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  • Amplificador Diferencial

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    Fernando Sanchez
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    Este documento presenta el análisis de un circuito Darlington. Resume que el rango de voltaje de salida es de -11.44V a +12.23V. Calcula las corrientes de colector de los transistores Q1 y Q2 como 1.87mA cada uno. Determina que la ganancia en corriente del Darlington es de 40,000 y su impedancia de entrada es de 1.066MΩ.

    Descripción original:

    By: M.I.E Mauricio Hernandez Yanga http://yangatecver.com/index.html

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    de 5

    18 ∗ 1.

    3𝐾
    𝑉𝑇𝐻 = = 5.57
    4.2𝐾
    1.3 ∗ 2.9
    𝑅𝑇𝐻 = = 0.89 ≈ 0.9𝐾
    4.2
    . 9𝐾
    0= 𝐼 + 0.7 + 1.3𝐾𝐼𝐶 − 5.57 0 = 0.7 + 1.3𝐾𝐼𝐶 − 5.57
    200 𝐶
    5.57 − 0.7
    𝐼𝐶 = = 3.74𝑚𝐴
    1.3𝐾
    𝐼𝐶𝑄1𝐷 = 𝐼𝐶𝑄2𝐷 = 1.87𝑚𝐴

    .9k Del modelo Darlington


    ℎ𝑓𝐷 = ℎ𝑓1 ∗ ℎ𝑓𝑐2 = (200)(200) = 40𝐾
    1.3k
    5.57
    !!! Recta de carga
    𝟎 = −𝟏𝟖 + 𝟑. 𝟑𝒌 ∗ 𝟏. 𝟖𝟕𝒎𝑨 + 𝑽𝑪𝑬𝟏 + 𝑽𝑪𝑬𝟐 + 𝟏. 𝟑𝒌 ∗ 𝟑. 𝟕𝟒𝒎𝑨 − 𝟏𝟖
    6.17
    𝑽𝑪𝑫𝑬𝟏 + 𝑽𝑪𝑬𝟐 = 𝟐𝟒. 𝟗𝟔 𝑹𝒆𝒄𝒕𝒂 𝒅𝒆 𝒄𝒂𝒓𝒈𝒂 𝑽𝑪𝑫𝑴𝑨𝑿 = 𝟐𝟒. 𝟗𝟔 − 𝟎. 𝟑 = 𝟐𝟒. 𝟔𝟔
    𝑉𝐴𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑒 𝑑𝑎 𝑐𝑜𝑛 𝑆𝐴𝑇𝑈𝑇𝐴𝐶𝐼𝑂𝑁 𝑑𝑒𝑙 𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛
    0 = −18 + 3.3𝑘 ∗ 1.87𝑚𝐴 + 1(. 𝟑+. 𝟕𝒔𝒂𝒕) − 1.4(.7 + .7) + 𝑉𝐴𝑚𝑎𝑥
    𝑉𝐴𝑚𝑎𝑥 = 12.23𝑉𝑜𝑙
    𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐴𝑚𝑖𝑛 𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑇3
    0 = 𝑉𝐴𝑚𝑖𝑛 + 1.4 + 0.3 + 1.3𝑘 ∗ 3.74𝑚𝐴 − 18
    𝑉𝐴𝑚𝑖𝑛 = 11.44𝑉𝑜𝑙
    𝑅𝐴𝑁𝐺𝑂 𝐷𝐸 𝑉𝐴 𝑉𝐴 𝐷𝐸 − 11.44 ≤ 𝑉𝑄 ≤ +12.23

    +0.3 + 0.7 = 1𝑉0 𝐼


    +0.3 + 0.7 = 1𝑉0
    1𝑉0𝑙 𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒𝑙 𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛
    +
    .7
    -

    0 = 1.4 − 𝑉𝐶𝐷𝑄 − 6.171 + 18 𝑽𝑪𝑫𝑸


    = 𝟏𝟑. 𝟐𝟑
    Amp Dif Darlington
    𝒉𝒇𝑫 = 𝒉𝒇𝟏 ∗ 𝒉𝒇𝟐 = 𝟐𝟎𝟎 ∗ 𝟐𝟎𝟎 = 𝟒𝟎, 𝟎𝟎𝟎
    25𝑚𝑣
    ℎ𝑖𝐷 = 2 ∗ ℎ𝑖𝑒1 = 2 ∗ [ ] ∗ 200 = 1.066 ∗ 106 Ω
    9.375𝑢𝐴
    𝒉𝒊𝑫 = 𝟏. 𝟎𝟔𝟔 ∗ 𝟏𝟎𝟔 Ω

    Vamax=12.23 vol Vamin=-11.44


    1.87mA
    VDq=13.23k
    𝑉𝐶𝐷𝑆𝐴𝑇 = 1𝑉0 𝐼 𝑉𝐶𝐷𝑚𝑎𝑥 = 24.66𝑉0 𝐼
    𝐷𝑒 𝐼0 𝜀𝑐 𝑅𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎
    24.96 = 𝑉𝐶𝐸𝐷𝑚𝑎𝑥 + 0.3 𝑉𝐶𝐸𝐷𝑚𝑎𝑥 = 24.66𝑉0 𝐼

    Analisis de pequeña señal


    1.07𝜇
    ℎ𝑖𝐷 = 1.07𝜇Ω ∴ ℎ𝑖𝑏𝐷 = = 26.75
    40𝑘
    hibD hibD
    Circuito de entrada.
    1
    26.75Ω 𝑉𝑎 + 𝑣𝑑
    2

    1
    𝑉𝑎 𝑉𝑑
    𝑖𝑒𝐷 = − 2
    2𝑍𝑒 + 26.75Ω 26.75Ω
    𝑅𝑐 𝑅𝑐
    𝑉𝑜 = 𝑉𝑎 − 𝑉
    2𝑍𝑒 53.5Ω 𝑑

    𝐼𝐶𝑄 = 3.75𝑚𝐴
    2N2222R 5𝜇𝑆 ≤ ℎ𝑜𝑒 ≤ 20𝜇𝑆
    1 1
    B=200 = = 50𝑘
    .9k 1.3k ℎ0𝑒 20𝜇𝑆

    I2
    Ib3
    1.33k 50k
    200ib3

    .9k +
    1.3k V2
    -
    1.33k

    1.3𝑘
    3.53𝑘𝑖𝑏3 + 1.3𝑘𝐼2 = 0 𝑖𝑏3 = − 𝐼
    3.53𝑘 2

    𝑖𝑏3 = −0.37𝐼2
    𝑉2 = 50𝑘(𝐼2 − 200 𝑖𝑏3 ) + 1.3𝑘( 𝑖𝑏3 + 𝐼2 )
    𝑉2 = 50𝑘(𝐼2 + 200 ∗ 0.37 𝐼2 ) + 1.3𝑘𝐼2 + 1.3𝑖
    𝑉2 = 3.75𝑀Ω𝐼2 𝑍𝑒 = 3.75𝑀Ω
    𝟑. 𝟑𝒌
    𝑨𝒂 = = 𝟎. 𝟒𝟒𝒙𝟏𝟎−𝟑
    𝟐𝒁𝒆
    𝟑. 𝟑𝒌
    𝑨𝒅 = = 𝟔𝟏. 𝟔𝟖
    𝟓𝟑. 𝟓
    1
    𝑣𝑑𝑚𝑎𝑥 𝑣𝑑𝑚𝑎𝑥 𝑣𝑑𝑚𝑎𝑥
    ℎ𝑖𝑏𝐷 =2 = =
    𝑖𝑑𝑚𝑎𝑥 2(1.875) 3.74𝑚𝐴
    0.2
    ℎ𝑖𝑏𝐷 = = 53.47Ω
    3.74𝑚𝐴
    1 1
    𝑣𝑑𝑚𝑎𝑥 𝑣𝑑𝑚𝑎𝑥
    𝑖𝑑𝑚𝑎𝑥 = 2 = 2
    ℎ𝑖𝑏 1.06𝑀
    40𝑘
    1
    𝑣𝑑𝑚𝑎𝑥 𝑣𝑑𝑚𝑎𝑥
    𝑖𝑑𝑚𝑎𝑥 = 2 =
    26.7 53.4
    𝑣𝑑𝑚𝑎𝑥 = (53.4)(3.74𝑚𝐴) = 0.2
    𝒗𝒅𝒎𝒂𝒙 = 𝟐𝟎𝟎𝒎𝑽
    !!! Ec por hallar Vdq pesar por la base
    0 = 1.4 − 𝑣𝑐𝐷𝑞 − 13.3
    0 = 1.4 − 𝑣𝑐𝐷𝑞 − (13.3𝑘 ∗ 1.87𝑚𝐴) + 18
    𝑣𝐶𝐷𝑄 = 13.23Vol

    TERMINA Y HASTA EL PRÓXIMO


    Instituto Tecnológico de Veracruz México
    M.I.E. Mauricio Hernández Yanga
    27 FEBRERO 2023

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