P y luego al conductor generndose una corriente elctrica. Un diodo polarizado directamente conducir corriente sin dificultad.
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LOGICA DE DIODOS
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I
2m A
Germ io an Silicio
Polarizacin direct a PD 0 ,3 V 0 ,7 V
Silicio
1m A
Germ io an
Polarizacin inv ersa PI
1m A 2m A
Obsrvese que cuando el diodo de silicio est polarizado directamente ( PD ) la cada de tensin es 0,7 Voltios (siempre y cuando haya una corriente superior a un miliamperio 1mA). Cuando el ctodo del diodo es positivo con respecto al nodo, se dice que el diodo est polarizado inversamente ( PI). R V
+
IINV
+
IINV
p n
Los electrones provenientes del negativo de la fuente se agrupan en el nodo atrayendo los huecos del semi-conductor Tipo P. Estos huecos son ocupados por los electrones y el material se convertir en aislador debido a que sus molculas habrn alcanzado ocho electrones en su enlace covalente. R V
+ p n
El positivo de la fuente atraer los electrones del conductor formando as una concentracin de huecos en el ctodo. Los huecos atraern los electrones del material N y sern ocupados por estos. De esta forma el material N pierde los portadores negativos y se convierte en aislador. Un diodo polarizado inversamente ( PI ) presentar una muy alta resistencia al flujo de corriente, esta resistencia va desde diez hasta cientos de Megahomios. A la corriente que fluye cuando el diodo est PI se conoce como corriente inversa y est en trminos de nanoamperios ( nA ).
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Un diodo real PD no presenta una resistencia igual a cero ohmios, as como PI una resistencia infinita. CONCLUSION: El diodo puede ser empleado como un tipo de interruptor electrnico, es decir, que est cerrado (paso libre de electrones) cuando se PD y abierto (no hay paso de corriente) cuando se PI. Si consideramos el diodo como un elemento ideal podemos decir que: Un diodo PD equivale a un corto circuito. PD Un diodo PI equivale a un circuito abierto. PI NOMENCLATURA Y PARAMETROS DE DIODOS: Las especificaciones de los diodos se dan, en ocasiones, de acuerdo con su uso. Algunos diodos, por ejemplo, reciben nombre de rectificadores debido a que se emplean con frecuencia para convertir voltajes de c.a. en voltajes de c.d. Otros diodos ms pequeos reciben el nombre de diodos para seal, ya que se utilizan para procesar seales, como las de radio AM. [ ] Las caractersticas ms importantes de un diodo rectificador o de potencia son su PIV y su If . El PIV es el mximo voltaje que el diodo puede tolerar cuando se polariza inversamente. La If es la mxima corriente que puede circular por el diodo sin daarlo o alterar sus parmetros cuando ste est polarizado directamente. Segn las normas de Electronics Industries Association (EIA), la letra N indica un semiconductor con un prefijo numrico que seala el nmero de uniones que tiene el dispositivo. Los diodos se numeran como 1N, los transistores bipolares como 2N y los FET como 3N. Los dgitos que siguen indican tipos especficos. Ejemplo, el 1N004, que corresponde a un diodo de Silicio. 3.2. COMPUERTA AND CON DIODOS [ ] La LD utiliza dos niveles de voltaje para codificar los estados lgicos: 3 V y 0 V. CASOS 1. 2. 3. 4. X NB NB NA NA Y NB NA NB NA Z NB NB NB NA
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LOGICA DE DIODOS
D 1 X Ent radas Y D 2 Salida 1 k 5
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+5 V
Analicemos cada caso: 1. En este caso D1 y D2 estarn en PD y la salida se mantendr en NB por medio de D1 y D2. La cada de voltaje en PD del diodo de silicio es realmente de 0,7 V, segn lo visto en el tema anterior, esto indica que la cada de voltaje entre los terminales de la resistencia de 4,3 V y la salida entonces estar a 0,7 V.
D 1 0 .7 4 V+ ,3 +5 V
+
0 V .7
1 k 5
X y Y en NB Z
D 2 0 .7
Salida
2.
D1 estar PD y mantendr la salida a 0,7 V, o sea, NB. Obsrvese que el voltaje de 0,7 V impuesto por la PD de D1 forza a D2 a pasar a PI. Para el anlisis debemos suponer un momento inicial (instante en el cual se energiza el circuito) cuando aun no circulan corrientes a travs de los diodos. La salida se encontrar a +5V, ya que la cada de potencial en R ser igual a cero (I = 0). Entre los terminales de D1 habr 5V y de D2 2V en este instante. Juntos diodos empiezan a conducir por estar PD. El potencial en Z comienza a decaer (I 0), y al cabo de unos instantes estar, por ejemplo, en 3V. En este momento en D2 no habr diferencia de potencial y por esto ya no podr circular corriente a travs de l. En D1 habr aun 3V indicando que D1 puede continuar el proceso de PD. Cuando D1 se PD totalmente (en realidad este proceso tarda nanosegundos), Z se encontrar a 0.7V, y entonces en D2 aparecer un voltaje de 2.3V en PI.
3. En este caso sucede lo contrario D2 estar en PD y forzar a D1 a pasar a PI. La salida es NB. 4. D1 y D2 estarn en PD. Debido a la cada de potencial en los diodos PD, la salida estar a 3,7 V, o sea, NA. Compuerta AND para la lgica positiva.
X 0 0 1 1 Y 0 1 0 1 Z 0 0 0 1 X Y &
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Compuerta OR para la lgica negativa.

X 1 1 0 0 Y 1 0 1 0 Z 1 1 1 0 X Y 1
3.3. COMPUERTA OR CON DIODOS
CASOS 1. 2. 3. 4.
X NB NB NA NA
Y NB NA NB NA
Z NB NA NA NA
D 1
R 1 k 5
5V
X Ent rada s Y D 2
Z Salida
Analicemos cada caso: 1. En este caso D1 y D2 estarn PD y la salida se mantendr en NB. La cada de voltaje entre los terminales de los diodos es de 0,7 V, entonces la salida estar a -0,7 V. 2. D2 est en PD y mantendr la salida en NA. Obsrvese que el voltaje impuesto por la entrada Y ( 3 V ) forza a D1 a pasar a PI. La salida estar entonces a 2,3 V. 3. D1 estar en PD y D2 en PI. La salida estar nuevamente en NA es decir 2,3 V. 4. En este caso D1 y D2 estn en PD. La salida estar a 2,3 V. Compuerta OR para la lgica positiva.
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LOGICA DE DIODOS
X 0 0 1 1 Y 0 1 0 1 Z 0 1 1 1
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X Y
Compuerta AND para la lgica negativa.

X 1 1 0 0 Y 1 0 1 0 Z 1 0 0 0 X Y &
LIGR
34
4.
LOGICA DE RESISTENCIA A TRANSISTOR
4.1. EL TRANSISTOR BIPOLAR Es un elemento que se compone de un semiconductor tipo P entre dos tipo N ( NPN ) o de un tipo N entre dos tipo P ( PNP ). [ ] [ ] [ ]
BASE BASE
P
COLECTOR
P
EMISOR
N
COLECTOR
N
EMISOR
c b e PNP NPN b
Las caractersticas de operacin del transistor se estudian generalmente conectndolo a un circuito donde se varan las corrientes y los voltajes de entrada, y representando grficamente los voltajes y corrientes de salida. La tecnologa bipolar ha dado una mayor aplicacin a los transistores NPN en el diseo de los circuitos que realizan las compuertas lgicas. Estos transistores pueden trabajar en tres configuraciones : De emisor comn, colector comn y base comn. Siendo la primera aquella que se adapta mejor para hacer del transistor un interruptor electrnico con muy buenas caractersticas. CONFIGURACION DE EMISOR COMUN
Ic Ib Vce Vbe Ie
El circuito tiene un transistor NPN con el emisor a tierra.

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LOGICA DE TRANSISTOR A TRANSISTOR
35
Ib Ic Ie Vce Vbe
: : : : :
Corriente en la base Corriente en el colector Corriente en el emisor Voltaje en el colector Voltaje en la base
En esta configuracin el transistor puede operarse en tres modos:

1.
ACTIVO: Cuando la corriente Ib fluye hacia la base, es decir, Ib es positivo y Vce es ms positivo que Vbe. Ib > 0y Vce > Vbe
2. SATURADO: Ib es positiva y Vce es igual o menor que Vbe. Ib > 0y 3. CORTE: Ib = 0o negativa. Vce Vbe
REGION ACTIVA : Cuando los transistores NPN se usan en los circuitos de radio y televisin, ellos se operan comnmente en la regin activa, ya que a variaciones pequeas de Ib se suceden grandes variaciones en la corriente de colector haciendo posible amplificar la entrada. [ ] Examinemos el transistor 2N706
Ib Ic Vbe Vce
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36

6 0
1 .5
Ib = ,4 m 1 A 1 ,3 1 ,2 1 ,0 0 ,7
4 0
0 ,8 5 0 5 ,4 0 ,3 I b=0 5 m .2 A 0m A
2 0
1 6
2 4
Vc , V Si observamos para Vce = 8 V y Ib = 0,45 mA Ic = 15 mA Ib = 0,85 mA Ic = 30 mA. O sea, que a una variacin de corriente Ib igual a 0,4 mA corresponder un cambio de corriente Ic igual a 15 mA. En la regin activa la unin base-emisor est PD y la unin base colector PI. Esto quiere decir que la corriente circular libremente de base a emisor y que no lo har de colector a base. Sin embargo, el comportamiento real es diferente. No es nuestro objetivo investigar los fenmenos fsicos que ocurren dentro del transistor, sino que estudiaremos su comportamiento como un elemento electrnico.[ ] Supongamos que el transistor se encuentra en la regin activa y que circula una corriente Ib pequea. Esta corriente pasar de base a emisor libremente ( PD ) y estimula el flujo de electrones a travs de la base de el colector a el emisor I ce ( Ice es la misma Ic ). La magnitud de Ice puede superar muchas veces la de Ib. Si empezamos a aumentar Ib ( aumentando Vbe ), la corriente Ice se estimular an ms y se aumenta en un valor proporcional a Ib. De lo anterior deducimos que Ibe ( Ibe es la misma Ib ) controla a Ice. En la regin activa se cumple: Ice = K x Ibe Donde K = coeficiente de amplificacin. SATURADO: Ib > 0 y Vce Vbe. Las uniones base-emisor y basecolector estn polarizadas directamente. Sin embargo las corrientes que fluyen libremente son Ibe y Ice. En saturacin se considera que la resistencia de colector a emisor es igual a cero, en la realidad hay una cada cercana a 0,4 V.
LIGR
e
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CORTE: Ib = 0 o menor que cero. En este caso las uniones estarn polarizadas inversamente y Ice = 0. En esta regin se considera que la resistencia de colector a emisor es infinita, en la realidad va de decenas de Mhasta cientos de ellos. CONCLUSIONES: Podemos considerar el transistor como un interruptor electrnico que: 1. Est cerrado cuando se encuentra en saturacin. 2. Est abierto cuando se encuentra en corte.
c b e Saturacin b e c Corte
Examinemos el siguiente circuito:

5V 500 R2 Salida Entrada R1 2K
5V Ent rada 5V Salida V b= .7 V 0 Cort e A Sat uracin B C D Cort e
t t
La entrada parte de cero voltios, o sea, no fluye corriente de base hacia el emisor y el transistor est en corte. Dado que no hay corriente de colector a emisor la cada de potencial entre los terminales de R2 es igual a cero ( R x I = 0V ) y el voltaje aplicado a R2 se reflejar en la salida. Es decir estar a 5 V.
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+5 V I =0
+
V =RI =0
Ib =0 b
c e
A medida que la entrada se hace positiva, en el instante A, comenzar a fluir corriente hacia la base y el transistor empieza a cruzar la regin activa. Esto hace que circule corriente del colector al emisor por R2. En la medida que esta aumenta ( Ice ) caer an ms el voltaje en la salida. En algn punto el voltaje en el colector caer por debajo del voltaje de la base ( 0.7V en el instante B ) y el transistor se saturar, entonces la salida quedar prcticamente a tierra. [ ] En el instante C, Ib comienza a decaer debido a que el voltaje en la entrada est disminuyendo, esto hace que la corriente de colector a emisor tambin disminuya y el potencial en la salida comienza a aumentar debido a que la cada entre los terminales de R2 ( RI ) se hace menor. Una vez ms el transistor cruzar la regin activa y cuando la entrada este a cero voltios ( D ) desaparecer la corriente de base, entonces el transistor pasar a corte y la salida estar en nivel alto. TIEMPOS DE CONMUTACION Ya habamos dicho que la corriente de base controla el paso de electrones de colector a emisor y por lo tanto poda bloquear ( llevar a corte ) o disparar ( llevar a saturacin ) al transistor. Idealmente el transistor debe conducir en el mismo instante en que aparece la corriente de base o pasar a circuito abierto en el mismo instante en que esta desaparece. Pero en la realidad la tensin en el colector tarda un determinado tiempo en cambiar su valor. [ ]
+Vcc R
Ventr.
+
Vce
LIGR

V Ventr Corte Vce Vcc Saturacin
39
t
90 % 10 %
90 % 10 %
td
tf
ts
t
tr
ton
toff
td retardo de conmutacin: ( delay time ). Es el intervalo de tiempo entre la tensin de entrada en t y el instante en que la tensin de colector Vce disminuye al 90% de VCC. Este retardo se debe a: Al tiempo que necesitan los portadores de carga para viajar del colector al emisor. Al tiempo necesario para cargar la capacidad base-emisor del transistor. Al tiempo que necesita la tensin del colector para disminuir un 10 %. tf retardo de bajada: ( fall time ). Es el tiempo que necesita la tensin de colector para bajar de 90 al 10 % de VCC. Refleja el tiempo que necesita la corriente de colector para atravesar la regin activa y es debida a la capacidad del colector. El retardo total a la conduccin es: ton = td + tf
ts
retardo de almacenamiento: Es el tiempo que transcurre entre la bajada a cero de la tensin de entrada y el instante en que la tensin de colector sube al 10 % de su valor final VCC. Este retardo se debe al tiempo necesario para eliminar el exceso de carga almacenado en la unin de base cuando el transistor estaba saturado. tr retardo de subida: Es el tiempo necesario para que la tensin de colector suba del 10 al 90 % de su valor final VCC. Refleja el tiempo que necesita la corriente de colector para atravesar la regin activa. El retardo total al bloqueo es : toff = ts + tr PARAMETROS Y NOMENCLATURA DE TRANSISTORES: A los transistores bipolares por tener dos uniones semiconductoras se les ha asignado en su nomenclatura el prefijo 2N seguido de un nmero que determina un transistor en concreto. Ejemplo el 2N3904 que corresponde a un transistor de silicio NPN. No todos los fabricantes utilizan estas convenciones. [ ] Las caractersticas elctricas de los transistores se encuentran en los manuales editados por los fabricantes. Las ms importantes son:
LIGR
40
Voltaje de colector-emisor Vceo: Valor del mximo voltaje que puede aplicarse entre las terminales colector-emisor cuando la base esta en circuito abierto. Voltaje de colector-base Vcbo: Valor del mximo voltaje que puede aplicarse entre las terminales colector-base cuando el emisor est en circuito abierto. Ganancia de corriente hfe: o coeficiente de amplificacin. Es el valor del cociente de la corriente de colector y la corriente de base par un determinado voltaje colector-emisor. Producto corriente-ganancia-ancho de banda ft: Indica la frecuencia mxima a la que un transistor puede operar como amplificador.
Otras caractersticas son: Material ( silicio o germanio ), aplicacin ( propsito general, conmutacin, amplificador de potencia ), disipacin nominal de potencia, mxima corriente de colector, etc.
4.2. CARACTERISTICAS DE LA FAMILIA RTL Se caracterizaban por tener una resistencia en la entrada seguida de un transistor. Fue la primera lgica empleada para realizar C.I. El tiempo de conmutacin por compuerta era superior a 40 nS, considerndosele como lgica de velocidad media. La potencia que consuman por compuerta era superior a 20 mW, lo cual los haca difciles de enfriar. [ ] [ ] Estos circuitos eran sencillos y fciles de fabricar, por esto econmicos, pero eran sensibles al ruido, su capacidad de salida ( fan-out ) y su densidad de componentes baja. El NB se representaba con seales entre 0 y 0,5 V y el NA por seales entre 0,8 y 3,5 V.
4.3. COMPUERTA NOT
LIGR

3,5 V 640 Y =X X X 450 1 Y =X X NB NA Y NA NB
41
Si en la entrada hay un NB ( entre 0 y 0,5 V ) el transistor se encontrar en corte, entonces la salida estar a 3,5 V ( NA ). Un NA ( entre 0,8 y 3,5 V ) en la entrada satura el transistor y la salida estar cercana a tierra ( 0,4 V debido a la cada real de voltaje de colector a emisor ).
4.4. DETERMINACION DE FAN-OUT PARA RTL Analizaremos la salida, inicialmente en NB, de un inversor RTL cuando est conectada a una sola entrada:
1 V2 1
En trminos elctricos esto equivaldra a:

3,5 V 3,5 V 640 Ice V2 450 NA Ib T 1 Sat 450 R1 T 2 Corte 640
V2 0,4 V En este caso, el transistor T1 se encontrar en saturacin y toda la corriente de colector tomar hacia el emisor debido a la resistencia R1. La salida estar aproximadamente a 0,4 V.
LIGR
42
Cuando hay un NA, la corriente de colector de T1 tomar hacia la base de T2 debido a que T1 est en corte. En este caso:
3,5 V 3,5 V 640 V2 450 NB Ib =0 T 1 Corte 450 I R1 T 2 Sat. 640 Ice
3,5 - 640I - 450I - 0,5 = 0 I = 2,752 mA V2 = 3,5 - 640I = 1,73 V La salida estar a 1,73 V, o sea, un NA. Analicemos una salida conectada a dos inversores, inicialmente en NB:
1 V2 1
LIGR

3,5 V 3,5 V 640 V2 450 NA Ib R2 T3 450 T 1 Sat 450 I R1 T2 3,5 V 640 640
43
Estando la salida en NB, T1 se encontrar en saturacin y por esto la resistencia de colector a emisor ser prcticamente igual a cero. La corriente de colector T1 fluir al emisor y la salida est a 0,4 V. Para un NA ( ver figura siguiente ) T1 estar en corte y la corriente tomar hacia T2 y T3 saturndolos. En este caso la salida ser:
3,5 V 3,5 V 640 V2 450 NB Ib =0 R2 T 3 Sat. 450 T 1 Corte 450 640
Ice
R1 T 2 Sat. 3,5 V
640
Ice
LIGR
44

3,5 V 640 I 450
+ Vbe
V2 450
0,5 V
3.5 - 640I - 225I - 0.5 = 0 I = 3.46 mA V2 = 1.3 V, o sea, un NA. Para tres inversores V2 = 1.1 V. De los anteriores clculos deducimos: 1. Que un NB en una salida de un circuito RTL no se ve afectada por la conexin de este a otras entradas. 2. Que a medida que conectamos entradas a la salida en NA de un RTL, este nivel si ser afectado y pasar de 3.5 a 1.7, 1.3, 1.1 V y as sucesivamente. Como el NA en RTL est representado por valores entre 0.8 y 3.5 V, no podemos permitir que en un momento dado ste nivel est por debajo de 0.8 V, dado que es el voltaje mnimo suficiente para saturar el transistor de las entradas conectadas. Si este voltaje al conectar varias entradas queda por debajo, entonces los transistores ( algunos ) no se saturarn ( se encontrarn en regin activa ) y darn valores errneos en sus salidas (no estaran ni en NB, ni en NA). 4.5. COMPUERTA BASE RTL
3,5 V 640 Z = X+Y 450 X T1 Y 450
T2
LIGR
45
X N B N B N A N A
Y N B N A N B N A
Z N A N B N B N B
X Y
X Y
&
L ica p sitiv g o a
Lg n ativ ica eg a
X 0 0 1 1
Y 0 1 0 1
Z 1 0 0 0
X 1 1 0 0
Y 1 0 1 0
Z 0 1 1 1
Lgica positiva Compuerta OR-NOT
Lgica negativa Compuerta AND-NOT
Si alguna de la entradas X o Y est en NA, el transistor conectado a esta entrada se saturar. Esto significa que el colector quedar a tierra y sin importar el estado del segundo transistor la salida estar en NB. Si las dos entradas estn en NB entonces tanto T1 como T2 estarn en corte y Ice = 0, luego tenemos un NA en la salida.
5.
LOGICA DE DIODO A TRANSISTOR DTL
5.1. CARACTERISTICAS Se caracterizan por las entradas con diodos ( realizando una compuerta AND ) seguidos por un inversor con transistores. Esta interconexin lleva a formar compuertas AND-NOT ( Circuito Base ). [ ] Su tiempo de conmutacin y disipacin de potencia por compuerta son de 20 nS y 8.5 mW respectivamente. VENTAJAS: Econmicos, con buena proteccin contra el ruido, fcil de usar e interconectar. PROBLEMAS: Relativa baja velocidad, baja densidad de componentes. Debido a su buena proteccin contra el ruido existe una lgica llamada HLDTL ( DTL de alto nivel). [ ] Se utiliza donde hay maquinaria que causa grandes transitorios ( fluctuaciones ) en las lneas de conduccin y ruido electromagntico.
LIGR
46
5.2. PROTECCION CONTRA EL RUIDO DTL ha sido diseada para funcionar con una fuente regulada de 5 V. Utiliza los siguientes rangos de voltaje para los niveles lgicos. Para una salida NA entre: 4,0 y 5,0 V NB entre: 0 y 0,4 V Para una entrada NA entre: NB entre: Es decir: Que el valor mnimo para un NA de salida es 4 V, pero que bastan 3,6 V para que una entrada lo tome como NA. Que el valor mximo para un NB de salida es de 0,4 V, pero que hasta 0,8 V ser tomado como un NB por una entrada. Estas diferencias son conocidas como la proteccin contra el ruido, producto de los fenmenos electromagnticos en los cables de conduccin de alta potencia.
V SALIDA 5V Campo 4V 3,6 V ENTRADA
MIN
3,6 y 5,0 V 0 y 0,8 V
VOH
Campo
MIN IH MAX
VIH
Prot. contra ruido Campo no Definido
OH
0,8 V 0,4 V
V IL Prot. contra ruido Campo V

MAX OL
Campo no Definido
VOL
Campo
VIL
v MIN OH MAX v OL v MIN IH v MAX IL
Voltaje mnimo de salida para el NA. Voltaje mximo de salida para el NB. Voltaje mnimo de entrada para el NA. Voltaje mximo de entrada para el NB.
5.3. CIRCUITO INVERSOR
LIGR

Vcc Vcc R4 R1 A D1 R2 R3 D2 D3 T2 Salida Y
47
A NA NB
Y NB NA
Si en la entrada A hay un NA (3.6V en el peor de los casos) y suponiendo que la corriente tome de VCC, R1 y hacia A, entonces entre los diodos de D1 y D2 aparece un voltaje de 4.3V (debido a la cada de 0.7V en D1). Si la corriente toma de V CC, R1, D2, D3, base-emisor T2 a tierra, entonces entre los diodos D1 y D2 aparece un voltaje de 2,1V (cadas de 0.7V en D2, D3 y base-emisor T2). De aqu deducimos que la corriente realmente toma haca el transistor (circuito de menor resistencia) y que T2 se satura colocando un NB en la salida. D1 queda PI ya que entre sus terminales habr 3.6V en A y 2.1V en el extremo contrario. Si en A hay un NB (0.8V en el peor de los casos) y si la corriente toma haca A , entonces entre los diodos de D1 y D2 aparece un voltaje de 1.5V (debido a la cada de 0.7V en D1). Ahora, si toma haca T2, entonces aparecen 2.1V como se explic en el prrafo anterior. De esto deducimos que D1 se PD y que la corriente circular de Vcc a travs de R1, D1 y hacia fuera del circuito. En la base de T2 aparecer un potencial cercano a tierra fijado a travs de R3 (ya que no circula ninguna corriente), que mantendr a T2 en corte y colocando, de esta forma, un NA en la salida. 5.4. FAN - OUT
LIGR
48

5V
5V
R4 NB
R1
I OL I SINK
I IL
A
I IL I IL
T1
Si conectamos la salida de un DTL en NB ( T1 saturado ) a una entrada, entonces la corriente pasar de Vcc a travs de R1, del diodo de entrada y de la unin colector-emisor T1 a tierra. Esta corriente es conocida como Isi n k. La cada de potencial a travs del colector emisor de T1 es realmente cercana a 0,4 V, es decir NB = 0,4 V. Si conectamos ms entrada a esta salida, cada una aportar una corriente conocida como IIL. La salida entonces recibir una corriente IOL igual a: IOL = IIL ( Segn Kirchhoff para el nudo A ) IOL IIL Corriente de salida NB. Corriente de entrada NB.
Debido a que T1 no puede permitir el paso de una corriente infinita Ice, los fabricantes determinan un valor mximo IOL, por encima del cual el circuito se puede daar, segn esto, el fan-out para el NB se determina: IIL IOL
Tanto IOL como IIL son especificados por los fabricantes en los manuales de CI. Cuando se conecta una salida en NA ( T1 en corte ), este valor se ver disminuido por las corrientes inversas a travs de los diodos de entrada. Esta corriente se conoce como Iso u r c e. Si conectamos ms entrada a esta salida, cada entrada permitir el paso de una corriente inversa igual a 10 A, esta corriente es conocida como IIH. La corriente a travs de la salida se conoce como IOH.
LIGR

5V
49
5V
R4 NA
I source
A
R1
I IH I IH I IH
Corte
I OH
Entonces: IOH = IIH ( Segn Kirchhoff para el nudo A ) IOH IIH Corriente de salida NA Corriente de entrada NA
Si el menor valor de voltaje para el NA de salida es de 4V y R4 = 10 K entonces podemos hallar el mximo de corriente permitida IOH : 4 = 5 - IOH x R4
I OH = 1 = 0.1 mA 10 x 10 3
Los valores de IOH y IIH los especifican los fabricantes en los manuales de circuitos integrados. Para el NA se debe cumplir: IIH IOH
Suponiendo que IIH = 10 A y IOH = 0,1 mA, entonces: FAN-OUTNA =

I OH 0.1 X 10 -3 = = 10 II L 10 X 10 -6
El fan-out final ser el menor de cualquiera de los niveles. 5.5. CIRCUITO BASE DTL Si alguna(s) de las entrada A, B o C est(n) en NB, entonces el diodo conectado a ella(s) se polariza directamente, permitiendo as el paso de la corriente a travs de l (ellos). En la base de T2 aparece un voltaje cercano a tierra y har que este se bloquee ( Ib = 0 ), teniendo un NA de salida.
LIGR
50

V cc V cc R4 R1 A B C 4K
D2 T2 20 K
Salida Y
D1
R3
A NB NB NB . . NA NA
B NB NB NA . . NA NA
C NB NA NB . . NB NA
F NA NA NA . . NA NB
A B C
&
Compuerta AND-NOT Lgica positiva
Si todas las entradas A, B Y C estn en NA, entonces los diodos se polarizan inversamente y pasar una corriente de Vc c a travs de R1, D1, D2, unin base emisor a tierra. Esto har que T2 se sature y tendremos un NB en la salida. El circuito realiza una compuerta NAND de 3 entradas para la lgica positiva. 6. LOGICA DE TRANSISTOR A TRANSISTOR
6.1. SERIES Y SUBFAMILIAS Se caracterizan por tener en las entradas un transistor de emisor mltiple formando una compuerta AND, seguido de transistores conectados en cascada, que realizan un inversor. [ ] La mayor parte de los circuitos SSI y MSI se realizan utilizando esta tecnologa. En la actualidad son fabricados por: Texas Instruments, National Semiconductor, NEC, Signetics, Siemens, etc. TTL esta disponible en dos versiones: Serie 54: Para aplicaciones militares. Tienen rangos de operacin entre -55 hasta 125 oC. 2. Serie 74: De propsito general. Rango de operacin entre 0 y 70 oC.
1. LIGR
51
TTL se subdivide en las siguientes subfamilias lgicas

1.
TTL estndar: Comprende principalmente los dispositivos que se designan como 74xx, 74xxx, 8xxx y 96xx. Los 74xx y 74xxx son los ms utilizados en los circuitos modernos. Ejemplos: 7402, 7486, 74138, 74157, 8370, 8552, 9601, 9615, etc. TTL de baja potencia: Comprende los dispositivos designados como 74Lxx y 74Lxxx. Por ejemplo 74L08, 74L83, etc. Consumen diez veces menos potencia que los dispositivos TTL estndares correspondientes, pero son cuatro veces ms lentos. TTL de alta velocidad: Comprende los dispositivos designados como 74Hxx y 74Hxxx. Por ejemplo 74H05, 74H123, etc. Consumen 2,5 veces ms potencia que los TTL estndares correspondientes pero son dos veces ms rpidos. TTL Shottky: Comprende los dispositivos designados como 74Sxx y 74Sxxx. Por ejemplo 74S181, 74S11, etc. Consumen 1,8 veces ms potencia que los TTL estndares correspondientes pero son 4 veces ms rpidos. TTL Shottky de baja potencia: Comprende los dispositivos designados como 74LSxx y 74LSxxx. Por ejemplo 74LS83, 74LS221, etc. Consumen 5 veces menos potencia y son igual de rpidos a los TTL estndares correspondientes. Esta es la subfamilia ms empleada entre los TTL. TTL Shottky avanzada: Comprende los dispositivos designados como 74ASxx y 74ASxxx. Por ejemplo 74AS00, 74AS73, etc. Tiene los tiempos de conmutacin ms cortos de todas las subfamilias TTL y su consumo de potencia es intermedio entre TTL estndar y LS. TTL Shottky avanzada de baja velocidad: Comprende los dispositivos designados como 74ALSxx y 74ALSxxx. Por ejemplo 74ALS00, 74ALS73, etc. Consumen la mitad de la potencia requerida por los LS correspondientes y son el doble de rpidas.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
6.2. NIVELES LOGICOS Y PROTECCION CONTRA RUIDO TTL ESTANDAR Para TTL estndar los rangos de voltaje para el NA y el NB son los siguientes:
LIGR
52

V SALIDA 5V Campo 2,4 V 2V Prot. contra ruido Campo no Definido 0,8 V 0,4 V Prot. contra ruido Campo ENTRADA
MIN
VOH
Campo
MIN IH
VIH
OH
MAX V IL
Campo no Definido
MAX OL
VOL
Campo
VIL
v MIN OH MAX v OL v MIN IH v MAX IL
Voltaje mnimo de salida para el NA. Voltaje mximo de salida para el NB. Voltaje mnimo de entrada para el NA. Voltaje mximo de entrada para el NB.
Es decir, existe un rango de 0,4 V de inmunidad al ruido tanto para el NA, como para el NB. [ ]
6.3. CIRCUITO BASE TTL ESTANDAR En la figura siguiente se muestra el circuito base de los dispositivos TTL estndar. Tiene dos entradas lgicas A y B y una salida lgica Y. El circuito puede subdividirse en tres etapas: de entrada, excitador y de salida. [ ] Para las tensiones normales de entradas ( NA y NB ), positivas, los diodos de fijacin D1 y D2 tienen polarizacin inversa y presentan una impedancia muy elevada, por lo que puede considerar como circuito abierto. Las conmutaciones de NB a NA o de NA a NB a altas frecuencias, pueden conducir a la aparicin de voltajes negativos en las entradas que seran anuladas por la PD de los diodos de fijacin D1 y D2. Todas las compuertas TTL con ms de una entrada lgica utilizan un transistor de emisor mltiple, como el de entrada en el circuito base. Este transistor con dos emisores es equivalente a dos transistores con las bases y los colectores, respectivamente unidos y funcionan de la siguiente forma:
LIGR

Vcc 130 1,6 K 4K R1 T4 R2
53
R4
T1 T2 A B
D3 Y
T3 D1 D2 1K R3
GND
Si A est en NB, B en NA y la base a 5 V a travs de una resistencia ( observar la siguiente figura ), entonces la unin base-emisor de T12 esta en PI ( en esta caso T12 estar en corte ). La unin base-emisor de T11 esta en PD, por lo que T11 se comporta como un interruptor cerrado. El colector del transistor con emisor mltiple estar ms o menos a 0,1 V. Los transistores multi-emisor tienen 2, 3, 4, 8 y 13 emisores.
5V I 4K R
T1 en saturacin
NB A -T 11 0,1 V
0,1 V con respecto ... al NB de A
NA B
T12 Corte
LIGR
54
Los elementos TTL estn diseados con salida en cascada, o tambin conocida como de totem pole, que consiste en conectar la salida de un transistor a la base del siguiente, en la forma como se encuentran los transistores T4 y T3 con respecto a T2. La salida en cascada tiene como caracterstica especial que conmuta a altas velocidades, obteniendo seales digitales casi perfectas ( ondas cuadradas ) y permitiendo el uso en aplicaciones de alta frecuencia. Despus de explicar el funcionamiento de los transistores multi-emisor y las salidas en cascada ya estamos en capacidad de explicar el funcionamiento del circuito base: 1. Suponiendo que A est en NB y B en NA, el diodo base-emisor de A estar PD. R1 esta calculada de tal forma que fluya por T1 una corriente de base suficiente para saturar el transistor cuando por lo menos una de las entradas este en NB. Esta corriente ser aproximadamente (en R1):
IIL = (Vcc - ( VbeA + VILTIP ) ) = R1
(5
- 0.7 - 0.4 ) 4K
IIL = 0,97 mA IIL circula por R1, el emisor, terminal de entrada A y hacia fuera del circuito a la salida que controla esta entrada. La entrada B se encontrar mnimo a 2 V ( V IH ). La tensin en la base de T1 ser igual al voltaje de NB en A ( VIL ) ms la cada del diodo base-emisor. VB1 = v MAX + VBE1 IL 0,8 + 0,7 = 1,5 V
Puesto que B est mnimo a 2 V y la base del transistor esta mximo a 1,5 V, entonces la unin base-emisor de la entrada B est en PI. Si T2 estuviera en saturacin, entonces T3 tambin lo estara y en la base de T2 aparecera una tensin: VB2 = VBE3 + VBE2 = 0,7 + 0,7 = 1,4 V 1,4 V es el voltaje mnimo que necesita en la base el transistor T2 para pasar a saturacin. Pero la tensin en la base de T2 es la misma de colector T1. Estando T1 saturado esta tensin ser igual: VB2 = VC1 = v MAX + VCE1 = 0,8 + 0,1 = 0,9 V IL Como en la base de T2 solo hay 0,9 V, entonces T2 se encuentra en corte. Estando T2 en corte el flujo de corriente hacia T3 ser prcticamente nula y a travs de R3 se fijar en la base un potencial de tierra, que mantendr a T3 en corte. R2 esta calculado de tal forma que cuando T2 este en corte, circule hacia T4 la corriente suficiente para saturarlo.
LIGR
55
Con T3 en corte la salida quedar en circuito abierto con el potencial de tierra. T4 estar saturado y conectar la salida a la fuente de alimentacin. La corriente fluir de Vcc a R4, colector-emisor T4, D3 y hacia la(s) entrada(s) conectada(s). Esta corriente se denomina IOH. 2. Suponiendo que A y B estn en NA, juntas uniones se encontrarn en PI (ya que para que se PD se requiere un potencial mnimo en la base T1 de 2.7V, mientras que para que la corriente circule hacia la base de T2 se necesitan solo de 2.1V. Circularn las corrientes inversas IIH por cada emisor. La unin base-colector T1 esta en PD por lo que circula una corriente:
IR1 =
( VCC VBC1 VBE2 VBE3 )

R1
5 - 2.1 4000
IR1 = 0,72 mA Esta corriente pasa por R1, base-colector T1, base-emisor T2 que lo hace conducir y base-emisor T3 que lo forza tambin a conducir. La salida estar en NB: VOL ( TI P ) = VCE( s a t)
3
= 0,2 V
Como T3 est conduciendo, su base se encontrar 0,7 V por encima del emisor. T2 tambin esta saturado por lo que su colector esta a 0,1 V con respecto al emisor. Segn esto la tensin en la base de T4 ser igual a: VB4 > VB3 + VCE2 = 0,7 + 0,1 = 0,8 V La tensin en el emisor de T4 ser: VE4 VOL M I N + VD3 = 0,2 + 0,7 = 0,9 V
Debido a que el emisor se encuentra a mnimo 0,1 V por encima de la base en T4 este se encontrar en corte. D3 permite asegurar el bloqueo de T4 produciendo una cada de 0,7 V. Como T4 est en corte, entonces la salida quedar en circuito abierto con la fuente de alimentacin. En este caso la(s) corriente(s) de carga fluirn de la(s) entrada(s) conectada(s) a travs del colector-emisor T3 y a tierra. La mxima corriente admisible sin que la tensin de salida suba por encima de VOL( M A X ) = 0,4 V es IOL = 16 mA. Las corrientes superiores a este nivel pueden sacar a T3 de saturacin y elevar a VOL por encima de la mxima tensin baja. La tabla de verdad as obtenida es la siguiente:
LIGR
56

A NB NB NA NA B NB NA NB NA Y NA NA NA NB
A B
&
que corresponde a una compuerta AND-NOT para la lgica positiva.
6.4. CARACTERISTICAS DE LOS TTL ESTANDAR A. Corriente de corto circuito de salida: Es la corriente IOS que circula hacia afuera de una salida en NA, cuando esta ltima esta conectada directamente a tierra. Este parmetro se utiliza para conocer la rapidez con que carga en NA los condensadores externos conectados a la salida. Para la compuerta 7400 IOS = 55 mA. La conexin a tierra acarreara el recalentamiento del integrado y su posterior, a corto plazo, dao total. Esto debido a la relativa alta disipacin de potencia. B. Fuente de alimentacin y picos de corriente: Los dispositivos TTL vienen diseados para trabajar con una alimentacin de 5 V con variaciones no superiores al 5 %, es decir entre 4,75 y 5,25 V. Por esto es necesario emplear fuentes reguladas de voltaje de 5 V con capacidad de manejar corriente de acuerdo al nmero de integrados. El diseo de fuentes de alimentacin se tratar en el captulo final de esta conferencia. Los circuitos TTL presentan problemas al conmutar, ya que generan grandes picos de corriente debido a la organizacin en cascada de sus salidas, como se puede ver en la siguiente grfica: V SAL V OH V OL I CC,
15 10 5 NB
NA
NA
NB
NB
t
mA
Picos
I CCL I CCH t
LIGR
57
Cuando la salida est en NA el integrado consume una corriente de alimentacin constante ICCH. Similarmente, cuando est en NB fluye una corriente constante IC C L. Para el 7400 estos valores son: IC C H = 4 m A y IC C L = 12 mA por circuito integrado. Cuando la salida de la compuerta cambia de estado pasa por un instante en que ambos transistores T3 y T4 conducen simultneamente, debido a que juntos pasan por la regin activa antes de llegar a saturacin o corte. Durante estos pequeos intervalos de tiempo fluye una corriente relativamente alta, debido a la trayectoria de baja resistencia entre la tensin de alimentacin y tierra. El resultado es la presencia de picos de corriente en la lnea de alimentacin, como lo muestra la figura. El fenmeno es ms perjudicial cuando la compuerta pasa de NB a NA, debido a que T4 no se satura normalmente y entra en conduccin mucho antes de que T3 se bloquee. Adems al pasar de NB a NA hay que cargar las capacidades externas lo que provoca corrientes de hasta IOS por la salida. Para evitar que estos picos se propaguen por la alimentacin y la tierra, adems del corto circuito a la fuente, se deben conectar condensadores con capacitancias entre 0,01 y 0,1 F por cada 5 a 10 circuitos integrados. Ellos deben conectarse entre el positivo y la tierra. En la prctica por cada C.I. se conecta uno lo ms cerca posible a los pines GND y VC C. C. Disipacin de potencia: La disipacin de potencia se mide en rgimen esttico (no conmutaciones ) y se obtiene del promedio para el NA y NB. La disipacin esttica es el producto del voltaje de alimentacin V CC y la corriente de alimentacin esttica ICC. PD = VCC x ICC La corriente de alimentacin no incluye aquellas que son drenadas por circuitos externos. Si la salida de determinado elemento se encuentra en NB la mitad del tiempo y en NA durante la otra mitad de tiempo, entonces la corriente de alimentacin ser:
IPROM = (I CCH + I CCL ) 2
Para el 7400, por ejemplo, la disipacin de potencia promedio ser: Pd p r o m ( t i p ) = 5 V
( 4 mA
+ 12 mA ) 2
Pd p r o m ( t i p ) = 40 mW por integrado Para cada compuerta este valor ser igual a 10 mW.
LIGR
58
La disipacin de potencia vara con la frecuencia de las conmutaciones en unos 0,3 mW / MHz. Es prcticamente constante para cargas capacitivas hasta de 20 pF con frecuencias inferiores a 1 MHz. D. Impedancia: La impedancia de salida de las compuertas TTL son bajas debido a la configuracin en cascada de los transistores T2, T3 y T4. En NA el transistor T4 esta saturado y prcticamente no ofrece ninguna resistencia al flujo de corriente. En NB T3 esta en saturacin y permite el flujo casi libre de electrones. ZOL = 10 ZOH = 70
Las impedancias aproximadas de entrada son: ZIH = 400 K ZIL = 4 K
Una alta impedancia de entrada solicita menos corriente a la salida que controla, mientras que una baja impedancia de salida permite mayor velocidad de conmutacin debido a la relativa alta magnitud de corriente, que hace menor el producto RC. E.Retardos de propagacin: Los retardos en las conmutaciones se miden para un voltaje de referencia, que para el caso de los TTL estndar es de 1,5 V. Considerando una vez ms el 7400 tenemos:
V entr
&
V sal
V entr V ref t V sal t PHL t PHL V ref t Cuando las entradas pasan a NA la salida pasa a NB en un tiempo determinado llamado retardo de activacin t P H L, o tambin conocido como retarde de bajada. Cuando las entradas pasan a NB la salida tardar un tiempo determinado llamado retardo de desactivacin o de subida t P L H.
LIGR
59
Para los 7400 estos valores son: t P H L = 7 nS t P L H = 11 nS
La diferencia se debe a que el transistor T4 no se satura completamente y su tiempo de recuperacin inverso es inferior al T3, que si se satura completamente. El retardo promedio es de 9 nS, sin embargo para los TTL estndar se ha tomado de 10 nS. La frecuencia mxima a la cual puede conmutar una compuerta TTL estndar ser:
fmax = tPLH 1 + t PHL
Los dispositivos TTL Estandar pueden operar a 55 MHz. 6.5. CURVAS DE TRANSFERENCIAS La curva de transferencia es un grfico que muestra la forma que vara la tensin de salida con respecto a la de entrada. Su ventaja consiste en que muestra simultneamente VOH y VOL y la regin de transicin cuando el dispositivo conmuta. Uniendo las entradas de una compuerta AND-NOT de un 7400, como se muestra en la figura anterior, entonces la curva de transferencia para este dispositivo ser: V sal
4 3 2 1 0 Transicin T1 y T4 sat. T2 y T3 corte Alto
T2 T4 conducen T2 T3 T4 conducen
T2 T3 sat. T4 corte
V T = 1,4 V
Bajo 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0
V entr
VT se conoce como la tensin promedio de umbral de un determinado dispositivo y es aquella para la cual la tensin de entrada es igual a la de salida. Para el 7400 este valor es ms o menos de 1,4 V. Sin embargo en la prctica V T vara considerablemente de elemento a elemento e incluso con la temperatura y la fuente de alimentacin.
LIGR
60
6.6. COMPUERTAS Y ENTRADAS NO UTILIZADAS En el diseo de algn proyecto puede sucederse que la cantidad de entradas de alguna compuerta supere el nmero de ellas requerido, o bien, que sobren algunas compuertas de algn circuito integrado. En el primer caso, y aunque una entrada flotando se comporta como un NA, es necesario conectar la(s) entrada(s) a algn nivel lgico ya que bastan algunos milivoltios negativos de ruido en el medio ambiente para hacer que la entrada pase a NB. [ ] [ ] Para las compuertas AND y AND-NOT las entradas libres deben conectarse al resto de las entradas, siempre y cuando no se exceda la capacidad de manejo mximo de la(s) entrada(s). Si esto no se puede, entonces se debe conectar bien a la salida de una compuerta no utilizada y que este constantemente en NA, o bien al positivo de la fuente de alimentacin a travs de una resistencia de 1 K .
5V
A B
&
1K
&
Las entradas no utilizadas de las compuertas OR y OR-NOT deben ser conectadas al resto de las entradas si esto no recarga las salidas, en caso contrario deben ser conectadas a tierra ( GND ). Las salidas de las compuertas no utilizadas deben ser forzadas a NA mediante la adecuada conexin de sus entradas, con el fin de reducir la disipacin de potencia ya que IC C H es menor que IC C L.
6.7. CIRCUITOS OR-NOT
AND-OR-NOT
LIGR

+ V 5 R5 R2 R4 T5 F1 A T1 T2 T 12 T 11 B
61
R1
D1
D2 F2
D3 T6
F =A +B
R3
GND
Si en A hay un NB, entonces el diodo base-emisor T1 se PD y aparecer un NB en la base de T2, lo cual har que T2 quede en corte. Sin embargo los valores de los voltajes tanto en F1 como en F2 no se pueden definir debido a que tambin dependen de T12. Si adems en la entrada B tambin hay un NB, entonces T12 tampoco conducir y de esta forma la corriente circular a travs de R2 a la base de T5 saturndolo. [ ] Debido a que T2 y T12 estn en corte en la base de T6 aparece el potencial de tierra, que har que T6 se encuentre en corte. Con T5 saturado y T6 en corte la salida se encontrar en NA. Si por lo menos una de las entradas est en NA bien T2 o T12 o ambos se saturan y la corriente fluir de R2 a travs de la unin colector-emisor de T2 o T12 o de ambos y a la base de T6 saturndolo. En F1 aparecer un voltaje bajo no suficiente para llevar a regin activa a T5 y este se encontrar en corte. Con T6 saturado y T5 en corte la salida estar en NB. La tabla de verdad as obtenida ser como sigue:
A NB NB NA NA B NB NA NB NA F NA NB NB NB A B 1 F =A +B
LIGR
62
Para la lgica positiva es una compuerta OR-NOT. Si a el anterior circuito en lugar de un transistor convencional de entrada colocamos uno de emisor mltiple, entonces para la lgica positiva obtendremos una compuerta AND-OR-NOT. 6.8. FAN-OUT Y EFECTO DE CARGA Analizaremos el fan-out inicialmente para una salida en NA:
+ V 5 +
VR4 = R x IOH
R4
T 4 Saturado
IOH
D3 NA A
IIH IIH IIH . . . . . .
T 3 Corte
GND
IOH IIH
Corriente de salida para el NA. Corriente de entrada para el NA.
Cada diodo base-emisor de entrada en PI permite el paso de una corriente inversa mxima llamada IIH. As mismo la salida aporta una corriente llamada I OH. Si aplicamos la Ley de las Corrientes en el nudo A, entonces obtenemos: IOH = IIH Cada nueva entrada conectada consumir una determinada corriente IIH, que aumentar en ese mismo valor a IOH. Pero al aumentar IOH aumentar la cada de potencial entre los terminales de R4 y en la medida que conectemos ms entradas caer el NA en la salida. Sin embargo, segn lo estudiado anteriormente, un NA de salida no puede estar por debajo de 2,4 V por eso los fabricantes de C.I. determinan una corriente mxima de salida para el NA IOH.
LIGR
63
Para el NA de salida se debe cumplir: IIH IOH
Si todas las entradas son del mismo tipo, entonces: Fan-out NA = Para el NB tendremos:
+ V 5 R4
IO H IIH
T 4 Corte
IIL
D3 A NB
IIL IIL . . . . . .
IOL
T 3 Saturado
GND
IOL IIL
Corriente de salida para el NB. Corriente de entrada para el NB.
Cuando en la salida hay un NB todas las uniones base-emisor de las entradas estarn en PD y por cada una de ellas fluir una corriente mxima denominada IIL hacia el transistor T3. La corriente que circula por T3 se conoce como IOL. Aplicando la Ley de la Corrientes para el nudo A tenemos: IOL = IIL Cada entrada conectada aportar una corriente IIL que aumentar en ese mismo valor a IOL. Pero al hacerse demasiado grande I OL el voltaje en el colector de T3 puede elevarse y sacarlo de saturacin, aumentando as la tensin de NB en la salida (que no puede ser superior a 0.4V). Por esto los fabricantes de C.I.
LIGR
64
determinan una corriente mxima de salida para el NB IOL con la cual se garantiza que la salida estar mximo a 0,4 V (es decir VOL ). Para el NB de salida se debe cumplir: IOL IIL
Si todas las entradas son del mismo tipo, entonces: Fan-out NB =

IO L IIL
El fan-out final ser el menor obtenido para cualquiera de los niveles. Ahora analizaremos el comportamiento de una salida cuando es conectada inicialmente a una carga capacitiva y despus a una resistiva. Carga capacitiva: Si la carga conectada tiene una componente capacitiva ( por ejemplo el mismo cableado, ciertos elementos lgicos, un osciloscopio, etc. ) o es netamente capacitiva ( un condensador ) el tiempo de conmutacin de salida puede verse seriamente afectado, y que se requerir ciertos tiempos para que la capacitancia cargue y descargue ( RC ). Los retardos de propagacin dados en los manuales de C.I. se deben a los retardos en la conmutacin de los transistores y para una carga capacitiva externa de CL = 15 pF y una carga resistiva tambin dada RL = 400 que es la , resistencia total de salida en estado alto ms la resistencia de la carga (condiciones de Laboratorio). Supongamos que una salida esta conectada a una carga de 47 F con RL de 400 adems que se encuentra inicialmente en NB. ,
LIGR

+ V 5 R4
65
T4
D3
IOH = Icarga IOL = Idescarga

T3 C1
GND
Como T3 esta conduciendo, es prcticamente un corto circuito a el potencial de tierra. Por esta razn C1 se encontrar completamente descargado. Cuando pasa a NA aparece la corriente de carga a travs de R4, T4, y D3, en este caso el tiempo de conmutacin total ser igual: t t o t a l = t PLH + t RC t RC = 47 x 106 x 400 = t t o t a l = 11 nS + 18,8 mS = 18,8 mS. En realidad no es exactamente una constante de tiempo el que se requiere para llegar al NA. En conclusin podemos decir que el efecto de una carga capacitiva es aumentar los retardos y reducir la frecuencia mxima a la cual puede trabajar el dispositivo. Carga resistiva: Si la salida est en NA, el dispositivo puede dar una corriente I OH mxima por encima de la cual el voltaje de salida sera inferior a el NA. Si la resistencia es de bajo valor la corriente puede ser bastante intensa y provocar un error lgico (cada del potencial por debajo del nivel permitido), o tambin, un recalentamiento del dispositivo.
LIGR
66

+ V 5 R4
T 4 Saturado
D3
IOH
NA
T 3 Corte
GND
En este caso para el NB no se presentar ningn problema.
6.9 DISPOSITIVOS TTL DE COLECTOR ABIERTO En la tcnica digital es muy comn el uso de las funciones OR alambrada o AND alambrada gracias a la ventajas que ellas proporcionan y a la sencillez de su realizacin. [ ] [ ] Esta funcin consiste en unir las salidas de varias compuertas sobre la tarjeta impresa con el fin de: Aumentar la cargabilidad de salida. Realizar cierta funcin lgica. Crear una lnea comn de salida ( bus ). Supongamos que se unen las salidas de varias compuertas con terminacin en cascada (como las estudiadas hasta el momento) para realizar una funcin lgica en forma implcita sobre una tarjeta impresa, entonces tendremos lo siguiente si una de ellas se encuentra en NB y las dems en NA, observar la siguiente figura: Si por lo menos una de las compuertas est en NB, esta salida presentara una muy baja resistencia a tierra y apareceran corrientes IOS con valores cercanos 55 mA provenientes de las salidas en NA.
LIGR

+ V 5 R4 + V 5 R4
67
T 41 Corte
T 42 Saturado
D31 NB
D32 NA
T 31 Saturado . . . GND
T 32 Corte
GND
La suma de las corrientes fluir a travs de T31, que solo est en capacidad de manejar 16 mA como mximo. Como este valor es muy inferior la compuerta en NB no soportar largo tiempo la sobrecarga y saldr de funcionamiento (adems de colocar prcticamente en corto circuito la fuente de alimentacn), trayendo consigo la operacin errtica del sistema. Para la realizacin de las funciones alambradas la familia TTL cuenta con los dispositivos de colector abierto, a los cuales se debe conectar una resistencia externa. El circuito y su representacin simblica se presentan en la siguiente figura: Como se podr observar estos dispositivos carecen del transistor T4, en cuyo reemplazo se debe conectar una resistencia externa en la salida. En todo lo dems son similares a los circuitos vistos con anterioridad. RP se denomina comnmente resistencia de arrastre o de pull-up y su funcin es permitir que la salida quede en NA o NB en un momento dado. El valor de RP debe elegirse de tal forma que la corriente de colector a emisor en T3 no exceda la mxima admisible cuando est en saturacin, es decir 16 mA. Flucta entre 150 y 1 K Cuanto menor sea su valor mayor ser la velocidad de . conmutacin y la disipacin de potencia. Las anteriores anotaciones son para el caso de que se deseen conectar cargas entre la alimentacin y la salida, pero si a la funcin alambrada se desean conectar
LIGR
68
Vcc
R2 R1 4K
1,6 K
A B
&
Smbolo Lgico
T1 T2 A B T3 D1 D2 R3 1K Rp Y
Vcc
GND
+ V 5 Rp & &
A B C
Y =ABC V DEF
D E F
&
entradas de otras compuertas, entonces RP se debe calcular segn las siguientes frmulas:
RP(MAX) =
( NH I OH(MAX)
( VCC(MIN)
- V OH(MIN)
+ N L IIH(MAX)
LIGR
69
RP(MIN)
( VCC(MAX)
I OL(MAX)
- V OL(MAX) ) - N L IIL(MAX)
Donde:
NH NL
Es el nmero total de salidas colector abierto interconectadas. Nmero de entradas conectadas.
Las desventajas de los componentes de colector abierto con respecto a los de salida en cascada son: La necesidad de un resistor discreto externo. Mayor lentitud. Menor inmunidad al ruido. Menor aptitud para cargas capacitivas.
Ejemplos de dispositivos de colector abierto son: 7403, 7407, 7412, 7406, etc. Algunos de estos dispositivos aceptan corrientes de salida de 40 mA y tensiones altas de hasta 30 V como el 7406.
6.10.LOGICA DE TRES ESTADOS Se utiliza en aquellos sistemas destinados al procesamiento de datos, donde existe un constante intercambio de informacin entre sus mdulos. Por lo general se emplean para formar lneas comunes de comunicacin a travs de las cuales viaja la informacin en cualquier sentido. Estas lneas reciben el nombre de bus, y en este caso concreto de bus de datos. [ ]
CPU
.... . .
MEMORIA P RINCIPAL
....
PUERTOS E/S
.... .
BUS DE DATOS
En un momento dado solo puede haber intercambio entre dos mdulos y no es permitido que las salidas, de los mdulos que no intervienen, conecten el bus a tierra, o sea, que estn en NB o a la alimentacin, o sea, que estn en NA. Para estas aplicaciones se han desarrollado circuitos especiales que aparte de poder estar en NA y NB ( estados de baja impedancia ), tienen un estado ms, llamado de alta impedancia. En ste estado se encontrarn todos aquellos mdulos que no han sido escogidos para transmitir o recibir datos por el bus. El circuito base se muestra en la siguiente figura:
LIGR
70
Si la entrada de control G est en NB, T6 y T7 se encontrarn en corte y no conducirn. A travs del emisor de T1 y del diodo D2 no podrn circular corrientes y la salida Y depender del estado de la entrada A.
+ V 5 1,6 K R2 R1 4K
D2
T 41 T4 R5 T2 Y
T1 A
T3 D1 1K
GND + V 5
R3
T5 G T6 T7
Si G est en NA, T6 y T7 se saturan conectando una de las entradas a tierra ( NB ). La corriente circular a travs de este emisor, la unin colector-emisor de T7 a tierra y har que T2 pase a corte, sin importar el estado de A.
LIGR
71
El voltaje en la base de T41 aumentar y har que D2 se PD, de esta forma la corriente fluir de VCC a travs de R2, D2 y de colector-emisor T7 a tierra; fijando un voltaje bajo en la base de T41 que lo mantendr en corte. Como no existen corrientes en la base de T4, aparecer un potencial de tierra a travs de R5 que mantendr en corte a T4. Como T2 no conduce, en la base de T3 se fija un potencial de tierra, que coloca en corte a T3. De esta forma tanto T3 como T4 se encuentran en corte y en la salida tenemos el tercer estado o estado de alta impedancia, en el cual la salida simplemente se comporta como un circuito abierto. La tabla de verdad para este circuito es como sigue:
G NB NB NA NA A NB NA NB NA Y NA NB XX XX 1
A G
Simbolo Lgico
Ejemplos de compuertas con tercer estado son: 74125, 74126, 74134, 74240, 74241, etc.
6.11. BUFFERES Los bufferes son compuertas con una alta capacidad de corriente de salida. Esto les permite manejar directamente LEDs, rels de estado slido, rels electromecnicos y otras cargas que no pueden ser impulsadas por compuertas comunes. [ ] Los transistores de salida estn diseados de tal forma que permiten corrientes de IOL y IOH altas, pudiendo conectarsen a una cantidad mayor de entradas. Pueden ser inversores ( NOT ), o no inversores ( YES ), y pueden tener o no tercer estado:
LIGR
72

YES 1 A Y A NOT 1 Y
A G
A G
Ejemplos de compuertas bufferes son: 7428, 7437, 7440, 74125, 74126, etc. Tambin existen bufferes de colector abierto.
6.12.COMPUERTAS SCHMITT TRIGGER Son compuertas realizadas para obtener en la salida seales digitales perfectas, por esto se emplean para convertir seales imperfectas, de conmutacin lenta o con ruido, en seales digitales bien definidas y de conmutacin rpida. [ ] Se representan con el siguiente smbolo lgico:
1 &
Las compuertas Schmitt operan como compuertas convencionales, con excepcin solo que poseen dos valores lmite de voltaje en sus entradas llamadas umbrales. Para TTL estndar el umbral para ir al NA es de 1,6 V y para ir al NB es de 0,8 V. Ejemplos de compuertas Schmitt son: 7414, 7413, 74132, etc. Un ejemplo de aplicacin con una compuerta YES tipo Schmitt trigger es el siguiente:
LIGR

Entrada 1,6 V 0,8 V t
73
Salida
Como se podr observar el dispositivo acepta en su entrada voltajes analgicos, pero solo reacciona a dos valores. Cuando la entrada se hace igual o superior a 1.6V la salida de la compuerta cambia de estado y pasa a NA. Cuando se hace igual o inferior a 0.8V conmuta y pasa a NB. 6.13. SUBFAMILIAS TTL
A.
Baja potencia: Los valores de las resistencias son aumentados considerablemente, disminuyendo el flujo de corrientes. Esto trae consigo las reacciones ms lentas de los transistores y por esto un aumento de los retardos. Alta velocidad: Los nominales de las resistencias son disminuidos aumentando el flujo de corrientes dentro de las compuertas y haciendo, con esto, ms rpidas las conmutaciones. Se incrementa considerablemente la disipacin de potencia. Schottky: El retardo en la conmutacin est directamente relacionado con el tiempo para llevar los transistores de saturacin a corte. Por eso, con el fin de evitar la saturacin completa y a s hacer ms rpidas las conmutaciones se utiliza un diodo para fijar el voltaje entre la base y el colector. [ ] [ ] Pero el diodo utilizado con este fin no es convencional, sino que est compuesto por la unin de un metal y un semiconductor, que lo hace mucho ms rpido que los diodos de silicio. Los tiempos de recuperacin inverso y directo para los diodos Schottky estn en el orden de los pico y nanosegundos. Entran en conduccin ( en PD ) cuando entre sus terminales hay una diferencia de solamente 0,4 V, a diferencia de los de silicio que necesitan 0,7 V. El transistor Schottky se representa de la siguiente forma:
B.
C.
LIGR
74

Diodo Schottky Transistor Schottky
Cuando el transistor se acerca a saturacin, es decir, el voltaje en la base comienza a superar al del colector, el diodo Schottky se PD y la corriente tomar a travs de l y no de la unin base-emisor, evitando as la saturacin completa (concentracin de portadores negativos en la base ). El circuito base de la serie Schottky es como sigue (observar en la figura que sigue): Todos los transistores que se saturan normalmente han sido reemplazados por Schottkys ( a excepcin de T4 ), disminuyendo de sta forma los tiempos de conmutacin.
+5V 50 R2 R1 2,8 K 900
T5 T4
T1 T2 A B
3,5 K
R5
T3 D1 D2 500 250
T6
GND
LIGR
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D1 y D2 han sido reemplazados tambin, haciendo ms eficaz la supresin de tensiones negativas de entrada. R3 ha sido reemplazado por una carga activa, el transistor T6. Esto permite a T3 bloquearse ms rpidamente gracias a la baja resistencia colector-emisor de T6. El transistor superior de salida es ahora un Darlington conformado por T4 y T5. La configuracin Darlington se logra de modo que el emisor del primer transistor est unido a la base del segundo y los dos colectores unidos entre s. El montaje Darlington tienen una elevada ganancia de corriente lo que permite alcanzar velocidades de conmutacin ms altas. Estas son algunas de las caractersticas del C.I. 74S00: IOH = 1 mA, IOL = 20 mA, IIH = 50 A, IIL = 2 mA, IOS = 100 mA. Margen de inmunidad al ruido NA: 0,7 V Margen de inmunidad al ruido NB: 0,3 V Retardo promedio de 3 nS y disipacin de 19 mW por compuerta. La interconexin de elementos TTL Schottky requiere de mayores cuidados debido a que tienen tiempos de subida y bajada muy cortos que redundan en ruidos inducidos. D. Schottky de baja potencia: El circuito base es el siguiente:
+5V
200 R2 R1 25 K 8K
T5 T4
A B
D3 D4 T2 4K
R5
D2
D1
T3 3K 1,5 K
T6
GND
LIGR
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Las compuertas Schottky de baja potencia tienen una disipacin de 2 mW y un retardo promedio de 5 nS por compuerta. El transistor de entrada ha sido reemplazado por dos diodos Schottky que hacen que el circuito en realidad pertenezca a la DTL. Algunas caractersticas del C.I. 74LS00: IOH = 400 A, IOL = 8 mA, IIH = 20 A, IIL = 0,36 mA, IOS = 42 mA. Margen de inmunidad al ruido NA: 0,7V. Margen de inmunidad al ruido NB: 0,3 V. La baja disipacin de potencia implica menor costo de la fuente de alimentacin, alta densidad de componentes sobre la tarjeta impresa, eliminacin de ventilador de refrigeracin. La serie LS conmuta con picos de corriente un 25 % menores que los estndares, lo cual redunda en menor generacin de ruido. Se necesitan menos condensadores y con menores capacitancias para suprimir los picos de conmutacin. Las entradas no utilizadas pueden ser conectadas directamente al positivo de la fuente.
LIGR
LOGICA METAL - OXIDO - SEMICONDUCTOR CANAL N
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7. LOGICA METAL-OXIDO SEMI-CONDUCTOR CANAL N 7.1. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO FETMOS La relativa alta disipacin de potencia de los transistores bipolares haca imposible aumentar el coeficiente de integracin, por esto los fabricantes de C.I. recurrieron a los Transistores de Efecto de Campo FET para lograr arreglos LSI y VLSI. [ ] [ ] Aunque algunas caractersticas de los FETs no se consideran deseables para ciertas aplicaciones ( a causa de su poca velocidad, delicadez y su falta de capacidad de manejo de corriente ), su facilidad de fabricacin, reducido tamao y baja disipacin de potencia han desplazado los factores negativos y han colocado a los FETs, realizados con metal oxido semiconductor MOS, como la tecnologa principal para usar en grandes arreglos. Existen dos tipos de FETs: 1. FETs de enriquecimiento Canal P y Canal N. 2. FETs de empobrecimiento Canal P y Canal N. El transistor de empobrecimiento conduce cuando no existe ningn voltaje aplicado al graduador ( el graduador corresponde a la base de los transistores bipolares ), en cambio, el de enriquecimiento solo lo hace hasta que la tensin en el graduador no alcance cierto valor. El FET de enriquecimiento por su funcionamiento tienen mayor inmunidad al ruido, y por esto es el que se emplea para la realizacin de las compuertas lgicas. Existen dos tipos de estructuras de los MOS FET: De enriquecimiento Canal N y de enriquecimiento Canal P. Para juntos tipos de transistores existe una tensin definida graduador surtidor VGS ( el surtidor corresponde al emisor ) para el cual el FET comienza a conducir, este voltaje es conocido como tensin de umbral VT. FET Canal N: Para su fabricacin primero se forma un sustrato tipo P, figura A, y se difunden en este sustrato dos regiones separadas de baja resistencia ( alta contaminacin ) tipo N, figura B.
Surtidor S n Sustrato P Figura A Sustrato P Figura B Drenador D n
Luego, la superficie se cubre con una capa aislante de xido SiO 2 que tiene un espesor aproximado de 10-15 cm, figura C.
LIGR
78
Se realizan orificios sobre el xido y se hacen dos contactos de metal ( aluminio ) sobre las zonas de material tipo N, se coloca una pieza delgada de metal llamada la compuerta o graduador sobre lo que ser el canal, figura D. [ ] [ ]
Graduador D
Si O2
Al Si O2
n Sustrato P Figura C
n B
n Sustrato P Figura D
n B
Sin voltaje aplicado, la anterior estructura forma dos diodos, en oposicin y si tratamos de forzar el paso de corriente de drenaje al surtidor, la unin np seguida por una unin pn no permitir el flujo de electrones en ninguna direccin.
S
n p p n
El smbolo esquemtico de esta estructura es:

D B G S Canal N
El graduador se utiliza para originar el paso de corriente de drenador a surtidor de la siguiente manera: El rea de metal del graduador, en unin con la capa aislante de xido y el semiconductor forman un condensador; donde el graduador sera la placa superior, el sustrato tipo P la placa inferior y el xido sera el dielctrico. Si se aplica una tensin positiva al graduador se inducen cargas negativas en el lado del semiconductor, ya que al cargarse positivamente el metal, se generan lneas de fuerza que forman una carga de signo contrario en el semiconductor. A medida que aumenta la carga positiva en el graduador, aumenta tambin la carga negativa inducida en el semiconductor, hasta que se alcanza la tensin de umbral y la regin cercana al graduador se convierte en un semiconductor tipo N.
LIGR

Graduador
++ ++
79
Al Si O2
n Sustrato P
n B
Canal N
Si se aplica una tensin positiva al drenador D con respecto al surtidor S circular una corriente de drenador a surtidor a travs de este canal inducido. El FET MOS se encuentra en saturacin cuando circula por el canal toda la corriente de drenador que ste es capaz de conducir para una tensin de graduador dada. La curva caracterstica de los MOSFET Canal N es: ID, mA
25 20 15 10 5 0 2,5 5
No saturado
saturado VGS =15 V

10 V
5V 7,5 10 12,5 15
VDS,V
Donde:
ID VGS VDS
Corriente de Drenador Tensin Graduador-Surtidor Tensin Drenador-Surtidor
Obsrvese, por ejemplo, para VGS = 10 V, la corriente de drenador aumenta casi linealmente al aumentar la tensin de drenador surtidor V DS. A los 12 mA de corriente de drenador, el canal se satura y la curva se hace plana. El sustrato B debe conectarse al potencial ms negativo del circuito. FET Canal P: La estructura y el smbolo esquemtico del MOSFET Canal P es como sigue:
LIGR
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G
Al Si O2
D D
p p
p p Sustrato P Sustrato N
B B G S
Canal P
Canal P
El Canal P se induce aplicando un voltaje negativo al graduador, es decir, enriqueciendo el canal con cargas positivas inducidas. La curva del Canal P se muestra en la siguiente figura: ID, mA
- 15 - 10 -5V - 10 V -5 0 - 2,5 -5 - 7,5 - 10 - 12,5
VDS,V
VGS =- 15 V
saturado
No saturado
Obsrvese, que para una VGS = - 10 V y ID = -7 mA el transistor se satura. El sustrato del FET Canal P debe conectarse al potencial ms positivo del circuito. Caractersticas de los FETMOS: En la zona de saturacin los FETMOS, tanto Canal N como P, se comportan como fuentes de corriente constante ya que la corriente de drenador es constante e independiente de la tensin VDS. Cuando no estn saturados, se comportan como resistores debido a que la curva caracterstica V - I es una lnea recta. Por esto, conectando el graduador a una tensin fija puede usarse como resistencia de carga. La impedancia de salida ( drenador-surtidor ) es del orden de los K La . 14 impedancia de entrada, por ser capacitiva es muy alta aproximadamente 10 . Los FET Canal N pueden operar 2,5 veces ms rpido debido a que los electrones se desplazan ms rpido que las cargas positivas ( huecos ).
LIGR
81
La tensin de umbral VT de un Canal P es alrededor de 2 V, mientras que en los N es aproximadamente de 1 V. El Canal N comienza a conducir cuando: VG El canal P conduce cuando: VG VS - VT VS + VT
La tensin de umbral disminuye 2 mW por cada grado centgrado de aumento, por esto VT, se dice, es poco sensible a los cambios de temperatura. Las ventajas de utilizar FETMOS son: Menor tamao, menor consumo de energa, facilidad y economa de fabricacin y elevada impedancia de entrada. Sus desventajas son: Menor velocidad y susceptibilidad a la rotura del xido por efecto de campos elctricos fuertes. 7.2. COMPUERTA NOT CON NMOS:
+ V 12
T1
S
NOT Y X 1 Y X NB NA Y NA NB
D B S
T1 trabaja como una resistencia debido a que su graduador est conectado aun voltaje constante, siendo esta una de las ventajas de utilizar FETs, ya que no es necesario la realizacin de resistencias en forma integrada. Si en la entrada X tenemos un NB ( entre 0 y 1 V ), entonces T2 no conducir y la salida estar a travs de T1 a un NA ( aproximadamente 12 V ). T2 ha sido diseado de tal forma que cuando en la entrada haya un NA ( entre 1,5 V y 12 V ), entonces se induzca el canal N en el transistor T2 y ste comience a
LIGR
82
conducir colocando la salida a tierra, o sea, a NB. La compuerta as obtenida es una NOT. 7.3. COMPUERTA OR-NOT CON NMOS
+ V 12
T4
B S
Y
D
T1
S
B
B
T2
S
T3
S
A NB NB NB . . . NA
B NB NB NA . . . NA
C NB NA NB . . . NA
Y NA NB NB . . . NB
Si cualquiera de las entradas A, B o C est(n) en NA, el (los) transistor(es) correspondiente(s) conducir(n) y la salida estar prcticamente a tierra NB (mximo a 0,8 V ). Solamente cuando las tres entradas estn en NB, T1, T2 y T3 no conducirn y la salida estar mnimo a +10 V, o sea, un NA. 7.4. COMPUERTA AND-NOT CON NMOS
En la siguiente figura se muestra el circuito de la compuerta AND-NOT lgica positiva realizada con NMOS:
LIGR
83
+ V 12
T4
S
T1
S
T2
S
T3
S
En la actualidad NMOS se emplea para realizar C.I. LSI Memorias RAM, microprocesadores, microcontroladores, etc.
VLSI
como:
LIGR
84
8. LOGICA METAL-OXIDO SEMI-CONDUCTOR COMPLEMENTARIA CMOS
8.1. SERIES Y SUBFAMILIAS CMOS Los C.I. fabricados con tecnologas subfamilias: [ ] [ ] CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS se agrupan en las siguientes
estndar. de Alta Velocidad HC. Alta Velocidad compatible con TTL HCT. equivalente a TTL C.
CMOS estndar: Comprende principalmente los dispositivos que se designan como 40xx ( 4012, 4029, etc. ) y 45xx ( 4528, 4553, etc. ). Existen dos series dentro de los dispositivos estndar designados como la serie A y la serie B. No todos los dispositivos de la serie A traen el sufijo en su denominacin, por ejemplo: 4011A, 4020, 4028A, etc. Los de la serie B siempre llevan el sufijo, por ejemplo: 4029B, 4069B, etc. La diferencia entre las series radica en que los CMOS B contienen una circuitera interna de proteccin que reduce el riesgo de dao del dispositivo por el fenmeno de descarga electroesttica. Adems los B tienen frecuencias de operacin ms altas, tiempos de propagacin mas cortos y mayor capacidad de salida ( fan-out ). Las caractersticas generales ms importantes de los CMOS son: Baja velocidad de operacin. Pueden operar a frecuencias hasta de 10 MHz con tiempos de propagacin hasta de 60 nS por compuerta. Amplias mrgenes de tensin de alimentacin. Los de la serie A trabajan con tensiones de alimentacin entre +3 y +15 V y los de la serie B entre +3 y +18 V. Debido a estos amplios rangos se pueden usar fuentes de alimentacin no reguladas.
Niveles de voltaje desde 0 V hasta 0,3 VDD para el NB, y de 0,7 VDD a VDD para el NA. Por ejemplo, para un VDD de 10 V, el NA estara entre 7 y 10V y el NB entre 0 y 3V.
Alta inmunidad al ruido. CMOS equivalente a TTL: Comprende los dispositivos designados como 74Cxx y 74Cxxx. Son pin por pin y funcin por funcin equivalentes a los dispositivos TTL correspondientes, en especial a los 74L. Conservan todas las caractersticas comunes a los CMOS estndares: Baja disipacin de potencia, amplios mrgenes de voltaje ( como la serie B ), alta inmunidad al ruido, etc.
LIGR
LOGICA METAL - OXIDO - SEMICONDUCTOR COMPLEMENTARIA
85
Es un 50% mas rpido que las series 40 y 45, pero disipan un 50% ms de potencia. CMOS alta velocidad: Comprende los dispositivos designados como 74HCxx y 74HCxxx. Tienen las mismas caractersticas de entrada de los CMOS estndares y son pin por pin compatibles con los dispositivos TTL LS correspondientes. Emplea fuente de alimentacin entre 2 y 6 V. La serie HC ofrece velocidades de operacin comparables a los de la serie 74LS y superiores a los de las series 40, 45 y 74C. En los dems aspectos siguen siendo similares a los 40 y 45, igual que sensibles al dao por electricidad esttica. CMOS de alta velocidad compatible con TTL: Comprende los dispositivos designados como 74HCTxx y 74HCTxxx. Poseen las mismas caractersticas de los HC, excepto que sus entradas son compatibles con los niveles lgicos de TTL. Tienen la misma configuracin de pines de los 74LS. Operan a partir de una fuente de 5 V.
8.2. NIVELES LOGICOS Y PROTECCION CONTRA EL RUIDO VOH = VOL = VIH = VIL = VDD - 0,01 VDD 0,01 V 0 V 0,7 x VDD 0,3 x VDD VDD
Donde VDD es el valor de la fuente de alimentacin conectada entre los pines V DD y VSS. Este ltimo correspondera al pin GND de los TTL. Obsrvese que el voltaje mnimo del nivel alto de salida es prcticamente igual al valor de la fuente. De la misma forma el voltaje mximo de nivel bajo de salida es casi igual a 0 V. En el siguiente grfico se ilustra la inmunidad al ruido: [ ] Como se puede observar del grfico, para un voltaje de alimentacin VDD de 10V CMOS estndar tiene una inmunidad cercana a los 3 V tanto para el NA como para el NB. La proteccin contra el ruido de los CMOS es muy superior a la de los TTL, esto los hace excelentes para aplicaciones industriales donde son comunes los altos niveles de ruido. Al hacer mas alto VDD, tambin aumenta la zona de inmunidad al ruido.
LIGR
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VDD VDD -- 0.01 = VOH Proteccin contra Ruido NA 10 V 7V 30% VDD = VIL Proteccin contra Ruido NB 0.01 V = VOL 3V 5V 10 V 15 V 70% VDD = VIH
15 V
3V 0V
8.3. COMPUERTA NOT Los circuitos CMOS utilizan los dos tipos de FETs para realizar las compuertas lgicas. Los graduadores de los FETs se unen para formar la entrada y los dos drenajes forman la salida: [ ]
VDD = 10 V
S D B
P Y X
NOT 1 Y X NB NA Y NA NB
X
G D B S
VSS = 0 V
Si aplicamos un NB (0 V ) a X , el transistor canal N estar bloqueado porque V GS es inferior a VT. En cambio el canal P est conduciendo porque su graduador es ms negativo que VT. La salida estar unida a VDD a travs del canal P. Un FET MOS en conduccin presenta una cada aproximada de 0,01 V entre drenador y surtidor, es decir la salida estar prcticamente a 10 V. Canal N: 0 V 0 V + 1 V Canal P: 0V 10 V - 2 V No conduce. Conduce.
Cuando la entrada est en NA (10 V ) el canal N conduce porque VGS es mayor que VT. El canal P estar bloqueado porque VGS es menor que VT. Por tanto la
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87
salida se encuentra a tierra ( VSS ) y estar en NB. Este NB debido de a la cada de drenador a surtidor ser de 0,01 V. Canal N: 10 V 0 V + 1 V Conduce. Canal P: 10V 10 V - 2 V No conduce 8.4. COMPUERTA OR-NOT Si hay por lo menos un NA en las entradas, entonces el canal P conectado a sta(s) se bloquear y el N conducir, de sta forma la salida quedar conectada a tierra y tendremos un NB (Observar la figura siguiente). [ ] Solamente si las dos entradas estn en NB los transistores canal N se bloquearn y los canal P conducirn conectando la salida a VDD. El anterior circuito pertenece al 4001B de Motorola (14001) y realiza para la lgica positiva una compuerta NOR. Los diodos D1 y D2 constituyen uno de los mtodos usados para proteger a los CMOS de las descargas elctricas.
VDD
D2 A
D1
B D
T1
S B D
T2 Y
B
D D B S B
A NB NB NA NA
B NB NA NB NA
Y NA NB NB NB
T4
S
T3
VSS = 0 V
8.5. COMPUERTA AND-NOT
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VDD D2
S
T1
B
S B D D B S
T2 Y
D1 B
A NB NB NA NA
B NB NA NB NA
Y NA NA NA NB
T3
D B S
T4
VSS = 0 V
8.6. CARACTERISTICAS DE LOS CMOS [ ] [ ] A. Corriente de corto circuito de salida: El corto circuito de salida de un MOS a VDD o a VSS puede hacer que la disipacin exceda el lmite de seguridad de 200 mW en algunos elementos de alta corriente como el 4007. Las salidas de los dispositivos pueden conectarsen directamente a VDD o VSS siempre y cuando: VDD - VSS 5 V B. Fuentes de alimentacin y picos de corriente: Ya habamos dicho que los CMOS estndar podan funcionar con fuentes de alimentacin para la serie A entre 3 y 15 V y para la serie B entre 3 y 18 V, conectada entre los pines VDD y VSS. En realidad no importa los valores de voltajes que empleemos, siempre y cuando VDD sea mas positivo que VSS y que la diferencia de potencial est entre 3 y 15 o 3 y 18 V segn sea la serie. Debido a stas amplias mrgenes y a la baja disipacin de potencia los CMOS pueden utilizar fuentes de voltajes no reguladas y bateras. Por esto es la tecnologa empleada para la realizacin de calculadores, relojes, y dems instrumentos porttiles. Los picos de corriente se producen durante la conmutacin debido a que juntos transistores, el N y el P se encuentran conduciendo durante un breve instante en la transicin entre los niveles lgicos.
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89
Para frecuencias altas de conmutacin hay que emplear condensadores de desacoplo. En la prctica se instala uno por cada C.I. de 0,01 F lo ms cerca posible a los pines de alimentacin. C. Disipacin de potencia: En rgimen esttico ( no conmutacin ) la disipacin de potencia es muy baja debido a que las entradas CMOS son en realidad un condensador. Una vez cargado o descargado las entradas solo permiten una mnima corriente de fuga. [ ] Para el caso del 14001 esta corriente es igual a 5 nA con V DD = 5 V. La disipacin de potencia del 14001 en stas condiciones ( rgimen esttico ) solo es de 25 nW por C.I. En la medida que aumenta la frecuencia, la disipacin dinmica PD conmutacin ) va predominando como se muestra en el siguiente grfico:
Tem perat ura Am bient (T e 10 10 10 10 10
6
( en
25 A) =
VDD =15 V 10 V 5V 5V 3,5 V
10 1
Capacitancia de carga CL =50 pF CL =15 pF
10
10
10
10
10
10
10
Frecuencia de entrada ( f ) , Hz
Cuando la frecuencia se hace superior a 1 MHz predomina la disipacin dinmica. Esta disipacin es debida a la carga y descarga de la capacidad externa de carga CL ( entradas CMOS por ejemplo ) y de la capacidad interna del circuito. La disipacin en rgimen dinmico se calcula de la siguiente forma: PD = V x I = V x Q/T, pero Q = V x CL y f = 1/T
entonces: PD = CL x V2 x f por integrado. Donde: CL - nmero total de Entradas conectadas al integrado.
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Por ejemplo, si VDD = 5 V, CL = 10 pF y f = 10 MHz, entonces PD = 2,5 mW. D. Impedancias: La impedancia de entrada en cualquier estado es aproximadamente de 1012 en valor tpico. La capacidad de cada entrada es de 5 pF. Las impedancias de salida varan de un dispositivo a otro, normalmente son iguales en juntos estados y de 1 Ko menos.
E. Tiempos de propagacin: Debido a la alta impedancia de salida stos tiempos son largos. Para el 14001 tPLH = tPHL = 60 nS con VDD = 5 V y 15 nS con VDD = 10 V y una carga de 15 pF para juntos casos. Al aumentar la tensin de alimentacin aumenta la velocidad de conmutacin, debido a que las salidas cargarn ms rpido los condensadores de las entradas haciendo ms rpidas las conmutaciones. La aparicin de dispositivos CMOS sobre sustrato de zafiro SOS ha aumentado la frecuencia de funcionamiento hasta 30 MHz. La frecuencia de operacin mxima se haya de la misma forma que para los dispositivos TTL. 8.7. CURVAS DE TRANSFERENCIA
Tem perat ura Am biente, T 16 14 12 10 8 6 4 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16
VDD =5 V VDD =10 V VDD =15 V
A
a b
b a b T A =+ 125 C T A = - 55 C
VENTR , V
Ntese que en la regin de transicin las curvas son prcticamente verticales, esto redunda en una alta inmunidad al ruido debido a que no se pierde un rango largo de valores de voltaje para la conmutacin. 8.8. COMPUERTAS Y ENTRADAS NO UTILIZADAS
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Todas las entradas no utilizadas, incluyendo las de las compuertas sobrantes, deben ser llevadas a VDD o VSS segn convenga desde el punto de vista lgico. Debido a la alta impedancia de las entradas no se garantiza ningn nivel lgico en aquellas que se dejen flotando ( sin conexin elctrica ). En ellas pueden aparecer voltajes altos que inducen ruido y no permitirn el funcionamiento normal del dispositivo. 8.9. EFECTO DE CARGA Y FAN-OUT Debido a que las entradas CMOS son en realidad un condensador, en rgimen esttico ( no conmutaciones ) ellas solo permiten una pequea corriente de fuga igual a 0,01 nA tanto para el NA, como para el NB. Para efectos prcticos se toma 1 A. [ ] [ ] Por esto el fan-out de los CMOS no est limitado por la capacidad de corriente de salida, sino por el deterioro de los tiempos de conmutacin.
VDD
IOH =0
S D
IIH =0
NA Y NB
X
G D
IIL =0
IOL =0
VSS
IIH =0 IIL =0
Rgimen Esttico En rgimen dinmico ( en conmutacin ) la carga y descarga de los condensadores de entrada requiere de tiempos relativamente largos debido a la alta impedancia de salida que reduce las corrientes de carga y descarga. Observar la siguiente grfica. Cada entrada CMOS representa una capacitancia tpica de 5 pF que al conectarsen a una salida quedan en paralelo (por esto el valor de C L final para una Salida es la suma de la capacitancia de cada Entrada conectada a Ella), aumentando de sta forma los tiempos de conmutacin. Esto se debe a que el producto RC se hace mayor. Por ejemplo, para el 14001 los retardos de propagacin se hallan segn la siguiente frmula tomada del Manual de C.I. CMOS de Motorola: con VDD = 5 V: tPLH = tPHL = 1.8 nS/pF x CL + 33 nS
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con VDD = 10 V: con VDD = 15 V: Donde: CL
tPLH = tPHL = 0.73 nS/pF x CL + 14 nS tPLH = tPHL = 0.6 nS/pF x CL + 10 nS
Valor de la capacitancia de carga.

VDD
S D
NB ICARGA
NA
X
G D
Y IDESCARGA NA NB
VSS
Rgimen Dinmico Tericamente se ha tomado un fan-out de 50, que tiene carcter ms comparativo que prctico. En la realidad la cargabilidad de salida se determina de acuerdo a la frecuencia a la cual vaya a trabajar el diseo. En general, los CMOS son 10 veces ms sensibles a las cargas capacitivas que los elementos TTL por cuanto su impedancia de salida es aproximadamente 10 veces mayor. 8.10. COMPUERTAS CON TERCER ESTADO Si en G tenemos un NB (observar el siguiente grfico), entonces se crea el canal P en T1 y ste conducir. El nivel aplicado a G se invierte y llega al graduador de T4 un NA, que crea el canal N necesario para que ste conduzca. Como T1 y T4 conducen, el valor de voltaje en la salida depende de la entrada X. Si en G tenemos un NA tanto T1 como T4 se bloquearn y sin importar el estado de la entrada A en la salida tenemos un tercer estado o estado de alta impedancia. La compuerta NOT utilizada en el circuito tambin es realizada con CMOS.
LIGR
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VDD
S B D S B D
T1
T2 Y
G NB NB NA NA
X NB NA NB NA
Y NA NB XX XX
X
D B S
T3
X G
D B S
T4 VSS
Simbolo Lgico
8.11. BUFFERES Y COMPUERTAS SCHMITT TRIGGERS Schmitt Triggers: Para las series 40, 45 y 74C con una tensin de alimentacin de 9 V los umbrales de conmutacin tienen los siguientes valores:

Umbral para ir al NA VTH : 5,8 V Umbral para ir al NB VTL : 3,8 V
Ejemplos de compuertas Schmitt Triggers son: 4093B, 40106, 74C14, etc. Los bufferes son compuertas con mayor manejo de corriente. Ejemplos son : 4049B, 4050B, ..... estos dispositivos presentan las siguientes caractersticas: VDD IOH, mA IOL, mA 5V 2,5 6 15 V 10 40
8.12. CARACTERISTICAS DE LAS SUBFAMILIAS CMOS Los valores de voltaje para los niveles lgicos se muestran en el siguiente grfico. Los dispositivos de la serie 74HC operan con tensiones de 2 a 6 V y los rangos de voltaje para el NA y el NB se definen en forma similar a las series 40 y 74C. Las series 40 tipo B y 74C operan con fuente de alimentacin entre 3 y 18V. SUBFAM. VDD VIH VIL VOH
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VOL
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40B, 74C 10 7,0 3,0 9,95 74HC 5 3,5 1,0 4,9 74HCT 5 2,0 0,8 4,3 Todos los valores se encuentran en voltios.
0,05 0,1 0,3
Los dispositivos de la serie 74HCT operan a partir de una fuente de 5 V. Los NA y NB de entrada de esta subfamilia se definen de la misma manera que para TTL, y los NA y NB de salida son similares a los de las dems dispositivos CMOS. La aplicacin ms importante de los HCT es proporcionar una interface directa entre los TTL y los CMOS. Las caractersticas de corriente con VDD = 5 V son: SUBFAM. 40, 74C 74HC IOH 400 A 4 mA IIH 1 A 1 A IOL 400 A 4 mA IIL 1 A 1 A
Descargas electromagnticas: La serie B contiene circuitera de proteccin contra las descargas electromagnticas. Esta circuitera est compuesta esencialmente por redes de diodos. El fenmeno de las descargas electromagnticas consiste en la creacin de altos voltajes en las superficies de los materiales aislantes por efecto de friccin o frotamiento. La sensibilidad de los MOS a este fenmeno se debe a la alta impedancia de entrada que los caracteriza. Esta alta impedancia permite que se desarrollen voltajes elevado, capaces de destruir la delgada capa de xido aislante de los graduadores. La idea bsica para proteger stos dispositivos es mantener los pines a un mismo potencial y evitar la manipulacin ms de lo necesario. Los MOS vienen, generalmente, en espumas y fundas antiestticas o espumas recubiertas de papel aluminio.
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LOGICA ACOPLADA POR EMISOR Y DE INYECCION INTEGRADA
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9. LOGICA ACOPLADA POR EMISOR Y DE INYECCION INTEGRADA 9.1. LOGICA ACOPLADA POR EMISOR Posee otros nombres tales como Lgica en Modo de Corriente Control de Corriente ( CSL ) y Lgica no saturada. ( CML ), Lgica de
Emplea para su realizacin transistores bipolares que trabajan solamente en regin activa y de corte, evitando la saturacin y haciendo, de sta forma, ms rpidas las conmutaciones debido a que no se presentan los retardos por almacenamiento de carga. La lgica ECL es la ms rpida de las disponibles actualmente, alcanzando tiempos de conmutacin de menos de 1 nS por compuerta, sin embargo la ECL no se ha acreditado popularmente como la TTL o la CMOS debido a que es ms costosa, ms difcil de enfriar e interconectar, adems siempre se ha considerado que tiene menos inmunidad al ruido. Se han desarrollado varias generaciones de ECL, llegando a ser ms rpidos con cada generacin, pero aumentando el consumo de energa. La primeras generaciones requeran de tres voltajes para su funcionamiento. Esta lgica utiliza una fuente de alimentacin tpica de: VEE - VCC = -5,25 V Siendo normalmente VCC el terminal a tierra ( 0 V ). Los niveles lgicos son aproximadamente: VH = -0,9 V En contraste con los negativas. TTL y los CMOS VL = -1,75 V estos dispositivos utilizan tensiones
El principal productor de ECL es Motorola, aunque existen otros fabricantes importantes como Fairchild. La siguiente tabla hace un resumen general, con las caractersticas ms importantes de las series 10000, 100000, MECL III. 10 K Tiempos de propagacin por compuerta, nS. Velocidad de conm. para el flipflop D, MHz. Disipacin de potencia por compuerta, mW. 2 125 25
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100 K 0,75 500 65
MECL III 1 500 60
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Actualmente se utilizan para realizar dispositivos LSI y MSI de alta velocidad. El diseo y la interconexin de ellos es bastante complejo y requiere de un estudio muy detallado, ya que tan solo la longitud del cableado puede provocar problemas de sincronismo entre los dispositivos, sin hablar de la baja inmunidad al ruido.
9.2. LOGICA DE INYECCION INTEGRADA La I2L representa un esfuerzo en la utilizacin de la tecnologa bipolar para mantener los niveles de integracin y consumo de potencia de los MOS conservando la alta velocidad de los transistores bipolares. Comparados con los MOS, la tecnologa bipolar permite mayor velocidad, pero requiere de resistencias, el tamao del transistor es mayor y ocupa ms espacio en el semiconductor para su realizacin, adems su disipacin de potencia es alta. Para solucionar ste problema se han realizado varios diseos tendientes a usar el mismo espacio de un transistor para dos o ms elementos. La I2L no est concebida para realizar interconexiones entre compuertas como por ejemplo TTL, pero se utiliza en grandes arreglos LSI y VLSI.
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CIRCUITOS DE PULSOS
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PARTE III
SINCRONIZACION E INTERFACES
10.
CIRCUITOS DE PULSOS
10.1. PULSOS Existen dos tipos de dispositivos lgicos: Aquellos en los cuales los estados lgicos de las salidas dependen exclusivamente de los estados en las entradas, es decir, ante determinada combinacin en las entradas siempre habr los mismos valores en las salidas. La lgica de este tipo de dispositivos no vara con el tiempo y recibe el nombre de lgica combinacional. Ejemplos de dispositivos combinacionales son: Los codificadores, decodificadores, multiplexores, etc., que sern estudiados en cursos ms avanzados. Y aquellos donde el estado de las salidas no solo dependen del estado de sus entradas, sino que adems dependen de los estados anteriores. La lgica de este tipo de dispositivos vara con el tiempo y por esto recibe el nombre de lgica secuencial. Ejemplos de este tipo de dispositivos son: Flip-flops, contadores, registros, autmatas, microprocesadores, etc., que tambin sern estudiados ms adelante. Los dispositivos secuenciales para su funcionamiento necesitan de una seal que les permita la sincronizacin y cambio de estado a su debido tiempo en las salidas. Esta seal recibe el nombre de seal de pulsos. Un pulso es una seal que realiza una transicin de un estado al otro y regresa al estado inicial despus de cierto tiempo.
V NA NB NB Flanco de bajada NA NB Pulso activo en bajo NA
Pulso activo en alto
Si los cambios se producen en forma continua entonces recibe el nombre de tren de pulsos. Al instante en que la seal pasa de NA a NB se le conoce como flanco de bajada y al caso contrario ( NB a NA ) como flanco de subida. A los dispositivos generadores de pulsos se le llama multivibradores. Existen cuatro tipos: Los semi-monoestables o multivibradores de flancos, los monoestables o oneshot, los astables o relojes y los osciladores controlados por voltaje. En este curso solo estudiaremos los monoestables y los astables. Informacin concerniente a los
LIGR
98
semi-monoestables y a los osciladores controlados por voltaje se puede obtener de las revistas de electrnica digital de la CEKIT.
10.2. CARACTERISTICAS DE LOS PULSOS Debido a que los dispositivos digitales reales no cambian de estado en tiempo igual a cero, se hace imposible obtener seales lgicas ideales. Por esto los pulsos tienen en realidad la siguiente forma:
V 90 %
10 %
ts Donde: tS tb tiempo de subida tiempo de bajada
tb
Las caractersticas de los pulsos son: A. Frecuencia, f: Indica la cantidad de veces que se repite la onda bsica en la unidad de tiempo. B. Periodo, T: Es el tiempo que dura un ciclo de la onda. C. Ciclo til, D: Se expresa en porcentaje y es la relacin entre el ancho del pulso y el periodo.
D = Ancho de p ulso 100 T
D. Amplitud, V: Es el valor de voltaje que toma la onda en NA.
10.3. MULTIVIBRADORES ASTABLES Es un dispositivo que tiene dos estados en la salida ( NA y NB ) no estables. La salida oscila contantemente de nivel a nivel a una determinada frecuencia, produciendo aproximadamente una onda cuadrada ( ciclo til de 50% ). Los astables en C.I. estn disponibles en ECL, CMOS y TTL. Ejemplos de ellos son el 555, 7555, 4047, 4060, etc. El smbolo lgico es:
LIGR
CIRCUITOS DE PULSOS
99
Los multivibradores astables reciben tambin el nombre de relojes. Ellos pueden ser realizados adems con compuertas lgicas, con cristales de cuarzo, o implementados con otros mtodos. El C.I. 555 se emplea muy frecuentemente en los diseos debido a su alta estabilidad, bajo costo y facilidad de adquisicin en el mercado, por esto lo estudiaremos detenidamente cuando funciona como astable y como monoestable. Las caractersticas elctricas del LM555 de National Semiconductor son: Rango de voltaje de alimentacin: entre 4,5 a 18 V Mxima disipacin de potencia: 760 mW Consumo de corriente sin carga y V = 5 V: 3 a 5 mA VOL = 0,25 V con V = 5 V VOH = 3 V con V = 5 V Mxima corriente de salida. 200 mA La distribucin de pines y bloques del 555 es la siguiente:
+V 8 Ra THR CNT 6 5 Rb S TRG 2 C2 RST Q C1 R RS Q B1 3 OUT
Rc 4 DSC 7 T1 RST
GND
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100
Internamente el 555 se compone de los siguientes elementos: Dos comparadores C1 y C2, un flip-flop RS, un buffer B1, un transistor T1 y tres resistencias Ra, Rb y Rc. Para que el 555 trabaje como astable es necesario agregar un RC externo que permita este funcionamiento, como se muestra en el siguiente esquema:
+V
8 R1 6 5 R2 Rb S 2 C2 RST Q C1 R Ra RS Q B1 3 OUT
Rc 4 7 C T1 +V
El tiempo de carga se evala segn: Tc = 0,693 ( R1 + R2 ) C El proceso de descarga se realiza a travs solo de R2 y durante este tiempo la salida Q permanece en NB. Td = 0,693 x R2 x C
LIGR
CIRCUITOS DE PULSOS
Tc
101
VSALIDA
2/3 de + V 1/3 de + V
Vc
T = Tc + Td f = 1 / T
10.4. MULTIVIBRADORES MONOESTABLES Un monoestable o one-shot genera un pulso de salida de corta duracin en respuesta al flanco de subida o de bajada de una seal de disparo aplicada a la entrada. Los multivibradores monoestables tambin son conocidos como temporizadores. Igual que los astables, necesitan un circuito RC para su funcionamiento. Existen dos tipos de monoestables: No redisparables y redisparables. El funcionamiento de ellos es el mismo, fu diferencia consiste en la forma en que se comportan ante un nuevo flanco de disparo en su entrada. Los no redisparables una vez activados, y mientras estn en ese estado, no reaccionan a nuevos flancos de disparo en su entrada. Los redisparables inician un nuevo ciclo cada vez que aparece una nueva seal de activacin, sin importar el estado en que se encuentre. Pueden ser realizados con compuertas lgicas y con C.I. especializados. Entre los C.I. ms utilizados estn: No redisparables: 74121, 74221, 74C221. Redisparables: 74122, 74123, 9601, 4098, 4047, 4528. Para que el 555 trabaje en rgimen monoestable se requiere adicionar un RC externo que se muestra en la siguiente figura:
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102

+V 8
R2
R1 Ra 6 5 Rb S 2 C2 RST Q C1 R RS Q B1 3 OUT
Rc 4 7 T1 +V
El tiempo que tarda el monoestable en regresar a su estado inicial se calcula segn la siguiente frmula: T = 1,1 x R1 x C
LIGR
INTERFACES
103
11.
INTERFACES
Se entiende por interface la conexin correcta de dos dispositivos no compatibles entre s. Si estos dispositivos tienen naturaleza electrnica, entonces una interface entre ellos har compatibles sus voltajes y corrientes de entrada y de salida. En general las interfaces se dividen en lgicas y reales. Las primeras se refieren a aquellos circuitos necesarios para poder hacer conexiones entre C.I. con dispositivos tipo interruptores, LEDs, displays, relevadores, zumbadores, sensores, etc.
11.1. INTERFACES ENTRE FAMILIAS LOGICAS A. TTL a CMOS con fuente de 5 V: En este caso deben hacerse compatibles solo los niveles lgicos, esto se logra conectando una resistencia entre +5 V y la salida TTL. Ejemplo:
5V Vcc 1 TTL estndar R 1K
VDD CMOS 40B, 74C
GND, V
R = 330 ... 15 K Para interfasar TTL LS con CMOS la resistencia R vara entre 1,2 K y 15 K siendo tpicamente igual a 2,2 K , . Otra forma es utilizando una compuerta de alta velocidad 74HCT, que han sido diseadas con este fin. Las entradas de los dispositivos HCT tienen los mismos niveles de voltaje de salida de los TTL y los mismos de salida de los CMOS. Ejemplo:
Vcc 1 TTL 74, 74LS 74HCT34 1 5V VDD 1 VDD CMOS 40B, 74C
LIGR
104
B. TTL a CMOS con voltaje de alimentacin diferente: Se puede emplear un dispositivo TTL de colector abierto de alto voltaje, o tambin, puede ser un transistor en configuracin de emisor comn.
5V Vcc 1 TTL 74, 74LS 7406 VDD 1 10 K 1 VDD CMOS 40B, 74C 9V
Con transistor:
9V
5V R1
10 K
R2 1
1 TTL 74, 74LS
2N3904 1K
CMOS 40B, 74C
El transistor y las resistencias R1 y R2 desplazan los niveles de voltaje de la salida TTL a los necesarios para la entrada CMOS. C. CMOS a TTL con fuente de 5 V: Una salida CMOS ( 40, 74C ) puede operar directamente una entrada 74LS o 74L, ya que las corrientes requeridas son suministradas o recibidas por los CMOS. Sin embargo se pueden emplear otros mtodos ms confiables para organizar estas interfaces. Debido a su bajo manejo de corriente las salidas CMOS no son capaces de manejar entradas TTL estndar 74S, 74H. Un mtodo ms eficiente consiste en utilizar los C.I. 4001B y 4002B controlan una entrada TTL estndar, esto quiere decir que la conexin se puede hacer en forma directa. Los bufferes 4049 y 4050 pueden manejar en forma directa mnimo una entrada 74, una 74H, 14 74L, 7 74LS, 1 74S.
LIGR
INTERFACES
105
Es necesario aclarar que en la prctica la capacidad de manejo de las salidas de los C.I. anteriores se debe determinar por las corrientes de salida y de entrada para los NA y NB de los dispositivos que se deseen interfasar. D. CMOS a TTL con voltaje de alimentacin diferente: Se puede realizar empleando un diodo:
5V 9V 68 K 1 CMOS 40, 74C
1 TTL 74LS
1N270
El diodo bloquea el voltaje de la salida CMOS cuando este est en NA y R coloca la entrada TTL en NA. La forma ms empleada por su sencillez consiste en emplear los bufferes 4049 o 4050. Un ejemplo con el 4050 se puede observar en la siguiente figura: Estos dispositivos en sus entradas pueden aceptar voltajes superiores a los de la alimentacin. Como se puede ver e en el circuito el 4050 recibe voltajes de entrada hasta de 9 V y suministra entre 0 y 5 V en su salida.
9V 5V 1 CMOS 40, 74C 4050 1 1 TTL 74, 74LS
11.2. INTERFACES REALES - Con diodos LEDs: Los diodos emisores de luz, LEDs, se utilizan ante todo con el fin de monitorear seales digitales o para transmitir informacin. LED
LIGR
106
Ctodo
Anodo
Smbolo Lgico
Para su conexin se deben tener en cuenta los siguientes parmetros suministrados por los fabricantes: VF Y IF. VF es la cada de voltaje entre los terminales del LED en PD y I F es la mxima corriente que puede circular por l en PD, conocida tambin como corriente nominal. La cantidad de luz es proporcional a la corriente circulante, pero esta no puede exceder IF, por esto casi siempre se hace necesario conectarlos en serie con una resistencia limitadora. El valor de esta resistencia se halla segn la siguiente frmula:
RS =
( VCC
- V F) IF
Un valor mnimo de RS es 220 y tpico 1 K Ejemplos: .

Figura A + V 5 CMOS Figura B + V 5 CMOS
Interface de LED con salidas CMOS y VDD = 5 V. En A el LED enciende cuando la salida est en NA, en el caso de B sucede lo contrario, es decir enciende cuando la salida est en NB.
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INTERFACES
Figura A + V 9 CMOS 1K Figura B + V 9
107
CMOS
1K
Interface de LED con salida CMOS y fuente de alimentacin de 9 V.

Figura A + V 5 1K 1 TTL Figura B + V 5
TTL
1K
Interface de LED con salida TTL. En A el LED enciende cuando la salida est en NA, y en B cuando est en NB. Si aparte de monitorear la salida se hace necesaria la conexin de esta a entradas de compuertas, entonces se debe aumentar el valor de R para limitar el consumo de corriente, o bien si no es posible, entonces emplear un transistor como amplificador. Ejemplo:
LIGR
108

Figura A + V 5 220
Salida
CMOS o TTL Entr 1 33 K 2N3904
Figura A + V 5 220
Salida
CMOS o TTL Entr 1 2N3906 33 K
En A el transistor NPN conduce cuando la entrada ( Entr ) est en NB. En este caso la salida estar en NB y la corriente circula de +5 V, por R, LED, base-emisor y a tierra. El LED encender. Cuando la entrada est en NA el transistor pasa a corte, por la salida circula una corriente de poca magnitud y el LED permanece apagado. En este momento habr un NA en la salida. En B el transistor PNP conduce cuando la entrada est en NA. En la salida tenemos entonces un NB y el LED encender. - Displays 7 segmentos: Uno de los cdigos ms empleados para la visualizacin de cantidades numricas es el BCD ( Binary Coded Decimal Codificacin Binaria de Decimales ). Este cdigo asigna a cada dgito decimal una combinacin binaria de 4 cifras.
LIGR
INTERFACES
109
Binario 0000 0001 0010 . . 1001
Decimal 0 1 2 . . 9
Para la entrada de este tipo de informacin se emplea generalmente un codificador de 10/4, tambin conocido como DEC/BCD, debido a que convierte de decimal a BCD.
+ V 5 5K 0 ...1 ...2 ...3 ...4
DEC / BCD D C B A . . .
...9
Para la visualizacin se emplean displays 7 segmentos controlados por decodificadores BCD/7-segmentos.

BCD / 7 D C B A a b c d e f g f g e d c d b Display 7- segmentos
Existen dos tipos de displays 7-segmentos: Los realizados con diodos LEDs y los realizados con cristal lquido LCD. Los fabricados con LEDs pueden ser de dos tipos: nodo comn o de ctodo comn, como se muestra en la siguiente figura. Los displays de nodo comn requieren un decodificador con salidas en lgica inversa, es decir, un NB enciende el segmento conectado a ella.
LIGR
110
a b . . . g
a b . . . g
a b . . . g . . .
a b
Ctodo Comn
Anodo Comn
Para interfasar este tipo de displays se deben tener en cuenta los mismos cuidados explicados para la conexin con LEDs. Los displays LCD operan bajo un principio diferente al de los de LEDs. Cada segmento est construido de un fluido viscoso, que normalmente es transparente e invisible a la vista humana, pero que se opaca cuando se energiza mediante un voltaje de corriente alterna de poca magnitud y de baja frecuencia. El voltaje es, generalmente, una onda cuadrada de 3 a 15 V de amplitud y de 25 a 60 Hz. Se aplica entre el pin de acceso al segmento y el llamado backplane, que es el comn a todos lo segmentos. Ejemplo:
30 HZ + 9V 1 = 1 = 1 = 1 = 1 = 1 = 1 = 1 a b c d e f g BP
1 1 1 0 0
10 K
Existen otros tipos de presentadores visuales como las matrices de puntos, que tambin pueden ser realizados con LEDs o con cristal lquido LCD.
LIGR
INTERFACES
111
- Interruptores electromecnicos: Se encuentran en el mercado diferentes tipos de interruptores: Pulsadores, de 3 posiciones, deslizantes, de codillo, dipswitch, etc. Ejemplos:
+ V 5 S 1 R2 R1 1 + V 5 R1 100 K R2
CMOS TTL
100 K 330
10 K
Se pueden emplear tanto para CMOS como TTL. Estos ejemplos son sencillos, pero son sensibles al fenmeno conocido como rebote. Debido a su funcionamiento mecnico los contactos de un interruptor rebotan varias veces antes de cerrarsen definitivamente, provocando una serie de pulsos que hacen que los circuitos oscilen durante un tiempo determinado. Dispositivos tales como flip-flops, contadores, registros, etc. susceptibles a pulsos resultan afectados y su funcionamiento ser errado debido al fenmeno de rebote. Para este tipo de dispositivos se deben organizar interruptores antirebote, como los expuestos a continuacin:
+ V 9 + V 5 10 K
& S Salida
4,7 K
100 K S
0,1 uF
4093
& 10 K
+ V 5
7400
En el caso que el interruptor a conectar sea un pulsador, entonces se puede emplear un 555 en configuracin de monoestable. Existen una gran variedad de conexiones antirebote de interruptores de todos los tipos, para mayor informacin se pueden consultar el curso de Electrnica Digital de la Cekit. - Lmparas y zumbadores de baja potencia: Las lmparas se emplean como elementos de iluminacin y monitoreo en muchas aplicaciones como linternas, iluminacin de mensajes en vehculos, aviones, electrodomsticos, etc. Para conectar este tipo de dispositivos se pueden emplear transistores de amplificacin.
LIGR
112

+ V 5 5V TTL o CMOS 1 1 K 50 mA
2N3904
Los zumbadores se utilizan como anunciadores sonoros de bajo consumo. Tienen aplicacin en relojes, alarmas, buscapersonas, etc. Absorben entre 3 y 5 mA cuando suena. Una salida TTL estndar puede manejar directamente un zumbador. Tienen polaridad, que debe respetarse para su normal funcionamiento.
+ V 5 1N4004
TTL o CMOS
1 2,2 K
2N3904
El diodo evita que los picos de voltaje generados por el zumbador se rieguen en forma de ruido y afecten la operacin de los dems C.I. conectados a la misma fuente. - Relevadores: Son dispositivos electromecnicos muy utilizados en control para activar o desactivar cargas. Los constituyen una bobina y varios contactos, unos normalmente abiertos NA y otros normalmente cerrados NC.
NC Comn NA Bobina
LIGR
INTERFACES
113
Cuando se hace circular corriente por la bobina los contactos NA se cierran y los NC se abren. En el siguiente ejemplo se expone una forma de interfasar relevadores a salidas lgicas TTL o CMOS.
+ V 5 1N4004 Rel 5 V TTL o CMOS 1 2,2 K 2N3904 NC Comn NA 500
Este circuito se puede emplear para relevadores que necesiten menos de 30 mA para energizar la bobina. - Par optoacoplador y tiristor: El par optoacoplador y tiristor se utiliza para interfasar seales de baja potencia en circuitos de alta, ofreciendo un completo aislamiento elctrico entre los dispositivos. Los tiristores pueden considerarse interruptores de estado slido con tres o ms uniones PN. Los ms empleados en control son los SCR y los triacs. Los CSR, rectificador controlado de silicio, es un dispositivo de tres uniones semiconductoras.
Ctodo N P N P Anodo Ctodo Compuerta G G
La funcin de la compuerta es controlar el inicio de la conduccin en el SCR. Una vez aparece la corriente de nodo a ctodo puede desactivarse la compuerta y el SCR continuar conduciendo. Los SCR se utilizan para controlar circuitos de corriente continua.
LIGR
114
Los triacs permiten conducir sin importar la polaridad del voltaje de carga en el circuito principal, y se mantienen en este estado mientras exista la corriente de graduador. La corriente de graduador puede ser positiva o negativa para activar el triac. Se emplean para controlar circuitos de corriente alterna.
Term. 1 Compuerta MT1
N N
G Compuerta
P N P P
N
MT2
Term. 2
Un ejemplo de triac es el TIC263 para 25 A con tensiones entre 200 y 600 V ca. de Texas. Sus datos tcnicos son: VDR M: TIC263B = 200 V TIC263D = 400 V TIC 263E = 500 V TIC263M = 600 V ITS M = 25 A IGTN = 50 mA corriente mnima para activar el triac.
MT1 MT2 G
TIC 263
Los optoacopladores tambin son conocidos como optoaisladores o fotoacopladores. Se utilizan para acoplar seales de un circuito a otro por medio de un rayo de luz, proporcionando un completo aislamiento elctrico entre ambos. Son compatibles con las compuertas lgicas, poseen el mismo tamao de estas y son muy confiables. Ejemplos de optoacopladores son:
LIGR
INTERFACES
Colector Anodo 1 5 2N26 Salida con fototransistor Ctodo 2 6 Base 4 Emisor
115
Anodo 1
Colector 2N26 Salida con fotodarlington
Ctodo
2 6 Base 4 Emisor
Anodo 1
MT1 MOC3010 Salida con fototriac
Ctodo
4 MT2
Los parmetros elctricos de voltaje y corrientes se encuentran en las fichas tcnicas de los manuales de elementos pticos. A continuacin veremos algunos ejemplos de empleo del par optoacoplador tiristor.
+ V 5 2,2 K 24 V CC 1 4N26 10 K 5
1 TTL o CMOS
2 6
LIGR
116
El optoacoplador convierte un voltaje de 0 V en un NA de 5 V, y un voltaje de 24 V cc en un NB de 0 V.

56 K
4N33 1
+ V 5
115 V
TTL o CMOS 35 uF
1N4004 Base
470
Este circuito convierte 115 V ca a un NA de 5 V, y 0 V en un NB de 0 V. Se pueden utilizar para monitorear una lnea de 115 V corriente alterna.
5V 1K
220
2N6154
R carga
TT L o CMOS
TR IAC 1 G
39
115 V
0.01 uF 60 HZ fusible MOC3010
Rcarga puede ser una lmpara de 100 W, o cualquier otro artefacto que trabaje con 115 V ca, 60 Hz y que consuma menos de 100 W. Un NA TTL o CMOS activan el circuito de 115 V ca, y un NB har que el triac funcione como un interruptor abierto.
LIGR
DISEO FUENTE DE ALIMENTACION
117
PARTE IV
FUENTE DE ALIMENTACION
12.
Debido a que los dispositivos TTL y algunas subfamilias CMOS trabajan nicamente con 5 V 5 %, se hace necesario el empleo de fuentes reguladas de este valor. Una fuente regulada de 5 V y 1 A ser suficiente para llevar a cabo los laboratorios y proyectos de este curso y los subsiguientes de la lnea de hardware.
12.1. ESTRUCTURA INTERNA En la siguiente figura se ilustra el diagrama de bloques de la fuente de alimentacin a disear:
120 V 60 HZ Transformacin Rectificacin Filtrado Regulacin Proteccin
5V
Transformacin: En esta fase la seal de 120 V ca utilizando un transformador es disminuida a un valor cercano al voltaje requerido. La frecuencia sigue siendo de 60 Hz. Para la fuente tratada aqu en concreto la seal de salida del transformador es de 10 V ca 60 Hz.
V 120 V 170 V 0 t V 110 V 0 t
Entrada al transformador
Salida
Rectificacin: La tensin de ca se convierte en un ondulado compuesto solo por las ondas positivas de la seal de salida del transformador.
LIGR
118

V 10 V
t
Salida del rectificador
Filtrado: Suaviza las protuberancias en la onda rectificada, quedando solamente un rizado en la salida.
V
VRIZADO VPICO VC t VPICO =VRIZADO +VC

SALIDA DEL FILTRO
Regulacin: Entrega en su salida un voltaje constante, sin importar las variaciones en la tensin de alimentacin ( 120 V ca ), las variaciones en la carga para un valor mximo de corriente de salida, la frecuencia, temperatura, etc. En nuestro caso el regulador ser de 5 V y 1 A de corriente.
V +V
Proteccin contra sobrecarga: Protege la fuente cuando el circuito, al cual alimenta, requiere ms corriente que aquella para la cual ella fue diseada. La proteccin contra sobrecarga tambin evitar el dao de la fuente por corto circuito. Esta parte no se tendr en cuenta en el diseo, mayor informacin se encuentra en el libro Construya un computador en base al Z-80
12.2. DISEO Las primeras consideraciones a tener en cuenta son el voltaje y la corriente mxima de salida. Como se aclar anteriormente una fuente regulada de 5 V y 1 A son las caractersticas de la fuente a disear.
LIGR
119
Regulador: Como reguladores emplearemos las series 78xx y 79xx. Los 78xx regulan voltajes positivos, por ejemplo, el 7805 y 7812 que regulan +5 V y +12 V respectivamente para corrientes hasta de 1 A. Los 79xx se utilizan para voltajes negativos, por ejemplo, 7905 y 7912 que regulan -5 V y -12 V respectivamente para corrientes hasta de 1 A. Este tipo de reguladores tiene tres terminales:
7805
IN(1)
OUT(3)
El 7805 rene los requisitos necesarios, para la fuente. tcnicas son: VOUT = 5 V IOUT = 1 A VIN = 7 a 20 V Voltaje de cada entre los terminales del regulador = 2 V.
Sus caractersticas
El 7805 necesita un voltaje de entrada mnimo de 7 V y mximo de 20 V, para regular los 5 V de salida. Escogemos un valor seguro, no muy alto que aumente la disipacin de potencia y no muy bajo que altere el funcionamiento del regulador. Tomamos un VIN = 10 V, aunque 9 V tambin podran ser suficientes. Filtro: Ya habamos dicho que el filtro entrega un VPICO, VRI ZA DO y VC. Observar grfico en 12.1 filtrado. Debido a que el VIN escogido para el 7805 es de 10 V, entonces el filtro debe abastecer un VC igual a este valor. Hallamos VPICO segn la siguiente frmula. VPICO = 1,25 x VC 0 12,5 V VRI ZA DO = 2,5 V La capacitancia del filtro la calculamos segn la siguiente frmula: C = I x dt/dv Donde: I corriente mxima de descarga. En este caso 1 A.
LIGR
120
tiempo de carga del condensador. Como el rectificador es de onda completa la frecuencia de carga es el doble de la de es decir, 120 Hz. Entonces: dt = 8,3 mS. dv tensin de rizado admisible. dv = 2,5 V. dt C = 1 x 8,3 x 10-3 / 2,5 = 3320 F
ca,
Un valor superior de C aportar un mejor filtrado ( con menos rizado ) en la seal de salida.
Vin 7805 Vout
330 uF
Comn
5V , 1A
Rectificador: En general se emplean dos formas de rectificacin de media onda y de onda completa. Los de media onda se realizan de la siguiente forma:
Fase D Vout Vout 0 Comn
t
Media Onda
Los rectificadores de onda completa pueden utilizar dos fases. Se pueden realizar en la siguiente forma:
LIGR

Figura A Fase1 D1 Vout
121
Vout
Comn
0 Fase2 D2
t
Onda Completa
Figura B Fase1 ca D1 Vout
D4
D2 ca D3
Vout 0 Onda Completa
Comn
En A D1 y D2 se PD en forma consecutiva cuando llega la onda positiva de cada fase. Ya sabemos que la cada de potencial entre los terminales de cada diodo PD es de 0,7 V. Este valor debe ser considerado para realizar los clculos del transformador. Observe que se utiliza un total de tres lneas de salida en el secundario del transformador: Dos fases y el comn. Cuando en la fase1 se encuentra la onda positiva D1 se PD y la corriente fluye por D1, carga el filtro, por el 7805, a la carga y regresa por el comn. En estos instantes D2 se encuentra en PI debido a que en la fase2 se encuentra la onda negativa de ca. Cuando a la fase2 llega la onda positiva, entonces D2 se PD y D1 se PI. La corriente fluye por D2 y regresa por el comn. Si se utiliza un puente, como en B, solo se necesita una fase y el comn, haciendo el transformador ms sencillo. Cuando en la fase1 se encuentra la onda positiva de ca, entonces D1 y D3 se PD y permiten el flujo de corriente. La corriente circular de la fase1, D1, cargar el filtro, por el 7805, a la resistencia de carga y regresa por D3 al comn. Cuando en la fase1 se encuentra la onda negativa, entonces D2 y D4 se PD. Debido a que la corriente circula por dos diodos, el voltaje en la salida del rectificador realmente es inferior en 1,4 V, que deben ser considerados en el momento de elegir el transformador. Utilizaremos un puente para la fuente:
LIGR
122

Fase1
ca
Vin
7805
Vout
D4
D2 ca D3 330 uF
Comn 5 V cc , 1 A
Comn
Los parmetros a tener en cuenta son: Corriente de sobrecarga. Al encender la fuente el filtro se encuentra ISOB totalmente descargado y como la nica resistencia en serie con l es la del devanado del transformador RS, entonces aparece una corriente de carga bastante alta. Si consideramos el valor de RS igual a 0,1 , entonces: ISOS = VPICO / RS = 12,5 / 0,1 = 125 A La constante de tiempo ser igual a: T = RS x C = 0,1 x 3300 x 10-6 = 330 S Si ISOS del diodo es mayor que ISOS del circuito y T es menor que 8,3 mS, entonces la sobrecarga de corriente no producir ningn dao en los diodos rectificadores. IF PIV Mxima corriente continua en PD. Esta debe ser superior mnimo a 2 A, que es la mxima abastecida por el 7805 en instantes de picos. Voltaje mximo aplicable al diodo en PI. Son normales en las lneas de 120 V ca transitorios con picos de 400 V. Esto hace que VPICO se eleve a 43 V. Se recomienda utilizar diodos con PIV no inferiores a 50 V.
Los puentes pueden ser realizados con diodos discretos, o se pueden adquirir en forma monoltica. Las caractersticas de un puente pueden ser: IF = 12 A, Transformador: La tensin siguiente frmula: ISOS = 300 A, PIV = 100 V se calcula segn la
( Valor cuadrtico medio )
V = ( VC + VRI ZA DO + VRECT ) / 2 = ( 10 + 2,5 + 1,4 ) / 1,41 V = 9,82 V El secundario del transformador debe tener una fase de 10 V mnimo 2 A de corriente. El diagrama elctrico de la fuente es:
LIGR
ca
y abastecer
123
Fase1
Vin
7805
Vout
120 V 60 HZ
D4
D2 330 uF D3
Comn 5 V cc , 1 A
Comn
LIGR

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INTRODUCCION

(1792 - 1871) Profesor de Matemticas de la Universidad de Cambridge(Gran Bretaa). LIGR

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

HISTORIA DE LA TECNICA DE COMPUTACION

HISTORIA DE LA TECNICA DE COMPUTACION

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

HISTORIA DE LA TECNICA DE COMPUTACION

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

La unidad de corriente es el amperio.

1.2. TIPOS DE CORRIENTES Y DE ELEMENTOS DE CIRCUITOS

CONCEPTOS BASICOS INTRODUCCION

Alterna: Corriente que vara sinusoidalmente en el tiempo. Se denota como c.a.

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

Donde: L es la constante de autoinductancia.

CONCEPTOS BASICOS INTRODUCCION

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

CONCEPTOS BASICOS INTRODUCCION

Resistores variables: los potencimetros.

Existen dos tipos de resistores variables: Los restatos y

El potencimetro se puede implementar como restato.

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

CONCEPTOS BASICOS INTRODUCCION

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

t1 tiempo de carga t3 tiempo de descarga

CONCEPTOS BASICOS INTRODUCCION

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

CONCEPTOS BASICOS INTRODUCCION

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CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS

FUNCION NOT: F toma el valor inverso de A.

FUNCION YES: F toma el mismo valor de A.

CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS LOGICAS

FUNCION DE EQUIVALENCIA: F toma el valor de uno solamente cuando A, B Y C son iguales.

F =ABC + ABC +ABC +ABC

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS LOGICAS

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CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS LOGICAS

M8228 Seal SN74LS08N

& & &

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CIRCUITOS DIGITALES Y COMPUERTAS LOGICAS

Las posibilidades de trabajo sin daos de CI en el tiempo t se calcula as:

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

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Compuerta OR para la lgica negativa.

3.3. COMPUERTA OR CON DIODOS

Compuerta AND para la lgica negativa.

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LOGICA DE RESISTENCIA A TRANSISTOR

El circuito tiene un transistor NPN con el emisor a tierra.

LOGICA DE TRANSISTOR A TRANSISTOR

En esta configuracin el transistor puede operarse en tres modos:

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LOGICA DE TRANSISTOR A TRANSISTOR

Examinemos el siguiente circuito:

5V Ent rada 5V Salida V b= .7 V 0 Cort e A Sat uracin B C D Cort e

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LOGICA DE TRANSISTOR A TRANSISTOR

INTRODUCCION A LOS SISTEMAS DIGITALES

4.3. COMPUERTA NOT