La unin semiconductora pn

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Introduccin. Estudio del equilibrio en la unin sin polarizacin externa: Difusin. Potencial de contacto. Zona de depleccin. Capacidad de la unin. Perturbacin del equilibrio por aplicacin de una diferencia de potencial externa: La unin p-n con polarizacin inversa; corriente inversa de saturacin. La unin p-n con polarizacin directa. Caracterstica corriente-tensin de un diodo semiconductor. Diodo Zener, diodo Schottky, diodos emisores de luz (LED), fotodiodos, clulas solares, Laser, diodo tnel. El diodo de unin en conmutacin. (nocin de retardo) Velocidad de conmutacin.

Es la unin de dos semiconductores extrnsecos, uno dopado con impurezas tipo donador y otro con impurezas tipo aceptor

En general los semiconductores estn formados por el mismo material en el que se introducen por procesos de difusin impurezas de uno y otro signo en dos regiones del semiconductor adyacentes entre s

Regin con semiconductor tipo p

La combinacin de electrones y huecos vaca de huecos la regin p y de electrones la regin cerca de la unin

Regin con semiconductor tipo n

electrn hueco ion negativo por llenado de un hueco ion positivo por perdida de electrn

lado p

lado n
Energa

Unin o zona de deplecin

Banda de conduccin

Banda de conduccin

UNION p-n sin polarizacin externa

Banda de valencia

V0 Banda de valencia

lado p Unin o zona

de deplecin

lado n

Capa de agotamiento

V0 Potencial de contacto Representa la diferencia de potencial entre los extremos de de la zona de transicin con la unin en circuito abierto y en equilibrio V0 = 0.7V diodo de Si V0 = 0.3V diodo de Ge

distribucin de cargas

campo elctrico

concentracin de portadores diferencia de potencial

Procesos de difusin
Las corrientes de difusin

ley de Fick Las corrientes de difusin en un semiconductor son debidas a las diferentes concentraciones de portadores en el semiconductor, y pueden ser debidas tanto a electrones como a huecos. Depende del gradiente de concentracin (ley de Fick).

Las corrientes de difusin aumentan exponencialmente con la reduccin de la barrera

Polarizacin directa

Corriente de huecos

Corriente de electrones

lado p

VD > V0

lado n
La combinacin de electrones y huecos se hace cerca de la unin Banda de conduccin Los electrones se mueven hacia la unin desde el lado n Banda de valencia

Los huecos se mueven hacia la unin desde el lado p

Unin pn

Corriente total = Corriente de desplazamiento + Corriente de difusin

Corriente inversa de saturacin (muy pequea portadores minoritarios)

Polarizacin inversa

lado p VI

lado n

Banda de valencia

Banda de conduccin

Unin pn

Voltaje de ruptura

Polarizacin directa

diodo de unin

Polarizacin inversa

La corriente inversa es del orden de 10-8 amperios e independiente del voltaje aplicado hasta el voltaje de ruptura

La corriente directa comienza con tensiones del orden de 0.5 voltios para un diodo de silicio y es muy alta para 0.7 voltios Tensin directa

Tensin inversa

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hph.html#hph

corriente

Fundamentos Fsicos de la Informtica; DATSI-UPM, Madrid 1999

Diodo tnel

Clula solar