Cálculos realizados:

a) La tensión eficaz de salida a la frecuencia del fundamental V o 1 (RMS).

V o 1 ( RMS )=0.45∗48 v=21.6 v

48 v
V o ( RMS )= =24 v
2

b) Potencia eficaz de salida Po ( RMS )

V o ( RMS )2 24 v 2
Po ( RMS ) = = =240 W
R 2.4 Ω

c) La corriente media y de pico de cada transistor.

Vs 24 v
I PQ = = =10 A
2.4 Ω 2.4 Ω

I Q( AV )=0.5∗10 A=5 A

d) La tensión inversa de pico VQ(BR) de bloqueo para cada transistor.

V Q (BR) =2∗24 v=48 v

e) La distorsión armónica total THD.

1
THD=
21.6
√ ( 24 v 2−21.6 v 2 ) =0.4834=48.34 %

f) El factor de distorsión DF.

g) El factor armónico y el factor de distorsión del armónico de menor orden.

Cuadro comparativo:

Valores Valores
Parámetro calculados simulados
V o 1 ( RMS )  
Po ( RMS )  
I PQ  
I Q( AV )  
V Q (BR)  
THD
DF
HF o 3
DF o 3
Simulación:
Driver: