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TRANSISTORES CON SEÑALES DEBILES

AMLIFICADORES MONOETAPAS

5.1. Tipos de amplificadores: características básicas.

Un amplificador es un cuadripolo con un puerto de entrada de dos terminales y otro de salida

de dos terminales, tal que una de las variables eléctricas de salida, tensión o corriente está
relacionada, mediante una relación normalmente lineal con una de las variables eléctricas de
entrada, tensión o corriente. Este estudio se limitará a los amplificadores en los que la relación
entre la variable de entrada y la variable de salida sea lineal .

Dado que las variables de entrada son dos y las de salida otras dos, esto da lugar a
cuatro posibles combinaciones que son los tipos posibles de amplificador:

1. Amplificador de tensión: V2 = AV V1
2. Amplificador de corriente: I2 = AI I1
3. Amplificador de transresistencia: V2 = AR I1
4. Amplificador de transconductancia: I2 = AC V1
El sentido que tiene la existencia de cada uno de estos cuatro tipos reside en dos aspectos: el
primero es en la forma en que se recoge la señal de entrada, tensión o corriente, y el segundo
aspecto a considerar es como interesa entregar la señal de salida, en tensión o en corriente.
Lógicamente la señal se recoge en la forma en que es la variable eléctrica que amplifica cada
tipo de amplificador, y se da en la forma de la variable eléctrica que da esta amplificación.

5.1.1. Amplificador de tensión.

Tanto la señal de entrada como la señal de salida son de tensión, por tanto recoge la señal de un
generador de tensión y suministra una tensión de salida a una carga ZL. En la figura 5.1 se
puede ver lo que sería el esquema general de un amplificador de tensión:

La señal de tensión que este amplificador entrega a la carga será:

 2

Reagrupando la expresión (5-1):

La expresión (5-2) indica que la resistencia interna de la fuente Rg, de la que se recoge la señal,
influye sobre la amplificación e interesa que sea despreciable frente a la impedancia de entrada
del amplificador Ze. De esta forma el primer factor de la expresión sería uno.
La impedancia de carga Zl, conviene que sea mayor que la impedancia interna de salida del
amplificador ZS, con lo cual el segundo factor de la expresión (5-2) también se haría uno. Si se
consigue hacer ambos factores la unidad, la ganancia del amplificador alcanza el valor teórico
máximo posible AV.

5.1.2. Amplificador de corriente

Tanto la señal de entrada como de salida son en corriente, por tanto recoge la señal de un
generador de corriente y suministra la corriente de salida a una carga ZL. La figura 5.2 muestra
el esquema general de un amplificador de corriente:

La señal de corriente que este amplificador entrega a la carga es:

Reagrupando términos se obtiene:

La expresión (5-4) indica que la resistencia interna de la fuente de corriente, Rg de la que se

recoge la señal, influye sobre la amplificación e interesa que sea mucho mayor que la
impedancia de entrada del amplificador Ze. De esta forma el primer factor de la expresión sería
uno.
 3

La impedancia de carga Zl, debe ser menor que la impedancia interna de salida del
amplificador ZS, con ello el segundo factor de la expresión también se haría uno. Si se consigue
hacer ambos factores la unidad, la ganancia del amplificador alcanza el valor teórico máximo
posible AI.

5.1.3. Amplificador de transresistencia.

La señal de entrada es de corriente y la señal de salida es en tensión, por tanto recoge la señal
de un generador de corriente y suministra la tensión de salida a una carga ZL. En la figura 5.3
se puede ver el esquema general de un amplificador de transresistencia:

La señal de tensión que este amplificador entrega a la carga será:

Reagrupando términos en (5-5):

La expresión (5-6) indica que la resistencia interna de la fuente Rg, de la que se recoge la señal,
influye sobre la amplificación e interesa que sea mucho mayor que la impedancia de entrada
del amplificador Ze. Así el primer factor de la expresión sería uno.
La impedancia de carga Zl, también interesa que sea mayor que la impedancia interna de salida
del amplificador ZS, de esta forma el segundo factor de la expresión también se haría uno. Si se
consigue hacer ambos factores la unidad, la ganancia del amplificador alcanza el valor teórico
máximo posible Ar.

5.1.4. Amplificador de transconductancia.

La señal de entrada es de tensión y la señal de salida es de corriente, por tanto recoge la señal
de un generador de tensión y suministra la corriente de salida a una carga Zl. En la figura 5.4
se puede ver el esquema general de un amplificador de transconductancia:
 4

La señal de corriente que este amplificador entrega a la carga será:

Reagrupando términos se obtiene:

La expresión (5-8) indica que la resistencia interna de la fuente Rg, de la que se recoge la señal,
influye sobre la amplificación e interesa que sea mucho menor que la impedancia de entrada
del amplificador Ze. De esta forma el primer factor de la expresión sería uno.
La impedancia de carga, Zl, debe ser menor que la impedancia interna de salida del
amplificador ZS, de esta forma el segundo factor de la expresión también se haría uno.
Si se consigue hacer ambos factores la unidad, la ganancia del amplificador alcanza el valor
teórico máximo posible AC.

5.1.5- FACTOR DE ESTABILIDAD.

El transistor en funcionamiento disipa una potencia, que eleva su temperatura interior, lo que
supone como en todo componente a base de semiconductores, un aumento en las intensidades por
ruptura de enlaces, y aparición de pares electrón-hueco.
En el transistor, el aumento de temperatura supone el aumento de la intensidad de saturación de la
unión C-B, es decir de la ICBO, y por lo tanto de la IC, ya que:

I C = β • I B + ( β + 1) • I CBO

Esto supondría un desplazamiento del punto Q, y por lo tanto una modificación de las condiciones
del diseño. A este desplazamiento del punto Q por la temperatura se le denomina deriva térmica.
Se utiliza un parámetro denominado factor de estabilidad (S), que indica la variación de la
intensidad del colector frente a la variación de la intensidad de saturación.
Δ IC
S=
Δ I CBO
 5

También se suele utilizar el factor de estabilidad frente a las variaciones de β.

Se debería llamar factor de inestabilidad, ya que cuanto más grande sea S, más inestable será, y
por lo tanto mayor variación del punto Q tendremos, por causa de la temperatura y mayor deriva
térmica.
Para conseguir reducir el factor S, tenemos dos métodos, utilizar un circuito de polarización
adecuado, o utilizar un circuito de compensación. Este ultimo consiste en añadir un elemento
semiconductor (diodo, zener, etc) de manera que los efectos de la temperatura se compensen.

5.1.6- CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN.

Están formados por resistencias (además del o los generadores), con las que se establecen las dos
condiciones básicas para que se de el efecto transistor, y tener un factor de estabilidad S pequeño,
además de fijar el punto Q dentro de una zona de seguridad denominada SOAR. Esta zona esta
comprendida entre los ejes y la hipérbola de máxima potencia.

1. CIRCUITO CON RESISTENCIA A LA BASE.

Se corresponde a un circuito como el de la figura 6.1, con un solo generador VCC y una resistencia
del generador a la base.
El circuito es similar al que utilizaba dos baterías, solo que ahora con una única batería,
conseguimos que la unión B-E tenga polarización directa gracias a la batería y a RB, y que la unión
C-B tenga polarización inversa al estar el colector a mayor potencial que la base.
Este circuito no contrarresta las variaciones de temperatura, el factor de estabilidad es:

S = β +1

Con un valor tan elevado (ya que β lo es) tendremos variación del punto Q al variar la
temperatura.
Su utilización por lo tanto es muy limitada.
Para determinar el punto Q, hacemos la aproximación de considerar que el voltaje VBE es de
0,7v(silicio) o 0,3v(germanio).

Figura 6.1. Polarización con resistencia a la base.

El punto Q será:
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V CC - V BE
IB=
RB

I CQ = β • I B + ( β + 1) • I CBO

V CEQ = V CC - RC • I CQ

2. CIRITO CON RESISTENCIA COLECTOR-BASE.

Se corresponde a un circuito como el de la figura 6.2, con un solo generador VCC y una resistencia
del colector a la base.

Figura 6.2. Polarización con resistencia colector-base.

El proceso de contrarrestar las variaciones de la IC producidas por la deriva térmica es el siguiente:

El aumento de temperatura supone un aumento de ICBO, y por lo tanto de IC, con lo que aumenta la
c.d.t. en RC, disminuye el potencial en el colector , lo que implica que la intensidad por la base se
hace mas pequeña y como consecuencia disminuye la IC.
El aumento de la IC queda en parte anulada, pero el factor de estabilidad sigue siendo elevado,
aunque menor que en el caso anterior, sobre la mitad.
Para que este circuito tenga menor factor de estabilidad, la RB tiene que ser pequeña, aunque no
puede serlo mucho, ya que aumentaría la IC.
El punto Q seria en este circuito:
Si analizamos la malla formada por VCC, RC, RB y la unión B-E, tendremos:

V CC = RC ( I C + I B ) + R B I B + V BE

De donde la ICQ será:

 7

V CC - V BE - ( R B + RC ) I B
I CQ =
RB

Necesitamos saber el valor de IB con otra ecuación :

I C = β I B + ( β + 1) I CBO

I CQ - ( β + 1) I CBO
IB=
β

Substituyendo esta IB en la anterior ecuación obtendremos la ICQ, en cuanto a la otra coordenada

del punto Q, tendremos:

V CEQ = V CC - RC ( I CQ + I B )

3. CIRCUITO AUTOPOLARIZADO CON DIVISOR DE TENSIÓN.

Se corresponde a un circuito como el de la figura 6.3, en el que se monta un divisor de tensión con
las resistencias R1 y R2, y se conecta una resistencia en el emisor..

Figura 6.3. Polarización con divisor de tensión en la base y resistencia en el emisor.

La forma en la que contrarresta las variaciones de la IC es la siguiente:

Supongamos que la temperatura aumenta, esto supone un aumento de la IC, y por lo tanto de la IE,
con lo que aumenta la c.d.t. en la resistencia RE, y en consecuencia disminuye la IC compensando
el aumento.
 8

El factor de estabilidad es pequeño, por lo que el punto Q variará poco por la temperatura. Interesa
que las resistencias R1 y R2 sean lo menor posible para conseguir buena estabilidad.
Para analizar el circuito y calcular el punto Q, utilizamos el equivalente de Thevenin entre la base
y el negativo de la batería, con lo que el circuito anterior nos quedaría tal y como se ve en la figura
6.4.

Figura 6.4. Equivalente de Thevenin en el circuito autopolarizado.

Los valores de la resistencia de Thevenin RTh, y el voltaje de Thevenin VTh, serán :

R1 • R 2
RTh = R1 // R2 =
R1 + R 2

V CC
V Th = • R2
R1 + R 2

Para calcular las coordenadas del punto Q tendremos:

Del siguiente sistema de dos ecuaciones, determinaremos los valores de la IB y la ICQ:

V Th = RTh I B + V BE + ( I CQ + I B ) R E
I CQ = β I B + ( β + 1) I CBO

La otra coordenada del punto Q será:

V CEQ = V CC - RC I CQ - R E ( I CQ + I B )

Este ultimo circuito de polarización será el más utilizado. En cualquiera de los circuitos estudiados
se pueden simplificar, en algunos casos, las ecuaciones despreciando la ICBO frente a la IB, y
despreciando la IB frente a la IC.
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La recta de carga en todos los casos corresponderá a la ecuación de la malla que cierra por C-B.
En estas ecuaciones deberemos tener únicamente dos variables, la IC y la VCE que haremos
respectivamente cero para determinar los puntos de corte con los ejes
Los circuitos son idénticos con transistores PNP, solo que las baterías deberían tener polaridad
opuesta, siendo las intensidades y los voltajes contrarios.

5.3.- CIRCUITOS DE COMPENSACIÓN.

Los circuitos de compensación utilizan otros elementos semiconductores para compensar las
variaciones provocadas por la variación de la temperatura. Un circuito típico es el mostrado en la
figura 6.5, que utiliza un diodo conectado en antiparalelo con la unión B-E.

Figura 6.5. Circuito de compensación con diodo.

La intensidad I que circula por la R será, despreciando la VBE:

V CC - V BE V CC - 0 V CC
I= = = = CONSTANTE
RE RE RE

Es constante, con lo que la intensidad por la base será:

IB= I - IS

Y por lo tanto:

I C = β (I - I S ) + β I CBO = β I + β ( I CBO - I S )

El primer termino es constante, y el segundo es nulo, ya que las dos intensidades ICBO y IS son
iguales.
Conseguimos pues que la IC no varíe con la temperatura.

5.4.- ANÁLISIS TÉRMICO DEL TRANSISTOR.

Además de los efectos de la variación del punto Q que tiene la temperatura en el transistor, un
elevado calentamiento puede producir su destrucción irreversible. En funcionamiento normal, el
transistor se calienta generando calor en los cristales semiconductores. Si el calor generado es
 10

igual al disipado al ambiente, hay un equilibrio térmico y el funcionamiento es normal, pero si el

calor generado es superior al disipado, entonces al cabo de algún tiempo se producirá el deterioro
del transistor.
El calor se transmite por conducción (contacto), desde el semiconductor, al encapsulado, y de ahí
al ambiente. Podemos establecer una ecuación que nos relacione la temperatura y la potencia, esta
seria similar al la ley de Ohm, por lo que se denominaría ley de Ohm térmica, y nos diría que hay
una proporción entre la diferencia de temperatura entre dos puntos, y la potencia generada, que se
denomina resistencia térmica.

La expresión es similar a la ley de Ohm, suntituyendo la resistencia R por la resistencia térmica

RTH, la intensidad I por la potencia generada P, y la diferencia de potencial entre los dos puntos
VAB por la diferencia de temperatura TAB, con lo que quedará:

T AB T A - T B
RTH = =
P P

Las unidades de la resistencia térmica RTH son los grados centígrado / watio.
Aplicando la ley de Ohm térmica al transistor tendríamos:

T j - T amb = P • RTHj - amb = P • ( RTHj -c + RTHc- amb )

Siendo:
Tj = Temperatura en la unión.
Tamb = Temperatura del ambiente (exterior)
P = Potencia generada.
RTHj-amb = Resistencia térmica unión-ambiente.
RTHj-c = Resistencia térmica unión-cápsula.
RTHc-amb = Resistencia térmica cápsula-ambiente.

Si representáramos mediante un esquema el circuito térmico del transistor, tendríamos tal y como
muestra la figura 6.6 en la parte superior, dos resistencias térmicas en serie:

Figura 6.6. Circuito térmico del transistor con y sin disipador.

La temperatura en la unión máxima Tjmax, es un dato que da el fabricante, y que no se puede

superar, ya que si así ocurriera, el transistor se destruiría.
Para la misma potencia generada P, interesa que la temperatura ambiente Tamb no sea elevada y
que la resistencia térmica total sea lo menor posible, para que la temperatura en la unión Tj no sea
elevada.
 11

La resistencia térmica cápsula ambiente RTHc-amb es elevada, por lo que tenemos que tenemos que
reducirla de alguna manera. Esto se consigue conectando un disipador íntimamente unido a la
cápsula. De esta manera tal y como muestra la figura 6.6 en la parte inferior, tenemos desde la
cápsula al ambiente dos resistencias de bajo valor, la resistencia térmica cápsula disipador RTHc-s y
la resistencia térmica disipador ambiente RTHs-amb.
Los transistores de potencia, llevan encapsulados especiales metálicos , mecanizados para
atornillarlos a los disipadores, estos últimos son de aluminio anodizado con muchas endiduras a
fin de tener un mayor contacto con el aire. Para que la unión con el disipados sea lo mas íntima
posible, se pone entre ambos una pasta especial que facilita la conducción del calor. Mas adelante
veremos como se calculara el disipador, que deba o no llevar.

EJERCICIOS PROPUESTOS.

1.- Con un circuito de polarización con resistencia a la base, calcular el punto Q y dibujarlo en la recta de carga,
con los siguientes datos: Transistor NPN, silicio, β=100, ICBO=2μA , RB=300KΩ, RC=2KΩ y VCC=30V.

Sol : Q (9,96mA, 10,08V)

2.- En el problema anterior, si VCEsat=0,3V, que resistencia mínima de base RB tendríamos que poner para que
el transistor se sature.

Sol : RB=200,68KΩ

3.- Realizar los mismos cálculos que en el problema 1, con los mismos datos, excepto RC=10KΩ. Interpretar los
resultados.

4.- Con un circuito de polarización con resistencia colector-base, calcular el punto Q, con los siguientes datos:
Transistor NPN, silicio, β=100, ICBO=1μA , RB=200KΩ, RC=2KΩ y VCC=10V. Interpretar los resultados.

Sol : Q(2,36mA, 9,99V)

5.- Realizar los mismos cálculos del problema anterior, si el transistor es PNP, β=75, RB=2MΩ y RC=30KΩ.

6.- En un circuito de polarización con divisor de tensión en la base, calcular intensidades y voltajes en el
transistor, así como el punto Q, con los siguientes datos: Transistor NPN, silicio, β=200, ICBO=3μA , R1=2KΩ,
R2=15KΩ , RC=1KΩ, RE=10KΩ, VCC=25V y VCEsat=0,3V.

Sol : IB=7,62μA, IC=2,12mA, IE=2,135mA, VCE=1,53V, VCB=0,83V.

7.- Que valor de resistencia R2 tendríamos que poner para que el transistor se saturase.

8.- En un circuito de polarización con divisor de tensión en la base, calcular intensidades y voltajes en el
transistor, así como el punto Q, con los siguientes datos: Transistor NPN, silicio, β=200, ICBO=2μA , R1=1KΩ,
R2=20KΩ , RC=2KΩ, RE=15KΩ, VCC=30V y VCEsat=0,2V. Interpretar los resultados.

9.- En un circuito de polarización con divisor de tensión en la base, calcular intensidades y voltajes en el
transistor, así como el punto Q, con los siguientes datos: Transistor PNP, silicio, β=75, ICBO=1μA , R1=500Ω,
R2=1KΩ , RC=500Ω, RE=2KΩ, VCC=12V y VCEsat=-0,3V. Interpretar los resultados.
 12

5.6. Amplificadores monoetapa con BJT.

Se plantea ahora a estudiar la forma de diseñar etapas amplificadoras con un solo BJT, y dentro
de las tres configuraciones posibles se escoge la de emisor común por ser la etapa
amplificadora con mejores características globales: ganancia de tensión e impedancia de
entrada.

Según se vio, la polarización más adecuada de un BJT es con divisor de tensión en base y
resistencia de emisor, la resistencia de colector no es necesaria en la configuración de colector
común, pero si lo es en la de emisor común.
Se analizará la configuración de emisor común como amplificador. Según muestra la figura
5.5, en un principio se desacopla la resistencia de emisor con un condensador tal que a las
frecuencias de trabajo su impedancia sea despreciable, y por tanto en régimen dinámico
mantiene constante la tensión en el emisor. A la hora de hacer el análisis en alterna, el emisor
estará conectado a tierra ya que en alterna el condensador cortocircuita a RE. La forma de
calcular el valor del condensador de desacoplo de la resistencia de emisor, condensador de
desacoplo es el nombre que se suele utilizar para los condensadores que realizan este tipo de
función, se pospone para los problemas.

Los condensadores de paso Ci y Cs, se estudiarán con la respuesta en frecuencia del

amplificador.

5.6.1. Punto de funcionamiento en la configuración de emisor común.

La elección del punto de funcionamiento necesita una discusión muy detallada, que aquí se
limitará a dar los elementos más importantes del planteamiento básico En primer lugar el punto
de funcionamiento en continua se define mediante la selección de las resistencias R1, R2, RE,
RC y VCC, aunque el valor de la fuente de alimentación, VCC, se supone normalmente que se
parte de un valor estándar, p.e. 10 V.
Si se escogen RE y RC, se está eligiendo una recta de carga estática determinada. En el gráfico
de las curvas de salida del transistor que se esté usando, 2N2222 en este caso, la recta de carga
estática irá desde el punto VCE = VCC en el eje X, hasta el punto IC = VCC/ (RE + RC) en el eje
Y, tal como muestra la figura 5.6.
 13

En que punto de esta recta de carga estática estará el punto de funcionamiento estático, punto
Q, lo definirá el valor de la corriente de base seleccionada, lo cual se consigue, una vez
elegidas RE y RC, mediante la elección de R1 y R2.

La recta de carga estática que aparece en la figura 5.6, correspondería a una elección de VCC
= 10V, RE = 1k y RC = 2k. La elección de RE y RC viene condicionada por la ganancia de
tensión seleccionada para el amplificador, RE según se verá posteriormente no tendrá que ver
con la ganancia de tensión si está desacoplada. La elección del punto de funcionamiento sobre
la recta de carga debe hacerse de forma que éste esté algo centrado en ella. Lo de algo no es
precisamente una forma de expresarse muy correcta, científicamente hablando, pero la razón de
que no debe estar totalmente centrado en la recta de carga estática, se comprenderá cuando se
introduzca el concepto de recta de carga dinámica.
 14

Se ha escogido como punto de funcionamiento VCE = 4 V e IC = 2 mA, ver figura 5.7.

Analizando el transistor 2N2222 con el simulador PsPice, las figuras 5.6 y 5.7 se han obtenido
con dicho simulador, en la recta de carga estática seleccionada se obtiene que para IC = 2 mA la
corriente de base debe ser de 11,4 μA. Por tanto la beta, hFE, con la que trabajará el transistor,
en dicho punto de funcionamiento, toma el valor de 175.

Para calcular las resistencias del divisor de tensión hace falta introducir una condición más. En
este caso, y para no favorecer la deriva térmica del circuito, se toma RB =10RE, donde RB es la
resistencia equivalente al paralelo de R1 y R2. Con estos datos y aplicando el equivalente de
Thevenin al divisor de tensión de base se calcula fácilmente R1 y R2, lo cual se deja como
ejercicio al alumno (R1 = 36k y R2 = 14k).

Antes de estudiar el comportamiento del BJT como amplificador, se ha de introducir el

concepto de recta de carga dinámica. En ausencia de señales variables en la entrada del
amplificador, Vg = 0, el transistor está funcionando en el punto de funcionamiento estático que
se calculó previamente. Pero al introducir la señal de alterna Vg, el comportamiento del circuito
de colector-emisor cambia radicalmente debido a los condensadores CE y CS.
En primer lugar si el condensador CE está bien calculado, hace desaparecer, para alterna, la
resistencia RE, se dice que la desacopla. Lo que ocurre es que el condensador va a mantener la
tensión entre sus bornes prácticamente invariable, lo cual equivale a cortocircuitar RE en
alterna. Por otra parte si el condensador CS es suficientemente grande, su impedancia a las
frecuencias de trabajo va a ser despreciable frente a la resistencia de carga Rl, en esas
condiciones se puede ignorarlo. En alterna la resistencia de colector RC va a tener en paralelo la
resistencia de carga Rl.
 15

En régimen dinámico desaparece la resistencia de emisor RE y la resistencia de colector se

modifica al aparecer en paralelo con ella Rl. Por tanto la recta de carga dinámica será aquella
que pasando por el punto de funcionamiento estático, tenga de pendiente 1 / (RC|| Rl), ver
figura 5.8

Es el momento de justificar la frase: “La elección del punto de funcionamiento sobre la recta de
carga debe hacerse de forma que éste esté algo centrado en ella”. Para entender el sentido de la
frase, lo primero que se ha de comprender es que el dispositivo debe de amplificar señales, lo
cual implica que el punto de funcionamiento instantáneo del transistor se debe de mover sobre
la recta de carga dinámica.

Cuando la señal de entrada aumenta, aumentará la intensidad de base del transistor y por tanto
el punto de funcionamiento se moverá sobre la recta de carga dinámica hacia arriba, aumento
de IC. Si la señal de entrada disminuye, disminuirá la corriente de base del transistor y el punto
de funcionamiento instantáneo de éste se moverá sobre la recta de carga dinámica en sentido
descendente, disminuye IC.

Como la señal será en general simétrica, interesa que el punto Q, esté lo más centradoposible
en la recta de carga dinámica, dado que ésta pasa por el punto Q y con más pendiente que la
recta de carga estática, es evidente que interesa escoger, en este caso, un punto Q que no está
centrado en la recta de carga estática, si no más bien desplazado hacia la izquierda en ésta (1).
 16

MODELOS DE PEQUEÑA SEÑAL

2.1.-Introducción

La polarización de un transistor es la responsable de establecer las corrientes y tensiones

que fijan su punto de trabajo en la región lineal (bipolares) o saturación (FET), regiones en
donde los transistores presentan características más o menos lineales. Al aplicar una señal
alterna a la entrada, el punto de trabajo se desplaza y amplifica esa señal. El análisis del
comportamiento del transistor en amplificación se simplifica enormemente cuando su utiliza el
llamado modelo de pequeña señal obtenido a partir del análisis del transistor a pequeñas
variaciones de tensiones y corrientes en sus terminales. Bajo adecuadas condiciones, el
transistor puede ser modelado a través de un circuito lineal que incluye equivalentes Thévenin,
Norton y principios de teoría de circuitos lineales. El modelo de pequeña señal del transistor es
a veces llamado modelo incremental de señal. Los circuitos que se van a estudiar aquí son
válidos a frecuencias medias, aspecto que se tendrá en cuenta en el siguiente tema.

En la práctica, el estudio de amplificadores exige previamente un análisis en continua para

determinar la polarización de los transistores. Posteriormente, es preciso abordar los cálculos de
amplificación e impedancias utilizando modelos de pequeña señal con objeto de establecer un
circuito equivalente. Ambas fases en principio son independientes pero están íntimamente
relacionadas.

2.2.-Teoría de redes bipuerta

El comportamiento de un circuito lineal bi-puerta, tal como se muestra en la figura 2.1,

puede ser especificado a través de dos corrientes (I1, I2) y dos tensiones (V1, V2). En función de
las dos posibles variables seleccionadas como independientes, ese circuito lineal puede ser
caracterizado mediante cuatro tipo de parámetros ({Z}, {Y}, {H}, {G}), que en notación
matricial, se expresan de la siguiente manera
 17

Los parámetros {H} o h o híbridos son los que mejor caracterizan el comportamiento lineal de
pequeña señal de un transistor bipolar. Estos parámetros relacionan la V1 e I2 con la I1 y V2

mediante la siguiente ecuación

El modelo circuital en parámetros h de un circuito lineal se indica en la figura 2.2.

 18

2.3.- Análisis de un circuito empleando parámetros {H}

Un circuito lineal, por ejemplo un transistor actuando como amplificador, puede ser analizado
estudiando su comportamiento cuando se excita con una fuente de señal externa VS con una
impedancia interna RS y sé AÑADE una carga ZL, tal como se indica en la figura 2.3. El
circuito lineal puede ser sustituido por su modelo equivalente en parámetros {H} (figura 2.2)
resultando el circuito de la figura 2.4. Existen cuatro parámetros importantes que van a
caracterizar completamente el circuito completo: ganancia en corriente, impedancia de entrada,
ganancia en tensión e impedancia de salida.

• Ganancia de corriente. Se define la ganancia de corriente de un circuito, AI, como la

relación entre la intensidad de salida e intensidad de entrada, es decir,
 19

Este cociente se obtiene resolviendo las siguientes ecuaciones extraídas del circuito de la figura
2.4,

Despejando, se obtiene que

• Impedancia de entrada. Se define la impedancia de entrada del circuito, Zi, como la relación
entre la tensión y corriente de entrada. Resolviendo el circuito de entrada se demuestra que

• Ganancia de tensión. Se define la ganancia en tensión, AV, como la relación entre la tensión
de salida y la tensión de entrada. Como se demuestra a continuación, la AV se puede expresar
en función de la AI y la Zi, de forma que
 20

• Impedancia de salida. Se define la impedancia de salida, Zo, vista a través del nudo de salida
del circuito lineal como la relación entre la tensión de salida y la corriente de salida, supuesto
anulado el generador de entrada y en ausencia de carga (ZL= ). Se demuestra que

Nótese que la Zo depende de la resistencia RS de entrada. La impedancia de salida “vista”

desde el nudo de salida es Zo||ZL.
Estos cuatro parámetros permiten definir dos modelos simplificados muy utilizados en al
análisis de
amplificadores: modelo equivalente en tensión y modelo equivalente en intensidad. El modelo
equivalente en tensión (figura 2.5.a) utiliza el equivalente Thevenin en la salida y el de
intensidad (figura 2.5.b) el Norton. Ambos modelos son equivalentes y están relacionados por
la ecuación 2.8.

La resistencia RS de la fuente de entrada influye en las expresiones de las ganancias de tensión

o intensidad cuando se refieren a la fuente de excitación de entrada. En la figura 2.5.a, la
ganancia de tensión referida a la fuente VS, AVS, se obtiene analizando el divisor de tensión de
la entrada formado por RS y Zi, resultando
 21

De la misma manera, la ganancia de intensidad referida a la fuente IS (figura 2.5.b), AIS, se

obtiene
analizando el divisor de corriente de entrada formado por RS y Zi, resultando

2.4.- Modelo híbrido {H} de un transistor bipolar

En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y tensiones:

continua y alterna.
La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de trabajo localizado en la
región lineal. Este punto esta definido por tres parámetros: ICQ, IBQ y VCEQ. La componente
en alterna o AC, generalmente de pequeña señal, introduce pequeñas variaciones en las
corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del punto de trabajo. Por
consiguiente, si se aplica el principio de superposición, la IC, IB y VCE del transistor tiene dos
componentes: una continua y otra alterna, de forma que

donde ICQ, IBQ y VCEQ son componentes DC, e ic, ib y vce son componentes en alterna,
verificando que ic<< ICQ, ib << IBQ y vce << VCEQ.
 22

El transistor para las componentes en alterna se comporta como un circuito lineal que puede ser
caracterizado por el modelo híbrido o modelo de parámetros {H}. De los cuatro posibles
parámetros descritos en las ecuaciones 2.1, los h son los que mejor modelan al transistor porque
relacionan las corrientes de entrada con las de salida, y no hay que olvidar que un transistor
bipolar es un dispositivo controlado por intensidad. Los parámetros h de un transistor, que se
van a definir a continuación, se obtienen analizando su comportamiento a variaciones
increméntales en las corrientes (ib,ic) y tensiones (vbe,vce) en sus terminales. En la figura 2.6.a
se muestran las ecuaciones del modelo híbrido cuando el transistor esta operando con el emisor
como terminal común al colector y la base (configuración emisor-común o EC). El modelo
híbrido de pequeña señal en E-C de un transistor NPN y PNP se indican en las figuras 2.6.b y
2.6.c respectivamente. Ambos modelos son equivalentes y únicamente difieren en el sentido de
las corrientes y tensiones para dar coherencia al sentido de esas mismas corrientes y tensiones
en continua. Las expresiones de ganancia en corriente, ganancia en tensión, impedancia de
entrada e impedancia de salida correspondientes a las ecuaciones 2.6, 2.7, 2.8 y 2.9 son
idénticas para ambos transistores como se puede comprobar fácilmente. En la figura 2.7, se
definen de una manera grafica los cuatro parámetros h extraídos a partir de las características
eléctricas de un transistor NPN
 23

La definición grafica de hfe se encuentra en la figura 2.7.a. Valor típico hfe=200.

 24

La definición grafica de hre se encuentra en la figura 2.7.d. Valor típico

hre=3•10-4

Los parámetros {H} varían de un transistor a otro. Pero además, en cada

transistor varían principalmente con la corriente de colector y con la temperatura.
En la figura 2.8 se muestran dos graficas normalizadas para un transistor PNP: la
primera (figura 2.8.a) indica el porcentaje de variación de los parámetros h
respecto a los parámetros medidos con una IC=-1.0mA y VCE=-5V, y la segunda
grafica (figura 2.8.b) indica su porcentaje de variación respecto a los medidos a la
temperatura a 25ºC. El fabricante suele proporcionar graficas que relacionan estos
parámetros con la IC a diferentes temperaturas.
 25

CURVAS NORMALIZADAS PARA UN TRANSISTOR NPN

Los parámetros h que aparece en las hojas de características de los transistores

únicamente están referidos a la configuración emisor común (E-C. Cuando el
transistor opera en base-común (B-C) o colector-común (C-C), es preciso utilizar
los parámetros {H} correspondientes a su configuración. La conversión de los
parámetros {H} en E-C a B-C o C-C se realiza mediante la relación de ecuaciones
mostrada en la tabla 2.1.a; la tabla 2.1.b indica los valores típicos para cada una
de las configuraciones. La anterior conversión define tres modelos diferentes en
parámetros {H} en función de la configuración con que opera el transistor, es
decir, en función del terminal común a la entrada y salida del amplificador. De
una manera grafica, la figura 2.9 refleja los modelos utilizados para un transistor
en E-C, B-C y C-C.
26
27
 28

2.5.- Análisis de un amplificador básico

El análisis de un amplificador tiene como objetivo obtener su modelo equivalente en tensión o
intensidad para lo cual es preciso determinar su impedancia de entrada, impedancia de salida y
ganancia de tensión o intensidad.

Para ello, es necesario en primer lugar obtener su circuito equivalente de alterna del
amplificador y, posteriormente, sustituir el transistor por alguno de las tres posibles modelos en
parámetros {H} indicados en la figura 2.9 en función de la configuración del transistor. El
circuito resultante se adapta en la mayoría de los casos a los circuitos indicados en la Tabla 2.2.
Esta tabla proporciona en formato tabular las características del amplificador para diferentes
aproximaciones (despreciando o no ho y hr) y simplifica su resolución a una simple sustitución
de los valores. Nótese que estas formulas son independientes de la configuración, y por
consiguiente, son validas para E-C, B-C y CC. En la figura 2.10 se indican las ecuaciones para
la configuración emisor-común con resistencia de emisor por no adaptarse a las ecuaciones de
la anterior tabla.

En la figura 2.11.a se presenta un ejemplo sencillo de análisis de un amplificador básico en

configuración EC.
 29

Para poder obtener las características amplificadoras de esta etapa es preciso realizar los
siguientes pasos.

Paso 1. Análisis DC

El fabricante proporciona a través de graficas el valor de los parámetros {H} en función de la

intensidad de colector; si se conoce el valor de estos parámetros no es necesario realizar este
paso. La IC se calcula a partir del circuito equivalente DC. Este circuito es el resultado de
eliminar (circuito abierto) los condensadores externos y anular las fuentes de alterna (fuentes de
tensión se cortocircuitan y de corriente se dejan en circuito abierto). La figura 2.11.b muestra el
circuito obtenido al aplicar estas transformaciones que permite calcular la IC y, por
consiguiente, los parámetros {H} del transistor.

Paso 2. Análisis AC

En primer lugar se obtiene el circuito equivalente en alterna cortocircuitando los condensadores

externos (se supone que el amplificador trabaja a frecuencias medias) y anulando las fuentes de
continua (fuentes de tensión se cortocircuitan y de corriente se dejan en circuito abierto). En la
figura 2.11.c se presenta el circuito resultante en alterna. Es en este momento cuando el
transistor se sustituye por su modelo equivalente en parámetros {H} en función de su
configuración. Si opera en E-C se utiliza directamente los parámetros proporcionado por el
fabricante. En el caso de B-C y C-C se realiza las transformaciones indicadas en la tabla 2.1. La
en configuración E-C. En el análisis de este circuito se utilizara las ecuaciones contenidas en la
 30

tabla 2.2. A continuación se realiza difere figura 2.11.d es el resultado de aplicar las anteriores
indicaciones dado que el transistor opera ntes aproximaciones que permitan comparar los
resultados y estudiar el grado de precisión.

• Aproximación 1.. Se desprecian los parámetros Ho y hre, es decir, hoe=hre=0. Con esta
aproximación a la entrada se tiene RB||hie~hie. El circuito resultante se muestra en la figura
2.12. Este circuito se adapta al indicado en la tabla 2.2.a y las ecuaciones que deben ser
utilizadas corresponden a la columna especificada por hoe=hre=0. El resultado es

• Aproximación 2.. Se desprecia el parámetro hre, (hre=0) y se mantiene la aproximación

anterior RB||hie~hie. El circuito es idéntico al de la figura 2.12 incluyendo hoe. En este caso
 31

deben ser utilizadas las ecuaciones de la tabla 2.2.a correspondientes a la columna hre=0. Las
ecuaciones son
algo más complejas que en la aproximación 1.

• Sin aproximación.. En este caso se analiza el circuito completo de la figura 2.11.d donde se
tienen en cuenta todos los parámetros sin ningún tipo de aproximación. Las ecuaciones que
deben ser utilizadas corresponden a la columna de la derecha de la tabla 2.2.b. Evidentemente,
estas ecuaciones resultan ser mucho mas complejas que en los dos casos anteriores.

La tabla 2.3 resume los resultados numéricos obtenidos al analizar el circuito de la figura 2.11.a
utilizando las diferentes aproximaciones. Se observa que la aproximación 2 se acerca bastante
al resultado del circuito completo sin la necesidad de las ecuaciones complejas de este ultimo.
El error cometido en la aproximación 1 puede ser demasiado elevado para muchas aplicaciones.
Como conclusión, una buena aproximación en el análisis de amplificadores en E-C es
despreciar el parámetro hre (aproximación 2) resultando un modelo que combina sencillez con
precisión. Esta conclusión no tiene que ser extrapolable a otras configuraciones.

Por ultimo, las características de un amplificador básico dependen de la configuración con que
opera el transistor. Conocer los valores típicos de una configuración son muy útiles a la hora de
seleccionar una etapa para una aplicación concreta. La tabla 2.4 resume lo que se puede esperar
de cada uno de los amplificadores básicos mas utilizados. Así, el E-C presenta ganancias de
tensión y de corriente elevadas con impedancias de entrada y salida medias. Al añadir una
resistencia de emisor al E-C se aumenta la impedancia de entrada a costa de reducir la ganancia
en tensión, manteniendo la ganancia en corriente. La B-C presenta una impedancia de entrada
 32

muy baja y con una ganancia en corriente ligeramente inferior a 1. La C-C tiene una
impedancia de salida baja con una ganancia en tensión ligeramente inferior a 1.

2.6. Ganancia de tensión en la configuración de emisor común.

Una vez ajustado el punto de funcionamiento se pasa a analizar el comportamiento dinámico
del circuito, es decir su comportamiento como amplificador de señales variables que atacan su
entrada, que suministra el generador Vg con resistencia interna Rg. Se inicia el análisis a
frecuencias medias, es decir a aquellas en que los condensadores que encuentra en serie la
señal, Ci y CS, tienen una impedancia despreciable frente a las impedancias que tienen en serie.
Aplicando el modelo de los parámetros híbridos, figura 5.9:

(1)- Afín de no complicarse con procesos de calculo engorrosos y que poco aportarían al
conocimiento de estos amplificadores, no se va a plantear el cálculo explícito de cual ha de ser el
punto idóneo de funcionamiento del BJT.

Donde Rb es la resistencia equivalente del paralelo de R1 y R2.

En primer lugar se ha de simplificar el circuito de la figura 5.9 ya que el parámetro hre tiene un
valor muy pequeño y por tanto se puede considerar que su contribución es despreciable.
Igualmente dado que habitualmente la resistencia (1/hoe) es mucho mayor que RC se la puede
ignorar. Por tanto el circuito simplificado será el de la figura 5.10:

Las señales de entrada y salida serán:

 33

La ganancia de tensión:

De la ecuación de conducción del diodo base-emisor:

y de la definición del parámetro hie:

Por tanto la ganancia de tensión del amplificador será:

Tomando como primera aproximación de iE el valor de la corriente de emisor en el punto de

funcionamiento en continua IEQ, se encuentra que el valor numérico resultante de la ganancia
en tensión del amplificador es muy elevado. Para este caso, según se vio, VT toma el valor de
25,86 mV a temperatura ambiente (37ºC). La corriente de emisor del punto de funcionamiento
es de 2 mA y el paralelo de RC y Rl es 1k67, ya que Rl = 10 kΩ. El resultado es una ganancia
de tensión de 129, un valor muy elevado, y que como se verá posteriormente se ha de modificar
a la baja para paliar ciertos problemas.

2.6.1 Impedancia de entrada y de salida en la configuración de emisor

común.

La impedancia de entrada, Ze, es la resistencia equivalente del paralelo de Rb y hie, donde

normalmente Ze = hie ya que Rb suele ser mucho mayor que hie.

La impedancia de salida, ZS, esta definida por el paralelo de Ro y RC, donde Ro = 1 /hoe,
habitualmente se aproximará Zs por RC, ya que Ro > RC, Ro > 100 kΩ.

2.6.2 Ajustes de mejora en la configuración de emisor común.

 34

En la expresión (5-13) de la ganancia de tensión de la configuración de emisor

común con la resistencia de emisor desacoplada, se ve que esta es función de la
corriente instantánea de emisor. Este hecho es la causa de que la señal de salida
en la resistencia de carga esté distorsionada, una simple simulación con PsPice
permite ver la distorsión de la señal de salida, que habrá que corregir. El método
para corregir el problema es desacoplar parcialmente la resistencia de emisor, es
decir cambiar la resistencia de emisor por la conexión en serie de dos resistencias,
tal que la suma del valor de ambas siga siendo el mismo de antes, 1 kΩ, y que
solo se desacopla una de estas dos resistencias de emisor, ver el circuito de la
figura 5.11.

Aceptando que se sigue cumpliendo que Ro >> Rc, Ro = 1 / hoe, el circuito

resultante para alterna a frecuencias medias es el de la figura 5.12, del cual es
fácil obtener la nueva ganancia de tensión:
 35

Teniendo en cuenta la expresión (5-12):

La resistencia dinámica del diodo base-emisor, rd, es en este caso del orden de 13 Ω, bastará
por tanto tomar como valores de Re1 y Re2 180 Ω y 820 Ω respectivamente, Re1+ Re2 = 1 kΩ,
para que Re1 sea más de diez veces rd,, la expresión (5-15) se simplifica para dar:

La nueva expresión de la ganancia de tensión del amplificador da un valor de 8,7, valor mucho
menor que el que se deducía de la expresión (5-13) pero en el que la dependencia de AV de la
corriente instantánea de emisor se puede considerar despreciable. Prácticamente se ha
eliminado la causa de la distorsión en la señal a la salida del amplificador. Una simple
comprobación con el simulador PsPice lo puede corroborar.
Otro aspecto ha considerar en la modificación que se ha introducido en el amplificador es que
se ha modificado la impedancia de entrada del mismo. Para obtener la expresión de la
impedancia de entrada se recurrirá al circuito de la figura 5.12, ligeramente modificado para
hacer más comprensible como se puede obtener la impedancia de entrada, figura 5.13.
 36

La impedancia de entrada del amplificador, Ze, será el cociente de la tensión de entrada ve, y de
la corriente de entrada, ie.

O lo que es lo mismo, la impedancia que hay desde el nodo de base, B, hasta tierra. Esta
impedancia es el paralelo de la impedancia que presenta la rama en la que está Rb y la otra rama
por la que se puede ir de B a tierra, por la impedancia hie. Llamando Zx a la impedancia de esta
segunda rama, la impedancia de entrada será:

(I)- En toda la demostración previa se tomado como 1 el valor del parámetro h

La última expresión es la que se usará cuando se indique el paralelo de dos resistencias.

Para calcular Ze solo falta obtener Zx, ya que Rb es el paralelo de R1 y R2 (R1 || R2).
Para calcular Zx se usará la expresión:

Sustituyendo Zx en (5-17) se obtiene lo que se denomina expresión general de la impedancia de

entrada de un amplificador en emisor común:

2.6.3 La configuración de colector común.

La figura 5.14 muestra la clásica configuración del BJT en colector común polarizado por
divisor de tensión en base. A su derecha, el circuito equivalente basado en los parámetros
híbridos, pero para mayor simplicidad de la configuración de emisor común.
 37

Del circuito equivalente se deduce que a frecuencias medias, donde se puede obviar el
efecto de los condensadores de paso y de las capacidades de las uniones, la ganancia de
tensión será:

Las expresiones de la impedancia de entrada y de salida se deducen fácilmente del circuito

equivalente, y serán:

Todas las expresiones se han obtenido sin tener en cuenta la resistencia interna del generador
de tensión, Rg, del cual se recoge la señal de entrada, Ve, ni la resistencia de carga Rl. La
obtención de la expresión (5-24) se deja como ejercicio al alumno.

5.6.4. La configuración de base común.

De la estructura básica del BJT en la configuración de emisor común se pasa a la configuración

de base común desacoplando a tierra el terminal de base y seleccionando como terminal de
entrada el emisor y de salida el colector. En la figura 5.15 se ve esta configuración, así como
su circuito equivalente basado en los parámetros híbridos de la configuración de base común.
 38

Dado hib es la resistencia dinámica del diodo emisor-base, esta será mucho más pequeña
que Re, por tanto:

Donde: hib = rd (resistencia dinámica del diodo emisor-base), hfb = a’ y (1/hoe) >> RC.
 39

ANÁLISIS DEL TRANSISTOR CON PARÁMETROS π

TRANSISTORES BIPOLARES: AMPLIFICACIÓN (EC, BC, CC)

1. OBJETIVO.
2.
Es que el alumno diseñe y construya un circuito de polarización de un transistor y que realice y
mida sobre él los cuatro tipos posibles de conexiones amplificadoras.

2. INTRODUCCION TEORICA.
Para lograr el objetivo anterior, y dada la diferente base teórica de los alumnos que cursan la
asignatura, en función de sus currícula personales, se presenta a continuación una serie de
párrafos. Dichos párrafos cubren, en forma somera, desde el modelo físico de pequeña señal
hasta la utilización del transistor bipolar polarizado como cuadripolo en pequeña señal. Se
pretende que al final de la lectura de esta introducción el alumno sepa relacionar los parámetros
físicos y de circuito de los transistores bipolares, de modo que pueda realizar cálculos sobre las
características, en pequeña señal, de los posibles circuitos de amplificación de una etapa. Es
evidente que si el alumno los conoce por haberlos estudiado en asignaturas (Electrónica Básica,
Introducción al Análisis de Circuitos) previas -es decir, entiende y sabe el origen de las
expresiones recuadradas en fondo gris -puede omitir su estudio, aunque es recomendable que,
al menos, los lea al objeto de conocer y unificar la nomenclatura.

Se comienza, en el Apartado 2..1, recordando el modelo de híbrido en π o de Giacoletto, que

describe el comportamiento de un transistor polarizado en zona activa para pequeñas
excursiones de tensiones y corrientes en el entorno del punto de polarización (pequeña señal).
Se obtiene a partir del desarrollo en serie de las ecuaciones generales (con funciones
transcendentes, tales como la exponencial, etc…) que relacionan las tensiones y corrientes en
los terminales del transistor y quedándose con el término de continua y la primera derivada.

En el apartado siguiente (2.2) se describe el comportamiento en pequeña señal del transistor

como cuadripolo (es decir una red lineal de dos puertas) y la relación de los parámetros que lo
describen con el modelo anterior.

En el tercer apartado (2.3) se indica como estimar los parámetros anteriores con los datos del
fabricante y como dependen del punto de polarización elegido.
Por último (2.4) se describen las cuatro configuraciones posibles de amplificación de
un transistor bipolar en activa.

2.1. Modelo π o de Giacoletto.

 40

El modelo híbrido es un modelo empírico obtenido a través de la teoría de redes

bipuerta. El transistor es tratado como caja “caja negra” y se modela a través de
cuatro parámetros obtenidos experimentalmente al aplicar componentes de
pequeña señal y analizando su comportamiento. El modelo π o de Giacoletto
simplificado, mostrado en la figura 2.16, es un modelo analítico mas relacionado
con la física del funcionamiento de los transistores y se obtiene a partir de sus
ecuaciones analíticas. Este modelo de pequeña señal es utilizado por SPICE.
Ambos modelos son muy similares y su principal diferencia se encuentra en el
origen de su definición.

La relación entre los parámetros de modelo híbrido y π se indican en las

ecuaciones de la figura 2.16. Los condensadores Cπ y Cμ, que limitan la
frecuencia máxima de operación del transistor, únicamente tienen efecto a alta
frecuencia y a frecuencias medias y bajas se desprecian.

COMENZAREMOS SU ANÁLISIS

Suponemos que conoce por teoría los valores de los elementos del circuito equivalente
en π y cómo se obtienen partir de las condiciones de polarización del transistor.

El circuito sería el de la Fig. 4.1.

 41

0 más genéricamente

Se advierte, no obstante, al alumno que los valores de los distintos elementos de circuito que
aparecen en el modelo híbrido en π dependen no sólo de las condiciones de polarización, sino
también del transistor concreto, variando, para el mismo punto de polarización, al cambiar el
transistor. Si conociésemos los valores del modelo híbrido en π en un punto de polarización y
variásemos dicho punto podríamos aproximar los nuevos valores de la siguiente manera:
 42

Dicho circuito admite diversas simplificaciones, útiles para la realización de cálculos, en

función de la frecuencia de utilización del transistor. En concreto:

2.1.1. Bajas frecuencias.

Los condensadores tienen una impedancia mucho mayor que las resistencias con las que están en
paralelo, por lo que queda:

Si, además, la ganancia de tensión de la etapa es moderada, se puede suponer rμ = ∞,,

con lo que quedaría el circuito de la Fig.. 4.4:
 43

El modelo de la Fig. 4.3 es aplicable hasta una frecuencia menor (de 5 a 10 veces) a

2.1.2. Frecuencias medias.

La impedancia de C μ es menor que la de r μ , pero la de Cπ es comparable o incluso menor que rπ,

(Fig. 4.5).

El modelo es, en general, válido hasta frecuencias menores que la de transición de la β,

es decir:
 44

2.1.3. Frecuencias altas.

Las impedancias de las resistencias son mayores que las de los condensadores en paralelo por lo
que el circuito equivalente queda (Fig. 4.6)

El modelo empieza a fallar cuando la frecuencia es tal que debe empezar a considerarse el
conjunto rbb´ , cπ ,cμ como una línea de transmisión, en lugar de como una red de parámetros
localizados. Esto ocurre a una frecuencia

En cualquiera de los tres modelos, siempre que la ganancia de tensión de la etapa sea
pequeña, se podrá considerar rμ = ∞,Cμ = 0.
 45

2.2. Modelo de cuadripolo de un transistor bipolar en pequeña señal.

Como el alumno debe conocer, un cuadripolo es un circuito lineal (resistencias,

condensadores y/o bobinas y generadores independientes o dependientes, pero
linealmente de alguna tensión o corriente) con dos puertas. Si se consideran las
corrientes y tensiones en las puertas (4 variables), nos encontramos con que sólo dos
pueden ser independientes, quedando las otras dos fijadas por el circuito. La forma de
expresar las relaciones es mediante un par de ecuaciones lineales que constituyen un
sistema o en forma matricial.

Si se toman como variables independientes las tensiones a la entrada y salida, se

obtienen unos coeficientes llamados parámetros admitancia ( Y ) que permiten obtener
las corrientes. Si fueran las corrientes las que eligiéramos como independientes los
coeficientes serían los parámetros impedancia ( Z ).y obtendríamos las tensiones en la
entrada y la salida.

Es costumbre entre los fabricantes de dispositivos de baja frecuencia, tomar como

independientes la corriente de entrada y la tensión de salida, dando lugar a que los
parámetros resultantes sean los llamados parámetros híbridos ( h ), que quedarían
como:

Obsérvese que las ecuaciones 4.4 son las que cumpliría un circuito como el que sigue:
 46

Figura 4. 8
Donde h11 tiene dimensiones de impedancia (Ω), h12 es adimensional, h21 es adimensional
-1
y h22 tiene dimensiones de admitancia (Ω ).

El IEEE recomienda sustituir, en el caso de un transistor, los subíndices de la siguiente

manera:

• Se colocará una primera letra que identificará el parámetro ( 11→i, 12→r ,21→f,
22→o) .
• Se colocará una segunda letra que identificará el montaje como amplificador que se
caracteriza: (e→ Emisor común, b→ Base común, c→ Colector común).

Por lo tanto, en el caso de emisor común la expresión sería:

En el caso de base común sería:

En general, en el cálculo se suelen utilizar, para cualquier montaje, los parámetros de emisor común
 47

La relación de los parámetros h con los del modelo híbrido en π será:

En general, para cualquier frecuencia ser cumple que Zπ « Zμ, por lo que quedaría

Si trabajásemos en baja frecuencia se cumple que gm Zμ » 1, por lo que

Si además ω « ωβ , entonces hfe ≈ β, y

A partir de la definición de parámetros h, puede verse que, si la ganancia de tensión es moderada,

el término hre vce será mucho menor que hie ib, por lo que podrá despreciarse. (Ganancia de tensión
= vce/vbe).
 48

2.3. Estimación de los valores de circuitos a partir de los datos del fabricante

En general el fabricante da los parámetros h típicos de un transistor medio de la

serie, medidos a 1 KHz así como su variación con la corriente de colector y la
tensión colector-emisor.

También proporciona la variación típica de β (hFE) y de f T con Ic , así como las

capacidades CCBO (colector-base con emisor abierto) y CEBO (emisor-base con
colector abierto).

Los datos, evidentemente, sólo son válidos para un transistor típico, que poco o
nada tendrá que ver con el real. Sin embargo le permitirán ver los órdenes de
magnitud de componentes del modelo híbrido en π de cara a estudiar su variación
con la frecuencia, previamente a hacer la aproximación pertinente.

Los datos más importantes son CCBO, CEBO , y fT(Ic), así como hre y hoe, pues
le permitirán calcular

Como se puede observar, β, que está indeterminada entre amplios márgenes,

aparece directa o indirectamente en todos los parámetros.

No obstante lo anterior, podrá calcular órdenes de magnitud relativos de todos los

parámetros y eliminar aquellos cuyo efecto sea despreciable. Para ello, en general
 49

deberá situarse en las condiciones extremas, es decír βmin, fT min, hre max,, hoe
max, rbb´max y lo mismo para βmax.

En general, podrá concluir que:

Montajes básicos. Realización práctica.

En el caso de diseño de un amplificador de un sólo transistor se parte, en general,

del circuito de polarización con cuatro resistencias descrito y medido en la
práctica anterior. La elección de resistencias se hace de modo que:

• El punto de trabajo quede en zona activa, suficientemente alejado de

corte o saturación como para que no exista distorsión de la señal por corte o
saturación. Es decir que el margen dinámico de salida sea mayor que la
tensión pico-pico máxima de la señal a obtener (Figs. 4.9 y 4.10).

• Las impedancias de entrada y salida cumplan las especificaciones que

deba de tener el amplificador.
50
 51

En las fórmulas que siguen se han considerado las siguientes definiciones para pequeña señal:

• Impedancia de entrada: Cociente entre la tensión existente en la entrada y la corriente

absorbida por la misma, incluyendo redes de polarización, con la salida en circuito abierto.

• Ganancia de tensión: Cociente entre la tensión de salida en circuito abierto, y la de

entrada, supuesto atacada por un generador de tensión.

• Impedancia de salida: Impedancia interna del generador equivalente que se ve desde la

salida del amplificador cuando la entrada es un generador de corriente ideal. Nótese que esta
definición no es la convencional en electrónica, en la que se considera que la entrada está
atacada por un generador de tensión ideal. Para obtener la expresión clásica debe de hacerse
igual a cero la resistencia de polarización de la entrada.
 52

• Ganancia de corriente: Cociente entre la corriente de salida, supuesta cortocircuitada

ésta, y la de entrada cuando es atacada por un generador de tensión.

Cuando las fórmulas exactas se aproximen se deberá cumplir, en general que: hre hfe « 1, hoe
hie « 1
y hoe (R e+R c) « 1 .

Lo anterior es equivalente a decir que las aproximaxiones hechas son válidas para ganancias de
tensión moderadas (hasta 100) y frecuencias bajas.

Los montajes básicos serían:

2.4.1. Emisor común

En la Fig 4.9 se ve un transistor n-p-n montado como amplificador en emisor común. Se supone
que a la frecuencia de utilización la impedancia de CE es mucho menor que RE y que hie/β.
Los condensadores CB y CC se supone que presentan una impedancia despreciable a esa
frecuencia.

El alumno podrá demostrar fácilmente que:

• La ganancia de tensión de la etapa, será:

 53

La salida máxima sin distorsión (Margen dinámico de salida) vendría dado por el doble del
valor más pequeño de VCEQ - VCE sat o ICEQ Rc donde la primera limitación sería por corte
y la segunda por saturación (Ver figuras 4.7 y 4.8). Es decir:

Como características generales de este montaje se puede decir que tiene:

• Ganancia de tensión grande.

• Impedancia de entrada media.
• Impedancia de salida media.
 54

• Ganancia de corriente grande.

2.4.2. Base común.

En la Fig. 4.10 se ve un transistor n-p-n montado como amplificador en base común. Se supone
que, a la frecuencia de utilización, la impedancia de CB es mucho menor que (RB1 //RB2 ) y
que hie + (1 + hfe )RE. Los condensadores CE y CB presentan impedancias despreciables.

Puede demostrarse fácilmente que:

• La ganancia en tensión es:

 55

Como características generales de este montaje puede decirse que tiene:

• Ganancia de tensión grande.

• Impedancia de entrada baja.
• Impedancia de salida moderada-alta.
• Ganancia de corriente casi unidad.

Si se estudiase la variación de estos parámetros con la frecuencia se vería que

responde mejor que cualquier otro a alta frecuencia.
 56

2.4.3. Colector-común.

En la Fig. 4.11 se ve un transistor n-p-n montado como amplificador en colector común.

Normalmente se suprimen CC y RC y en cualquier caso supondremos que las impedancias de
los condensadores de acoplo son despreciables.

Se puede, al igual que anteriormente, demostrar que:

• La ganancia en tensión es:

 57

Como características generales, puede verse que tiene:

• Ganancia de tensión unidad.

• Alta impedancia de entrada.
• Baja impedancia de salida.
• Gran ganancia de corriente.

En alta frecuencia, donde hre es de tipo capacitivo y llega a ser grande, puede
deducirse, a partir de las ecuaciones anteriores, que la impedancia de entrada
puede tener una parte reactiva de tipo inductivo.

2.4.4. Emisor común con resistencia sin desacoplar en

emisor.
 58

El circuito puede verse en la Fig. 4.14. Los condensadores de acoplo se consideran de

impedancia despreciable.

En esas condiciones.

• La impedancia de entrada es: Z in =R 1//R B donde

 59

Se ve pues, que sería un montaje con:

• Gran impedancia de entrada.

• Ganancia de tensión moderada-baja.
• Impedancia de salida media.
• Ganancia de corriente media.
 60

3. DISEÑO.

Para realizar el diseño de un amplificador de un solo transistor se deberá:

1. Elegir un tipo de montaje E.C., B.C., etc. en función de los parámetros del
amplificador a diseñar, así como del transistor.

2. A partir de las impedancias de entrada y salida, la ganancia de tensión y el

margen dinámico se escogen los valores de los parámetros críticos
(Generalmente la resistencia equivalente de base R B y la de colector Rc
así como la tensión colector-emísor y la corriente de colector).

3. Se realiza un primer cálculo del amplificador resultante considerando

hre=0 , hfe =β , hie = rbb´+ KTβ/qIC, hoe = 0. Si se alejase demasiado
de las especificaciones habrá que volver al punto 2º, variando el parámetro
correspondiente. Si cumpliese las especificaciones dentro de las tolerancias
fijadas se puede pasar al punto 4º.

4. Se fija la resistencia de emisor, que determinará IC y se calculan los

parámetros h a partir del punto de polarización y las características dadas
por el fabricante. Se seguirá el procedimiento de obtención explicado
anteriormente.

5. Se realiza un estudio con los parámetros h reales, considerando sus valores

deducidos, en función del margen de frecuencias en que se tenga que
trabajar. Si en alguna gama de frecuencias no cumpliese especificaciones
habría que, o variar su punto de trabajo o cambiar de transistor.
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PROBLEMAS, DE APLICACION
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