UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA

ESCUELA ACADEMICA PROFESIONAL

DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

CURSO: LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA

CONVERTIDORES CD-CD LABORATORIO N0 4

"Las grandes ideas, son aquellas de las que lo único que nos sorprende, es que no se nos
haya ocurrido antes." CLARASO, NOEL

I.- OBJETIVO:
1) Familiarizarse con los transistores de potencia BJT, MOSFET, IGBT
2) Implementar circuitos de disparo y protección para los transistores.
3) Analizar los convertidores CD-CD, implementar un convertidor reductor
(Buck) y un convertidor elevador (boost)

II.- MATERIALES Y EQUIPO:

1) Un mosfet IRF9630 (PNP)
2) Un mosfet IRF641 (NPN)
4) Diodo de conmutación rápida Shocking: MUR1520 u otro.
5) Resistencias de carga: 10 ohms ..
Resistencia de carga 30 ohms
Resistencia de carga de 60 ohms
6) Bobina de acuerdo al diseño
7) Capacitores de acuerdo al diseño
8) Fuente ó bateria de 12 voltios.
9) SG3524 - integrado para generar los pulsos PWM .
Resistencias y condensadores para configurar el SG3524
10) Transistor 2n2222 ó IR2111 (driver).
11) Equipos del laboratorio

III.- INTRODUCCION:

Estudiaremos los dispositivos de potencia trabajando como dispositivos de

conmutación.
Los BJT son dispositivos controlados por corriente, son sus parámetros sensibles a la
temperatura de la unión. Los BJT sufren por ruptura secundaria por lo que para reducir
el tiempo de almacenamiento durante la desactivación requieren de corrientes inversas
de base. Pero tiene un voltaje bajo de estado activo y de saturación.
Los MOSFET son controlados por voltaje, requieren muy poca potencia en la puerta,
sus parámetros son menos sensibles a la temperatura de unión. No tiene problema de
ruptura secundaria y no necesita voltaje de compuerta negativo. Incluso se puede
activar directamente desde circuitos integrados CMOS. Permite sistemas robustos, no
puede ser protegido contra sobre intensidades por medio de fusibles como en el caso de
usar tiristores. Su comportamiento es casi resistivo y su rendimiento a baja frecuencia es
elevada.
Los IGBT combinan las ventajas de los BJT y los MOSFET, son dispositivos
controlados por voltaje, no tiene problema de ruptura secundaria.
Los TIRISTORES son interruptores que idealmente permanece abierto en corte y se
comporta como si tuviera una resistencia infinita. Cuando las tensiones de ánodo y
puerta tienen tensiones positivas respecto al cátodo. Entonces el tiristor se comporta
como un interruptor cerrado, para cortar al tiristor la corriente de ánodo debe ser
reducido a cero.

RED SNUBBERS
Debido a que los circuitos conmutan a frecuencias altas, es necesario proteger al
dispositivo de sobrevoltajes producidos por a) por aplicación externa de voltaje durante
el apagado. b) generado por la inductancia del alambrado c) y por cargas altamente
inductivas
Para ello los picos de voltaje deben ser suprimidos hasta niveles inferiores al voltaje
VDS del MOSFET.

LOS CONVERTIDORES CD-CD: son configuraciones de electrónica de potencia que

permite a partir de una fuente CD constante, variar el valor medio de la tensión continua
a la salida del convertidor. Estas configuraciones permiten reducir, elevar, o elevar-
reducir el voltaje de alimentación (Vs) en la salida (Vo).
Cada configuración tiene cuatro elementos básicos: bobina (L), capacitor (C), diodo y
un interruptor controlado (Q); así las propiedades de cada topología depende de la
ubicación de estos cuatro elementos, asumiremos una carga resistiva de 20 ohms para el
convertidor reductor y 1 k-ohms para el convertidor elevador. La variable a controlar
para regular el voltaje de salida es el patrón de conmutación del interruptor controlado,
considerando una frecuencia fija variando solamente el tiempo de activación del mismo
(PWM).

IV.- CUESTIONARIO:
1) Haga una introducción teórica del los BJT, MOSFET, IGBT. (de Potencia)

BJT

Un transistor bipolar se forma añadiendo uns segunda región p o n a un diodo de unión

pn. Con dos regiones n y una región p, se forman dos uniones conociéndose como un
transistor NPN, tal y como se muestra en la figura:
Con dos regiones p y una región n, se conoce un transistor PNP, tal como se ve en la
siguiente figura:

Las tres terminales se llaman colector, emisor y base. Un transistor bipolar tiene dos
uniones, la unión colector base (CBJ) y la unión base emisor (BEJ).

MOSFET

Un transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, que requiere de corriente

de base para controlar el flujo de corriente del colector. Dado que la corriente del
colector depende de la corriente de entrada(o de la base), la ganancia de corriente es
altamente dependiente de la temperatura de unión.

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo de

una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta siendo los
tiempos de conmutación del orden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia
están encontrando cada vez más aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y
baja potencia. Los MOSFET no tienen los problemas de los fenómenos de ruptura
secundaria que tienen los BJT. Sin embargo, los MOSFET tienen problemas de
descargas electrostáticas, por lo que su manejo requiere de cuidados especiales.
Además, es relativamente difícil protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito.

Los MOSFET son de dos tipos:

 - MOSFET de agotamiento.
- MOSFET de enriquecimiento
Un MOSFET tipo agotamiento de canal n se forma en un sustrato de silicio de tipo p, tal
y como se muestra en la siguiente figura:

Con dos silicios n fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La
compuerta esta aislada del canal mediante una delgada capa de oxido. Las tres
terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente el drenaje se
conecta a fuente. El voltaje de compuerta a fuente, Vgs, puede ser positivo o negativo.
Si Vgs es negativo, algunos de los electrones del área del canal n serán repelidos y se
creara una región de agotamiento por debajo de la capa de oxido, que resultara en un
canal efectivo mas angosto y en una alta resistencia de drenaje a fuente, Rds. Si Vgs se
hace suficientemente negativo, el canal se agotara totalmente, ofreciendo un alto valor
Rds, y no habrá flujo de corriente de drenaje a fuente, Ids=0. Cuando esto ocurre, el
valor de Vgs se conoce como voltaje de estrechamiento, Vp. Por otra parte, Vgs se hace
positivo, el canal se ensancha, e Ids aumenta debido a la reducción en Rds. Con un
MOSFET tipo agotamiento de canal p, se invierten las polaridades de Vds, Ids y Vgs.

Un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n, no tiene un canal físico, tal y como se

puede observar en la siguiente figura.
Si Cgs es positivo, un voltaje inducido atraerá los electrones del substrato p, y los
acumulara en la superficie por debajo de la capa de oxido. Si Vgs es mayor que o igual
a un valor conocido como voltaje de umbral, Vt, se acumulara un número suficiente de
electrones para formar un canal virtual n y la corriente fluirá del drenaje a la fuente. Si
se trata de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p, las polaridades de Vds, Ids y
Vgs se invierten.

IGBT

Un IGBT combina las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un IGBT tiene una alta
impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas perdidas de conducción en
estado activo, como los BJT. Pero no presentan ningún problema de ruptura secundaria,
como los BJT. Mediante el diseño y la estructura del chip, la resistencia equivalente
drenaje a fuente, Rds, se controla para que se comporte como la de un BJT.

La sección transversal de silicio de un IGBT aparece en la siguiente figura:

Y es idéntica a la de un MOSFET, exepto en el substrato p. sin embargo, el rendimiento
o comportamiento de un IGBT es mas cercano al de un BJT que al de un MOSFET.
Esto se debe al substrato p, que es responsable de la inyección de portadores
minoritarios en la región n.

2) Indique el modelo equivalente de los BJT, MOSFET, IGBT.

Modelo equivalente del BJT:

Modelo equivalente del MOSFET:

Modelo equivalente del IGBT:

3) Llenar la tabla 1. de comparación de las características de los dispositivos de

potencia.

Tabla I.
Semicon- Voltaje Máx. Corriente Máx. Frecuencia Tiempo de Densidad
ductor [V] dv/dt [A] máx. di/dt [Hz] máx. conmutación de
máx. [us] corriente
DIODOS
GTO
BJT
MOSFET
IGBT
MCT

4) Indique algunas aplicaciones de estos transistores.

5) Haga una introducción teórica del los convertidores DC-DC las 3 topologías
básicas REDUCTOR (BUCK), ELEVADOR (BOOST) y REDUCTOR –
ELEVADOR (BUCK_BOOST).
6) Diseñe un convertidor reductor (Buck) operando en modo de conducción
continua. Fuente de entrada Vs = 12 voltios, voltaje de salida en R (resistencia
de carga) Vo = 6 Voltios, (resistencia de carga) R = 30 Ohms, diseñar el
convertidor a una frecuencia de trabajo en 40 Khz
 Figura 1. Convertidor DC-DC reductor (Buck)

7) Simular el circuito a implementar

Tabla 2. Valores de diseño del convertidor DC-DC reductor (Buck)

Vs Vo Is Io Io max Iomin D L

8) Implementar la figura 2. hallar los valores para RT y CT usando las grafica de la

información del fabricante del SG3524, hallar el valor de R1 y R2 para obtener
el valor de D del diseño. Obtener las graficas con el osciloscopio en el diodo,
bobina, carga.

Figura 2. Convertidor DC-DC reductor (Buck) con PWM

Implementado con SG3524
9) En el circuito de la figura 2. una vez obtenida la corriente de Io en Modo de
conducción continua (MCC), se a incrementar la resistencia de salida para
disminuir la corriente en la carga, no se debe de disminuir la corriente de salida
por debajo de Iomin para no cambiar al Modo de conducción discontinua
(MCD). Llenar la tabla 3. manteniendo constantes Vs , D y la frecuencia.

Vs Vo Io Amp. R (Vo/Io) Relación de

Voltaje de Voltaje de Corriente de Resistencia de conversión
entrada (Vdc) salida (Vdc) salida medido salida (Ω) Vo/Vg
 Tabla 3. Valores medidos del Convertidor DC-DC reductor ( Buck ) en MCC.
Variando R (resistencia de carga)

10) En el circuito de la Figura 2, volviendo con la resistencia R = 30 ohms del

diseño. Variar D y llenar la tabla 4.

Vs Vo Iom Amp. R (Vo/Io) Relación de Ciclo de

Voltaje de Voltaje de Corriente de Resistencia de conversión trabajo
entrada (Vdc) salida (Vdc) salida medido salida (Ω) Vo/Vg (D)

0.8
0.6
0.5
0.4
0.3

Tabla 4. Valores medidos del Convertidor DC-DC reductor ( Buck )

Variando el ciclo de trabajo D.

11) Diseñe un convertidor elevador (boost) operando en modo de conducción

continua. considerando una fuente de entrada Vs de 12 voltios, un voltaje de
salida en R Vo = 18 voltios, R de carga 1 Kohms, diseñar el convertidor a una
frecuencia de trabajo de 40 Khz. Figura 3.

Figura 3. Convertidor DC-DC elevador (Boost)

12) Simular el circuito DC-DC (Boost) , (elevador) llenar la tabla 5.

Vs Vo Is Io Io max Iomin D L

Tabla 5. valores de diseño del convertidor DC-DC elevador (Boost)

13) En el circuito de la Figura 3, volviendo con la resistencia R = 1000 ohms del

diseño. Variar D y llenar la tabla 6.

Vs Vo Iom Amp. R (Vo/Io) Relación de Ciclo de

Voltaje de Voltaje de Corriente de Resistencia de conversión trabajo
entrada (Vdc) salida (Vdc) salida medido salida (Ω) Vo/Vg (D)

0.8
0.6
0.5
0.4

Tabla 6. Valores medidos del Convertidor DC-DC elevador ( Boost )

Variando el ciclo de trabajo D.

14) Indicar sus graficas de VL, VD, VR

15) Implemente el convertidor elevador (Boost)
Considere un transistor Mosfet de canal N
16) Indicar sus observaciones y conclusiones.

V.- BIBLIOGRAFÍA:
Electrónica de potencia.
Autor Daniel W.Hart
Electrónica de potencia Circuitos Dispositivos y Aplicaciones
Autor. Muhammad H. Rashid. Ed. Printice Hall.
Power Electronics Converters, Applications and Design
Autor: Mohan, Undeland, Robbins. Ed. John Wiley & Sons. INC
http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/400/284152_DS.pdf
http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/150/283500_DS.pdf
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/texasinstruments/sg3524.pdf
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/ir2111.pdf

Prof. Hilda Núñez V.