CUESTIONARIO INFORME PREVIO 4

1. Haga una introducción teórica de los BJT, Mosfet, Igbt (de potencia)

BJT:

El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,
lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta forma quedan formadas
tres regiones:

-Emisor : Está fuertemente dopada, comporta como un metal.

-Base : La intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
-Colector : De extensión mucho mayor.

El Transistor de Potencia

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los

transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

 Bipolar.
 Unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
  IGBT.

Parámetros MOS Bipolar

Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)
Resistencia ON (saturación) Media / alta Baja
Resistencia OFF (corte) Alta Alta
Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)
Máxima temperatura de operación Alta (200ºC) Media (150ºC)
Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)
Coste Alto Medio

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los

transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace
instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales
de estos retardos son las capacitancias asociadas a las uniones colector - base y base –
emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.

Con el desarrollo tecnológico y la evolución de la electrónica, la capacidad de los

dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los
transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores
y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está
basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

MOSFET:

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente, la totalidad de
los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el

que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por
una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales
dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Las áreas de difusión se denominan fuente y drenador, y el conductor entre ellos es la
puerta.

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte:

Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado

de no conducción; ninguna corriente fluye entre fuente y drenador, aunque se aplique
una diferencia de potencial entre ambos.

Conducción lineal:

Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea
una región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión
crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en
pMOS) en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción. El
transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de
potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta
como una resistencia controlada por la tensión de puerta.

Saturación:
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción
bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La
corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico
entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.

Ventajas

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y
c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:

 Consumo en modo estático muy bajo.

 Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media
micra).
 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
 Funcionamiento por tensión.
 Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de
superficie que conlleva
IGBT:

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.

Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de

efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del
transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del
IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son
como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular
en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricos y
convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que
seamos particularmente concientes de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión,
barco, ascensor, electrodoméstico, televisión, domotica, etc.

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 KHz y ha sustituido

al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de alta y media energía como
fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes
módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden
manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de
6.000 voltios.

Se puede concebir el IGBT como un darlington hibrido. Tiene la capacidad de manejo

de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en
conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden
ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los
tiristores y los mosfet. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que
ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de

control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

1) Indique el modelo equivalente de los BJT, MOSFET, IGBT.

BJT:

MOSFET:
 IGBT:

2. Indique el modelo equivalente de los BJT, MOSFET, IGBT.

Modelo equivalente de transistor BJT:

Por ejemplo en un transistor NPN bajo operación de gran señal en cd, la ecuación que
relaciona las corrientes es:

Es decir, la corriente de base es la corriente de entrada y la corriente de colector es la

corriente de salida, la relación entre la corriente del colector y la corriente de base
, se le conoce como ganancia de corriente .

La corriente de colector tiene dos componentes una debida a la corriente de base y otra
debida a la corriente de fuga de la unión colector base.
Modelo equivalente del transistor MOSFET:

Modelo equivalente del transistor IGBT.

3. Llenar la tabla 1 de comparación de las características de los dispositivos de

potencia.

4. Indique algunas aplicaciones de estos transistores.

Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

a. Resistencia controlada por tensión.

b. Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.)
c. Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

5. Haga una introducción teórica de los convertidores DC-DC las 3 topologías

básicas REDUCTOR (BUCK), ELEVADOR (BOOST) y REDUCTOR –
ELEVADOR (BUCK-BOOST).
Los convertidores continua – continua son ampliamente utilizados en las aplicaciones
que requieren un abastecimiento de potencia en régimen de corriente continua, por lo
tanto su uso está muy extendido en trabajos con motores DC.

Este tipo de convertidores suelen estar conectados a una red que ofrece una
tensión continua no regulada obtenida de la rectificación, esta tensión, que se
convertirá en la tensión de entrada al convertidor, puede fluctuar (oscilar) debido a la
naturaleza senoidal de la tensión rectificada.

Por consiguiente los convertidores Continua-Continua son utilizados para convertir una
tensión de entrada no regulada en una salida controlada de corriente continua donde se
controlará el valor medio de tensión a la salida del convertidor. A modo de resumen, el
diagrama de bloques del conjunto rectificador-convertidor es:

Convertidor Reductor. Step-Down (Buck) converter

Tal como indica su nombre, un convertidor reductor produce un menor valor medio de
tensión a la salida en comparación con la tensión continua de entrada (Vd). La principal
aplicación de este tipo de convertidores se da en fuentes de potencia reguladas y
en controles de velocidad en motores de corriente continua.

Conceptualmente el siguiente circuito constituye un convertidor reductor para una carga

resistiva pura.

Convertidor Elevador. Step-Up (Boost) converter

Sus principales aplicaciones se dan en regulación de suministros de potencia en

corriente continua y en el frenado de motores de corriente continua. Cuando el
semiconductor-Interruptor se encuentra en esta ON, el diodo se encontrará
polarizado de forma inversa, de esta manera se consigue aislar el módulo de
salida. La entrada suministra energía a la inductancia de entrada

Cuando el interruptor se encuentra en estado OFF, el módulo de salida recibe

energía del inductor, aunque de forma indirecta ésta proviene de la entrada

Convertidor Elevador-Reductor. Buck-Boost converter

Las principales aplicaciones de un convertidor elevador-reductor se dan en fuentes de

potencia continua reguladas, donde una polaridad negativa de salida puede ser útil para
referenciar un terminal común de la tensión de entrada y donde la tensión de salida
puede ser mayor o menor a la tensión de entrada.

Un convertidor elevador-reductor puede obtenerse mediante una conexión en

cascada de dos convertidores básicos: el convertidor elevador-reductor se podrá crear
mediante un convertidor reductor y un convertidor elevador. La topología básica
de este tipo de convertidores es la siguiente:

6. Diseñe un convertidor reductor (Back) operando en modo de conducción

continua. Fuente de entrada Vs = 12 V voltios, voltaje de salida en R (resistencia de
carga) Vo = 6 voltios (resistencia de carga) R = 30 Ohms, diseñar el convertidor
a una frecuencia de trabajo en 40 Khz.
Analizando el circuito, con L=200 uH y C=100uF, existen 2 tiempos de operación:

Modo 1: Sw : ON

Sabiendo que:

ciclo de trabajo

Modo 2: Sw: OFF

El siguiente diagrama explica el tiempo de conducción , en este tiempo la
bobina se cargara mediante la corriente suministrada por la fuente, de tal manera que
también la bobina inducirá una corriente que será descargada al condensador y la carga.
Cuando el Sw no conduce, entonces la corriente inducida de la bobina llegara al
condensador cargándolo mediante el diodo en conducción y generando una diferencia
de potencial en el condensador, luego este se descargar a la carga.

Luego igualando las expresiones de :

Simplificando:

Luego:
Luego: reemplazando los valores correspondientes:

= 0.38 A

reemplazando los valores correspondientes:

= 0.3745 A

En base a estos resultados:

Ya que
Simulaciones y forma de Onda:

Forma de Onda en el diodo -

Forma de Onda en el diodo -

Forma de Onda en la Carga -

Diseñe un convertidor elevador (boost) operando en modo de conducción continua,

considerando una fuente de entrada Vs = 12 voltios, un voltaje de salida en R de
Vo = 18 voltios, R de carga 1 K , diseñar el convertidor a una frecuencia de
trabajo de 40 Khz.
Ciclo de trabajo a 0.3.

Sabiendo que Vs = 12V y además que Vo = 18V, entonces sabemos que:

Entonces:

Por lo tanto el ciclo de trabajo o tiempo de conducción de MOSFET es:

aproximadamente

Ahora calculare la corriente media en la bobina, considerando que la potencia entregada

por la fuente debe ser igual a la potencia absorbida por la resistencia en la carga. La
potencia en la salida es:

, además la potencia en la entrada es , entonces igualando la

potencia de entrada y la potencia de salida se obtiene la corriente media en la bobina:

Entonces reemplazando lo valores correspondientes;

Las corrientes máximas y mínimas en la bobina se determinan usando el valor medio y

la variación de corriente:
Además hay que tener en consideración que para que la corriente en la bobina sea
permanente es necesario que sea positiva, por lo tanto conseguí esta expresión:

Entonces:

Reemplazando encontramos el valor de la inductancia mínima que seria utilizable para

este circuito.

Simulación:

Io = IR (I a través de la carga)
Vs Vo Is Io Io max Iomin d L
12 18 0.29A 0.12A 0.15A 0.12A 0.3 3mH

10. En el circuito de la Figura 3, volviendo con la resistencia R = 1000 ohms del

diseño. Variar D y llenar la tabla 6.

Vs Vo Iom Amp. R (Vo/Io) Relación de Ciclo de

Voltaje de Voltaje de Corriente de Resistencia de conversión trabajo
entrada (Vdc) salida (Vdc) salida medido salida (Ω) Vo/Vg (D)

12 60 0.062 A 967.74 5 0.8

12 30 0.124 A 241.9 2.5 0.6
12 24 0.155 A 154.8 2 0.5
12 20 0.186 A 107.5 1.6 0.4

Tabla 6. Valores medidos del Convertidor DC-DC elevador ( Boost )

Variando el ciclo de trabajo D.

11. Indicar sus graficas de VL, VD, VR

 La grafica de amarilla es la señal de la bobina y la grafica de rojo es la señal del
diodo

La grafica siguiente es para la forma de onda en la carga:

CONCLUSIONES:

Un convertidor DC/DC, es un circuito especial que permite cambiar el nivel de voltaje

que se tiene en la entrada por un voltaje menor o mayor en la salida

El voltaje obtenido en la salida depende del ciclo de trabajo o el tiempo de conducción

por parte del dispositivo conmutador.