INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR

DE SAN ANDRÉS TUXTLA

APLICACIONES INDUSTRIALES

UNIDAD 1 – DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE

POTENCIA

DOCENTE:
ING. COSME HERNÁNDEZ LINAREZ

ALUMNOS:

RODOLFO DANIEL SEBA TOTO-191U0151

ULISES PIMENTEL PEREZ-191U0138

BRIAN ALEJANDRO ESCOBAR MORENO-191U0114

GRADO Y GRUPO: 8VO/802 A

SAN ANDRÉS TUXTLA; VERACRUZ.

A 03 DE MARZO DEL 2023

 INTRODUCCIÓN
La electrónica puede clasificarse, según el tipo de procesamiento de la señal, en tres
áreas básicas: analógica, digital y de potencia. La electrónica analógica tata
principalmente de la operación física y eléctrica y de las aplicaciones de dispositivos
semiconductores utilizados como amplificadores de señal. La electrónica digital trata la
aplicación de los dispositivos electrónicos como conmutadores o llaves controladas
funcionando solo en dos estados: encendido (ON) o apagado (OFF).

La electrónica de potencia se ocupa de la operación y aplicación de dispositivos

electrónicos utilizados para controlar y convertir la energía eléctrica. Debido a estas
diferencias de aplicación, se debe seleccionar el tipo de componentes electrónicos más
adecuado en función de las funciones y especificaciones del sistema a desarrollar. A
partir de aquí, veremos algunos tipos diferentes de dispositivos electrónicos, sus
propiedades físicas, parámetros y modelos utilizados en la electrónica de potencia.
1.1 CLASIFICACIÓN
Para estas aplicaciones de dispositivos semiconductores de potencia se han desarrollado una
serie de dispositivos semiconductores de potencia, los cuales derivan del diodo o el transistor.
Entre estos se encuentran los siguientes:
Rectificador controlado de silicio (SCR): es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de
material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. Un SCR posee tres conexiones:
ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre
el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo
circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del
SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor
comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia
o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien
interrumpir el circuito.
Triac: O triodo para corriente alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los
tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que este es unidireccional y el TRIAC es
bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de
conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición
que formarían dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: MT1, MT2 (en este
caso pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta (G). El disparo del TRIAC se realiza
aplicando una corriente al electrodo de puerta.
Transistor IGBT: El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo semiconductor
que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este
dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo
con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un
solo dispositivo.
Tiristor GTO: Es un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo
pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero
en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal.
Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por
la corriente en la puerta (G).
Tiristor IGCT: Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada es un dispositivo semiconductor
empleado en electrónica de potencia para conmutar corriente eléctrica en equipos industriales.
Tiristor MCT: MOS Controlled Thyristor, o tiristor controlado por MOS. Es un dispositivo
semiconductor desarrollado originalmente por Motorola y que combina las características de un
tiristor y una compuerta MOS (metal oxide semiconductor).
1.2 DIODOS
El diodo es un semiconductor cuya principal función es dejar pasar la corriente solo en una
dirección, es decir, en un solo sentido y bloquear la corriente en el otro sentido. El diodo se
encuentra formado químicamente por una unión llamada PN y, generalmente, estos son
fabricados con metal compuesto de Silicio. Se usa el Silicio con el objetivo de hacerlo un
elemento activo, lo cual, para lograr eso, deberá doparse. Es decir, se añadirán impurezas a los
materiales de fabricación del diodo y es aquí donde ocurre la unión tipo PN. En un material tipo
P encontramos escasez de electrones. También estará presente un material tipo N que tiene un
exceso de ellos. Teniendo en cuenta que esos elementos tienen faltantes, ambos se unen para
generar un comportamiento electrónico.
Los diodos se clasifican en las siguientes categorías:
• Detector o de baja señal
• Rectificador
• Zener
• Diodo Vericap
• Emisor de luz
• Láser
• Estabilizador
• Túnel
• Pin
• Backward
• Schottky
• Fotodiodos.

En general, el diodo se representa de la siguiente manera: De lado izquierdo se encuentra la

entrada positiva llamado ánodo y de lado derecho se encuentra la salida negativa llamada
cátodo.

1.1 Diodo
Tipos de diodos, características y sus símbolos.
▪ Diodo Rectificador

1.2 Diodo rectificador.

Este tipo de diodo es prácticamente el diodo normal, con las características antes mencionadas,
el cual tiene una unión tipo PN y que funciona como válvula de corriente. se le llama rectificador
debido a que se utiliza en aplicaciones de circuitos rectificadores, en los cuales convierte
corriente alterna (AC) a corriente continua (CC).
▪ Diodo Zener

1.3 Diodo Zener

El diodo Zener tiene una zona de conducción igual a la de los diodos rectificadores. Su diferencia
radica en el momento en el que son polarizados inversamente. En este caso, este tipo de diodo
no conduce corriente cuando el voltaje de este es menor al que nos proporciona. El voltaje que
necesita aproximadamente se encuentra entre 3.3V, 5.1V y 12V; la corriente va a fluir en sentido
inversamente polarizado, es decir, de cátodo a ánodo.
Diodo Túnel o Esaki

1.4 Diodo túnel

Este diodo es conocido como el diodo Esaki. Este tipo de diodo tiene como principal
característica un efecto de túnel en la unión PN. Esta es una región de resistencia negativa en
la dirección polarizada de manera directa.
Diodo Schottky

1.5 Diodo Schottky

El diodo Schottky tiene una gran diferencia en su unión. La unión de este tipo de diodo es una
Metal-N, es decir que pasa de un metal a un semiconductor. Que, al ser polarizado en dirección
directa, su caída de voltaje se encuentra entre 2.0 a 0.5 volts.
Diodo Vericap

1.6 Diodo Vericap

La principal característica de este diodo es que es utilizado para proporcionar capacitancia

variable. Esto dependerá de la aplicación inversa y polarización en corriente continua. Las
aplicaciones que se le han dado a este tipo de diodo ha sido para sustituir sistemas mecánicos
en los circuitos electrónicos donde hay emisión y recepción con capacitador variable, un ejemplo
de ello, puede ser la televisión y la transmisión FM de radio.
Fotodiodo

1.7 Fotodiodo

El fotodiodo presenta una característica muy particular, la cual es que este diodo es muy sensible
a la luz. Es por ello que la manera correcta de utilizarlo es conectarlo de manera inversa, esto
permitirá el flujo de corriente en este mismo sentido, ya que, al incidir la luz en el diodo, este
aumentará la intensidad de corriente. Las aplicaciones que obtenemos son similares a la de un
LDR o un fototransistor, ya que va a responder a los cambios de oscuridad a luz muy
rápidamente. De aquí podremos encontrar también dos tipos de fotodiodos: PIN y avalancha.
Diodo LED

1.8 Diodo LED

El famoso diodo emisor de luz, es un diodo muy popular en el mercado. Este diodo emite fotones
a partir de muy baja intensidad de corriente y existen de diferentes colores, lo cual dependerá
del material con el que fueron construidos. Su funcionamiento es básicamente que, al ser
polarizado directamente, fluirá una intensidad de corriente y al aumentar la tensión el diodo,
comenzará a emitir fotones. Un diodo LED tiene una caída de voltaje entre 1.5 a 2.5 volts y una
intensidad de corriente entre 20 y 40 mA.
1.3 TIRISTORES
Un tiristor es un componente electrónico que conduce la corriente eléctrica en un solo sentido
(como un diodo) y que además para que conduzca en ese sentido tiene que ser activado con
una pequeña corriente eléctrica (como un transistor).
Podemos decir que es un interruptor que se activa (abre o cierra) eléctricamente, pero a
diferencia del transistor, se puede utilizar con grandes corrientes (grandes potencias) de salida.
Luego veremos que hay más diferencias con el transistor. Las corrientes que controlan los
tiristores pueden ser de 100A (amperios) o más.
Se dice que los tiristores son biestables (porque tienen dos posiciones) y unidireccionales
(porque conducen en una sola dirección. Ahora veamos su símbolo electrónico y como es el
componente en realidad y luego explicaremos paso a paso su funcionamiento.

1.8 Tiristores
1.4 GTO
El GTO fue inventado en el inicio de la década de los años 60, ha sido poco empleado debido a
sus reducidas prestaciones. se han encontrado nuevas soluciones para mejorar tales
componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrónica de
potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A. Los inconvenientes de los tiristores tipo SCR o TRIAC es el
control externo por parte del usuario del paso de conducción a bloqueo. Para aquellas
aplicaciones en las que nos interese poder bloquear un interruptor de potencia en cualquier
instante es necesario utilizar otro tipo de semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs
El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. El símbolo utilizado para el GTO es el
siguiente:
1.5 TRIAC.
Es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2
y viceversa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos. Cuando se trabaja
con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de circulación de la
corriente. Evidentemente, con un SCR, sólo podemos controlar el paso de corriente en un
sentido. Por tanto, uno de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores han
diseñado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer TRIAC fue inventado a
finales de los años 60. Simplificando su funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se
comporta como dos SCR en anti paralelo (tiristor bidireccional).
De esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulación de corriente.
1.6 TRANSISTOR BIPOLAR.
Más conocidos como BJTs (“Bipolar Junction Transistors”), básicamente se trata de
interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordará existen dos tipos
fundamentales, los “NPN” y los “PNP”, si bien en Electrónica de Potencia los más usuales y
utilizados son los primeros.
1.7 MOSFET
Los dispositivos MOSFET parecen estar destinados a escasear en un futuro próximo. Debido a
su amplio uso en aplicaciones industriales, de energía y de defensa, así como a su uso cada
vez mayor en aplicaciones de la industria automotriz, aún continúan los plazos de entrega
prolongados de los dispositivos discretos de potencia MOSFET.

Las siglas MOSFET vienen de las palabras Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,

que en español significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. En otras
palabras, un MOSFET es un transistor, un componente eléctrico que se encarga de regular la
salida de voltaje a partir de una tensión de entrada dada. En el mundo de la electrónica son
ampliamente conocidos los transistores BJT, que sirven para regular la señal de salida en
corriente, mientras que los MOSFET regulan la señal de salida en voltaje. El funcionamiento es
básicamente el mismo, solo que unos regulan corriente (intensidad) y otros regulan voltaje.

En el caso que nos ocupa, que es referido a los ordenadores, los MOSFET son pequeños chips
que se encuentran en componentes que necesitan regular el voltaje que reciben, como CPU,
tarjetas gráficas y fuentes de alimentación. Lo más frecuente es hablar de MOSFETS en placas
base, que es además donde mejor pueden verse. Estos elementos se encuentran alrededor del
socket y es habitual que estén ocultos bajo un disipador, ya que es necesaria la evacuación del
calor que generan. Los MOSFET pueden verse cerca de otros componentes más grandes, los
choques, que tienen aspecto de cubo metálico. Cerca de ellos se pueden ver chips, uno por
cada cubo, esos serán los MOSFET.
Habitualmente encontramos en placas base diferentes cantidades de MOSFET. La regla general
es que, a mayor cantidad mejor será la regulación del voltaje, pero también dependen de la
calidad de este y otros componentes que intervienen en el proceso, como veremos más
adelante. Los MOSFET tienen un gran impacto en el overclock, ya que el procesador necesita
variar su voltaje con muy poco margen de error, al mismo tiempo que mantenerlo sumamente
estable. La calidad de los MOSFET y de los otros componentes que intervienen para formar
un VRM es crucial a la hora d hacer overclock y de mantener un voltaje sumamente estable.
1.8 IGBT

IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un interruptor de alimentación de tres terminales

que tiene una alta impedancia de entrada como PMOSFET y baja pérdida de potencia en estado
activo como en BJT (transistor de unión bipolar). Por lo tanto, IGBT es una forma combinada de
las mejores cualidades de BJT y PMOSFET. Este es el interruptor de alimentación más popular
entre los ingenieros de electrónica de potencia y encuentra una gran variedad de aplicaciones.

Ilustración 1 Dispositivo de tres terminales.

IGBT también se conoce como transistor de puerta aislada con óxido metálico (MOSIGT),
transistor de efecto de campo modulado por conductividad (COMFET) o FET modulado por
ganancia (GEMFET). Inicialmente se llamó transistor de puerta aislada (IGT).

CONSTRUCCION DE UN IGBT:

Un IGBT se construye sobre un sustrato de capa p+. En el sustrato p+, una capa n- de alta
resistividad es epitaxialmente crecido. Como en otros dispositivos semiconductores, el grosor
de la capa n determina la capacidad de bloqueo de voltaje de IGBT.

Ilustración 2 estructura de construcción básica de un IGBT.

1.9 CONSIDERACIONES TERMICAS

CONTROL TERMICO DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Problema a resolver: Al circular corriente, a los dispositivos y conmutar entre corte y saturación
se producen unas pérdidas de potencia en forma de calor en el dispositivo. Si este calor no es
extraído del interior del dispositivo, provocará una subida de la temperatura del semiconductor.

La temperatura en el cristal de silicio no puede superar un valor máximo, (normalmente

Tjmax=125ºC), ya que:

♦ Empeoran las características funcionales del dispositivo.

♦ La vida media esperada disminuye al aumentar la temperatura.

Ilustración 3 Temperatura en la unión Tj °C

Puede observarse que un dispositivo funcionando a 75ºC durará unas cuatro veces más que si
trabaja a su temperatura máxima, por tanto, es muy importante mantener la temperatura del
cristal controlada, aún en las condiciones más desfavorables (Máximas disipación de potencia
y temperatura del medio ambiente) acciones a tomar

• Debe de limitarse la potencia disipada

• Usar dispositivos con menor caída de conducción
• Limitar la corriente máxima por dispositivo
• Usar técnicas que minimicen las pérdidas de conmutación
• Facilitar la evacuación de calor generado
Se recomiendan las maneras siguientes para su disminución de la misma. Mediante capsulas
adecuadas del fabricante, radiadores ya que estos disipan el calor mediante la extracción
disipador, o por ejemplo los radiadores con disipación forzada el cual contiene un ventilador de
aluminio, o mediante el enfriamiento por refrigeración por líquidos, es decir mediante la
evaporación, mientras que otros mecanismos como sería la convección el cual son aplicados
mediante la transferencia de calor (convección).

El mecanismo de convección del calor ocurre entre un sólido y el fluido con el que está en
contacto. Las capas del fluido más próximas se calientan y crean un flujo (convección natural) o
mediante un ventilador o bomba se establece un flujo (convección forzada)

Ilustración 4 Flujo de aire a T ª

De acuerdo a estos datos y sabiendo una de las tantas maneras de minimizar las
consideraciones térmicas podemos ver la siguiente tabla de datos los cuales se asemejan con
estos siguientes datos:

Pconv=h A ∆T

Ilustración 5 Tabla de control térmico.

RADIACION

El mecanismo de radiación consiste en la emisión por una superficie de energía en forma de

radiación electromagnética (infrarrojos), por tanto, no necesita un medio material para
producirse.

Ilustración 6 Ejemplo de radiación.

CONDUCCION

En un material conductor del calor, el flujo de calor va desde los puntos más calientes del
material hacia los más fríos. Según la ley de Fourier, la evacuación de calor por conducción se
puede aproximar suponiendo que el material que conduce el calor presenta una resistencia
térmica independiente de la temperatura y de la cantidad de calor evacuada.

Ilustración 7 Comparación de la Resistividad

Térmica de Algunos Materiales Típicos.
1.10 TECNICAS DE APAGADO FORZADO DE TIRISTORES

¿QUE ES LA CONMUTACION DE SCR?

La conmutación de SCR se define como el proceso de apagar un SCR/tiristor. Es el proceso por

el cual un SCR o tiristor se pone en estado APAGADO desde el estado ENCENDIDO. Sabemos
que un SCR se enciende aplicando una señal de puerta a un SCR con polarización directa. Lea
«Condiciones requeridas para encender un SCR» para una mejor comprensión. Pero con el fin
de controlar o acondicionar la energía, se requiere apagar el SCR cuando sea necesario. Apagar
un tiristor significa llevarlo al modo de bloqueo directo desde el modo de conducción directa.
También sabemos que, una vez que un SCR entra en modo de conducción directa, la puerta
pierde su control. Esto significa que se deben emplear algunas técnicas/circuitos externos para
apagar el SCR. Este circuito externo se conoce como circuito de conmutación.

Para apagar un SCR/tiristor, se requiere que su corriente de ánodo caiga por debajo de la
corriente de retención y se debe aplicar un voltaje inverso a través del SCR durante el tiempo
suficiente para que vuelva al modo de bloqueo directo desde el modo de conducción directa.
Por lo tanto, para apagar un SCR, se deben aplicar algunos métodos para que se puedan cumplir
las condiciones mencionadas anteriormente para apagar el SCR según el requisito.

Este método de apagar un SCR/tiristor se llama proceso de conmutación. La conmutación

natural de SCR es el proceso de apagar un SCR sin usar un circuito de conmutación adicional.
Esta técnica de conmutación solo ocurre en el circuito de CA. Para una mejor comprensión,
consideremos un circuito SCR energizado desde una fuente de CA.

Ilustración 8 Ejemplo conmutación natural.

Cuando SCR está conduciendo, la corriente pasará por cero después de cada medio ciclo
positivo. Después de eso, la fuente de CA aplica un voltaje inverso a través de los terminales de
SCR hasta el comienzo del segundo ciclo. Si el tiempo de aplicación del voltaje inverso aplicado
por la fuente de CA es mayor que el tiempo de apagado del SCR, entonces el SCR se apagará.

Ilustración 9 ejemplo.

Opto acopladores para el control del TRIAC

• Funciona como un interruptor activado por luz LED que satura un dispositivo electrónico
(fototransistor o fototriac)
• Curvas de tensión/luz del LED no son lineales

Ilustración 10 Ejemplo electrónica de potencia.

DISPOSITIVOS CON CRUCE DE CERO

• Forma sencilla de medir la frecuencia de red

• Rectificar el desfase angular introducido por transformadores utilizados para la medición
de tensión
• Determinar el momento para conmutar una carga por medio de relé o relé de estado
sólido (sólo se conectan/desconectan en el cruce por cero en sentido ascendente). De
otro modo, se generan armónicos cuando se conecta la carga en tensión
• Para realizar regulación de potencia (dimmer) con un SSR. Se sincroniza la señal de
disparo del SSR con la frecuencia de red para evitar provocar parpadeos en la carga
• Aplicaciones de sonido y conmutación
• Entrada del opto acoplador
- Caída de voltaje típica del LED
- Corriente máxima que puede soportar el LED
- Disipación de potencia máxima
• Salida del optacoplador
- Una tensión nominal máxima en estado bloqueado
- Corriente RMS de estado encendido
- Disipación de potencia máxima

Selección del optacoplador

• Aislamiento de alto voltaje

• Aislamiento de ruido
• Ganancia de corriente
• Tamaño del opto acoplador
• Razón de transferencia de corriente (CTR)
• Velocidad de conmutación
1.11 CALCULO DE REDES DE PROTECCION SNUBBERS

Los interruptores son el corazón de cada convertidor de potencia. Su funcionamiento

determinará directamente la fiabilidad y la eficiencia del producto. Para mejorar el rendimiento
del circuito de conmutación de los convertidores de potencia, los snubbers se colocan a lo largo
de los interruptores para suprimir los picos de voltaje y amortiguar la oscilación transitoria
provocada por la inductancia del circuito cuando se abre un interruptor. El diseño adecuado del
snubber puede ofrecer mayor fiabilidad, mayor eficiencia y menor EMI.

Entre muchos tipos de snubbers diferentes, el snubber del resistor-capacitor (RC) es el circuito
de amortiguación más popular. Este artículo explica por qué se necesita un snubber para
interruptores. Se ofrecen también algunos consejos prácticos para un diseño de snubber óptimo.

Ilustración 11 Circuitos básicos de conmutación de frecuencia.

Existen distintas topologías utilizadas en convertidores de potencia, impulsores de motor y

balastos de lámparas. Cuatro circuitos básicos de conmutación de potencia. En todos estos
cuatro circuitos fundamentales y, en la mayoría de los circuitos de conmutación de alimentación,
la misma red de interruptor-diodo-inductor se muestra dentro de las líneas azules. El
comportamiento de esta red es igual en todos estos circuitos. Por lo tanto, un circuito simplificado
se puede utilizar para el análisis del rendimiento de conmutación para los interruptores de
potencia durante una transiente de conmutación. Como la corriente en el inductor casi no cambia
durante una transiente de conmutación, el inductor se reemplaza por una fuente de corriente tal
como se indica en la figura. El voltaje ideal y la forma de onda de conmutación de corriente del
circuito.
 Ilustración 12 Conmutación de potencia simplificada.

Cuando el interruptor MOSFET se apaga, el voltaje que lo traspasa aumenta. La corriente IL, no
obstante, continuará circulando a través del MOSFET hasta que el voltaje del interruptor alcance
Vol. La corriente IL comienza a bajar una vez que se enciende el diodo. Cuando el interruptor
MOSFET se enciende, la situación se revierte tal como se indica en la figura. Este tipo de
conmutación se denomina «conmutación dura. El voltaje y la corriente máximos se deben admitir
de manera simultánea durante la transiente de conmutación. Por lo tanto, esta «conmutación
dura» expone al interruptor MOSFET a mayor tensión.

Ilustración 13 Sobre cresta de voltaje en la transiente de

apagado del interruptor MOSFET.

En circuitos prácticos, la tensión de conmutación es muy superior porque la inductancia parásita

(Lp) y la capacitancia (Cp) tal como se indican en la Figura 4. Cp incluye la capacitancia de salida
del interruptor y la capacitancia parásita debido al diseño y el montaje de la placa CI. Lp incluye
la inductancia parásita de la ruta de la placa CI y la inductancia del conductor MOSFET Estas
inductancias y capacitancias parásitas de los dispositivos de potencia forman un filtro que
resuena después de la transiente de apagado y, por lo tanto, superimpone una oscilación
transitoria de voltaje excesiva a los dispositivos. Para suprimir el voltaje pico, un snubber RC se
aplica en todo el interruptor. El valor del resistor debe ser aproximado a la impedancia de la
resonancia parásita que intenta amortiguar. La capacitancia de amortiguación debe ser superior
a la capacitancia del circuito resonante, pero debe ser lo suficientemente pequeña para
mantener la disipación de potencia del resistor al mínimo.
 Ilustración 14 configuración del snubber
del resistor/capacitor.

Cuando este diseño simple y empírico no limita el voltaje pico de manera suficiente, se aplicará
el procedimiento de optimización.

Snubber RC optimizado: En estos casos donde la disipación de potencia es crítica, se debería

usar un método de diseño mejor. Primero, mida la frecuencia de oscilación transitoria (F ring) en
el nodo del interruptor MOSFET (SW) cuando se apague. Suelde un capacitor con ESR baja, de
100 pf y de tipo película a lo largo del MOSFET. Aumente la capacitancia hasta que la frecuencia
de oscilación transitoria sea la mitad del valor original medido. Ahora el total de capacitancia de
salida del interruptor (la capacitancia agregada más la capacitancia parásita original) es
aumentada por un factor de cuatro, ya que la frecuencia de oscilación es inversamente
proporcional a la raíz cuadrada del producto de capacitancia de inductancia del circuito. Por lo
tanto, la capacitancia parásita Cp es un tercio del valor del capacitor agregado de manera
externa. La inductancia parásita.
1.12 ASOCIACION DE DISPOSITIVOS

La electrónica de potencia ya encontró un lugar importante en la tecnología moderna y se usa

ahora en una gran sin número de diversidad de productos como control de temperatura, de
iluminación, de motores, fuentes de poder, sistemas de impulsión de vehículos y sistemas de
corriente directa en altos voltaje. La electrónica de potencia tiene sus inicios en 1900 con la
introducción del rectificador de arco de mercurio, después se introdujeron el rectificador de
tanque metálico, el de tubo al vacío controlado por la rejilla, el ignoró, el fanotrón y el tiratrón
estos dispositivos se aplicaron en el control de la electrónica de potencia hasta la década de
1950.

La primera revolución electrónica comenzó en 1948. Con la invención del transistor de silicio por
Bell Telephone laboratorios, Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor parte de las tecnologías
modernas de electrónica avanzada se puede rastrear a partir de ese invento es más la
microelectrónica a avanzado a partir de la creación de estos elementos semiconductores de
silicio. El siguiente adelanto en 1956 fue la invención del transistor de disparo PNPN, que se
definió como tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR).

La segunda revolución electrónica comenzó en1958, con el desarrollo del tiristor comercial, por
la General Electric Company. Desde entonces se han introducido diversas formas de
dispositivos de electrónica de potencia, la microelectrónica nos permitió procesar y almacenar
una gigantesca información a velocidades sorprendentes que nos facilita el trabajo y la practica
en el campo industrial desde sus diferentes aplicaciones

Ilustración 15 Aplicación de los dispositivos de potencia.

TIPOS DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA

• No controlados: Diodos
• Semicontrolados: Tristores
• Controlados: transistores bipolares, Mosfet, IGBT, GTO, etc…

Semiconductores de potencia podemos determinarlos de la siguiente manera

Nos interesa saber los valores que definen al componente de la tensión inversa, ya que debemos
de conocer la tensión máxima continua, las repeticiones de la misma, así como el pico no
repetitivo. Así como la tensión directa de la caída en la conducción del voltaje.

Ilustración 16 Ejemplo gráfico.

CONCLUSION

La realización de este trabajo o memoria nos permite concluir que la electrónica de

potencia es el sistema en el cual se especifican dispositivos electrónicos en sistemas de
potencia para implementar procesos industriales y de esta manera ayudar a las personas
facilitando su trabajo y mejorando sus condiciones de vida laboral. Además, nos permite
entender y analizar cada uno de los componentes o elementos de alimentación más
utilizados mediante un estudio detallado para ver su comportamiento y forma física que
hemos estado estudiando en esta unidad y en base a nuestro entrenamiento
representar. como ingeniero mecatrónico.
BIBLIOGRAFIA

• Wikipedia contributors. (s/f). Electrónica de potencia. Wikipedia, The Free Encyclopedia.

https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Electr%C3%B3nica_de_potencia&oldid=1464
35344
• Muhammad, H. (s/f). Electrónica de Potencia, edición reciente. Libro proporcionado por
el docente.
• Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, W. P. (s/f). Electrónica de Potencia.
Convertidores, aplicaciones y diseño, edición reciente. Editorial Mc. Graw Hill. Libro
proporcionado por el docente.
• Hart, D. W. (s/f). Electrónica de potencia, edición reciente. Prentice Hall. Libro
proporcionado por el docente.
• Shin, M. (s. f.). La fuente autorizada para soluciones de componentes MOSFET.

https://www.rocelec.mx/noticias/la-fuente-autorizada-para-soluciones-de-componentes-

mosfet?msclkid=3ec88b724e7b1bcabeeae88ab622f222

• https://unigal.mx/que-es-igbt-principio-de-construccion-y-funcionamiento/

• https://classroom.google.com/c/NTkzOTM1NDU1NDk3/a/NTk0NjIzNjU4Njc0/details?h=

es