ELECTRÓNICA 2

LABORATORIO 3 - RESPUESTA EN FRECUENCIA (VOLTAJE) DE LAS TRES

CONFIGURACIONES DEL BJT

PRESENTADO POR:

BRAYAN ROBERTO PIMIENTO PALACIOS – (20202005042)

PHILIP MATEO MILLÁN PATIÑO – (20202005096)

LEIDY JOHANA SÁNCHEZ SUÁREZ – (20202005052)

PRESENTADO A:

JOSE HUGO CASTELLANOS

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

FACULTAD DE INGENIERÍA

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

BOGOTÁ – COLOMBIA

2022

Respuesta en frecuencia de amplificadores BJT en base común

El amplificador en BC se caracteriza por tener una mayor respuesta en frecuencia en comparación con un
EC ya que al contar el EC con un efecto Miller el cual fue explicado en el informe de laboratorio anterior
generando que si la ganancia AV es alta la capacitancia de entrada se vuelve muy grande provocando
que el amplificador sea polo siendo el circuito de entrada el polo dominante. Pero este efecto no se ve en
un Base común como tampoco existe un efecto Miller que refleje de mayor magnitud algún condensador
como se muestra en la siguiente imagen.

Respuesta en frecuencia de amplificadores BJT en colector común

El amplificador en colector común también llamado emisor seguidor debido a que el voltaje en el emisor sigue al
voltaje en la base, su respuesta en alta frecuencia tiene una ganancia de voltaje de aproximadamente de uno (Av ≅1),
la carga para la mayoría de los amplificadores CC es capacitiva, debido a que la ganancia es cercana a uno, tenemos
que C b ' e ≅ 0 y hie se vuelve infinita, reduciéndose a un amplificador de dos polos, teniendo la siguiente
representación para este amplificador y su circuito equivalente.

Ganancia y ancho de banda

La ganancia de voltaje se reduce a medida que aumenta la frecuencia, entre las especificaciones del
amplificador operacional se describe la ganancia contra el ancho de banda, obteniendo una gráfica como
se muestra en la siguiente figura, donde se puede observar cómo a medida que se incrementa la
frecuencia de la entrada, la ganancia se reduce hasta alcanzar el valor de 1 valor donde es denominado
ancho de banda de ganancia unitaria ( B1) o frecuencia de ganancia unitaria ( f 1).
 Gráfica de ganancia contra frecuencia. Ref 3

Práctica 3

Polarizar para las mismas condiciones de la práctica 2 para respuesta en voltaje.

Graficar en la misma hoja semilog, las respuestas en frecuencia para voltaje, incluida la de la
Práctica 2(EC).

BASE COMÚN
1- Montar el circuito obtenido, verificar polarización, y efectuar barrido en frecuencia (mínimo 20
puntos) a partir de 10 KHZ aproximadamente. Medir y anotar en tabla
Graficar AV-f y obtener fHV.
Calculos Diseño:
gm R L 115.3 m∗1.5 k Ω
AVm= = =25.56 V /V
1+ gm R g 1+115.3 m∗50 Ω

gm 115.3 m
Cπ ≈ = =33.36 ρ F
2 π f T 2 π∗550 MHz

1 1
ℜq π =R g∨¿ Z IBC =R g∨¿ =50 Ω∨¿ =50 Ω∨¿ 8.673=7.39 Ω
gm 115.3 m
τ π =c π∗ℜ qπ =33.36 ρ F∗7.39 Ω=0.246 nS

C μ=0,58 pF

ℜq μ ≈ RL =RC =1.5 k Ω
τ μ=c μ∗ℜ qμ =0,58 pF∗1.5 k Ω=0.87 n s
n

∑ t i=τ π + τ μ =0.246 nS+ 0.87 nS=1.116 ns

i=1

1
FH= n
1
2 π ∑ t i= =142.611 M H z
i=1 2 π∗1.116 nS

Toma de datos:
999

COLECTOR COMÚN
2- Montar el circuito obtenido, verificar polarización, y efectuar barrido en frecuencia a partir de
10 KHZ aproximadamente. Medir y anotar en tabla
Graficar AV-f y obtener fHV.
Calculos diseño:
 (hfe +1)R L (100+1)∗1.5 K Ω
AVm= = =0.9939V /V
R g +hie+( hfe+1) R L 50 Ω+867.3 Ω+(100+1)∗1.5 K Ω❑
ℜq μ =R g ∨¿ Z icc ≈ R g=50 Ω

C μ=0,58 pF

τ μ=C μ∗ℜq μ=0,58 pF∗50 Ω=0.029 ns

τ μ=C μ∗ℜq μ=33.36 ρ F∗8.8199 Ω=0.029 ns

hfe 100
r π= = =867.3 Ω
gm 115.3 m

r π ( R g + R L) 867.3 Ω∗(50 Ω+1.5 k )

ℜq π = = =8.8199 Ω
Rg + R L + R π [1+ gm∗R L ] 50 Ω+1.5 k +867.3 Ω[1+115.3 m∗1.5 k ]
gm 115.3 m
Cπ ≈ = =33.36 ρ F
2 π f T 2 π∗550 MHz
 τ π =C π∗ℜq π =33.36 ρ F∗8.8199 Ω=0.294 nS

∑ t i=τ π + τ μ =0.294 nS+ 0.029 nS=0.323 nS

i=1

1
FH= n
1
2 π ∑ t i= =492.739 MHz
i=1 2 π∗0.323 nS

Toma de datos:
3- De acuerdo con los resultados obtenidos, ¿cuál de las tres configuraciones muestra la
frecuencia superior más alta? Comentar el resultado.
De las tres configuraciones se observa que EC tiene tiene el mayor AV −f =127.3 y CC tiene el mayor
fH V =492.739 MHz .

4- Colocar un Cext = 10 nF, en paralelo con la R en donde se mide la salida, en el última

configuración (CC), obtener la nueva fHV . Explicar el resultado.
 (hfe +1)R L (100+1)∗1.5 K Ω
AVm= = =0.9939V /V
R g +hie+( hfe+1) R L 50 Ω+867.3 Ω+(100+1)∗1.5 K Ω❑
ℜq μ =R g ∨¿ Z icc ≈ R g=50 Ω
C μ=0,58 pF
τ μ=C μ∗ℜq μ=0,58 pF∗50 Ω=0.029 nS

hfe 100
r π= = =867.3 Ω
gm 115.3 m
r π ( R g + R L) 867.3 Ω∗(50 Ω+1.5 k )
ℜq π = = =8.8199 Ω
Rg + R L + R π [1+ gm∗R L ] 50 Ω+1.5 k +867.3 Ω[1+115.3 m∗1.5 k ]
g 115.3 m
Cπ ≈ m = =33.36 ρ F
2 π f T 2 π∗550 MHz

τ π =C π∗ℜq π =33.36 ρ F∗8.8199 Ω=0.294 ns

τ μ=C μ∗ℜq μ=33.36 ρ F∗8.8199 Ω=0.029 ns
τ ext =C ext∗ℜq ext =10 nF∗1.5 k Ω=0.015 μ s
 n

∑ t i=τ π + τ μ +τ ext =0.294 ns +0.029 ns+0.015 μ s=15.32 ns

i=1

1
FH= n
1
2 π ∑ t i= =10.388 MHz
i=1 2 π∗15.32ns

Conclusiones

● Se encontró que se cumple en la teoría y en la práctica, con la respuesta en frecuencia de voltaje

en las tres configuraciones, con un margen de error máximo obtenido en base común de 4.92% y

en colector común de 5.81%, evidenciando en el laboratorio que emisor común muestra la

ganancia medida más alta con un valor de AV −f =127.3, seguida de base común AV −f =24.37

y por último colector común AV −f ≈ 1, y para fH V en emisor común fH V =31.9 MHz , para base

común fH V =142.611 MHz y para colector común fH V =492.739 MHz , se observa relación en

lo medido y calculado, donde el colector común tiene el mayor ancho de banda y emisor común

la ganancia más alta, presentando estos efectos en la eficiencia de cada configuración por las

constantes de tiempo existentes, como se muestra en la gráfica de respuesta en frecuencia en el

anexo.

● Con los resultados obtenidos debemos decir que para el diseño de cualquier etapa amplificadora

es importante tener en cuenta varios parámetros, dentro de los más relevantes podremos tener

las frecuencias de corte y la amplificación máxima que puede generar cada configuración

(EC,CC,BC), estos parámetros finalmente lo que nos fijaran es un ancho de banda posible para

trabajar, y por otro lado un máximo de ganancia a la salida sin dejar de lado el error posible,de

esta manera podremos asegurar un buen procedimiento y un buen trabajo final sobre nuestras

tarjetas electrónicas basándose en unos pocos parámetros de diseño.

Referencias

1. Clase magistral Jose Hugo Castellanos

2. Circuitos Microelectrónicos análisis y diseño. Rashid
3. Electrónica: Teorías De Circuitos Y Dispositivos Electrónicos. Robert L. Boylestad