Sistemas electroquímicos y nanotecnología para el almacenamiento

de energía limpia.
La población actual de la tierra es de 6.000 millones de personas y el consumo total global actual de
energía es de unos 13 TW-año (1 TW = 1 × 1012 vatios; 1 TW-año = 31,5 × 1018 joules). Los
análisis indican que hacia el año 2050 se requerirán globalmente de 10 a 30 TW-año de energía
libre de carbono para acomodar la población esperada de la Tierra de 10-11.000 millones de
persona
El cambio de composición del electrodo, por la incorporación o salida de átomos pequeños como H
o Li, produce un cambio del potencial eléctrico del electrodo. Cuando el sistema está cargado,
existe una fuerza termodinámica (diferencia de potencial electroquímico) que impulsa a los iones a
transferirse al otro electrodo, con desplazamiento simultáneo de electrones, para neutralizar la
pérdida de una carga positiva por cada ion saliente H + o Li+.
Las propiedades termodinámicas se refieren a configuraciones de equilibrio. A una cierta densidad
de litio intercalado, factores como las interacciones de los iones huéspedes con la red de la matriz
anfitrión, las interacciones entre los propios iones huésped, y la distribución de los iones
intercalados en la red, determinan conjuntamente el potencial del electrodo.
En general, mediante las propiedades termodinámicas se determina unívocamente la ocupación de
la red, es decir, el grado de ocupación a un potencial dado.
La cinética consiste en la velocidad con que ocurre un proceso o una combinación de ellos.
Los materiales de intercalación mantienen constante su potencial de electrodo mientras cambia el
grado de intercalación si este cambio produce una transición de fase.
Si se cambia el potencial aplicado en un compuesto de intercalación, forzamos al sistema a buscar
la nueva situación de equilibrio. Se produce por ejemplo, la entrada de iones en la matriz sólida, que
se compone de una serie de fenómenos. Primero se produce la transferencia interfacial de carga, es
decir, los iones entran en el material de intercalación, a través de la interfase del material con el
electrolito, y simultáneamente entran electrones desde el contacto para mantener la neutralidad de la
carga eléctrica total (Fig. 28). Este movimiento simultáneo de iones y electrones se manifiesta como
una corriente eléctrica en el circuito externo.
Una vez que los iones han franqueado la interfase, comienzan una variedad de procesos iónicos en
el estado sólido. Los iones han de difundir por el material sólido, para llenarlo de forma
homogénea. La difusión puede estar acoplada con la reacción de los iones con la red anfitriona, en
tanto que los iones en tránsito, pueden ir quedando atrapados en determinados lugares por enlaces
químicos intensos.
Analysis of cyclic voltammograms of electrochromic a-WO 3 films
from voltage-dependent equilibrium capacitance measurements
Las pelíulas de intercalación de óxido metálicos muestran valores de capacitancia que exeden los
correspondientes a la capa eléctrica doble en la interface óxido- solución, esto debido a que las
películas de intercalación almacenan energía de forma química por la variación de la composición
de la película que puede ser controlada electroquímicamente y esto es debido a un cambio en la
energía de Gibbs G del cátodo, que se indica por la variación del potencial químico, µ, de átomos
metálicos en el material con respecto al potencial de la pareja Li / Li +.
Esta capacitancia se define como la diferencia de carga que pasa con respecto a una diferencia de
potencial del electrodo
−dQ
C ch=
dV
El potencial de almacenamiento de la celda se relaciona con el potencial química variable de
átomos en el óxido metálico como: dV=dµ/e, donde e es la carga elemental. Por lo tato la
capacitancia química por unidad de área puede escribirse como:
2 ∂x
C ch=¿ N
∂μ
Donde LNxe=Q y esta es la carga que pasa, L es el espesor de la película, N es la densidad de los
átomos metálicos en el material y x es la fracción de iones Li intercalados por átomo metálico de la
red.
Una técnica que se ajusta bien a la medición de la capacitancia es la voltametría cíclica , para un
capacitor puro C la corriente es:
dQ
I= =Cs
dt
Donde s=dV/dt que es la velocidad de barrido, de acuerdo a esta ecuación los voltamogramas
cíclicos muestran directamente la variación de capacitancia con el potencial, sin embargo hay
efectos irreversibles que contribuyen a la respuesta observada commo pueden ser las resistecias en
el circuito eléctrico, por lo tanto la interpretación de los voltamogramas cíclicos requieren la
separación de contribuciones a la corriente:
-la carga del capacitor químico variable
-corrientes faradaicas
-efectos de transporte
En los voltamogramas se puede ver que…
El proceso de inserción es altamente reversible, confirmado por la carga que es exactamente la
misma en ambas direcciones de escaneo
Esta última observación excluye cualquier posibilidad de que fluya una corriente faradásica en
paralelo a la responsable del proceso de carga de la película.

Application of Nanostructures in Electrochromic Materials and

Devices: Recent Progress
El electrocromismo es un cambio reversible en las propiedades ópticas de los materiales como
transmitancia, absorbancia y reflectancia bajo y potencial aplicado, este fenómeno se descubrío
hace 40 años y sus aplicaciones se extienden a la fabricación de ventanas inteligentes, displays,
espejos antirreflejantes y camuflajes activos, entre ellos las ventanas inteligentes presentan una
aplicación importante ya que pueden ahorrar energía de manera efectiva regulando la ganancia de
calor solar y dando un confort interior por cambios de color reversibles.
Los materiales electrocrómicos inrgánicos incluyen el WO3, NiO, TiO2, V2O5, mientras que los
viologenos, la polianilina (PANI) el poli (3,4.etilendioxitiofeno) (PEDOTs) son polímeros
orgánicos comunes, para los materiales inorgánicos las películas de WO3, TiO2 y V2O5 presentan
coloración catódica, (coloración en potenciales negativos y aclaramiento en potenciales positivos),
esta coloración/decoloración se debe a la inserción/extracción de electrones y de iones que
balancean la carga acompañados de reacciones de óxido-reducción. En contraste el óxido de niquel
y el óxido de iridio presentan coloración anódica ya que sus estados reducidos son incoloros y los
estados oxidados son coloridos.
Al involucrarse la inserción/extracción de iones las nanoestructuras con tamaños pequeños y altas
áreas se espera que faciliten esta inserción/extracción y mejorar las propiedades electrocrómicas de
los materiales
El tiempo de coloración en los materiales electrocrómicos se define como el tiempo que le toma a la
reflectancia disminuir 2/3 de la diferencia de reflectancia entre el estado coloreado y el incoloro.
Una matriz de nanoalambres de ZnO ayuda a un cambio de coloración rápido y esto se atribuye a la
gran área superficial, buena estructura cristalina y buenas propiedades de transporte de electrones de
la matriz de nanoalambres de ZnO.
La estructura cristalina de WO3 es mas estable debido a que cuenta con una estructura mas densa,
sin embargo el bulto de material cristalino de WO3 muestra una respuesta de cambio lenta, por lo
que se ha aplicado el uso de WO3 nanocristalino en materiales electrocrómicos para mejorar este
tiempo de respuesta.
Los materiales electrocrómicos mesoporosos de óxido de tungsteno muestran una mayor densidad
de corriente para le intercalación de hidrógeno y respuestas de cambio mas rápidas a comparación
de estructuras no porosas
El cobre metálico exhibe una reflectancia muy alta cerca del infrarrojo y mucha menos reflectancia
por debajo de ~ 600 nm

Caracterización de las propiedades electrónicas de un semiconductor

Cuando los átomos se unen formando una estructura cristalina, los niveles energéticos de cada uno
de ellos se desdoblan, se desplazan ligeramente de su posición en un átomo aislado. Al tener una
gran cantidad de átomos, el desdoblamiento origina la formación de bandas de energía. La
distribución de los electrones en las bandas ocupadas de mayor energía determina las propiedades
electrónicas del material. En los materiales semiconductores, la última banda con electrones
(denominada banda de valencia, BV) está completamente llena, mientras que la banda
inmediatamente superior (denominada banda de conducción, BC) se encuentra vacía

La posibilidad de introducir ciertos tipos de defectos, principalmente impurezas, que crean niveles
electrónicos dentro del intervalo prohibido de energías y cercanos a los bordes de las bandas
permite que la conducción se deba a portadores negativos (electrones) o positivos (huecos), la
conductividad de un semiconductor es aproximadamente proporcional a la densidad de portadores
de carga.
Efecto Hall
Si una corriente eléctrica I fluye por una lámina conductora rectangular de espesor d y si dicho
conductor se sitúa en el seno de un campo magnético B aplicado fuera del plano de la lámina, la
fuerza de Lorentz
F=q(v* B)
actúa sobre los portadores de carga del conductor, donde v es la velocidad de deriva de los
portadores y q el valor de su carga. Esta fuerza hace que los portadores de carga se acumulen en la
región superior o inferior del conductor (de acuerdo con el sentido de la corriente y del campo
aplicado), de tal forma que aparece un un voltaje (el llamado voltaje Hall, U H) entre dos puntos
situados a un lado y a otro de la lámina
R H ∗B∗I
U H=
d
Donde RH es el coeficiente hall, con ayuda de estas mediciones en un semiconductor dopado se
puede tener el signo de los portadores a partir del signo del coeficiente hall, la concentración de
portadores c=-1/eRH y la movilidad de los portadores µ=σRH donde σ es la conductividad

Caracterización de películas delgadas de SnO2 obtenidas sobre

vidrio por aspersión pirolítica intermitente para celdas solares tipo
Grätzel
El óxido de estaño (SnO2) presenta varias ventajas con respecto a otros, como el óxido de indio
estaño (ITO; indium tin oxide), por su bajo costo, baja resistencia eléctrica, elevada transparencia
en el rango visible del espectro electromagnético, amplia banda prohibida, alta estabilidad química
y térmica, así como un reducido índice de toxicidad. El SnO2 es un semiconductor tipo N debido a
sus vacancias de oxígeno que actúan como donantes de electrones. Tiene un punto de fusión de
1630°C, lo que permite utilizarlo en aplicaciones que son sometidas a altas temperaturas. Además
no reacciona fácilmente con el oxígeno ni con vapor de agua.
El SnO2 es un aislante en su forma estequiométrica. Sin embargo, en su forma habitual no
estequiométrica tiene una marcada presencia de vacantes de oxígeno, lo que le transforma en un
buen conductor degenerado. La energía de formación de estos defectos intrínsecos es del orden de
(2.25 eV), razón por la cual generalmente aparecen en elevada concentración en la estructura del
SnO
2. Estos defectos generan niveles donadores por debajo de la banda de conducción del SnO2
responsables de su conductividad tipo N. Además, la concentración de portadores de carga y por
tanto la conductividad, pueden incrementarse mediante la adición de dopantes como Sb, Pt o F.
Mediante los valores Tm (mínimo) y TM (máximo) es posible calcular el espesor de la película a
partir de los siguientes métodos: El método de la envolvente y el método de mínimos
El método de la envolvente:

N=2 s ( T M Tm)
T M −T m s2 +1
+
2
 1 /2
n=[ N +( N 2−s 2)1 /2 ]
N y n relacionan los máximos y los mínimos consecutivos del espectro de transmitancia con el
índice de refracción del vidrio (sustrato) s=1.51, T M es un máximo y T m un mínimo en la curva. Si
se tienen dos máximos adyacentes de interferencia de longitudes de onda 1 y 2 con índices de
refracción n1 y n2, siendo M=1/2 para un mínimo y un máximo adyacente. A partir de estas
condiciones de máximos y mínimos de interferencia se puede encontrar el espesor (d) de la película
por medio de la ecuación:
λ 1 λ2
d= M
2 ¿¿
En el método de mínimos usamos las ecuaciones:
2
2s s +1
M= −
T min 2

n=[ M + ( M −s ) ]
2 2 1 /2 1 /2

Donde M y n relacionan los mínimos de la gráfica con el índice de refracción del vidrio, y T min es el
valor de λ en un mínimo. Resolviendo estas ecuaciones para dos mínimos consecutivos podemos
encontrar (d) con la ecuación:
λ1 λ2
d=
2(n 1 λ 2−n2 λ1 )

Characteristics of SnO2:F Thin Films Deposited by Ultrasonic Spray

Pyrolysis: Effect of Water Content in Solution and Substrate
Temperature
Las técnicas más utilizadas para la deposición de películas de calidad son la de precipitación
homogénea, sol-gel, deposición química de vapor y de pulverización química, los métodos de spray
pirólisis por métodos neumáticos o ultrasónicos son muy estudiadas, para el caso del spray pirólisis
ultrasónico cualquier pequeña perturbación generada por el sistema de escape puede modificar el
patrón de niebla y eso causa un crecimiento no uniforma por lo que se obtienen películas con un
acabado tipo “arcoíris”, en análisis por EDS a parte de encontrar el Sn, O, y F se pueden ver otros
elementos, los cuales provienen del sustrato del vidrio debido a la exo-difusión de impurezas en el
proceso de crecimiento, el N que se encuentra sería difícil de suponer que pudiera dopar la película,
debido a la baja resistividad de la misma, se detecta el fluor aunque aun queda la pregunta de los
sitios específicos donde se incorpora ya que podría producirse agrupación de fluor o segregación de
limites de grano

Chromogenic Smart materials

Otro efecto cromogenico común es el fotocromismo y termocromisco, los materiales fotocromicos
cambian de color por la exposición a iluminación ultravioleta, estos materiales involucran desde
compuestos de vidrio de haluro alcalinos, hasta spirooxazinas los termocrómicos cambian de color
con la temperatura y muchos se basan en oxidos metálicos de transición como el VO2.
La historia de los materiales cromogénicos data del año 1704 cuando Diesbach descubrió la
coloración química del azul de Prusia. En los años 1930 se noto coloración electroqumica en el
óxido de tungsteno, 20 años después Kraus observo la coloración electroquímica en películas
delgadas.
El primer dispositivo electrocrómico fue realizado por Deb en 1969, para mediados de los 70 los
dispositivos electrocrómicos se desarrollaban para displays, los electrocrómicos basados en
viologenos y oxido de tungsteno siguieron en los 80 y sigue siendo un producto viable
Los materiales electrocrómicos pueden cambiar sus propiedades ópticas en respuesta a un campo
eléctrico y pueden regresar al original por un cambo reverso y esto tiene numerosas ventajas:
 Voltaje de cambio pequeño (1-5 V)
 Requieren energía solo durante el cambio
 Presentan memoria ajustable de 12 a 48 hrs
Los dispositivos electrocrómicos típicos presentan transmitancia en el visible del 70-50% y
transmitancia cuando están completamente coloreados del 10-25% sin embargo es posible llegar al
1%, el intervalo de coeficientes de sombra es alrededor del 0.67-0.6 para el estado transparente y de
0.3-0.18 para el estado coloreado.
Tipicamente se utilizan iones como LI+, H+ y Ag+, un ejemplo de la intercalación de Li+
WO3 (sin color) +yLi++ye-LiyWO3 (azul)
La estabilidad electrocrómica puede incrementarse usando capas interfaciales, Los dispositivos
están diseñados para transferir iones hacia adelante y hacia atrás en la capa electrocrómica con
potencial aplicado.
Los materiales electrocrómicos orgánicos tienden a sufrir problemas con reacciones secundarias
durante el cambio

Composite for smarter Windows

Los edificios residenciales y comerciales representan aproximadamente el 40% del uso de energía y
aproximadamente el 30% de las emisiones de carbono relacionadas con la energía en los Estados
Unidos.

Determinacion de la banda de energía prohibida de semiconductores

La teoría de bandas de un sólido, se desarrolló alrededor de 1930, un semiconductor es un sólido
cuyos electrones se distribuyen en dos bandas de energía separadas por una brecha (gap) de energía
prohibida, La banda inferior corresponde a los estados de los electrones que participan de la unión
de los átomos – generalmente covalente- y se le llama banda de valencia. En la banda superior se
encuentran los electrones que participan de las corrientes eléctricas y es llamada banda de
conducción. Si un semiconductor puro estuviese a temperatura absoluta nula (T = 0) todos los
orbitales de su banda de valencia estarían ocupados y todos los de la banda de conducción estarían
vacíos. En una situación de este tipo no puede circular corriente eléctrica, por tanto a T = 0 el
semiconductor sería un aislante.
A temperaturas distintas de cero la conductividad de un semiconductor no es nula debido a la
presencia de electrones en la banda de conducción y de agujeros en la banda de valencia. Esto
puede lograrse mediante dos mecanismos. Uno de ellos es por la excitación de electrones de la
banda de valencia hacia la banda de conducción. Esta excitación existe siempre a T ≠ 0 por el
movimiento térmico de los portadores de carga, o puede lograrse externamente, por ejemplo,
mediante la irradiación con fotones que entreguen la energía suficiente para superar la banda de
energía prohibida. En cualquiera de estos procesos se crean pares de portadores de carga: electrones
(negativos, n) y huecos (positivos, p), Otra manera de lograr conductividad no nula es por la
agregado de impurezas en el material. Si por un proceso de dopaje se introduce en un material
semiconductor algún tipo de átomo trivalente (usualmente indio o aluminio), los tres electrones da
valencia se unen covalentemente con el material y dejan un agujero o hueco en el cuarto enlace. En
esta situación hablamos de un superconductor tipo p. Si la impureza es tal que aporta cinco
electrones (usualmente se usa arsénico), cuatro de los cuales se unen mientras que el restante
electrón queda libre para moverse en la banda de conducción, lo que tenemos es un semiconductor
tipo n.
Si incide luz monocromática de longitud de onda λ e intensidad I 0 sobre una muestra de espesor x,
emerge una intensidad transmitida I. Se define el coeficiente de transmisión
T=I/I0, relacionado con el coeficiente de absorción óptica α por:
(1−R )2 exp ⁡(−αx)
T= 2
1−R exp ⁡(−2αx)
Donde R es el coeficiente de reflexión óptico en la interfase aire-semiconductor.
El mecanismo predominante de la absorción proviene de las transiciones electrónicas desde la
banda de valencia a la banda de conducción cruzando la banda de energía prohibida de ancho Eg. Si
el semiconductor es de gap directo, es decir, si un fotón incidente solo crea un par electrón-hueco,
el coeficiente de absorción está dado por:
1/2
α = A( E−E g )
Donde A es una constante dependiente del material y E es la energía del fotón incidente y la
relación vale en la aproximación de bandas parabólicas, es decir, si la energía de la bnda puede
expresarse como E(p) α p2, donde p es el momento. En cambio si hay impurezas o por efecto de la
temperatura el coeficiente se convierte en :
α=Bexp(E/E0)
Donde B es una constante y E 0 mide el apartamiento de la forma parabólica. Por otro lado si el
semiconductor es de gap indirecto, para que se realice la transmisión electrónica debe de
involucrarse un fonón de energía Ep para conservar el momento, ya sea absorbiéndolo o
emitiéndolo. En este caso el coeficiente se expresa como
α =α a +α e
Donde αa describe la absorcion con absorción de un fonon y αe con emision de un fonon

Con estas ecuaciones y graficando la transmitancia en función de la Enerrgía es posible obteren el

coeficiente de reflexión y α y a partir de ahí determinar si es un semiconductor de gap directo o de
gap indirecto.

Sobre las reacciones de eliminación de compuestos contaminantes

de aguas por foto catálisis con TiO2/UV: caso azul de metileno

La foto catálisis heterogénea o curre básicamente de acuerdo al siguiente esquema de cinco pasos:
1. Transferencia de los reactivos en la fase fluida.
2. Adsorción de al menos uno de los reactivos sobre el catalizador sólido.
3. Reacción en la fase adsorbida.
(a) Absorción de los fotones por el sólido.
(b) Creación fotoinducida de electrones y huecos.
(c) Reacciones de transferencia de electrones (Ionosorción, neutralización de carga, formación de
radicales, reacciones superficiales...).
4. Desorción de los productos de la fotocatálisis.
5. Remoción de los productos de la fotocatálisis de la fase fluida.
Debe tenerse claro que los fotones son absorbidos por el sólido, y esto cuando la energía de los
mismos es ≥ Eg. Por ello, se habla de fotocatálisis y no de fotoquímica en fase absorbida.
La literatura demuestra que los huecos positivos son las mayores especies oxidantes si el pH del
sistema es ácido, p ero a pH básico, las principales especies oxidantes son los radicales hidroxilos,
como se dijo antes.
La estequiometría de la degradación vía oxidación total del AM, tal como lo indica la literatura [7],
es muy probablemente la siguiente:
C16H18N3S+ + 51/2 O2→ 16 CO2 + 3 NO3 −+ SO42− + 6 H+ + 6 H2O
Como se puede notar en la anterior ecuación, la degradación del AM termina produciendo
compuestos totalmente inofensivos para la vida acuática, es decir, logra una mineralización
totalmente conveniente. Esto indica que la degradación no sólo puede seguirse por método
colorimétrico (como tradicionalmente se hace), sino también puede pensarse en implementar
nuevos métodos de seguimiento de la degradación foto catalítica del AM aprovechando el cambio
en las propiedades fisicoquímicas del sistema a medida que van apareciendo los productos de
degradación. Sustancias como las vistas en la parte derecha de la ecuación claramente deben
permitir observar un cambio evidente y medible en propiedades como la conductancia eléctrica, la
densidad, la tensión superficial, el índice de refracción e incluso la viscosidad, con respecto a la
mezcla acuosa antes de la degradación. Esto permite plantear y explorar nuevos posibles métodos
de seguimiento in situ de la degradación

Effect of amount of the starting solution on physical properties of

sprayed and pyrolyzed SnO2:F thin films.
El óxido de estaño (SnO2) pertenece a la familia de óxidos conductores transparentes (TCO) que
presentan una conductividad eléctrica y una transmisión óptica altas por encima del 80% en el
rango visible.
Entre los diversos dopantes, las películas delgadas de SnO2 dopadas con flúor aumentan su
conductividad eléctrica, transmisión óptica y reflexión infrarroja, así como su resistencia al calor.
El óxido de estaño dopado con flúor, comúnmente llamado FTO, es un semiconductor de tipo n con
una brecha de banda ancha de 3 a 3.8 eV

An Optical Study of Hydrogen Insertion in the Anodic Oxide of

Tungsten

El óxido de tungsteno es ligeramente soluble en ácido sulfúrico, pero el electrolito se satura después
de repetidos ciclos, y la velocidad de disolución es insignificante.
Characterization of Thin Films and Coatings
La caracterización adecuada de las películas delgadas depende de su proceso de creación asi como
sus aplicaciones y expectativas de tiempo de vida, esta caracterización requiere que se determinen
las propiedades de las películas mas no las de los substratos.
Métodos de fotones incidentes:
Espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS) implica la detección de fotoelectrones emitidos
de una muestra como resultado de la irradiación de la muestra por fotones de rayos X de energía
única. XPS es útil para el análisis cuantitativo de la composición de la superficie y puede detectar
todos los elementos con la excepción del hidrógeno y el helio mediante la detección de las energías
de unión de los fotoelectrones. Los electrones emitidos desde la muestra sin pérdida de energía
inelástica aparecen como líneas espectrales o picos fotoelectrónicos en función de la energía de
enlace. Los electrones que han perdido energía aparecen como fondo espectral. La energía de los
fotoelectrones emitidos desde la muestra es característica de cada elemento y la energía de enlace
de los electrones expulsados se determina a partir de la energía cinética medida.
Difracción de rayos X (XRD), Las aplicaciones incluyen análisis de fase, determinación de
estructura cristalina y orientación epitaxial, , determinación de textura y tensión residual en
películas, estudios de desarrollo de nanomateriales y mediciones de su reactividad, y detección de
polimorfos
Reflectividad de rayos X (XRR), medición de grosor y rugosidad interfacial, Este método es lo
suficientemente sensible para proporcionar información precisa sobre la presencia de capas de
interfaz en estructuras en capas.
Espectroscopia infrarroja de transformada de Fourier (FTIR) Para la mayor parte de este rango de
frecuencia, las energías de los fotones (0,6-0,04 eV) no suelen ser lo suficientemente grandes como
para excitar los niveles electrónicos, pero pueden excitar estados vibracionales o rotacionales de
átomos o grupos unidos covalentemente.
Espectroscopia láser Raman (RS), El efecto Raman es una forma específica de dispersión inelástica
(los fotones dispersados tienen mayores o menores energías) de la luz. La luz interactúa con los
fonones u otras excitaciones en el sistema, lo que hace que la energía de algunos de los fotones
incidentes se desplace hacia arriba o hacia abajo. Las frecuencias vibratorias son sensibles a las
características del enlace, como la longitud, la fuerza y arreglo, La masa, la disposición espacial de
equilibrio, el desplazamiento relativo durante la vibración y las constantes de fuerza de enlace de
los átomos en una molécula o cristal pueden influir en la frecuencia del pico Raman
Elipsometría. La técnica se basa en el análisis de la luz polarizada reflejada en la muestra que
sondea el índice de refracción complejo que se puede usar para extraer información sobre el espesor
de la película, la rugosidad, la calidad del cristal, la composición química o la conductividad
eléctrica. El material se sondea a la profundidad óptica de la muestra. Es lo suficientemente sensible
como para medir las propiedades de películas tan delgadas como unas pocas décimas de
nanómetros, pero, si las propiedades ópticas lo permiten, se puede usar para estudiar capas tan
gruesas como varios micrómetros.
Espectroscopía de fotoluminiscencia La fotoluminiscencia es un proceso en el cual una sustancia
absorbe fotones y luego los vuelve a emitir (generalmente con energías un poco más bajas con un
número menor de fotones).
La espectroscopia de fotoluminiscencia analiza la distribución de las energías involucradas en los
procesos de fotoabsorción y fotoemisión, la eficiencia de la fotoemisión y sus características
temporales.

La absorción de fotones promueve un electrón desde el estado fundamental electrónico (S0) a

ciertos niveles de vibración (v = 0, 1, 2, ...), del primer estado excitado electrónico (S1) o superior
(S2,3 ...). El electrón excitado se relaja rápidamente hasta el nivel vibratorio más bajo (v = 0) de ese
estado excitado (generalmente dentro de 1 × 10−12 s) por relajación vibratoria (VR), luego se relaja
a S1 mediante conversión interna (IC), lo que ocurre cuando un estado vibratorio de un estado
excitado electrónicamente puede acoplarse a un estado vibratorio de un estado electrónico inferior.
El electrón resultante puede desactivarse aún más de forma radiativa emitiendo un fotón (FL) o no
radiativamente a través de uno de los tres procesos: (1) (IC) extinción al estado fundamental; (2)
extinción por colisión (CQ) al estado fundamental; o (3) cruce entre sistemas (ISC) a un estado
excitado triplete (T1) que normalmente se encuentra en una energía más baja en relación con S1. A
partir de donde, el electrón puede emitir un fotón por fosforescencia o desactivarse a través de IC a
S0.
La fotoexcitación de un material semiconductor promueve un electrón desde la banda de valencia a
la banda de conducción, dejando un "hueco" en la banda de valencia. El electrón excitado en la
banda de conducción se relaja rápidamente, generalmente entre 15 y 25 ps, hasta el borde de la
banda a través de la dispersión inter o subbandas y luego se recombina con el orificio emitiendo un
fotón o de manera no radiactiva pasando la energía a uno o más fonones, a estados "atrapados"
creados por impurezas, dopantes o defectos y se encuentran entre la banda de conducción y la banda
de valencia (recombinación de Shockley-Read-Hall), u a otro electrón o agujero (recombinación de
Auger). Para la recombinación radiativa, el fotón emitido usualmente tiene una energía igual a la
energía de intervalo de banda prohibida, hν = Eg, donde h es la constante de Planck, ν es la
frecuencia del fotón emitido, y Eg es la energía de ancho de banda prohibida. Por lo tanto, los
espectros de fotoluminiscencia y el comportamiento de desintegración (o vida útil) proporcionan
una medición directa de la energía del intervalo de banda, que ayudan a identificar y cuantificar la
composición elemental de los semiconductores compuestos, y determinan la presencia de
impurezas, concentraciones de dopantes y defectos estructurales, y comprenden el electrón.
Mecanismos de recombinación de agujeros y evaluación y control de calidad de materiales
semiconductores.

Métodos de iones incidentes: En general, las espectroscopias de dispersión de iones son sensibles
a la masa y la información de la masa seleccionada se puede obtener de los datos.
Espectrometría de retrodispersión de Rutherford (RBS),
Análisis de reacción nuclear (NRA),
Canalización iónica, análisis de detección de retroceso elástico. (ERDA),
Espectrometría de masas de iones secundarios (SIMS),
Espectrometría de masas de descarga luminiscente y usos de haces de iones enfocados (FIBs) (en
combinación con SEM)
Métodos de electrones incidentes
Espectrometría de electrones Auger (AES)
Microscopía electrónica de barrido (SEM),
Espectroscopia de rayos X de energía dispersiva (EDXS)
Microscopía electrónica de transmisión (TEM)
Difracción de electrones de baja energía (LEED)
Difracción de electrones reflejados de alta energía (RHEED)).
Otros métodos
Microscopía de sonda de barrido (SPM)
Microscopía de efecto tunel (STM)
Microscopía de fuerza atómica(AFM)

Improved electrochromic performance in sprayed WO3 thin films

upon Sb doping
El trióxido de tungsteno (WO3) es el material electrocrómico más estudiado debido a sus
propiedades multifuncionales junto con su alta eficiencia de coloración, buena relación de
reversibilidad, rápida velocidad de blanqueo de coloración y larga estabilidad cíclica. Además de
las ventanas inteligentes, las películas electrocrómicas WO3 también se utilizan en pantallas
modernas Espejos reflectantes y espejos antirreflejos.
WO3colourless + xM+ + e- -> MxWO3
x es una cantidad denominada como coeficiente de inserción que tiene un valor entre 0 y 0.3
A medida que la película se carga negativamente en estado catódico, los electrones y los iones del
electrolito se difunden hacia las películas; y luego los electrones ingresan a los estados extendidos
de la banda de conducción, y la mayoría de los iones se deslocalizan alrededor de los sitios de la
red, que se comportan como centros de dispersión para los electrones intercalados. Debido a la
dispersión de electrones, se observa una alta reflectancia y un bajo estado de transmisión en las
regiones visibles e infrarrojas cercanas.
La pirólisis por pulverización es un proceso endotérmico de deposición de película en el que los
aerosoles de la solución de precursor-disolvente se transportan al sustrato caliente, donde cada gota
pulverizada sufre una descomposición pirolítica.
la tensión de la red se ha estimado a partir de la XRD utilizando la ecuación monoclínica
A medida que se varía el potencial de la película, la corriente se produce debido a la intercalación y
desintercalación de iones y electrones. El área bajo la curva CV cuantifica la cantidad de carga.
Intercalados y desintercalados en las películas. El área más grande de la curva significa una mayor
cantidad de intercambio de carga, lo que es deseable para un buen material electrocrómico.
Los coeficientes de difusión de iones H para las películas de WO3 también se han determinado a
partir de la corriente anódica máxima al considerar un fenómeno simple controlado por difusión en
estado sólido. El valor del coeficiente de difusión se obtiene de la ecuación de Randles-Servcik.
Jp = 2:72*105 * n3/2 * D1/2 * C0 * v1/2

Electrochromic Tungsten Oxide: Doping with Two or Three Other

Metal Oxides

Últimamente ha habido mucho interés en las películas delgadas de óxido de metal electrocrómico
"dopadas" con otros óxidos. Dichos materiales compuestos son superiores a los electrocromos de
óxido puro por ser más robustos que los óxidos constituyentes solos y, además, tienen propiedades
ópticas mejoradas, como mayores eficiencias de coloración en la región espectral visible. También
hay evidencia de que el dopaje aumentará el rango de potencial ("ventana potencial") disponible
para la operación mediante la prevención de reacciones que resulten en la evolución del gas en la
interfaz electrolito / electrocromo

Properties, requeriments and possibilities of Smart Windows for

dynamic daylight and solar energy control in buildings: A state of
the art review
Existen diferentes tecnologías que pueden funcionar como componentes de las ventanas
inteligentes: materiales cromogénicos, cristales liquidos y dispositivos de partículas
suspendidas o electroforéticos, los dispositivos cromogénicos a su vez pueden clasificarse
en cuatro categorías: electrocrómicos, gasocrómicos, fotocrómicos y termocromicos.
Los factores a tomar en cuenta en ventanas inteligentes son:
Rango de modulación de transmitancia.
Tiempo de vida y número de ciclos alcanzados
El tiempo de cambio entre coloración-decoloración
En relación a los conductores transparentes necesarios el ITO ha dominado el mercado, sin
embargo es probable que se sustituya ya que comienza a verse escases de Indio, además el
precio del metal se ha elevado de aproximadamente 100dll/Kg a cerca de 1000 dlls/kg en
los últimos 6 años.
Ventanas electrocrómicas:
Las capas electroactivas, a menudo denominadas electrocromáticas, cambian sus
propiedades ópticas al cambiar entre su forma oxidada y reducida. El electrocromismo
puede verse como una característica del dispositivo en lugar de propiedades materiales. Los
más favorables son los electrocromáticos que se reflejan en su estado de color en lugar de
absorber, pero esto se ha encontrado muy difícil y la mayoría de los electrocromos están
absorbiendo. Al combinar diferentes tipos de electrocromáticos, películas de
almacenamiento de iones y conductores de iones, se pueden obtener diferentes propiedades
para el dispositivo, donde se pueden optimizar el rango de modulación, la durabilidad y las
velocidades de conmutación. Muchos de estos electrocromáticos son bien conocidos en la
actualidad. Los más importantes son los óxidos metálicos, de los cuales el óxido de
tungsteno es el más conocido, pero también se aplican polímeros electrocrómicos en
ventanas y dispositivos electrocromáticos.

Transparent conductors- a status review

Los procesos a baja temperatura, como la pulverización con magnetrón, la pulverización
con haz de iones y el revestimiento iónico reactivo, permiten la deposición de las películas
de óxido sobre substratos poliméricos como el plástico.
En procesos que involucran altas temperaturas de deposición, el efecto de la difusión de
iones alcalinos desde el sustrato de vidrio a la película se vuelve extremadamente
importante. Los cationes actúan como agentes de dopaje tipo p y compensan a los donantes
nativos. El problema es grave en el caso de los sustratos sola-lime glass, que tienen un alto
contenido de sodio. Para superar el problema debido a los iones alcalinos, se debe adoptar
un procedimiento de limpieza especial para los sustratos de vidrio, que implica la
lixiviación con ácido nítrico para disolver el álcali en la superficie.
Spray pirólisis

En las películas de SnO2: F, la concentración de flúor en la película es generalmente mucho

más baja que la de la solución (por lo general, un 0,8% correspondiente al 65% de la
solución). Esto se ha atribuido al escape de los productos de descomposición térmica de
NH4F a la atmósfera.
Si el proceso se clasifica o no como CVD depende de si las gotas del líquido vaporizan
antes de alcanzar e l substrato o si reaccionan después de tocarlo, en spray pirólisis se da el
primer caso
El tamaño de gota típico es entre 1 ~ µm y un pocos micrones
En todos los casos el agua es el agente oxidante mas conveniente, pero normalmente se
diluye la solución con etanol, metanol, propanol o butil acetato, ya que estos tienen altas
volatilidades y bajas tensiones superficiales, además la adición de un poco de HCl mejora
la calidad de la película. Cuando la temperatura del substrato se incrementa el tamaño de
grano se incrementa pero las orientaciones preferenciales disminuyen.
Dos mediciones prácticas son la resistencia de hoja y la transmitancia promedio en el
visible; Los fenómenos de conductividad y transparencia están fuertemente
interrelacionados, lo que lleva a un cierto compromiso entre los dos. La naturaleza exacta
de esta interdependencia está dictada por la influencia de varios parámetros de depósito en
las propiedades electro-ópticas de estas películas. Sin embargo, para películas depositadas
en condiciones óptimas, tanto Rsh como T dependen significativamente del espesor de la
película.
Las películas de FTO presentan efectos fuertes de orientación con planos (200) paralelos al
substrato, generalmente presentan altas movilidades entre 25-50 cm2/Vs.
La superioridad del óxido de indio sobre las películas de óxido de estaño como conductores
transparentes es generalmente debido a la mayor movilidad en el óxido de indio.
Las películas de ITO generalmente se “graban” mas fácilmente que las de óxido de estaño
ya que pueden “grabarse” con ácidos sulfúricos, crómicos y fosfóricos y mezclas de ácido
clorhídrico y acético.
La conductividad eléctrica, la transparencia óptica en la región visible y la reflectividad IR
están interrelacionadas y dependen notablemente de las condiciones de deposición, en
particular de la temperatura del sustrato y los procesos de oxidación que ocurren durante o
después de la deposición.
Mayor movilidad es debida a un tamaño de grano mayor, la transmitancia óptica disminuye
ligeramente en parte debido al coeficiente de absorción y en parte debido a la dispersión de
la rugosidad de la superficie para películas más gruesas.
Se observa un borde de reflexión de plasma en el IR que es seguido por una región de alta
reflectancia.
Se sabe que los óxidos transparentes estequiométricos son aislantes de banda ancha.
La alta conductividad de las películas de óxido puro se debe a la alta concentración de
portadores (electrones). La desviación estequiométrica puede deberse a vacíos de aniones o
exceso de cationes intersticiales. La naturaleza exacta de la estructura del defecto en la
mayoría de los casos todavía es incierta
FTO puede representarse en la notación iónica Sn 4+ O2-2-x F-x e-x, Debe observarse que los
efectos de dopaje efectivos se obtienen cuando el radio iónico del dopante es igual o menor
que el del ión huésped y, además, el óxido dopante no forma compuestos o soluciones
sólidas con el óxido huésped. La baja movilidad observada y sus dependencias de N y la
temperatura pueden explicarse en términos de mecanismos de dispersión tales como la
impureza ionizada o la dispersión de los límites de grano. El aumento inicial en µ con la
concentración de antimonio o flúor se atribuye a una disminución en el potencial del límite
del grano debido a un aumento en el tamaño del grano.
El perfil de la banda de conducción puede representarse por uno de tres tipos

(a) de una banda plana dentro de los granos explica el comportamiento observado de la
movilidad termoactivada. Según el modelo (b), el número de cargas atrapadas en el límite
del grano aumenta al aumentar el N en los granos, lo que resulta en un aumento lineal en la
altura de la barrera para alcanzar un máximo cuando todas las trampas están llenas (µ
alcanza un mínimo). A niveles más altos de dopaje, N aumenta aún más y el régimen del
caso (c) toma el control, por lo que el potencial de límite del grano disminuye como
resultado de la disminución en el ancho de la capa de agotamiento. El potencial del límite
del grano se ha determinado a partir de los gráficos µT1/2 versus 1/T, De la discusión
anterior queda claro que todavía no ha surgido una explicación cuantitativa aceptable para
la baja movilidad en las películas de óxido.
La alta transparencia óptica de estos óxidos en las regiones visibles y cercanas al IR del
espectro solar es una consecuencia directa de que son semiconductores de banda ancha.
Su borde de absorción fundamental generalmente se encuentra en el UV y se desplaza a
longitudes de onda más cortas a medida que aumenta la concentración del portador. Este
cambio se debe al llenado de los estados cerca de la parte inferior de la banda de
conducción y es bien conocido como el cambio Moss-Burstein.
Las películas de óxido conductor transparentes disponibles en la actualidad con bordes de
plasma de aproximadamente 1,5 µm son muy adecuadas para mantener la radiación de
calor confinada en un edificio, pero ofrecen algunas ventajas para evitar la radiación
infrarroja del sol.
Para esta última aplicación, es necesario desarrollar materiales con un borde de plasma a
aproximadamente 0.7 µm.
Con un borde de reflexión de plasma y una reflectividad IR ajustados adecuadamente, la
selectividad óptica de los conductores transparentes puede desempeñar un papel muy
importante en el ahorro y / o la conservación de energía en la calefacción y el enfriamiento
de edificios.

Transparent conductors as solar energy materials: A panoramic

review
Una razón básica por la que los conductores transparentes son motivo de interes es que
pueden mostrar transparencia en un rango limitado y bien definido, que normalmente
abarca la luz visible en el intervalo de longitud de onda de 0.4 <  < 0.7 µm. En el
infrarrojo (IR), su propiedad metálica conduce a la reflectancia y en longitudes de onda
suficientemente cortas, en el ultravioleta (UV), se vuelven absorbentes debido a las
excitaciones a través de una brecha de energía.
Si la reflectancia está en el rango de la radiación térmica de 3< λ < 50 µm a temperatura
“normal”, la emisión de calor se impide. Si la reflectancia prevalece de 0.7 < λ 3µm,
cubriendo la parte IR del espectro solar que transporta aproximadamente el 50% de la
energía solar, se puede combinar la transmitancia visible con el rechazo de una gran parte
de la energía solar y al mismo tiempo tener una baja emisión térmica.
Cuando la radiación electromagnética choca con un material, se puede transmitir una
fracción, se refleja una segunda fracción y se absorbe una tercera fracción.
T () + R () + A () = 1
A partir de la conservación de la energía referida como la Ley de Kirchhoff:
A(λ)=E(λ)
Siendo E la emitancia