UNIDAD 3

Clase 7

Apuntes de la cátedra 2020

Prof: Ing. Jorge Colombo
MEMORIAS
Introducción
• La memoria es la parte del computador en la que se guardan
o almacenan los programas (las instrucciones y los datos).
• Sin una memoria de la que los procesadores leyeran o
escribieran la información, no habría computadores
digitales de programa almacenado.
• Por una parte tenemos que la velocidad de ejecución de los
programas es muy dependiente de la velocidad a la que se
pueden transferir los datos entre la CPU y la memoria.
• Por otra parte, también es importante disponer de una gran
cantidad de memoria, para facilitar la ejecución de
programas que son grandes o que trabajan con una gran
cantidad de datos.
Introducción
• En relación con la MP sólo son posibles dos operaciones que
puede ordenar la UCP la lectura o la escritura, pero antes
de realizar cualquiera de ellas, la UCP debe direccionar la
MP.
• La acción de direccionar (direccionamiento) consiste en
colocar en las líneas de direcciones del bus que llegan a MP,
la dirección de la celda a la que se quiere acceder, para
leerla o escribirla
Introducción
• Por esto, idealmente, la memoria debería ser rápida, grande y barata.
• Como cabría esperar, hay un compromiso entre estas tres características
de la memoria que mantienen las siguientes relaciones:

* A menor tiempo de acceso -> mayor coste por bit.

* A mayor capacidad -> menor coste por bit.
* A mayor capacidad -» mayor tiempo de acceso.
Características de las memorias.
• Volatilidad. Se dice que una memoria es volátil si la
información almacenada desaparece si se corta la
alimentación eléctrica. Las memorias semiconductoras son
volátiles
• Tiempo de acceso. Es el tiempo que transcurre entre el
instante en que se ordena una operación de lectura y el
instante en que se dispone de la primera información.
• Tiempo de ciclo. Se trata del tiempo que debe transcurrir
entre dos operaciones de lectura o escritura consecutivas.
Ello es debido a que los procesos de escritura/lectura, no
requieren en sus fases terminales la atención completa del
microprocesador, pudiendo comenzar a realizar otras
operaciones mientras tanto
Características de las memorias.
• Localización de la memoria: Podemos clasificar los tipos
de memoria según su localización dentro del computador.
Básicamente, se pueden distinguir: memoria dentro del chip
del procesador, memoria interna (memoria en la placa base
del computador) y memoria externa.
• Dentro del chip del procesador habitualmente están los
registros y uno o varios niveles de memoria caché.
• La memoria interna corresponde a la memoria principal
(memoria RAM del computador) y adicionalmente un nivel
de memoria caché o varios.
• La memoria externa corresponde a los dispositivos de
almacenamiento secundario, como discos duros,
Características de las memorias.
• Capacidad de la memoria
• La capacidad (o tamaño de la memoria) hace referencia a la
cantidad de información que se puede almacenar.
• La unidad utilizada para especificar la capacidad
• de almacenamiento de información es el byte (1 byte = 8
bits), y a la hora de indicar la capacidad, se utilizan
diferentes prefijos que representan múltiplos del byte.
MÉTODOS DE ACCESO
Métodos de acceso
• Cada tipo de memoria utiliza un método a la hora de acceder
a las posiciones de memoria.
• Hay métodos de acceso diferentes característicos de cada
tipo de memoria:
1. Secuencial.
2. Directo.
3. Aleatorio.
Métodos de acceso
• Secuencial.
• Se accede desde la última posición a la que se ha accedido, leyendo en
orden todas las posiciones de memoria hasta llegar a la posición
deseada. El tiempo de acceso depende de la posición a la que se quiere
acceder y de la posición a la que se ha accedido anteriormente.
• Usos del acceso secuencial
• El acceso secuencial se utiliza básicamente en dispositivos de cinta
magnética.
Métodos de acceso
• Directo.
• La memoria se organiza en bloques y cada bloque de memoria tiene
una dirección única, se accede directamente al principio de un bloque
y dentro de este se hace un acceso secuencial hasta llegar a la posición
de memoria deseada.
• El tiempo de acceso depende de la posición a la que se quiere acceder
y de la última posición a la que se ha accedido.
Métodos de acceso
• Aleatorio.
• La memoria se organiza como un vector, en el que cada
elemento individual de memoria tiene una dirección única.
• Se accede a una posición determinada proporcionando la
dirección.
• El tiempo de acceso es independiente de la posición a la que
se ha accedido y es independiente de la última posición a la
que se ha accedido.
Organización de los datos de una memoria
• Básicamente, los elementos que hemos de tener en cuenta
son los siguientes:
• Palabra de memoria. Es la unidad de organización de la memoria
desde el punto de vista del procesador; el tamaño de la palabra de
memoria se especifica en bytes o bits. Es el número de bytes máximo
que se pueden leer o escribir en un solo ciclo de acceso a la memoria.
Organización de los datos de una memoria
• Básicamente, los elementos que hemos de tener en cuenta
son los siguientes:
• Unidad de direccionamiento. La memoria interna se puede ver
como un vector de elementos, una colección de datos contiguos, en la
que cada dato es accesible indicando su posición o dirección dentro
del vector. La unidad de direccionamiento especifica cuál es el tamaño
de cada elemento de este vector; habitualmente a la memoria se
accede como un vector de bytes
El número de bits utilizados para especificar una dirección de
memoria fija el límite máximo de elementos dirigibles, el tamaño del
mapa de memoria; si tenemos n bits para las direcciones de memoria,
el número máximo de elementos dirigibles será de 2n.
Organización de los datos de una memoria
• Básicamente, los elementos que hemos de tener en cuenta
son los siguientes:
• Unidad de transferencia. En un acceso a memoria se puede acceder
a un byte o a varios, con un máximo que vendrá determinado por el
número de bytes de una palabra de memoria; es decir, en un solo
acceso se leen o escriben uno o varios bytes.
• Cuando se especifica la dirección de memoria a la que se quiere
acceder, se accede a partir de esta dirección a tantos bytes como
indique la operación de lectura o escritura.
• En memoria externa, se accede habitualmente a un bloque de datos de
tamaño muy superior a una palabra.
• En discos es habitual transferir bloques del orden de los Kbytes.
JERARQUÍA DE MEMORIA
Jerarquía de Memoria
• El objetivo en el diseño del sistema de memoria de un
computador es que tenga una gran capacidad y un tiempo
de acceso reducido con el precio más bajo posible.
• Como no hay ninguna tecnología que cumpla
simultáneamente estos requisitos, la memoria del
computador se estructura en varios niveles con el objetivo
de conseguir unas prestaciones mejores, y forma lo que
denominamos jerarquía de memorias.
Jerarquía de Memoria
• En una jerarquía de memorias se utilizan varios tipos de
memoria con distintas características de capacidad,
velocidad y coste, que dividiremos en niveles diferentes:
memoria del procesador, memoria interna y memoria
externa.
• Cada nivel de la jerarquía se caracteriza también por la
distancia a la que se encuentra del procesador.
• Los niveles más próximos al procesador son los primeros
que se utilizan; eso es así porque también son los niveles
con una velocidad más elevada.
Jerarquía de Memoria
Jerarquía de Memoria

Del traspaso entre memorias se encarga el SO y la CPU

Jerarquía de Memoria

Del traspaso entre memorias se encarga el SO y la CPU

Jerarquía de Memoria

Del traspaso entre memorias se encarga el SO y la CPU

Jerarquía de Memoria
• La pirámide del gráfico superior, está construida por
diversos tipos de memoria, de tal manera que a medida que
se va de arriba hacia abajo, sucede lo siguiente:

• Disminuye el coste por bit

• Aumenta la capacidad
• Aumenta el tiempo de acceso
• Disminuye la frecuencia de acceso a la memoria desde la CPU

• La CPU y el sistema operativo se encargarán de ir llevando y

trayendo los datos de las memorias lentas a las rápidas y
viceversa, a medida que se vayan referenciando los distintos
datos o programas.
Jerarquía de Memoria
• Registros: El registro es el espacio de memoria que se
encuentra dentro del procesador, integrado dentro del mismo
chip de este. Se utilizan celdas de memoria de tipo estático,
SRAM, para su implementación.
• Memoria interna: La memoria interna en un computador
moderno está formada típicamente por dos niveles
fundamentales: memoria caché y memoria principal. En los
computadores actuales es frecuente encontrar la memoria
caché también dividida en niveles
• Memoria principal: En ella se almacenan los programas que
se deben ejecutar y sus datos, es la memoria visible para el
programador mediante su espacio de direcciones.
Jerarquía de Memoria
• Memoria externa: La memoria externa corresponde a
dispositivos de almacenamiento secundario:
• discos magnéticos, cintas magnéticas, discos ópticos,
dispositivos de memoria flash, etc., y también se pueden
considerar sistemas de almacenamiento en red.
• Memoria virtual: Decimos que un computador utiliza
memoria virtual cuando las direcciones de memoria de los
programas se refieren a un espacio de memoria superior al
espacio de memoria físico, espacio de memoria principal. La
memoria virtual libera al programador de las restricciones
de la memoria principal.
 Jerarquía de Memoria
• El objetivo final de la jerarquía de memorias es conseguir que,
cuando el procesador acceda a un dato, este se encuentre en el
nivel más rápido de la jerarquía.
• Obtenemos así una memoria a un coste moderado, con una
velocidad próxima a la del nivel más rápido y la capacidad del
nivel más alto
• Cada nivel de la jerarquía de la memoria se relaciona solo con
los niveles superior e inferior, salvo casos excepcionales.
• El procesador tiene acceso solamente a los registros y obtiene
los datos de memoria mediante la memoria caché.
Jerarquía de memorias en un Pentium
Evolución del sistema de memoria
• La memoria caché se coloca como una memoria intermedia
entre la memoria principal y el procesador.
• Cuando el procesador necesita un dato o una instrucción,
primero se comprueba si está en la memoria caché y solo en
caso de que no lo esté se debe traer de la memoria principal
para acceder a él.

• Seguir con 0022-estructura-de-computadores en sc1/otros

memorias
Memorias de acceso aleatorio
• Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como
memorias RAM de la sigla en inglés Random Access
Memory.
• Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y
contienen un conjunto de variables de dirección que
permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de
forma directa e independiente de la posición en la que se
encuentre.
• Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la
información cuando no hay energía y se clasifican en dos
categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica.
Memorias RAM estática
• Este tipo de memoria conocida
como SRAM (Static Random A
Memory) se compone de celdas
conformadas por flip-flops
construidos generalmente con
transistores MOSFET, aunque
también existen algunas
memorias pequeñas construidas
con transistores bipolares.
• La celda se activa mediante un
nivel activo a la entrada superior
y los datos se cargan o se leen a
través de las líneas laterales.
 Tecnología de memorias: RAM Estática
Línea de Bit Línea de Bit

Selección

3 4 6
1

2 5

Diagrama del biestable de un bit básico de SRAM (Static RAM).

 Almacena la información en un biestable.

 Una celda (un bit) se compone de seis transistores ⇒ menor capacidad de almacenamiento por
chip.
 3 transistores consumen energía máxima en forma permanente y los otros 3 consumen mínima
energía ⇒ Mayor consumo
 La lectura es directa y no destructiva ⇒ tiempo de acceso muy bajo
Memorias RAM Dinámica
• Este tipo de memoria conocida
como DRAM (Dynamic Random
Access Memory), a diferencia de
la memoria estática se compone
de celdas de memoria
construidas con condensadores.
• Las celdas de memoria son de
fabricación más sencillas en
comparación a las celdas a base
de transistores, lo cual permite
construir memorias de
gran capacidad.
Memorias RAM Dinámica
• La operación de la celda es similar a la
de un interruptor, cuando el estado en
la fila se encuentra en alto, el
transistor entra en saturación y el dato
presente en el bus interno de la
memoria (columna) se almacena
en el condensador, durante una
operación de escritura y se extrae en
una operación de lectura.
• El inconveniente que tiene este tipo de
memorias consiste en que hay que
recargar la información almacenada
en las celdas, por lo cual estas celdas
requieren de circuitería adicional
para cumplir esta función.
• A este función especial se llama de
refresco
 Tecnología de memorias: RAM Dinámica
CAS
RAS
Cd

Buffer

Transistor
Bit de datos de salida al bus
Diagrama de un bit elemental de DRAM (Dynamic RAM).
 Almacena la información como una carga en una capacidad espuria de un
transistor.
 Una celda (un bit) se implementa con un solo transistor ⇒ máxima capacidad de
almacenamiento por chip.
 Ese transistor consume mínima energía ⇒ Muy bajo consumo.
 Al leer el bit, se descarga la capacidad ⇒ necesita regenerar la carga ⇒ aumenta
entonces el tiempo de acceso de la celda.
Ventajas y desventajas
 El problema
• RAM dinámica (DRAM)
• Consumo mínimo.
• Capacidad de almacenamiento comparativamente alta.
• Costo por bit bajo.
• Tiempo de acceso alto (lento), debido al circuito de regeneración de carga.
• Si construimos el banco de memoria utilizando RAM dinámica, no
aprovechamos la velocidad del procesador.
• RAM estática (SRAM)
• Alto consumo relativo.
• Capacidad de almacenamiento comparativamente baja.
• Costo por bit alto.
• Tiempo de acceso bajo (es mas rápida).
• Si construimos el banco de memoria utilizando RAM estática, el costo y el
consumo de la computadora son altos.
La solución: Memoria cache
• Se trata de un banco de SRAM de muy alta velocidad, que contiene
una copia de los datos e instrucciones que están en memoria
principal
• El arte consiste en que esta copia esté disponible justo cuando el
procesador la necesita permitiéndole acceder a esos ítems sin
recurrir a wait states.
• Combinada con una gran cantidad de memoria DRAM, para
almacenar el resto de códigos y datos, resuelve el problema
mediante una solución de compromiso típica.
• Requiere de hardware adicional que asegure que este pequeño
banco de memoria cache contenga los datos e instrucciones mas
frecuentemente utilizados por el procesador.
Referencias
• El tamaño del banco de memoria cache debe ser:
• Suficientemente grande para que el procesador resuelva la mayor
cantidad posible de búsquedas de código y datos en esta memoria
asegurando una alta performance
• Suficientemente pequeña para no afectar el consumo ni el costo del
sistema.
• Se dice que se logra un hit cuando se accede a un ítem (dato o
código) y éste se encuentra en la memoria cache.
• En caso contrario, se dice que el resultado del acceso es un miss.
• Se espera un hit rate lo mas alto posible

hit rate = Cantidad de accesos con presencia en Memoria Cache

Cantidad total de accesos a memoria
Operación de Lectura de memoria
Inicio

CPU envía señal

de lectura

Hit!! Miss Busca ítem en

Busca ítem
memoria del
en cache
sistema
Busca ítem en
cache y envía a Escribe ítem en
la CPU el cache

Actualiza Envía ítem a la

directorio cache CPU

Fin
Estructura de Bus del sistema con cache

Procesador

CONTROL

ADDRESS
DATOS
Bus Local del
Memoria Controlador de procesador
cache CONTROLMemoria caché

Buffer de Buffer de
Datos Address Bus Local del
controlador
cache

Bus de Bus de Bus de

Control Datos Dir.

BUS DEL SISTEMA

Evolución del sistema de memoria
• Una de las mejoras más importantes ha sido la aparición de
la jerarquía de memorias, con la incorporación de memorias
cachés.
• La memoria caché es una memoria más rápida que la
memoria principal, pero también de coste mucho más
elevado.
• Por este motivo tiene un tamaño más reducido que la
memoria principal.
Cache
• Memoria rápida, escasa
• Se instala entre la memoria principal y la CPU
• Puede esta en el chip de la CPU (L1) o módulo externo (L2)
• La memoria principal se accede por bloques de K palabras (en general K
> 1).
• Cuando se lee un bloque, se almacena en una línea de cache.

Transferencia
Transferencia de Bloque
de palabra
Tipos de Memoria
• Las memorias asociativas son las que se utilizan para las memorias
caché. Por su parte, las memorias convencionales tienen distintos usos
dependiendo de su tecnología, y podemos encontrarnos memorias RAM,
ROM, PROM, EPROM, Flash y EEPROM.
• Entre todas estas, la que suele ocupar la mayor parte del mapa de
memoria principal es la memoria RAM, es decir, memoria volátil de
acceso directo de lectura/escritura.
• La memoria RAM a su vez admite distintas tecnologías, como las
memorias estáticas (más rápidas y que se suelen emplear para las
memorias caché) y las dinámicas (más lentas, y utilizadas para la
memoria principal),
• Los módulos de memoria ROM los consideraremos con las mismas
características que la memoria RAM, excepto la posibilidad de escribir
en ella.
• Aunque un mapa de memoria principal puede estar formado por
distintos tipos de memoria, lo más frecuente es encontrar simplemente
memoria RAM y ROM (o alguna variedad), donde la RAM ocupa la
inmensa mayoría del espacio de direcciones.
Tipos de Memoria
ORGANIZACIÓN DE LA
MEMORIA
Organización
• La memoria esta compuesta por “bits”, pero un bit resulta
insuficiente como unidad lógica de almacenamiento, por lo
que se requiere que las celdas de memoria estén
compuestas de varios bits.
• Es decir, a partir de la serie de bits de que esta compuesta la
memoria, necesitamos organizados en grupos de bits, a los
que llamaremos celdas de memoria, tal que cada una de
estas celdas sí sea capaz de almacenar un dato significativo
(un carácter, un número,...).
• Cada una de estas celdas de memoria tiene asignada una
dirección, lo que significa que es la unidad direccionable de
memoria.
Organización
• La unidad direccionable de memoria es la mínima porción
de memoria a la que la CPU puede hacer referencia para leer
o escribir en ella.
• Es decir, la CPU no puede acceder directamente a un
bit concreto de la memoria.
• Para leer o escribir un bit concreto, tiene que leer o escribir
la celda completa de memoria en la que está dicho bit.
• Una vez que la celda está en algún registro de la CPU, ésta ya
puede acceder a cada bit según las instrucciones
disponibles.
Organización
 Organización

En la figura vemos que una memoria de 96 bits puede organizarse de varias

maneras. Algunas de ellas son: 6 celdas de 16 bits, 8 celdas de 12 bits o 12 celdas
de 8 bits.
Aunque el número de bits por celda ha variado mucho a lo largo de la corta historia
de los computadores digitales, hoy día casi todos los fabricantes de computadores
de propósito general han estandarizado la celda de 8 bits, llamada byte.
Organización
• Un byte es capaz de almacenar datos tales como caracteres y
valores numéricos pequeños, pero resulta insuficiente para
manejar nümeros de cierta magnitud.
• Por esto, los bytes se agrupan a su vez en palabras.
• El tamaño de una palabra viene determinado por el ancho de los
registros generales de la CPU, por lo que un procesador con
registros de 32 bits tiene una palabra de 32 bits.
• Esto significa que se pueden hacer operaciones (aritméticas, de
movimiento, etc.) con datos de hasta 32 bits (en este caso).
• El tamaño de las palabras ha pasado por los 8 y los 16 bits,
creando los tipos de datos byte y word (palabra); años después,
cuando se pasó a registros de 32 bits, para mantener los mismos
tipos de datos, para referirse a los datos de 32 bits (4 bytes) se
creó la doble palabra.
Interfaz de Memoria
• El acceso se realiza en dos pasos: primero se comunica la fila y después la
columna empleando los mismos terminales de conexión. Esta técnica –
denominada multiplexado– permite emplear menos terminales de conexión para
acceder a la RAM, lo que optimiza la relación entre el tamaño del chip y la
capacidad de almacenamiento
Interfaz de Memoria
• Patas de direcciones: A0-A19.
• Puesto que tiene un espacio de
direccionamiento de 1 Mega
(1.048.576 direcciones)
necesita 20 patas de direcciones para
poder seleccionar la celda deseada,
pues 220 = 1.048.576.
• Esta claro que estas
señales son de entrada
• Patas de datos: D0-D7.
• Cada celda direccionada es un byte, luego
necesita 8 hilos.
• Ya que esta pastilla es de memoria
RAM, se puede leer o escribir en ella, por lo
que estas patas son de entrada/salida,
dependiendo de si la operación es
escritura o lectura
Interfaz de Memoria
• Selección de pastilla: CS.
• En cada operación concreta de
lectura/escritura no debe leerse o
escribirse en todas estas pastillas, sino
solamente en la que corresponda
según la dirección.
• Un módulo de decodificación se
encarga de
seleccionar la pastilla o pastillas que
deben activarse al recibir una señal OE
o WE, y para ello activará la señal CS
(Chip Selecto CE, Chip Enable) de la
pastilla o pastillas que deban
responder a la operación.
• Es decir, que esta señal
le indica a la pastilla si debe responder
o no a la operación de
lectura/escritura que se arranca
Interfaz de Memoria
• Tensión de alimentación: Vcc.
• Por esta patilla se recibe la tensión de
alimentación de la pastilla.

• Tierra: GND. Esta pata se une a la toma de tierra

(Ground) del computador.
• Las patillas de alimentación o de toma de tierra
suelen estar duplicadas en los encapsulados
comerciales.
• Las diferencias con otros tipos de pastilla suelen
ser mínimas. En las pastillas ROM, por ejemplo,
no está presente la
señal Wríte Enable; y en las pastillas de tipo
EEPROM (memoria no volátil de
lectura/escritura) se dispone de una señal de
tensión especial para la escritura.
• Se debe tener en cuenta que al decir que una
señal está activa no quiere decir que esa señal
tiene 5 voltios, por
ejemplo, pues depende de si la señal tiene lógica
positiva o lógica negada. Esto quiere decir que
una señal concreta puede estar activa al tener 5V
o al estar a OV o -5V, dependiendo de la lógica
utilizada.
Cronograma de lectura

• En un ciclo de lectura síncrona, todas las señales las activa el dispositivo que quiere realizar la
lectura de memoria (generalmente, la CPU), excepto las señales de datos, ya que, al tratarse de
una lectura, sera la propia pastilla de memoria la que los active convenientemente.
• En primer lugar se debe poner la dirección del dato a leer en las señales de direcciones; a
continuación se activará la señal de selección de pastilla CS (o CE, Chip Enabled) y, por ultimo,
OE, la señal que indica que se trata de una lectura. Obviamente, la señal de escritura WE se
mantiene desactivada durante toda la operación.
• Pasado un cierto tiempo, la pastilla de memoria pone el contenido de la dirección de memoria
indicada en las señales que componen el bus de datos. El tiempo máximo que transcurre desde
que se activa la señal CS hasta que entrega el dato se denomina "tiempo de acceso", y su duración
depende de la tecnología utilizada. Las memorias dinámicas (las normalmente utilizadas en
RAM) tienen un tiempo de acceso entre 10 y 20 ns, mientras que las estáticas (las utilizadas
para memorias caché) son de alrededor de 3 ns.
Cronograma de Escritura

• En el caso de un ciclo de escritura síncrona, todas las señales las activa el dispositivo que va a
escribir en la memoria, incluidas, claro esta, las señales de datos.
• En la figura se puede ver el orden en el que se tienen que ir activando las distintas señales. Ahora
es la señal OE la que se mantiene desactivada durante toda la operación.
• Las pastillas de memoria exigen, generalmente, que el dato que se desea escribir esté presente
en el bus de datos un tiempo mínimo (tiempo de "setup") antes de desactivar las señales CS y
WE, de tal forma que le de tiempo a la pastilla a capturar el dato correctamente.
• Tanto al ciclo de lectura como al de escritura se los conoce de forma genérica como Ciclo de
Memoria (o de Bus). Debe quedar claro que aunque tengan un nombre genérico común, un ciclo
de lectura no tiene porqué durar lo mismo que uno de escritura; es decir, que los ciclos de
memoria pueden tener distintas duraciones.
MEMORIAS ROM
Memorias Rom
• Las memorias de solo lectura son
conocidas como memorias ROM
(del inglés Read Only Memory).
• Se caracterizan por ser memorias
de lectura y contienen celdas de
memoria no volátiles, es decir
que la información almacenada se
conserva sin necesidad de
energía.
• Este tipo de memoria se emplea
para almacenar información de
forma permanente o información
que no cambie con mucha
frecuencia.
Memoria ROM de máscara
• Este tipo de ROM se caracteriza porque la información
contenida en su interior se almacena durante su fabricación
y no se puede alterar.
• El proceso de fabricación es muy caro, pero se hacen
económicas con la producción de grandes cantidades.
• La programación se realiza mediante el diseño de un
negativo fotográfico llamado máscara donde se especifican
las conexiones internas de la memoria.
• Son ideales para almacenar microprogramas, sistemas
operativos, tablas de conversión y caracteres.
Memoria PROM
• ROM programable del inglés Programmable Read Only Memory.
• Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el
proceso de fabricación, sino que la efectúa el usuario y se puede realizar
una sola vez, después de la cual no se puede borrar o volver a almacenar
otra información.
• Para almacenar la información se emplean dos técnicas: por destrucción
de fusible o por destrucción de unión.
• Comúnmente la información se programa o quema en las diferentes
celdas de memoria aplicando la dirección en el bus de direcciones, los
datos en los buffers de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V, en una
terminal dedicada para fundir los fusibles correspondientes.
• Cuando se aplica este pulso a un fusible de la celda,
se almacena un 0 lógico, de lo contrario se
almacena un 1 lógico (estado por defecto),
quedando de esta forma la información
almacenada de forma permanente.
Memoria EPROM
• Del inglés Erasable Read Only Memory.
• Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia
que la
información se puede borrar y volver a grabar varias veces.
• La programación se efectúa aplicando a un pin especial de la
memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios durante
aproximadamente 50 ms, según el dispositivo, al mismo
tiempo se direcciona la posición de memoria y se pone la
información a las entradas de datos.
• Este proceso puede tardar varios minutos dependiendo de
la capacidad de memoria.
Borrado de Memoria EPROM
• La memoria puede ser borrada exponiendo el chip a una luz ultravioleta a través
de su ventana de cuarzo transparente por aproximadamente de 10 a 20 minutos,
esta ventana le permite a los rayos ultravioleta llegar hasta el material
fotoconductivo presente en las compuertas aisladas y de esta
forma lograr que la carga se disipe a través de este material apagando el
transistor, y hacer que todas las celdas de memoria quedan en 1 lógico.
• Una vez programada, la ventana de cuarzo se debe cubrir con un adhesivo para
evitar la entrada de luz ambiente que pueda borrar la información, debido a su
componente de luz ultravioleta y el chip puede ser reprogramado de nuevo.
Borrado de Memoria EPROM
• Las desventajas de la EPROM son:
• Se debe de sacara del circuito para poderlas borrar
• Se debe borrar todo el chip
• El proceso de borrado se toma entre 15 y 30 minutos (este tiempo
depende del tipo de fabricante)
Ventajas de la EEPROM con respecto a las
EPROM
• Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma
individual.
• El borrado de la memoria se efectúa aplicando tensiones negativas
sobre las compuertas para liberar la carga eléctrica almacenada en
ellas. Para borra la información no se requiere luz ultravioleta.
• Las memorias EEPROM no requieren programador.
• Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
• Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se
observen problemas para almacenar la información.
• El tiempo de almacenamiento de la información es similar al de las
EPROM, es decir aproximadamente 10 años.
• Actualmente estas memorias se construyen con transistores de
tecnología MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide
Silicon).
Memoria Flash
• Las memoria flash utilizan puertas lógicas NOR y NAND para
almacenar los 0’s ó 1’s correspondientes.
• La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede
programar y borrar eléctricamente.
• La memoria Flash contiene una matriz de filas y columnas con
celdas que tienen dos transistores en cada intersección.
• Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información, pero las
más actuales, pueden almacenar más de un bit por celda
dependiendo del número de electrones que almacenan.
• De la misma manera que la memoria EPROM, cuando hay carga
eléctrica en la compuerta aislada, se almacena un 0, de lo
contrario se almacena un 1.
Memoria Flash
• La celda de memoria se carga con un valor relativamente alto para
almacenar el valor correspondiente a 1.
• La celda de memoria se carga con un valor relativamente bajo para
almacenar el valor correspondiente a 0.
 Memoria Flash
• Los dos transistores están separados
por una fina capa de óxido.
• Uno de los transistores recibe el
nombre de floating gate (FG).
• El floating gate esta conectado a la fila
(wordline) a través del otro
transistor, control gate (CG).

• Cuando se inicia la conexión, el valor de la celda cambia a 0, pues el valor

por defecto es 1, cuando ambos transistores no esta unidos.
• Para modificar los valores de las celdas como borrar o escribir se le debe
aplicar una descarga eléctrica (que va de los 0 a los 13 [V]) que transfiere
(0) o no (1) electrones, dependiendo del estado de unión de los transistores.
• En cambio, para leer, la memoria flash tiene sensores de celda que
detectan el contenido de las mismas, ya sea un 1 o un 0.
• El conjunto de estos bits formaran luego el archivo a recuperar.
Memoria Flash
• Hay dos formas de clasificar a las Memorias Flash, mediante
su funcionamiento interno de NAND y NOR o según su
formato físico (tarjetas de memoria, pendrive, etc)
• Tipo NOR
• Proporciona capacidades de acceso aleatorio de alta velocidad, permitiendo leer y escribir
datos en ubicaciones especificas de la memoria sin tener que acceder de manera
secuencial. Generalmente se integran en teléfonos celulares (sistema operativo de este) y
en computadoras para almacenar el programa de la BIOS que se ejecuta para proporcionar
la funcionalidad de arranque.
• Tipo NAND
• Se invento posteriormente a NOR, también lee y escribe a alta velocidad pero lo hace en
modo secuencial, manejando los datos en tamaños de bloque pequeños. Esta se encuentra
generalmente en las unidades de disco duro, cámaras digitales, teléfonos
celulares(almacenamiento de datos), etc. Es ideal para el almacenamiento de datos ya que
es secuencial por lo que es mas rápida, además es mas económica que NOR.
 Memoria Flash
• Según su funcionamiento interno
• Tipo NOR
• Proporciona capacidades de acceso aleatorio de alta velocidad, permitiendo
leer y escribir datos en ubicaciones especificas de la memoria sin tener que
acceder de manera secuencial. Generalmente se integran en teléfonos
celulares (sistema operativo de este) y en computadoras para almacenar el
programa de la BIOS que se ejecuta para proporcionar la funcionalidad de
arranque.
• Tipo NAND
• Se invento posteriormente a NOR, también lee y escribe a alta velocidad
pero lo hace en modo secuencial, manejando los datos en tamaños de bloque
pequeños. Esta se encuentra generalmente en las unidades de disco duro,
cámaras digitales, teléfonos celulares(almacenamiento de datos), etc. Es
ideal para el almacenamiento de datos ya que es secuencial por lo que es
mas rápida, además es mas económica que NOR.
 Memoria Flash
• Comparación memorias NOR vs memorias NAND
• La memoria Nor es mucho más costosa.
• La velocidad de lectura de las memorias NOR es mucho mayor.
• Las memorias NAND son mucho más susceptibles que en la memorias NOR, es casi imposible
que en las memorias NOR exista corrupción de datos, en cambio en las memorias NAND hay
corrección de datos y hay bloques que pueden quedar marcados como erróneos.
• Las memorias NAND tienen mayor velocidad de escritura.
• El acceso NOR es orientado a bloques para su modificación.

• Resumiendo podemos decir que las memorias NAND son menos costosas y al
mismo tiempo son más rápidas, pero están más propensas a que exista una
corrupción de los datos, cosa que en las memorias NOR es casi imposible que
suceda.
• Es por esto que a la hora de usar memorias NAND se recomienda usar un
buen sistema de archivos para tener la rapidez de las memorias NAND y al
mismo tiempo minimizar las posibilidades de que exista alguna corrupción de
los datos.
 Memoria Flash
• Comparación memorias NOR vs memorias NAND
Tabla comparativa entre memorias
Preguntas?