FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

Examen Parcial (2017-2018)

Apellidos, Nombre:
Compañía: Sección AGM: Grupo CUD:

______________________________________________________________________________________________________

Este examen consta de cinco ejercicios y un test de 16 cuestiones. Los

enunciados de los ejercicios y el test se le entregan por separado. En
estas hojas debe desarrollar las soluciones de los ejercicios. Lea atentamente
las siguientes normas:

 Rellene sus datos personales

 Estas hojas NO pueden ser desgrapadas
 Compruebe que entrega todas las cuestiones y ejercicios resueltos
 El examen deberá ser escrito a bolígrafo
 No usar bolígrafo rojo ni Tipp-Ex
 Se puede utilizar calculadora pero debe ser NO programable
 Si necesita folios adicionales, pídaselos al profesorado

Ejercicio 1 Ejercicio 2 Ejercicio 3

NOTA
/1 /1 /1

Ejercicio 4 Ejercicio 5 Test

/ 1.5 / 3.5 /2

15 de Noviembre de 2017
Parcial Fundamentos de Electrónica 2017/2018

EJERCICIO 1 (1 punto)

Sea el siguiente circuito basado en un diodo y un zener.

VA = 10 V, R = 500 Ω
Diodo: Vγ = 0.7 V, rd = 15 
Zener: Vγ = 0.8 V, |VZ| = 7.5 V, rd = 20 , rz = 10

 Calcule la tensión de salida VO del circuito aplicando la primera, la segunda y la tercera

aproximación para ambos diodos.

EJERCICIO 2 (1 punto)

Sea el siguiente circuito, basado en dos AO y dos diodos.

VCC = 12 V, VEE = -12 V, Io,max = 25 mA, Vγ = 0.7 V, IA = 3 mA, R1 = 1.2 kΩ, R2 = 1.8 kΩ, RL = 750 Ω

 Calcule la tensión de salida de ambos AO.

 Compruebe que la intensidad de salida de ambos AO no sobrepasa su limitación.

EJERCICIO 3 (1 punto)

Sea el siguiente circuito, basado en un AO y un zener.

VCC = 12 V, VEE = -12 V, Io,max = 25 mA,

Vγ = 0.8 V, |VZ| = 7.5 V, IMAX = 20 mA,
PZ,MAX = 270 mW, IA = 5 mA, V1 = 4 V,
R1 = 10 kΩ, R2 = 2.4 kΩ, RL = 500 Ω

 Calcule la tensión de salida VO.

 Compruebe que la intensidad de salida del AO no sobrepasa su limitación.
 Compruebe que el diodo zener no supera sus limitaciones.

15 de Noviembre de 2017
Parcial Fundamentos de Electrónica 2017/2018

EJERCICIO 4 (1,5 puntos)

Sea el siguiente circuito, basado en un AO.

VCC = 12 V, VEE = -12 V, R1 = 4 kΩ, R2 = 10 kΩ, R3 = 2 kΩ, RL = 7 kΩ

 Calcule la relación entre la tensión de salida VO y la tensión de entrada Vi.

 Calcule el rango de tensión de entrada para el cual el AO no alcanza la limitación de su
tensión de salida.

EJERCICIO 5 (3,5 puntos)

Sea el siguiente circuito basado en un diodo y dos zener.

R = 500 Ω
Diodo: Vγ = 0.7 V
Zener: Vγ = 0.7 V, |VZ| = 7.5 V

 Calcule la relación entre la tensión de salida VO y la tensión de entrada Vi, indicando

todos los cambios de estado de los diodos en función de Vi.

15 de Noviembre de 2017
 TEST FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA – 15/11/2017

Nombre: ...................................................................................................................................... Sección: ............

Esta parte del examen parcial contiene 10 preguntas tipo test y 6 preguntas verdadero/falso.
Cada pregunta vale ⅛ puntos (0,125 puntos), totalizando 2 puntos.
− Las preguntas tipo test tienen una única respuesta correcta y cada fallo resta 1/24 puntos.
− Cada respuesta incorrecta de tipo verdadero/falso resta ⅛ puntos.
En caso de equivocarse al marcar alguna contestación, para anularla deberá escribirse junto a ella un “NO”,
“Falso” o “Verdadero” (según corresponda).
1. A la temperatura de cero absoluto, un 6. ¿En qué tipo de semiconductor los portadores
semiconductor intrínseco tiene minoritarios son huecos?
a. pocos electrones libres a. intrínseco
b. muchos huecos b. extrínseco tipo n
c. muchos electrones libres c. extrínseco tipo p
d. ni huecos ni electrones libres d. ninguno de los anteriores
2. A temperatura ambiente, un semiconductor 7. Los átomos de impurezas aceptadoras tipo P
intrínseco tiene como el boro, ¿cuántos electrones tienen en la
a. unos pocos electrones libres y huecos banda de valencia?
b. muchos huecos a. 1
c. muchos electrones libres b. 3
d. ningún hueco c. 4
d. 5
3. Cuando se aplica una tensión eléctrica a un
semiconductor, los huecos fluyen 8. La barrera de energía de la unión de un diodo PN
a. alejándose del potencial negativo disminuirá cuando el diodo
b. hacia el potencial positivo a. esté polarizado en directa
c. en sentido opuesto al campo eléctrico b. esté en equilibrio térmico
d. Ninguna de las anteriores c. esté polarizado en inversa
d. no conduzca
4. El flujo de los electrones libres hacia la derecha
indica que los huecos se mueven hacia 9. La ionización de una unión PN crea una región a
a. la izquierda ambos lados de la barrera llamada
b. la derecha a. zona zener
c. cualquier lado b. zona de deplexión
d. ninguna de las anteriores c. zona de operaciones
d. zona intrínseca
5. A temperatura ambiente, un cristal de silicio
fuertemente dopado se comporta de manera 10. ¿Qué rectificador utiliza 4 diodos?
similar a a. recortador simétrico
a. una batería descargándose b. rectificador de media onda
b. un mal conductor c. rectificador de onda completa
c. un buen aislante d. rectificador de onda pluscuamperfecta
d. un material intrínseco

Marque en las siguientes afirmaciones verdadero V o falso F :

11. Cuando un diodo convencional se encuentra en polarización inversa, la corriente que lo
F atraviesa es elevada.
12. La corriente inversa de saturación es la intensidad que recorre el diodo cuando se encuentra en
F polarización directa.
F 13. La potencia máxima de un zener limita la corriente en polarización directa.

V 14. Si en un diodo zener se produce efecto túnel, está polarizado en inversa.

V 15. Un diodo LED emite luz cuando se encuentra en polarización directa.

V 16. Los diodos LED y fotodetectores permiten transmitir información en forma de luz.

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