CB 0449614

Estados cuasi-estacionarios y densidad de estados
energéticos en un pozo cuántico de GaAs/Ga1−xAlxAs

bajo la acción de un campo eléctrico y presión
hidrostática
Ana Marı́a Schonhobel Sánchez

<ana.schonhobel@gmail.com>
Facultad de Ciencias Naturales y Exactas

Departamento de Fı́sica
Universidad del Valle
Cali, 2011.
energéticos en un pozo cuántico de GaAs/Ga1−xAlxAs
bajo la acción de un campo eléctrico y presión
hidrostática

<ana.schonhobel@gmail.com>
Trabajo de Grado presentado como requisito parcial para optar al tı́tulo de

Fı́sica
Nelson Porras Montenegro, Ph.D.

Director de Tesis
Facultad de Ciencias Naturales y Exactas

Departamento de Fı́sica
Universidad del Valle
Cali, 2011.
UNIVERSIDAD DEL VALLE
FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
DEPARTAMENTO DE FÍSICA
SANTIAGO DE CALI

energéticos en un pozo cuántico de GaAs/Ga1−x Alx As bajo la
acción de un campo eléctrico y presión hidrostática
Temas:
Estado sólido
Pozos cuánticos
Densidad de Estados
Campo eléctrico
Presión hidrostática
Resumen
Se estudió teóricamente un pozo cuántico simple de GaAs/Ga1−x Alx As al cual se le

aplicaron campos eléctricos de 0 a 400 kV/cm y presiones de 0 a 100 kbar. Considerando
la aproximación de masa efectiva y aplicando las funciones de Airy fue solucionado el
problema. El cálculo analı́tico de Enderlein et ál [1] permitió obtener las densidades de
estados (DOS) como función de la energı́a para diferentes valores de: concentración de
Al x, longitud del pozo L, campo eléctrico F y presión hidrostática P. Considerando
los resultados experimentales encontrados por H. Li[2] se hizo el análisis tanto para
electrones como huecos (pesados y ligeros).
El estudio mostró que energéticamente existen 3 regiones perfectamente diferenciables,
una región de confinamiento, una resonante y otra de pulsaciones. En algunos casos, al
aumentar el campo eléctrico estados cuasi-estacionarios de la región de confinamiento se
tornan en estados resonantes y puede ocurrir lo contrario cuando se aumenta la longitud
o la concentración. Cuando se aumenta la presión hidrostática la energı́a de los estados
cuasi-estacionarios varı́a muy poco, milésimas de eV. Ası́ mismo, el número de estados
cuasi-estacionarios en la región de confinamiento aumenta con la concentración y la
longitud, y disminuye con el campo eléctrico aplicado, los efectos de presión no alteran
el número de estados cuasi-estacionarios que aparecen. Las pulsaciones o batimentos
en las DOS que aparecen en la parte superior del pozo cuántico son oscilaciones cuyas
frecuencias resultan ser dependientes de los parámetros del problema (x, L, F, P ).
PALABRAS CLAVES: Heteroestructuras; GaAs-GaAlAs; Pozo cuántico; Electrón;

Huecos; Campo eléctrico; Presión hidrostática; DOS; Estados cuasi-estacionarios.
i
Índice general
1. Introducción 1
2. Marco Teórico 5
2.1. Confinamiento Cuántico y Heteroestructuras . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2. Aproximación de masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.3. Solución del Pozo Cuántico Simple (QW) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.4. Solución del pozo simple bajo la acción de Campo Eléctrico . . . . . . . . . 14
2.5. Densidad de estados (DOS) de Enderlein[1][3] . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3. Resultados 27
3.1. Información experimental empleada para los cálculos . . . . . . . . . . . . 27
3.2. Implementación del cálculo numérico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.3. Pozo simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.4. QW bajo la acción de campo eléctrico y presión hidrostática . . . . . . . . 32
3.4.1. Regiones electrónicas de confinamiento y Resonancia . . . . . . . . 36
3.4.2. Regiones de confinamiento y Resonante. Comparación entre Elec-

trones y huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.5. DOS electrónica. Región de pulsaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
iii
4. Conclusiones 57
5. Perspectivas 61
A. DOS electrónica 63
B. Códigos fuente 67
B.1. Pozo simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
B.2. Pozo simple bajo la acción de campo eléctrico . . . . . . . . . . . . . . . . 69
B.3. QW bajo la acción de campo eléctrico y presión . . . . . . . . . . . . . . . 77
Bibliografı́a 83
Capı́tulo 1
Introducción
En las últimas cuatro décadas la nanotecnologı́a se ha convertido en uno de los campos

más activos y de mayor interés para fı́sicos y quı́micos; los desarrollos en esta área, junto
con los de la materia condensada, han permitido el estudio y construcción de nanoes-
tructuras en un rango entre 1 − 100nm [4]. Las nanoestructuras o estructuras de baja
dimensionalidad (EBD), se caracterizan por ser materiales de propiedades inusuales en
los cuales los electrones se mueven libremente en dos o menos dimensiones.
Las nanoestructuras fabricadas en semiconductores (superredes, puntos cuánticos, pozos
cuánticos, hilos, entre otros) son la base para los dispositivos electrónicos y ópticos tales
como teléfonos celulares, microprocesadores, equipos para comunicación satelital, diodos
láser, celdas solares, entre otros. En 1970 L.Esaki et al.[5] construyeron la primera na-
noestructura dos dimensional; ellos hicieron una superred consistente de una estructura
periódica de capas, que en la actualidad se realiza de dos o más materiales. Desde enton-
ces el avance cientı́fico en semiconductores tomó un nuevo impulso y no se ha detenido.
Hoy pueden obtenerse determinadas multicapas semiconductoras preparando cada capa
y teniendo la posibilidad de controlar tanto su composición como el dopaje en ella.
Entre los semiconductores que muestran gran importancia por sus aplicaciones optoe-
lectrónicas [6] se encuentran el Arseniuro de galio (GaAs) y el Arseniuro de galio-aluminio
(GaAlAs), materiales excelentes para el uso en fotodetectores infrarojos de pozos cuánti-
cos (QWIP) [7]. En la heteroestructura GaAs/Ga1−x Alx As, el Ga1−x Alx As es utilizado
1
Capı́tulo 1. Introducción
como material de barrera y en consecuencia la movilidad electrónica queda confinada en

el GaAs.
Dentro del semiconductor existen bandas de valencia y de conducción separadas por una
brecha o gap de energı́a; para que un electrón pueda saltar de una banda a otra debe
absorber o emitir la energı́a correspondiente a la barrera entre ellas. Cuando un electrón
de la banda de valencia pasa a la banda de conducción, deja un hueco en la banda
de valencia, correspondiente a la ausencia de su carga. En este trabajo se estudian los
electrones y los huecos bajo la suposición de que no están correlacionados.
Existen múltiples trabajos sobre sistemas de GaAs/Ga1−x Alx As. Uno de los primeros
trabajos experimentales en este tipo de heteroestructuras fue realizado en 1981 por R.C.
Miller et al. [8], quienes, utilizando el método de fotoluminiscencia, midieron las energı́as
1s y 2s en función del ancho del pozo. Un año más tarde G. Bastard et al. [9] desarrollaron
cálculos variacionales para obtener la energı́a de enlace fundamental en un pozo cuántico
simple; ellos mismos, un año después publicarı́an resultados sobre el mismo sistema pero
esta vez bajo la acción de un campo eléctrico [10]. Ambos grupos hallaron las energı́as
para pozos con barreras infinitas, y Bastard et al. [10] hicieron el cálculo adicional para
barreras finitas. Más adelante Ronald R. Greene et al. [11], además de hacer los cálculos
para barreras finitas e infinitas, calcuları́an las energı́as de enlace excitónicas para el estado
2p± teniendo en cuenta dos concentraciones de aluminio diferentes. Hasta entonces, los
trabajos donde se tuvo en cuenta la acción de un campo eléctrico se hicieron bajo la
suposición de que las funciones de onda en las barreras del pozo cuántico se comportaban
en primera aproximación como funciones exponenciales decrecientes, mientras que dentro
del pozo las soluciones estaban dadas por las funciones de Airy. Fue R. Enderlein et
al. [1] [3] quienes plantearon la solución exacta dentro y fuera del pozo cuántico para
los electrones desde la perspectiva de la densidad de estados; a los estados energéticos
encontrados los denominaron estados cuasi-estacionarios.
El Grupo de Fı́sica Teórica del Estado Solido de la Universidad del Valle tiene experiencia
en la heteroestructura GaAs/Ga1−x Alx As. Entre los varios trabajos que se han desarro-
llado, en el 2006 el estudiante de grupo E.T. Vivas [12] estudió los estados de electrones
y huecos bajo la acción de un campo eléctrico; sin embargo el cálculo que implementó no
2
Capı́tulo 1. Introducción
era exacto y el problema lo abordó desde un punto de vista muy diferente al del presente
trabajo. Otros estudios realizados por el grupo han sido bajo diferentes condiciones; por
ejemplo, se han estudiado los estados excitónicos bajo la acción de campos magnéticos y
presión hidrostática. Algunos artı́culos publicados al respecto son [13][14][15].
El efecto de un campo eléctrico permite explorar los niveles energéticos de electrones

y huecos. Por otro lado, la aplicación de presión hidrostática modifica la estructura de
bandas del semiconductor y genera cambios en las propiedades de los niveles excitados.
Aspnes [16], Adachi [17], Welber et al. [18] y Miller et al. [19] fueron quienes experimental-
mente lograron determinar la masa efectiva y el bandgap como funcionales de la presión
hidrostática, además de las respectivas constantes de ajuste. Trabajos posteriores se ba-
saron en dichos artı́culos; por ejemplo, U. Venkateswaran et al. [20] estudiaron el espectro
de fotoluminiscencia como función de la presión hidrostática aplicada (0-70 kbar) para
longitudes de pozo entre 26Å y 150Å, y N.Raigoza et al.[21] calcularon teóricamente las
energı́as de enlace excitónicas bajo efectos de presión hidrostática y un campo eléctrico
aplicado sobre el mismo sistema.
En el presente trabajo, utilizando la solución exacta propuesta por Enderlein et al. [3],
se calcularon los efectos que tienen las dimensiones del pozo, la concentración de Al (en
las barreras de potencial), el campo eléctrico y la presión hidrostática sobre los primeros
estados cuasi-estacionarios del electrón, hueco ligero y hueco pesados en un pozo cuántico
de GaAs/Ga1−x Alx As. El estudio se direccionó en establecer diferentes perfiles energéticos
del pozo cuántico para finalmente llegar a establecer la existencia de 3 regiones claramente
diferenciables: una región de confinamiento, otra resonante y otra de pulsaciones.
3
Capı́tulo 2
Marco Teórico
2.1. Confinamiento Cuántico y Heteroestructuras
Cuando los electrones se encuentran restringidos a moverse en una región muy

pequeña del espacio se dice que están confinados.Y cuando esta región que es tan
pequeña es comparable con la longitud de onda asociada al electrón (longitud de De
Broglie), se observa el comportamiento cuántico [4].
Una heteroestructa puede obtenerse mediante la deposición sucesiva de capas muy
delgadas (del orden de los nanómetros) de diferentes compuestos semiconductores. Ac-
tualmente, gracias a procesos tecnológicos tales como la Epitaxia por Haces Moleculares
(Molecular Beam Epitaxy MBE) y la Deposición Quı́mica de Vapores Metalorgánicos
(Metal-organic Chemical Vapor Deposition MOCVD) es posible fabricar, con libertad e
imaginación, sistemas con propiedades novedosas muy diferentes a las de sus componen-
tes. Es en estos sistemas nanométricos artificiales donde pueden observarse los efectos
del confinamiento cuántico en dos dimensiones espaciales (2D como los pozos cuánti-
cos), en una (1D como alabres y tubos) o en cero dimensión (0D) como el caso de un punto.
Para poder distinguir el tipo de heteroestructura, resulta útil conocer el perfil del borde
de la banda de conducción (valencia), el cual depende de la posición del borde de la banda
5
Confinamiento Cuántico y Heteroestructuras Capı́tulo 2. Marco Teórico
de conducción (valencia) a lo largo de la dirección de crecimiento. Según como estén

dispuestos los perfiles del borde de las bandas pueden existir tres tipos de configuración,
como se ve en la figura (2.1).
Supongamos que tenemos una configuración de capas de materiales simples A y B. Si
el gap de uno de los elementos (por ejemplo, A), está totalmente contenido dentro del
gap del elemento B, entonces la heteroestructura es llamada “Straddling”(figura 2.1(a));
un ejemplo tı́pico es la heteroestructura entre GaAs y GaAlAs. El gap “Offset”(figura
2.1(b)) se obtiene cuando la energı́a de las brechas son muy parecidas (EgA ≈EgB ) y los
bordes están ligeramente desplazados, lo que implica que los bordes del elemento B tanto
de la banda de conducción como la de valencia van a estar por debajo de los bordes
del elemento A; un ejemplo es la heteroestructura entre InSb y InP . Por último el gap
“Broken”(figura 2.1(c)) se presenta cuando los bandgaps no alcanzan a solaparse del
todo y los bordes de la banda de valencia de un semiconductor están por encima de los
bordes de la banda de conducción del otro; un ejemplo de este tipo es la juntura entre
InAs y GaSb.
Las heteroestructuras semiconductoras son uno de los sistemas más importantes dentro
del estado sólido debido a que, por sus dimensiones, presentan propiedades electrónicas
y ópticas que superan en muchos aspectos a cualquier material o compuesto natural.
El control exacto de la composición quı́mica, la estructura y la geometrı́a de los dispositi-
vos fabricados han sido la esencia de los logros alcanzados. Algunas de las extraordinarias
propiedades (fundamentalmente las propiedades eléctricas y ópticas de estos sistemas)
de las heteroestructuras semiconductoras están determinadas, en su mayorı́a, por la
naturaleza de los estados electrónicos, fonónicos, excitónicos y de impurezas de los
sistemas de dimensión reducida.[22]
En lo que sigue, nos centraremos en pozos cuánticos donde el elemento A es el

GaAs, y el elemento B es el Ga1−x Alx As. El número x es llamado composición de
Aluminio y representa la cantidad de átomos de Al que existe en el material, dividido
entre el número total de sitios que pueden ser ocupados tanto por el Ga como por el Al.
6
Capı́tulo 2. Marco Teórico Confinamiento Cuántico y Heteroestructuras
(a) Straddling (b) Offset
(c) Broken
Figura 2.1: Tipos de heteroestructuras según los perfiles de borde de las bandas.
La distribución espacial de los perfiles de las bandas de conducción y valencia dan

lugar a los potenciales de confinamiento representadas en la figura (2.2) como Ve y Vh
respectivamente. El pozo se encuentra asociado con la capa de GaAs, mientras que la
barrera con la capa de Ga1−x Alx As.
La diferencia de energı́a entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de
7
Confinamiento Cuántico y Heteroestructuras Capı́tulo 2. Marco Teórico
Figura 2.2: Pozo GaAs-GaAlAs
la banda de conducción se conoce como bandgap o banda prohibida. Ası́, en la figura(2.2)

pueden diferenciarse dos bandgaps, uno de Ga1−x Alx As y el otro de GaAs; la diferencia
entre estos dos es igual a
∆EΓ = EΓ (Ga1−x Alx As) − EΓ (GaAs) (2.1)
No existe una regla establecida para determinar qué porcentaje de ∆EΓ le corresponde a
la altura de la barrera de conducción y a la de valencia; sin embargo es común utilizar
reglas empı́ricas tales como: [23], [19]:
Ve = r∆EΓ = 0,6∆EΓ ,
(2.2)
Vh = (1 − r)∆EΓ = 0,4∆EΓ .
Ası́ queda claro que el parámetro ∆EΓ es el que da lugar a los potenciales de confinamiento
de los electrones y huecos.
8
Capı́tulo 2. Marco Teórico Aproximación de masa efectiva
2.2. Aproximación de masa efectiva
Todos los sólidos cristalinos presentan una estructura periódica, por lo que un electrón
que se viese sometido a la influencia de la red cristalina poseerı́a una energı́a potencial que
variarı́a también de una forma periódica en las tres direcciones del espacio. Este potencial
no es trivial y en consecuencia es conveniente utilizar una aproximación permita simplificar
los cálculos.La aproximación de masa efectiva consiste en la transformación:
~2 2 ~2
− ∇ + W (~r) → − ∗ ∇2 , (2.3)
2mi 2m
donde W (~r) corresponde al potencial periódico cristalino en un punto ~r de la red y m∗

es la masa efectiva, la cual tiene en cuenta los efectos del potencial cristalino sobre el
electrón (o hueco). El potencial cristalino tiene la forma:
X
W (~r) = W (~r + ni a~i ), (2.4)
i
donde ni es un entero y a~i son los tres vectores base de la red de Bravais (i = 1, 2, 3).
La ecuación de schrödinger de una partı́cula libre en un potencial cristalino se escribe
como
~2 2

− ∇ + W (~r) Ψ = Ec Ψ, (2.5)
2m
donde Ψ es la función de Bloch y Ec la energı́a asociada al electrón libre en la banda de

~
conducción. Representado la función de Bloch en la forma Ψ = Uα,~k (~r)eik·~r , encontramos
que Uα,~k satisface la siguiente ecuación,
~2 2 ~2 ~ ~ ~2 k 2

− ~
∇ − i (k ∇) + W (~r) Uα,~k = Eα (k) − Uα,~k , (2.6)
2m m 2m
donde α indica el número de la banda de energı́a y ~k es el vector de onda. La estructura de

bandas del GaAs muestra que en el centro de la zona de Brillouin (k=0) están localizados
9
Aproximación de masa efectiva Capı́tulo 2. Marco Teórico
el máximo de la banda de valencia y el mı́nimo de la banda de conducción, por lo cual las

transiciones entre los estados de estas bandas son de gap directo.
Cuando ~k → 0 la ec.(2.6) puede transformarse en
h i
Hc + W (~k) Uα,0 = c Uα,0 , (2.7)
donde
~2 2
Hc = − ∇ + W (~r), (2.8)
2m
y
~ ~2 ~ ~ ~2 k 2
W (k) = −i k · ∇ + . (2.9)
m 2m
En la ec.(2.9), si ~k → 0, entonces W (~k) → 0. Ası́, como W (~k) en la ec.(2.7) se hace muy

pequeño comparado con los otros términos del hamiltoniano, entonces puede considerarse
como una perturbación. Aplicando el método de perturbaciones, llega a calcularse el valor
de la energı́a en el mı́nimo de la banda de conducción como
2
∗ ~ ~
uv,0 k · P uv,0

2 2 2 Z
~k ~
Ec = Ec (~0) + + dV0 , (2.10)
2m 2m V0 Ec (~0) − Ev~0
donde ~k· P~ = i~kj ·Pj , Ec (~0)−Ev (~0) = Eg , Eg es el gap de energı́a del material. Finalmente
la ec.(2.10) puede escribirse como
~2 k 2
Ec = Ec (~0) + , (2.11)
2m∗
donde
uv,0 Pj uv,0 2
Z ∗
1
[m∗ ]−1 = +2 dV0 . (2.12)
m V0 Eg
10
Capı́tulo 2. Marco Teórico Solución del Pozo Cuántico Simple (QW)
[m∗ ]−1 es el tensor de masa efectiva, es diferente para cada material y puede obtenerse
experimentalmente. Como su expresión lo indica, la masa efectiva tiene la informa-
ción de la red expresada en la componente del momentum y el gap del material en estudio.
2.3. Solución del Pozo Cuántico Simple (QW)
Figura 2.3: Pozo cuántico de GaAs/Ga1−x Alx As
La heteroestructura de GaAs/Ga1−x Alx As puede analizarse de igual forma que un

pozo de potencial finito de longitud L, con la única diferencia que ahora la masa cambia
en la dirección de crecimiento de la heteroestructura, como se ve en la figura 2.3; m∗w y m∗b
hacen referencia a las masas efectivas del portador dentro (GaAs) y fuera (Ga1−x Alx As)
del pozo respectivamente. Se utilizan las condiciones de frontera propuestas por B. Daniel
1 ∂
et ál [24], donde la función de onda ϕ(z), m∗ ∂z
ϕ(z) debe ser continua en las interfaces.
La ecuación de Schrödinger en cada una de las regiones del pozo se escribe como:
11
Solución del Pozo Cuántico Simple (QW) Capı́tulo 2. Marco Teórico
~2 d2 ϕI (z)
− ∗ + V0 ϕI (z) = EϕI (z) para z < −L/2
2mb dz 2
~2 d2 ϕII (z)
− ∗ = EϕII (z) para − L/2 < z < L/2 (2.13)
2mw dz 2
~2 d2 ϕIII (z)
− ∗ + V0 ϕIII (z) = EϕIII (z) para z > L/2.
2mb dz 2
Los números de onda dentro y fuera del pozo están dados respectivamente por las expre-
siones
r r
2m∗w E 2m∗b (V0 − E)
k= , q= , (2.14)
~2 ~2
y las soluciones generales en cada una de las regiones son de la forma
ϕI (z) = F e−qz + Geqz ,

ϕII (z) = Asen(kz) + Bcos(kz), (2.15)
ϕIII (z) = He−qz + Ieqz .
Para que la función ϕI (z) sea acotada en la región donde está definida (z < L/2) se debe
tener F = 0, con lo cual se evita el término e−qz , el cual diverge para z → −∞. El mismo
razonamiento se aplica a la función ϕIII (z): para que sea regular incluso cuando z → ∞,
se debe exigir I = 0.
Al aplicar las condiciones de frontera en z = ±L/2, se puede llegar a dos soluciones, una
simétrica (par) para la cual A = 0 y G = H y otra antisimétrica (impar) para la cual
B = 0 y G = −H. Ası́, los estados ligados se describen mediante las soluciones de las
ecuaciones
( )
m∗

q tan L
= ∗b k . (2.16)
k mw −cot 2
12
Capı́tulo 2. Marco Teórico Solución del Pozo Cuántico Simple (QW)
Si se define θ = kL/2 y
r
m∗b V0 L2
θ0 = , (2.17)
2~2
donde θ0 es una variable que solamente depende de la masa exterior al pozo, la ecuación
de estados ligados se convierte en
( ) s
tanθ m∗ θ02 m∗b
= w∗ − ; (2.18)
−cotθ mb θ2 m∗w
q
m∗w L2 E
aquı́ la variable θ está relacionada con la energı́a de la forma θ(E) = 2~2
.
El sistema 2.18 representa dos ecuaciones trascendentes que se resuelven numéricamente.
q 2
∗ θ0 m∗
Para visulizar las soluciones, graficamos las funciones: tanθ, −cotθ y m
m∗
w
θ2
− m∗b (ver
b w
figura 2.4). Los puntos de intersección entre el radical y la función tanθ corresponden a las
energı́as de los estados pares (n = 0, 2, 4...) y la intersección entre el radical y la función
−cotθ a las energı́as de los estados impares (n = 1, 3, 5...). Por lo tanto, las soluciones
para un nivel energético n(n = 1, 2, 3...) están en el intervalo
π π
θ(En ) ∈ [n , (n + 1) ]. (2.19)
2 2
Figura 2.4: Solución gráfica de los estados ligados para un pozo de GaAs/GaAlAs, L = 4Å y V0 = 75eV .
13
Solución del pozo simple bajo la acción de Campo Eléctrico Capı́tulo 2. Marco Teórico
2.4. Solución del pozo simple bajo la acción de Cam-

po Eléctrico
Si se tiene una partı́cula de carga e y masa m en el potencial de confinamiento Vf in (z)

(potencial de la heteroestructura Ec.2.21), y además el sistema es sometido a la acción
de un campo eléctrico uniforme y constante F (que va de izquierda a derecha), el pozo
tomarı́a la forma mostrada en la figura (2.5).
El Hamiltoniano general del sistema tiene la forma
~2 d2
Ĥ = − + Vef (z), (2.20)
2m∗ dz 2
donde Vef es el potencial efectivo y está definido como Vef (z) = Vf in (z) + eF z.
(
V0 , en I, III
Vf in (z) = (2.21)
0, en II
Figura 2.5: Pozo cuántico en presencia de un campo eléctrico constante
14
Capı́tulo 2. Marco Teórico Solución del pozo simple bajo la acción de Campo Eléctrico
De aquı́ se deriva lo siguiente:
1. El espectro de Ĥ es continuo y no degenerado.
2. Ĥ no es un operador hermı́tico y por lo tanto sus autovalores son complejos y pueden

escribirse de la forma E = E0 − iΓ.
3. Las autofunciones de Ĥ cumplen con la condición lı́m Vef (z) → ∞ ⇒ ϕ(z) → 0

z→∞
4. ϕz→−∞ ⇒ ϕ es finita.
El significado de Γ puede ser entendido considerando la evolución de los estados:
∂
i~ ϕ(z, t) = Ĥϕ(z, t) (2.22)
∂t
E Γ E0
ϕ(z, t) = ϕ0 (z)e−i ~ t = ϕ0 (z)e− ~ t e−i ~
t
(2.23)
Si se define τ = ~/Γ, la ecuación anterior queda definida como
t E0
ϕ(z, t) = ϕ0 (z)e− τ e−i ~
t
. (2.24)
En este caso, τ puede entenderse como un tiempo de vida durante el cual la partı́cula
se encuentra dentro del potencial de confinamiento de la heteroestructura. En otras pa-
labras, los autoestados de Ĥ son cuasi-estacionarios o cuasiligados, y pueden ser
experimentalmente observables siempre y cuando se satisfaga
|E0 | >> |Γ| . (2.25)
La corriente de tunelamiento de los estados cuasiligados depende entonces de sus tiempos

de vida mecanocuánticos.En contraste con los electrones que tienen un tiempo de vida
infinito en estados ligados, los electrones en estados cuasiligados tienen una probabilidad
no nula de tunelar a través del potencial de barrera; en consecuencia, sus tiempos de
15
vida son finitos.
Teniendo en cuenta la condición (2.25), planteamos la ecuación de Schrödinger
~2 d2

− ∗ 2 + eF z + Vf in (z) ϕ (z) = Eϕ (z) . (2.26)
2m dz
La anterior expresión se puede simplificar si se introducen las unidades naturales de lon-

gitud z0 , energı́a E0 y de campo F0 ,
~2 E0
z0 = L, E0 = , F0 = . (2.27)
2m∗ L2 eL
Con base en ellas, se puede definir las variables adimensionales de longitud, energı́a y
campo eléctrico
z E F
ξ= , = , f= . (2.28)
z0 E0 F0
Ası́, la Ec. (2.26) puede escribirse como
d2

− f ξ + − νf in (ξ) ϕ(ξ) = 0, (2.29)
dξ 2
Vf in (z)
donde el potencial finito Vf in (z) está escrito en unidades naturales νf in (ξ) = E0
.
La combinación lineal de las funciones de Airy (ver figura 2.6), representadas como Ai(x)
y Bi(x), son soluciones de la ecuación diferencial
d2 y
− xy = 0. (2.30)
dx2
Haciendo la sustitución u = (a + bξ)k, donde a = νf in − , b = f y k = 1/b2/3 , la Ec.(2.29)
puede escribirse como
16
Figura 2.6: Representación gráfica de las funciones de Airy.
d2 ϕ
− uϕ = 0. (2.31)
du2
La ecuación anterior tiene la forma de la Ec.(2.30), por lo tanto su solución se expresa
como
ϕ(u) = AAi(u) + BBi(u), (2.32)
y en consecuencia los autoestados ϕ(ξ) se representan como:

A1 Ai(η + η0 ) + B1 Bi(η + η0 ), en I


ϕ(ξ) = A2 Ai(η) + B2 Bi(η), en II (2.33)

A Ai(η + η ) + B Bi(η + η ), en III

3 0 3 0
fξ − 0 V0
η= , η0 = , 0 = . (2.34)
f 2/3 f 2/3 E0
Pero si centramos la atención en la figura (2.6), puede verse que la función Bi(x) diverge
en la parte derecha; por lo tanto B1 = 0. Finalmente las soluciones quedan ası́:
17



 Ai(η + η0 ), en I
φ(ξ) = A1 ϕ(ξ) = a2 Ai(η) + b2 Bi(η), en II , (2.35)


a Ai(η + η ) + b Bi(η + η ), en III
3 0 3 0
Ai Bi
donde ai = A1
y bi = A1
, con i = 2, 3. La función φ(ξ) tiene asociado el mismo peso
probabilı́stico de A1 ϕ(ξ) ya que sólo se diferencian por una constante. El problema ahora
se reduce a calcular los coeficientes a2 , b2 , a3 y b3 , que pueden hallarse aplicando las
dφ
condiciones de frontera de φ(ξ) y dξ
en ξ = ±L/2.
φI (ξ = L/2) = φII (ξ = L/2)
Ai(η+ + η0 ) = a2 Ai(η+ ) + b2 Bi(η+ ) (2.36)
φII (ξ = −L/2) = φIII (ξ = −L/2)
a2 Ai(η− ) + b2 Bi(η− ) = a3 Ai(η− + η0 ) + b3 Bi(η− + η0 )

(2.37)
0 = a3 Ai(η− + η0 ) + b3 Bi(η− + η0 ) − a2 Ai(η− ) − b2 Bi(η− )
∇φI (ξ = L/2) = ∇φII (ξ = L/2)
Ai0 (η+ + η0 ) = a2 Ai0 (η+ ) + b2 Bi0 (η+ ) (2.38)
∇φII (ξ = −L/2) = ∇φIII (ξ = −L/2)
a2 Ai0 (η− ) + b2 Bi0 (η− ) = a3 Ai0 (η− + η0 ) + b3 Bi0 (η− + η0 )

(2.39)
0 = a3 Ai0 (η− + η0 ) + b3 Bi0 (η− + η0 ) − a2 Ai0 (η− ) − b2 Bi0 (η− ),
donde η± = ± 21 f − /f 2/3 . Las ecuaciones 2.36, 2.37, 2.38 y 2.39 pueden representarse

matricialmente como
18
  
Ai(η+ + η0 ) a2
 0   
Ai (η+ + η0 )
 = M  b2  ,
 
 (2.40)

 0 

a 
 3
0 b3
donde M es una matrı́z y está compuesta por las funciones de Airy y sus derivadas.
 
Ai(η+ ) Bi(η+ ) 0 0
 0
Bi0 (η+ )

 Ai (η+ ) 0 0 
M=
 . (2.41)
 −Ai(η − ) −Bi(η − ) Ai(η − + η0 ) Bi(η − + η )
0 

−Ai0 (η− ) −Bi0 (η− ) Ai0 (η− + η0 ) Bi0 (η− + η0 )
Conociendo el wronskiano de las funciones de Airy,

Ai(x) Bi(x) 1
W [Ai(x), Bi(x)] = 0 = ∀ x ∈ R, (2.42)

0
Ai (x) Bi (x) π
puede calcularse el det(M),
1
det(M) = . (2.43)
π2
Con ayuda de la Regla de Cramer se concluye que:
 
Ai(η+ + η0 ) Bi(η+ ) 0 0
 0
Ai (η+ + η0 ) Bi0 (η+ )

2 0 0 
a2 = π  , (2.44)

 0 −Bi(η− ) Ai(η− + η0 ) Bi(η− + η0 )  
0 −Bi0 (η− ) Ai0 (η− + η0 ) Bi0 (η− + η0 ))
 
Ai(η+ ) Ai(η+ + η0 ) 0 0
 0 0

 Ai (η + ) Ai (η+ + η0 ) 0 0 
b2 = π 2 
 −Ai(η )
, (2.45)
 − 0 Ai(η − + η 0 ) Bi(η − + η )
0 

−Ai0 (η− ) 0 Ai0 (η− + η0 ) Bi0 (η− + η0 ))
19
Densidad de estados (DOS) de Enderlein[1][3] Capı́tulo 2. Marco Teórico
 
Ai(η+ ) Bi(η+ ) Ai(η+ + η0 ) 0
 0 0 0

 Ai (η+ )
2 Bi (η + ) Ai (η+ + η0 ) 0 
a3 = π 
 −Ai(η ) −Bi(η )
, (2.46)
 − − 0 Bi(η− + η0 ) 

0 0 0
−Ai (η− ) −Bi (η− ) 0 Bi (η− + η0 )
 
Ai(η+ ) Bi(η+ ) 0 Ai(η+ + η0 )
 0 0 0

 Ai (η+ )
2 Bi (η+ ) 0 Ai (η + + η0 ) 
b3 = π 
 −Ai(η ) −Bi(η ) Ai(η + η )
 (2.47)
 − − − 0 0 

0 0 0
−Ai (η− ) −Bi (η− ) Ai (η− + η0 ) 0
.
2.5. Densidad de estados (DOS) de Enderlein[1][3]
Encontrar los valores de la energı́as de los estados cuasi-estacionarios no es una tarea

fácil y su dificultad radica en la continuidad del espectro energético, como se verá más
adelante. Para nuestra fortuna, recientemente se desarrolló un método aproximado para
calcular dichas energı́as[1][3].
La validez de la DOS de Enderlein está condicionada al cumplimiento de la desigualdad
(Ec.2.25), la cual implica que el tiempo de vida de los estados cuasi-estacionarios debe
ser lo suficientemente grande como para considerarlos estacionarios, y en consecuencia el
operador Ĥ se vuelve hermı́tico.
Comunmente la densidad de estados ρ(E) es igual a la parte imaginaria de la función de

Green G(E),
1
ρ(E)t = Im[T rG(E)]. (2.48)
π
Para un sistema con autovalores de energı́a discreta la expresión (2.48) está muy bien
definida; en el caso de un espectro de energı́a continuo la expresión anterior diverge,
reflejando el hecho de que el número de autoestados energéticos por unidad de energı́a
se vuelve infinito bajo estas circustancias. Esta dificultad puede solucionarse como se
20
Capı́tulo 2. Marco Teórico Densidad de estados (DOS) de Enderlein[1][3]
sigue: Primero, uno incrusta el sistema entre barreras de potencial casi infinitas; de este
modo el sistema se convierte en finito y el espectro de energı́a en discreto. Segundo, uno
divide la DOS por el volumen L del sistema. Finalmente uno toma el lı́mite del volumen
infinito; si existe, éste representa la densidad de estados ρ(E) por unidad de energı́a y
unidad de volumen.
1
ρ(E) = lı́m ρt (E) (2.49)
L→∞ L
Para más claridad, consideremos una partı́cula que se mueve en la dirección z, entre
z = −∞ y z = ∞. El potencial V (z) puede o no diverger en z = ±∞. V (z) tiene dos
partes, una que permanece finita en z = ±∞(z) y otra denotada como Vd (z)
V (z) = Vf in (z) + Vd (z). (2.50)
Por ejemplo, para un electrón en un potencial finito, Vd (z) puede ser considerado co-
mo cero. Si se enciende un campo eléctrico F , Vd (z) puede ser calculado como eF z. El
hamiltoniano puede escribirse entonces como
p2
Ĥ = + V (z), (2.51)
2m
donde los autovalores de Ĥ pueden ser clasificados por cierto número cuántico continuo
k, el cual determina unı́vocamente los autovalores de Ĥ, es decir,
E = E(k). (2.52)
Si el estado de energı́a E es degenerado, se necesita un número cuántico adicional s

para identificar las autofunciones de Ĥ, las cuales se denotarán por ϕsk . Estas funciones
satisfacen la ecuación de Schrödinger
Hϕsk (z) = E(k)ϕsk (z). (2.53)
21
La ecuación anterior permite determinar las funciones ϕsk (z) con una precisión de hasta
un factor dependiente de la energı́a cs (k), es decir, si ϕsk (z) es solución de la ecuación de
Schrödinger (2.53), entonces
φsk (z) = csk (k)ϕsk (z) (2.54)
también es solución de la ecuación de Schrödinger. Estos estados se llaman estados de

igual peso cuántico (del inglés Equal Quantum Weight EQW). La constante cs (k) es
usualmente calculada a partir de la condición de normalización
Z ∞
φ∗sk0 (z)φsk (z) dz = δ(k 0 − k). (2.55)
−∞
Para determinar la DOS se necesitan los autoestados ϕsk (z), los cuales tienen el mismo
peso cuántico (EQW) para todos los valores de k. Se escoje un conjunto completo de
autofunciones φsk (z) ortonormalizado de Ĥ. La relación de completez puede escribirse
como
XZ
φ∗sk0 (z 0 )φsk (z) dk = δ(k 0 − k). (2.56)
s
Si k toma valores discretos la integral sobre k debe ser entendida como una suma. Ca-
da autofunción normalizada φsk (z) del conjunto completo da lugar a una autofunción
ϕEQW
sk (z) y viceversa. En consecuencia
φsk (z) = cEQW

s (k)ϕEQW
sk (z), (2.57)
donde cEQW
s (k) son factores bien definidos. Las autofunciones ϕEQW
sk (z) forman un con-
junto completo de funciones y la relación de completez toma la forma
XZ 2 ∗ 0
cEQW
s (k) ϕEQW
sk (z )ϕEQW
sk (z) dk = δ(k 0 − k). (2.58)
s
22
Como ϕEQW
sk (z) forma un conjunto completo y tiene iguales pesos cuánticos para dife-
2
rentes valores de k, el factor cEQW
s (k) puede ser interpretado como cierta densidad de
autoestados por unidad de k y unidad de longitud para un número cuántico dado s. La
densidad correspondiente de autoestados por unidad de energı́a y por unidad de longitud
ρ̄s (E) puede ser escrita como
−1
dE EQW 2
ρ̄s (E) = cs (k) . (2.59)
dK
Combinando las ecuaciones (2.55) y (2.57)-(2.59), finalmente se obtiene
Z ∞
∗
ρ̄s (E) ϕEQW EQW 0
sk0 (E 0 ) (z)ϕsk(E) (z) dz = δ(E − E), (2.60)
−∞
con k(E) dada por la Ec.(2.52). Para calcular la DOS ρ̄s (E) total por unidad de energı́a
y longitud, se hace
X
ρ̄(E) = ρ̄s (E). (2.61)
s
Si k puede ser identificada con la energı́a E, y no se presenta un número cuántico adicional

s, la Ec.(2.60) se convierte en
Z ∞
∗
ρ̄(E) ϕEQW
E0 (z)ϕEQW
E (z) dz = δ(E 0 − E). (2.62)
−∞
En general, la integral
Z ∞
∗
ρ̄(E) ϕEQW
E0 (z)ϕEQW
E (z) dz (2.63)
−∞
puede ser evaluada y como las funciones ϕE satisfacen la ecuación de Schrödinger
ĤϕE (z) = EϕE (z), (2.64)
23
es fácil ver que
Z ∞ Z ∞
ϕ∗E 0 (z)ĤϕE (z) dz
=E ϕ∗E 0 (z)ϕE (z) dz
Z ∞−∞ Z −∞
∞ (2.65)
ϕE (z)Ĥ ∗ ϕ∗E 0 (z) dz = E 0 ϕ∗E 0 (z)ϕE (z) dz,
−∞ −∞
de donde
Z ∞ Z ∞
1 h i
ϕ∗E 0 (z)ϕE (z) dz = 0 ϕE (z)Ĥ ∗ ϕ∗E 0 (z) − ϕ∗E 0 (z)ĤϕE (z) dz. (2.66)
−∞ E −E −∞
Como el hamiltoniano está dado por la expresión (2.20), la ecuación anterior puede escri-
birse como
∞ ∞
~2 d2 d2 ∗
Z Z
1
ϕ∗E 0 (z)ϕE (z) dz = 0 ∗
ϕE 0 (z) 2 ϕE (z) − ϕE (z) 2 ϕE 0 (z) dz. (2.67)
−∞ E − E 2m −∞ dz dz
Usando la Ec.(2.67), la integral (2.62) queda como
−0 0 − 0 0
− −
#ξ=λ/2
ϕ∗0 ( ξff 2/3 )ϕ ( ξf ) − ϕ∗0 ( ξff 2/3 )ϕ ( ξf
"
Z ∞ )
f 2/3 f 2/3
ϕ∗E 0 (z)ϕE (z) dz = Lf 1/3 lı́m .
−∞ λ→∞ 0 −
ξ=−λ/2
(2.68)
Para argumentos positivos grandes las funciones de onda en (2.68) decrecen exponen-
cialmente; por lo tanto sólo hay contribución cuando ξ = −λ. Cuando el argumento de
las funciones de onda (2.68) se hace muy negativo , se aplican las siguientes expresiones
asintóticas: [25],

1 1 2 3/2 π
Ai(−η) = √ 1/4 sen η + ,
πη 3 4
(2.69)
1 1 2 3/2 π
Ai(−η) = √ 1/4 cos η + .
πη 3 4
24
Usando la relación
senν( − 0 )
lı́m 0
= πδ(0 − ), (2.70)
→∞ −
uno obtiene de (2.68) y (2.69)
Z ∞
ϕ∗E 0 (z)ϕE (z) dz = Lf 1/3 a23 + b23 δ(0 − ).

(2.71)
−∞
La DOS ρ̄(E) puede calcularse ahora de (2.62). Ası́ se obtiene
1 1
ρ̄(E) = , (2.72)
E0 Lf a3 + b23
1/3 2
donde a3 y b3 dependen de la energı́a y de los parámetros estructurales del sistema, y

pueden calcularse de (2.46) y (2.47). La función ρ̄(E) posee picos estrechos localizados
cerca de los valores de E. Por lo tanto, el problema de encontrar aproximadamente los
valores de E se reduce a encontrar los valores de E que maximizan la función ρ̄(E).
25
Capı́tulo 3
Resultados
3.1. Información experimental empleada para los

cálculos
Las masas efectivas del electrón, hueco ligero (light hole) y hueco pesado (heavy hole)
están expresadas según H. Li [2] por:
m∗e (x) = (0, 0665 + 0, 1006x + 0, 0137x2 )m0 ,

m∗lh (x) = (0, 0951 + 0, 0441x + 0, 0097x2 )m0 , (3.1)
m∗hh (x) = (0, 34 + 0, 16x)m0 .
0,51×106
Aquı́ x es la concentración de Al y m0 = c2
eV s2 /m2 es la masa en reposo del electrón.
El bandgap del Ga1−x Alx As es directo en el punto de alta simetrı́a Γ [26] para x < 0,45
y según H. Li [2] puede expresarse como
EΓ (Ga1−x Alx As) = 1, 5194 + 1, 36x + 0, 22x2 . (3.2)
Ası́, la diferencia de bandgap para el sistema Ga1−x Alx As estarı́a dada por
27
Información experimental empleada para los cálculos Capı́tulo 3. Resultados
∆EgΓ (Ga1−x Alx As) = 1, 36x + 0, 22x2 . (3.3)
Según los trabajos de Miller et al [19] y Wang et al [23], el porcentaje de ∆EgΓ que le
corresponde a la altura de la barrera de conducción Ve y a la barrera de valencia Vh , dados
por la Ec.(3.4), están determinados por el parámetro r, el cual varı́a entre 0,57 y 0,75. En
este trabajo se utilizó r = 0, 6 y por lo tanto
Ve = r∆EΓ = 0,6∆EΓ ,
(3.4)
Vh = (1 − r)∆EΓ = 0,4∆EΓ .
Una de las propiedades para tener en cuenta cuando se aplica un campo eléctrico al GaAs
es el campo eléctrico de ruptura (Breakdown Field) [27], que tiene el valor:
Fbreakdown ≈ 400kV /cm. (3.5)
Para campos eléctricos aproximados o superiores al campo eléctrico de ruptura, el semi-

conductor pasa a ser un conductor.
La dependencia de la masa efectiva del electrón con la presión en el GaAs a bajas tem-
peraturas propuesta por Ehrenreich [28] y Aspnes [16] es,
m0
m∗e (P ) = h i, (3.6)
2 1
1 + EpΓ EgΓ (P )
+ EgΓ (P )+∆0
donde m0 es la masa del electrón en reposo, EpΓ = 7, 51eV , ∆0 = 0, 341eV y EgΓ (P ) es la

variación del gap de energı́a (en eV) en el pozo cuántico de GaAs en el punto Γ con la
presión hidrostática en unidades de kbar, la cual es expresada [28] [16] [17][18] como
EgΓ (P ) = a + bP + cP 2 , (3.7)
con a = 1, 425eV , b = 1, 26 × 10−2 eV /kbar y c = −3, 77 × 10−5 eV /kbar2 .

La barrera de potencial que confina al electrón en el QW en la dirección z, está dada
por[29]
28
Capı́tulo 3. Resultados Información experimental empleada para los cálculos

L(P )
V0 = 0,6∆EgΓ (x, P )Θ |z| − , (3.8)
2
donde L(P ) es la longitud del pozo a la presión P y ∆EgΓ (x, P ) es la diferencia entre el
bandgap de la barrera y el del QW en el punto Γ en función de P y la concentración de
Aluminio x. ∆EgΓ (x, P ) está dada por
∆EgΓ (x, P ) = ∆EgΓ (x) + P D(x), (3.9)
donde
∆EgΓ (x) = (1, 155x + 0, 37x2 )eV (3.10)
es la variación de la diferencia del gap de energı́a y D(x) es el coeficiente de presión del

bandgap, y está dado por
D(x) = −1, 3 × 10−3 x eV /kbar.

(3.11)
En la Ec.(3.8) la longitud L está dada por
L(P ) = L(0) [1 − (S11 + 2S12 )P ] , (3.12)
donde S11 = 1, 16 × 10−3 kbar−1 y S12 = −3, 7 × 10−4 kbar−1 son las constantes clásicas de
compresibilidad del GaAs [16] [17] [28] y L(0) es el ancho del pozo a P = 0.
La variación de la masa efectiva del hueco pesado con la presión (expresada en kbar)
está dada por Boucenna et al [30] como
m∗h (P ) = [0,4 − (0, 1 × 10−3 )P + (5, 56 × 10−6 )P 2 ]m0 . (3.13)
Es claro que la ecuación de masa efectiva para el electrón cuando se aplica presión hi-
drostática (Ec.3.6) es diferente a la que se utiliza cuando se aplica campo eléctrico (Ec.
29
Implementación del cálculo numérico Capı́tulo 3. Resultados
3.1); adicionalmente, la Ec.(3.1) depende de la concentración y la Ec.(3.6) no. Es decir,

que cuando se utilice la Ec.(3.6) a P=0, los resultados no van a coincidir con los obteni-
dos utilizando la Ec.(3.1). Para solucionar este incoveniente, proponemos una expresión
cercana de masa efectiva para el electrón, de tal modo que a P=0 el resultado se reduce
a la propuesta de H. Li (Ec.3.1):
m∗e (P )
m∗e (x, P ) = ∗ 0, 0665 + 0, 1006x + 0, 0137x2 . (3.14)
me (P = 0)
El mismo incoveniente ocurre con la masa efectiva del hueco pesado; por tal razón, pro-
ponemos la ec.(3.15), la cual para P=0 se reduce a la propuesta de H. Li (Ec.3.1):
m∗h (x, P ) = [0,34 + 0,16x − (0, 1 × 10−3 )P + (5, 56 × 10−6 )P 2 ]m0 . (3.15)
Infortunadamente no encontramos en la literatura expresiones equivalentes para el hueco

ligero y en consecuencia no pudimos proponer una ecuación para él.
Continuando con el razonamiento anterior, la diferencia de bandgap que se utilizó fue la
ec.(3.3) propuesta en el 2000 y no la ec.(3.10) que fue reportada en el año 1984.
3.2. Implementación del cálculo numérico
Debido a que para obtener las soluciones del pozo bajo un campo eléctrico es ne-
cesario solucionar ecuaciones trascendentes, fue desarrollado en el lenguaje Wolfram
Mathematica
c
la programación para calcular numéricamente la DOS como función de
la energı́a, para las diferentes concentraciones, longitudes de pozo, campos eléctricos y
presiones hidrostáticas.
La concentración fue barrida para valores 0, 001 ≤ x ≤ 0, 450 con pasos de 0,001.
Las longitudes de pozo estuvieron en el rango 1Å ≤ L ≤ 200Å con pasos de 0,001.
El campo eléctrico se barrió entre 0kV /cm ≤ F ≤ 400kv/cm con pasos de 1 kV/cm.
30
Capı́tulo 3. Resultados Pozo simple
La presión hidrostática se barrió entre 0kbar ≤ P ≤ 100kbar con pasos de 0.2 kbar.
El rango de la energı́a en los barridos fue calculado para cada caso particular dependiendo
de los valores x, L, F o P y se tomaron 5001 puntos en dicho rango; como se verá más
adelante, la determinación de los estados cuasi-estacionarios en la región de confinamiento
requirió la búsqueda sistemática de la DOS como función de la energı́a.
Por razones de espacio, el código de los archivos principales notebook (.nb) y de los
archivos de inclusión de subrutinas (.m), se presentan en el Apéndice B.
Para el caso donde el campo eléctrico es cero los estados estacionarios se obtuvieron en
la forma estándar del pozo simple.
3.3. Pozo simple
Se calcularon las densidades de probabilidad y las energı́as de los estados ligados para un
pozo simple de GaAs/Ga0,7 Al0,3 As y longitud 200Å. En la figura (3.1) puede observarse
el nivel fundamental y los primeros 4 niveles energéticos excitados, ası́ como las densi-
dades de probabilidad, respectivamente. Dentro del Pozo cuántico las funciones de onda
son oscilatorias, pero por fuera de éste las funciones de onda se comportan como expo-
nenciales decrecientes (debido a las barreras de potencial); ambas situaciones obedecen el
comportamiento dado por las ecuaciones (2.15).
En la Figura (3.2) se grafica la variación energética del estado fundamental del hueco
ligero, hueco pesado y electrón según la longitud de pozo y se comparan dos situacio-
nes, cuando se considera la variación de la masa efectiva a través de la heteroestructura
(lı́nea a trazos) y cuando se considera constante (lı́nea sólida). Es visible que cuando se
considera la variación de la masa efectiva, el estado fundamental, en general, conserva
la misma forma que cuando es constante. Debido a que las formas de comportamiento
son fundamentalmente las mismas para masa variable y masa constante por fácilidad en
los cálculos se considerará que la masa efectiva a través de la heteroestructura es
constante.
31
QW bajo la acción de campo eléctrico y presión hidrostática Capı́tulo 3. Resultados
0 .3 0
0 .2 5 m = 4
0 .2 0
m = 3
E (e V )
0 .1 5
0 .1 0 m = 2
0 .0 5 m = 1
m = 0
0 .0 0
L ( Å)
-2 0 0 -1 0 0 0 1 0 0 2 0 0
Figura 3.1: Funciones de Onda para un pozo simple de de GaAs-GaAl0,3 As y longitud 200Å.
3.4. QW bajo la acción de campo eléctrico y presión

hidrostática
Al aplicar un campo eléctrico al pozo cuántico simple pudieron establecerse tres regiones
energéticas perfectamente diferenciables (ver figura 3.3): Confinamiento (Entre Ea y
Eb ), Resonante (Entre Eb y Eb0 ) y Pulsaciones (Mayor que Eb0 ). Unido a esto, pudieron
determinarse dos tipos de pozos:
TIPO I: La región de confinamiento tiene forma de cuadrilátero. Longitudes de pozo

y campos eléctricos pequeños (ver figura 3.3(a)).
TIPO II: La región de confinamiento tiene forma triangular. Longitudes de pozo y

campos eléctricos grandes (ver figura 3.3(b)).
De la figura (3.3) es fácil ver que,
32
Capı́tulo 3. Resultados QW bajo la acción de campo eléctrico y presión hidrostática
2 5 0 Electrón (m constante)
Electrón (m variable)
Hueco ligero
2 0 0 Hueco pesado
1 5 0
E (e V )
1 0 0
E s ta d o F u n d a m e n ta l
5 0
L ( Å)
0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0
Figura 3.2: Variación energética del estado fundamental con respecto a la longitud del Pozo de
GaAs/Ga0,7 Al0,3 As para masa efectiva constante (lı́neas continuas) y masa efectiva variable (lı́neas a
trazos) para electrón y huecos.
Ea = −eF L/2 Eb = V0 − eF L/2

(3.16)
Ea0 = +eF L/2 Eb0 = V0 + eF L/2
En el pozo tipo I la energı́a Ea0 está por debajo de la energı́a Eb , en contraste con el pozo
tipo II donde Ea0 está por encima de Eb , lo que hace que la energı́a Ea0 haga parte de
la región resonante y no de confinamiento como pasa para el pozo tipo I. Independiente-
mente a qué tipo de pozo me refiera, la región de confinamiento estará definida entre las
energı́as Ea < E < Eb , la región resonante para Eb < E < Eb0 y la región de pulsaciones
para E > Eb0 . Al variar el campo eléctrico, la pendiente del pozo se incrementa y puede
originar un cambio de pozo tipo I a tipo II; al aumentar la presión disminuye la longitud
del pozo generando un cambio de pozo tipo II a tipo I. Esto se verá más adelante.
Para obtener los estados cuasi-estacionarios y los estados resonantes tanto del electrón
como de los huecos, se calcularon los máximos de la función ρ̄(E) (Ec. 2.72). Como ejem-
33
(a) TIPO I (b) TIPO II
Figura 3.3: Perfiles energéticos acorde a la geometrı́a del Pozo cuántico bajo un campo eléctrico aplicado
plo, la figura(3.4) muestra el comportamiento de la función DOS para una concentranción

x = 0, 3, una longitud de pozo L = 200Å y campo eléctrico F = 100kV /cm. Es ne-
cesario resaltar que el eje y está en escala logarı́tmica debido a las fuertes variaciones
que se presentan en la DOS como función de la energı́a. La curva continua muestra el
comportamiento de la DOS y las lı́neas punteadas marcan las energı́as correspondientes
a los vértices del pozo tipo I mostrado en la figura (3.3(a)). Entre las energı́as Ea y Eb se
encuentran 4 picos muy agudos, cuyos máximos con respecto a su lı́nea de base son entre
2 a 4 órdenes de magnitud superiores, estos corresponden a los estados cuasi-estacionarios
o estados cuasiligados; el pico de más baja energı́a corresponde a la energı́a fundamental
y los siguientes corresponden a los estados cuasi-estacionarios excitados. Entre la región
comprendida entre Eb y Eb0 y en la proximidad de Eb es posible notar la presencia de una
ligera anomalı́a (poco notoria por la escala logarı́tmica), la cual se encuentra en la región
resonante; cuando en dicha zona las anomalı́as presentan un punto máximo, la energı́a
correspondiente a este máximo es la energı́a del estado resonante y la DOS de las energı́as
cercanas a dicho punto no presenta grandes diferencias con respecto a la DOS del punto
34
máximo resonante.
El hecho de que en la zona de confinamiento los picos sean fuertemente agudos indican
que para dichas energı́as los tiempos de permanencia de los portadores son más altos
que para las energı́as cercanas; por el contrario, el valor de DOS en los máximos que se
presentan en la zona resonante son cercanos a los de los estados vecinos y en consecuencia
es de esperar que los tiempos de permanencia de los portadores en esa región de energı́a
también sean cercanos. Adicionalmente, es claro que los tiempos de permanencia en los
estados resonantes deberán ser muchı́simo más bajos que los tiempos en los estados cuasi-
estacionarios.
Cuando se incrementa la longitud del sistema o se aumenta el campo eléctrico aplicado
las energı́as Ea0 y Eb se van acercando hasta transponerse y el pozo se convierte en tipo
II (ver figura 3.3(b)), en ese momento algunos estados que podı́an ser resonantes pasan a
ser cuasi-estacionarios o viceversa.
Por encima de la energı́a Eb0 (vértice superior del pozo en la fig.3.3(a)) la DOS presen-
ta un comportamiento que recuerda el de los batimentos o pulsaciones, tal como puede
observarse en el inset de la figura (3.4). Más adelante en la sección 3.5 se analizará más
detalladamente esta zona.
1 5
1 0
0 .4
1 3
1 0
0 .3
1 1
1 0
ρ(u .a .)
0 .2
9
1 0
ρ(u .a .)
0 .1
7
1 0
0 .0
5
0 .5 1 .0 1 .5 2 .0 2 .5 3 .0 3 .5
1 0 E (e V )
3
1 0 E E E E
a a ’ b b ’
1
1 0
-1
1 0
0 .0 0 .5 1 .0 1 .5
E (e V )
Figura 3.4: Densidad de estados para un pozo de GaAs − Ga0,7 Al0,3 As, L=200Åy F=100 kV/cm.
35
3.4.1. Regiones electrónicas de confinamiento y Resonancia
Es de interés analizar cómo varı́an los estados cuasiligados para el electrón, hueco ligero
y hueco pesado cuando se modifican diferentes parámetros de la heteroestructura como:
la composición quı́mica (por ejemplo la concentración de Al en el Ga1−x Alx As), la
geometrı́a del pozo (por ejemplo la longitud de pozo), cuando se aplica un campo
eléctrico constante o se somete el pozo cuántico a una presión hidrostática cons-
tante.
A continuación se grafican las energı́as correspondientes a los máximos en la DOS con

valores entre Ea y Eb0 , es decir las regiones de confinamiento y resonante, variando F , L,
x o P mientras se mantienen fijos los otros parámetros.
En las gráficas de las figuras (3.5) y (3.6) se ha variado el campo eléctrico y las energı́as
que limitan las regiones del pozo pueden observarse como las rectas punteadas; en particu-
lar, las lı́neas punteadas rojas encierran la región de confinamiento. La región más oscura
en las gráficas hace referencia a pozos de tipo I; a medida que el campo eléctrico aumenta,
Ea0 se va aproximando a Eb ; cuando Ea0 se hace igual a Eb , se produce un cambio de
pozo tipo I a tipo II ( este último está representado por la región más clara en las gráficas).
Desde luego, las pendientes punteadas de las gráficas de la figura (3.5) son iguales, ya
que la longitud de pozo es la misma. En el punto F = 0kV /cm la intersección entre
Eb y Eb0 de la figura (3.5(a)) es diferente a (3.5(b)) debido a que la concentración de
Al es diferente (la concentración de Al inside sobre el potencial de barrera V0 según las
Ec.(2.1), (2.2) y (3.2)) y Eb y Eb0 están desplazados según las Ec.(3.16).
36
0 .3
E 0
E b ’ E 1
0 .2
E a ’
E b
0 .1
E (e V )
0 .0
E a
-0 .1
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0
F (k V /c m )
(a) x=0,15
0 .3
E
E b ’ 0
E 1
0 .2 E 2
E b
E a ’
0 .1
E (e V )
0 .0
E a
-0 .1
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0
F (k V /c m )
(b) x=0,30
Figura 3.5: Dependencia de los estados energéticos con el campo eléctrico aplicado a un pozo de L=100Å
(a)GaAs/Ga0,75 Al0,15 As (b)GaAs/Ga0,7 Al0,3 As
37
0 .3
E
E b ’ 0
E 1
0 .2 E a ’ E 2
E 3
0 .1 E b
E (e V )
0 .0
E a
-0 .1
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0
F (k V /c m )
(a) x=0,15
0 .3
E b ’ E E
0 1
E b E a ’ E 2
E 3
0 .2
E 4
E 5
0 .1
E (e V )
0 .0
E a
-0 .1
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0
F (k V /c m )
(b) x=0,30
Figura 3.6: Dependencia de los estados energéticos con el campo eléctrico aplicado a un pozo con
L=200Å (a)GaAs/Ga0,75 Al0,15 As (b)GaAs/Ga0,7 Al0,3 As
Cada curva en las gráficas corresponde a un estado cuasi-estacionario energético mientras

Ea ≤ E ≤ Eb , y corresponde a un estado resonante si Eb ≤ E ≤ Eb0 .
38
Como es de esperarse, en ambas figuras la mayor cantidad de curvas se encuentra en la

región de confinamiento. Si centramos la atención en la región resonante, puede notarse
que cuando se trata del Pozo tipo I (región oscura) un estado cuasi-estacionario persiste
como resonante, con la excepción de la gráfica de la figura (3.5(a)), donde el estado
resonante se mantiene porque se encuentra muy cerca del punto de intersección donde se
pasa de un Pozo tipo I a II y logra su permanencia al mantenerse por debajo de Ea0 en
la zona tipo II. Por encima de Eb0 no aparecen estados cuasi-estacionarios energéticos.
En general, a medida que aumenta el campo eléctrico la energı́a de los estados cuasi-
estacionarios o resonantes disminuye.
Si comparamos las figuras (3.5(a)) y (3.6(a)) con el objetivo de ver cómo varı́an los estados
cuasi-estacionarios si se aumenta la longitud de 100Å a 200Å para una concentración y
campo eléctrico fijos, nos daremos cuenta que si aumenta la longitud del pozo el número de
estados cuasi-estacionarios aumenta. Ahora, si comparamos las gráficas (3.5(a)) y (3.5(b))
o las gráficas (3.6(a)) y (3.6(b)) , nos daremos cuenta que si aumentamos la concentración
de Al el número de estados cuasi-estacionarios aumenta.
Las gráficas de la figura (3.7) muestran cómo varı́an las energı́as de los estados cuasi-
estacionarios en función de la longitud del pozo para tres diferentes concentraciones de
Al y para tres campos eléctricos aplicados. Las lı́neas punteadas representan los lı́mites
energéticos Eb para cada concentración de Al. En general, a medida que aumenta la
longitud del pozo el número de estados cuasi-estacionarios aumenta.
Si centramos la atención en un estado cuasi-estacionario para un campo eléctrico y

una longitud de pozo dados, y vemos cómo varı́a con la concentración, nos daremos
cuenta que cuando aumenta la concentración de Al aumenta el número de estados
cuasi-estacionarios, caso contrario ocurre cuando comparamos las gráficas de la figura
(3.7) de arriba hacia abajo: aquı́ vemos que si aumenta el campo, el número de estados
cuasi-estacionarios disminuye. Lo anterior es consistente con lo que pudo encontrarse en
las figuras (3.5) y (3.6), donde lo que se variaba era el campo eléctrico.
39
E 0
E 1
E 2
E 3
E 4
E 5
E 6
0 .4
0 .3
E (e V )
0 .2
0 .1
0 .0
F = 0 k V /c m
x = 0 .4 5
x = 0 .3 0
E E x = 0 .1 5
0 .4 0
1 E 2 E 3 E 4 E 5
0 .3
E (e V )
0 .2
0 .1
0 .0
F = 1 0 0 k V /c m
0 .4
E 0
E 1
E 2
E 3
0 .3 E 4 E 5
E (e V )
0 .2
0 .1
0 .0
F = 2 0 0 k V /c m
L ( Å)
0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0
Figura 3.7: Dependencia de los estados energéticos con la longitud de pozo para diferentes concentra-
ciones de Aluminio y campos eléctricos aplicados.
40
Si fijamos ahora la atención en los lı́mites energéticos Eb (lı́neas punteadas) de la figura

(3.7) puede verse que para campos eléctricos diferentes de cero, al aumentar la longitud
del pozo hay estados que aparecen por encima del lı́mite Eb , es decir estados que eran
resonantes pasan a ser estados cuasi-estacionarios. Ahora, si observamos un estado
cuasi-estacionario y su variación con la concentración de Al para una campo eléctrico
(F 6= 0) y longitud de pozo dados, veremos que cuando aumenta la concentración de Al
estados que eran resonantes pasan a ser confinados. Esta cantidad de estados que pasan
de ser resonantes a ser confinados se hace mayor, si además de aumentar la concentración
aumentamos el campo eléctrico.
Desde luego, a medida que aumentamos el campo eléctrico las pendientes de los
lı́mites energéticos son más pronunciadas y los valores de energı́a cuando F = 0kV /cm
corresponden al potencial de confinamiento.
En la figura (3.8) puede observarse el nivel fundamental para 3 concentracines y 3 campos

como función de la longitud. Para las tres concentraciones y longitudes menores de 20Å el
comportamiento del estado fundamental no presenta grandes cambios al variar el campo
eléctrico; entre 20Å y 50Å la concentración de 0.45 presenta un cambio de curvatura y,
como podemos observar en el inset de la gráfica, el comportamiento del estado fundamental
para longitudes mayores de 50Å presenta una baja dependencia con la concentración y
muestra un comportamiento asintótico regulado por el valor del campo eléctrico; las curvas
para las diversas concentraciones tienden a una recta cuya pendiente está definida por el
valor de F . Este mismo hecho puede observarse en la fig.(3.7).
41
0 .0 4
x = 0 .4 5
0 .4 0 .0 2
0 .0 0
0 .3 -0 .0 2
x = 0 .3 0
-0 .0 4
5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0
E (e V )
0 .2
x = 0 .1 5
0 .1
0 k V /c m
1 0 0 k V /c m
0 .0
2 0 0 k V /c m
L ( Å)
1 1 0 1 0 0
Figura 3.8: Estados energéticos fundamentales como función de la longitud del pozo para diferentes
concentraciones de Aluminio.
Las figuras (3.9) y (3.10) muestran como varı́an los estados energéticos como función de
la concentración de Al para un campo eléctrico y una longitud de pozo dados. En cada
gráfica puede verse el lı́mite energético Eb como una recta punteada. En ambas figuras
(para el caso en que F 6= 0) a medida que aumenta la concentración, estados que eran
resonantes pasan a ser confinados; ası́ mismo, la permanencia del estado resonante se hace
mayor cuando aumenta el campo eléctrico y la longitud del pozo. Exceptuando el nivel
fundamental, la energı́as de los estados cuasi-estacionarios no varı́an significativamente,
es decir que las variaciones de concentración de Al no modifican casi la energı́a de cada
estado energético: en primera aproximación podrı́amos considerar que la energı́a perma-
nece constante.
En general, cuando aumenta la concentración de Al o la longitud del pozo, aparecen más
estados cuasi-estacionarios, caso contrario ocurre cuando aumentamos el campo eléctrico
ya que los estados cuasi-estacionarios se separan los unos de los otros ocasionando a su vez
que disminuya el número de éstos. Lo anterior es consistente con lo que pudo encontrarse
en las figuras (3.5), (3.6), (3.7) y (3.8) donde se variaba el campo eléctrico y la longitud
del pozo.
42
0 .3
0 .2 F = 0 k V /c m
E (e V )
0 .1
0 .0
-0 .1
E 0
E 1
E 2
E 3
0 .3
0 .2
F = 1 0 0 k V /c m
E (e V )
0 .1
0 .0
-0 .1
0 .3
0 .2 F = 2 0 0 k V /c m
E (e V )
0 .1
0 .0
-0 .1
0 .0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4
x
43
Figura 3.9: Estados energéticos como función de la concentración de Al para diferentes campos eléctricos
y L=100Å.
0 .3
0 .2 F = 0 k V /c m
E (e V )
0 .1
0 .0
-0 .1 E 0
E 1
E 2
E 3
E 4
E 5
0 .3
E 6
0 .2
E (e V )
F = 1 0 0 k V /c m
0 .1
0 .0
-0 .1
0 .3
0 .2
F = 2 0 0 k V /c m
E (e V )
0 .1
0 .0
-0 .1
0 .0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4
Figura 3.10: Estados energéticos como función de la concentración de Al para diferentes campos eléctri-
cos y L=200Å. 44
La figura (3.11) muestra cómo varı́an los estados energéticos cuando se aplica presión
a la heteroestructura. Recordemos que cuando se aplica presión al pozo, la longitud de
éste disminuye según Ec.(3.12). Los efectos de la presión sobre las energı́as de los estados
cuasi-estacionarios son muy pequeños, del orden de unidades de milésimas de eV (ver el
inset de la figura 3.11). Si a su vez se aplica campo eléctrico, se evidencia que la energı́a
del estado cuasi-estacionario fundamental disminuye a medida que aumenta el campo.
Con el primer estado cuasi-estacionario excitado ocurre algo diferente: cuando F= 100
kV/cm, la energı́a resulta mayor que cuando F= 0 kV/cm.
0 .3 5 0 .0 9 9
0 k V /c m 0 .0 9 6
0 .3 0 1 0 0 k V /c m 0 .0 9 3
E
E (e V )
2 0 0 k V /c m 1
0 .0 9 0
0 .2 5
0 .0 8 7
E 0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0
0 .2 0 2 P (k b a r)
E (e V )
0 .1 5
0 .1 0
E 1
0 .0 5 E 0
0 .0 0
0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0
P (k b a r)
Figura 3.11: Variación de los estados energéticos con la presión hidrostática para un pozo de
GaAs/Ga0,7 Al0,3 As y L=100Å.
De igual forma en la figura (3.12) se muestra cómo varı́an los estados cuasi-estacionarios
electrónicos en función del campo eléctrico para diferentes presiones aplicadas. En esta
gráfica queda claro que cuando se aumenta el campo eléctrico, la presión no produce cam-
bios significativos en la energı́a de los estados cuasi-estacionarios. Adicionalmente, la pre-
sión trata de contrarrestar la disminución de la energı́a de los estados cuasi-estacionarios
cuando se aplica campo eléctrico.
45
E 0 k b a r
2 5 0 k b a r
0 .2
1 0 0 k b a r
E (e V ) E 1
0 .1
E 0
0 .0
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0
F (k V /c m )
Figura 3.12: Estados energéticos como función del campo eléctrico para diferentes presiones aplicadas
a un pozo de GaAs/Ga0,7 Al0,3 As y L=100Å.
3.4.2. Regiones de confinamiento y Resonante. Comparación en-

tre Electrones y huecos
En esta sección se presentan comparativamente las variaciones de los estados energéticos

como función de F (ver fig. 3.13), L (ver fig. 3.14), x (ver fig. 3.15) y P (ver fig. 3.16)
para el electrón, hueco ligero y hueco pesado.
En las figuras cada color de lı́nea representa un estado energético, los estilos de lı́nea
sólido, a trazos y a trazos-punteado representan al electron, hueco ligero y hueco pesado
respectivamente; en particular, las lı́neas rectas de color negro corresponden a los lı́mites
energéticos Eb . Las lı́neas Eb de los huecos se superponen debido a que el valor del
potencial de barrera para ambos es el mismo. La pendiente de la recta Eb que corresponde
a los huecos es menor que la del electrón, ya que el porcentaje del potencial de barrera
de los huecos es menor (Ve = 0,6∆EΓ y Vh = 0,4∆EΓ ).
46
Para efectos de comparación, es importante tener en cuenta que las masas efectivas del
electrón, hueco ligero y hueco pesado para una concentración x = 0, 3 son respectivamente:
me ≈ 0,098m0 , mlh ≈ 0,109m0 , mhh ≈ 0,388m0 . (3.17)
Cuando aumentamos el campo eléctrico (figura 3.13), la longitud del pozo (figura 3.14),
la concentración de Al (figura 3.15) o la presión (figura 3.16), el comportamiento fı́sico de
los huecos es muy parecido al electrón, diferenciándose en que energéticamente los estados
de los huecos son menores que los del electrón; en particular, los estados energéticos del
hueco pesado son menores que los del hueo ligero y éstos menores que los del electrón.
En la figura (3.13) se observa cómo varı́an los estados energéticos cuando se aumenta el
campo eléctrico. De la gráfica observamos que el hueco pesado tiene la mayor cantidad
de estados cuasi-estacionarios confinados, mientras que el hueco ligero y el electrón
tienen igual número de estados cuasi-estacionarios y a su vez menor número de estados
cuasi-estacionarios que el hueco pesado. Lo anterior puede explicarse debido a las masas
efectivas (Ec.(3.17)): al hacer el cálculo para una concentración de Al (x=0.3), podemos
concluir que la masa efectiva del electrón y hueco ligero son el 25 % y 28 % del hueco
pesado respectivamente, es decir que la masa del hueco pesado es casi 4 veces la del
electrón y la del hueco ligero, de allı́ que las curvas energéticas estén por debajo de las del
hueco ligero y el electrón, y en consecuencia aparezcan más estados cuasi-estacionarios
energéticos para el hueco pesado. Las masas efectivas del electrón y hueco ligero son muy
parecidas, es por eso que en la gráfica de la figura (3.13) estos estados se encuentran más
próximos.
Para los huecos se cumple lo mismo que el electrón, a medida que aumenta el campo
eléctrico mayor es el número de estados cuasi-estacionarios confinados que pasan a ser
resonantes.
En general, cuando aumenta el campo eléctrico los estados cuasi-estacionarios dis-

minuyen su energı́a y el número de estados cuasi-estacionarios disminuye.
47
0 .3
Electrón E0
Hueco ligero E1
Hueco pesado
0 .2 E2
E3
E (e V ) E4
0 .1
0 .0
-0 .1
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0
F (k V /c m )
Figura 3.13: Estados energéticos en función del campo eléctrico para un pozo de GaAs/Ga0,7 Al0,3 As
y L=100Å.
La figura (3.14) muestra cómo varı́an los estados energéticos con la longitud del pozo.
De la gráfica observamos que el hueco pesado tiene la mayor cantidad de estados cuasi-
estacionarios confinados, mientras que el hueco ligero y el electrón tienen igual número de
estados cuasi-estacionarios y a su vez menor número de estados cuasi-estacionarios que el
hueco pesado. Lo anterior puede explicarse debido a las masas efectivas (Ec.(3.17)) como
se comentó arriba. Para los huecos se cumple lo mismo que para el electrón: a medida
que aumenta la longitud del pozo mayor es el número de estados resonantes que pasan a
ser cuasi-estacionarios.
En general, cuando aumenta la longitud del pozo los estados cuasi-estacionarios

disminuyen su energı́a y el número de estados cuasi-estacionarios aumenta.
48
Electrón E0 E1
0 .3
Hueco ligero E2 E3
Hueco pesado
E4 E5
0 .2 E6
E (e V )
0 .1
0 .0
L ( Å)
0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0
Figura 3.14: Estados energéticos en función de la longitud del pozo de GaAs/Ga0,7 Al0,3 As y F=100
kV/cm.
La figura (3.15) presenta la variación energética de los estados en función de la concen-

tración de Al. De la gráfica observamos que el hueco pesado tiene la mayor cantidad
de estados cuasi-estacionarios confinados, mientras que el hueco ligero y el electrón
tienen igual número de estados cuasi-estacionarios y a su vez menor número de estados
cuasi-estacionarios que el hueco pesado. Lo anterior puede explicarse con las masas
efectivas (Ec.(3.17)) como se comentó arriba.
Para los huecos se cumple lo mismo que para el electrón: a medida que aumenta la
concentración de Al menor es el número de estados resonantes que pasan a ser confinados.
Este efecto es más lento para el hueco pesado; mientras que el tercer estado tanto del
electrón como del hueco ligero está totalmente confinado, el tercer estado del hueco
pesado no; de hecho, sólo a partir del quinto estado hay total confinamiento para el hueco
pesado.
En general, a medida que aumenta la concentración de Al, la energı́a de los estados
cuasi-estacionarios es mayor y el número de estados cuasi-estacionarios es mayor.
Cuando la concentración de Al es x > 0,3, la energı́a de los estados cuasi-estacionarios
del electrón casi no varı́a; para el caso del hueco ligero este lı́mite se desplaza hacia
49
concentraciones mayores y se desplaza aún más si se trata del hueco pesado.
0 .3
E0 Electrón
E1 Hueco ligero
Hueco pesado
E2
0 .2 E3
E4
E (e V )
0 .1
0 .0
0 .0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4
Figura 3.15: Estados energéticos en función de la concentración de Al para un pozo de L=100Å y

F=100 kV/cm.
En la figura (3.16) se muestran comparativamente los estados energéticos fundamental y

primeros dos excitados del electrón y el hueco pesado cuando se incrementa la presión hi-
drostática. A medida que aumenta la presión hidrostática, los estados cuasi-estacionarios
energéticos más bajos tanto del electrón como del hueco pesado se ven afectados muy
poco, en unidades de milésimas de eV. La diferencia en las masas efectivas sigue predomi-
nando aún cuando se aplica presión; en consecuencia, los estados cuasi-estacionarios del
hueco pesado aparecen por debajo de los estados cuasi-estacionarios electrónicos. Ası́, las
energı́as de los estados cuasi-estacionarios de los huecos son más pequeñas en comparación
con las del electrón. Se comprueba que los resultados a P= 0 kbar coinciden con los de la
figura (3.13).
50
Capı́tulo 3. Resultados DOS electrónica. Región de pulsaciones
Electrón
Hueco pesado
E0
0 .2 0 E1
E2
E (e V )
0 .1 0
0 .0 5
0 .0 0
0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0
P (k b a r)
Figura 3.16: Estados cuasi-estacionarios energéticos en función de la presión hidrostática aplicada en

un pozo GaAs/Ga0,7 Al0,3 As de L=100Å y F=100 kV/cm
3.5. DOS electrónica. Región de pulsaciones
En esta sección se investigan los comportamientos que aparecen por encima de la región
Eb0 del pozo cuántico cuando se analiza la densidad de estados. Como se comentó ante-
riormente, en dicha región aparecen pulsaciones o batimentos, que, como veremos más
adelante, varı́an según la concentración, longitud de pozo, campo eléctrico o presión hi-
drostática aplicada.
Las pulsaciones se generan al interferir entre sı́ dos ondas sinusoidales con frecuencias
ligeramente distintas. En las gráficas donde se varı́a el campo eléctrico (ver fig.3.17), la
longitud de pozo(ver fig.3.18), la concentración de Al (ver fig.3.19) y la presión hidrostáti-
ca (ver fig.3.20) pueden diferenciarse dos tipos de frecuencia; la frecuencia rápida
ΩE−r , que corresponde a la frecuencia de oscilación de las ondas dentro de los vientres
y la frecuencia de modulación, que determina el comportamiento de la función en-
volvente. En las 4 figuras mencionadas puede apreciarse que la frecuencia de modulación
tiene un comportamiento exponencial decreciente.
51
DOS electrónica. Región de pulsaciones Capı́tulo 3. Resultados
De acuerdo con lo anterior, podemos afirmar que en primera aproximación, la función que
caracteriza el comportamiento energético de las las pulsaciones estarı́a dada por:
f (E) ≈ e−βE E sen(ΩE−m E)sen(ΩE−r E), (ΩE−r >> ΩE−m ). (3.18)
1 .0 0
0 .4 5
0 .4 0
0 .7 5 0 .3 5
0 .3 0
0 .5 0 0 .2 5
0 .9 1 .0 1 .1 1 .2 1 .3 1 .4
0 .2 5
F = 1 0 0 k V /c m
0 .0 0
ρ(u .a .)
0 .3 5
0 .3 0
0 .7 5
0 .2 5
0 .5 0 0 .2 0
0 .9 1 .0 1 .1 1 .2 1 .3 1 .4
0 .2 5
F = 2 0 0 k V /c m
0 .0 0
0 1 2 3
E (e V )
Figura 3.17: Densidad de estados para un pozo de L=100Åy x=0.3.
La figura (3.17) muestra cómo cambia el comportamiento de las pulsaciones cuando au-
mentamos el campo eléctrico. Aquı́ puede notarse que, a pesar de aplicar un campo
eléctrico más intenso, la frecuencia de modulación no cambia; el número de vientres de
ondas en un intervalo de energı́a, como por ejempo, entre 0 eV y 3 eV es el mismo para
F = 100kV /cm como F = 200kV /cm. La frecuencia rápida disminuye cuando aumen-
tamos el campo eléctrico; en el inset de cada gráfica vemos que cuando aumentamos el
52
campo eléctrico para un mismo intervalo de energı́a (0,9-1,4) eV, el número de ondas
disminuye.
La DOS disminuye al aumentar el campos eléctrico, esto quiere decir que es más pro-
bable encontrar estados en la región de pulsaciones cuando se tienen campos eléctricos
pequeños.
1 .0 0
0 .5
0 .7 5 0 .4
0 .3
0 .5 0 0 .2
0 .6 0 .7 0 .8 0 .9
0 .2 5
L = 1 0 0 Å
0 .0 0
ρ(u .a .)
0 .3
0 .4 5
0 .2
0 .3 0
0 .1
0 .6 0 .7 0 .8 0 .9
0 .1 5
L = 2 0 0 Å
0 .0 0
0 1 2 3
E (e V )
Figura 3.18: Densidad de estados para un pozo de L=100Å y F=100 kV/cm.
mentamos la longitud del pozo. Aquı́ sucede lo contrario que cuando aumentamos el
campo eléctrico: cuando aumentamos la longitud del pozo, la frecuencia rápida no cam-
bia; el número de ondas para L=100Å y L=200Å en el intervalo de energı́a (0,6-0,9) eV
(ver inset de las gráficas) es el mismo. La frecuencia de modulación aumenta cuando
53
aumentamos la longitud y es fácil ver que, entre 0 eV y 3 eV el número de vientres para

L=200Å es mayor que para L=100Å.
La DOS disminuye al aumentar la longitud del pozo; esto quiere decir que es más pro-
bable encontrar estados en la región de pulsaciones cuando se tienen longitudes de pozo
pequeñas.
0 .4 5
0 .8
0 .4 0
0 .6 0 .3 5
0 .3 0
0 .8 0 .9 1 .0 1 .1
0 .4
0 .2
x = 0 .1 5
ρ(u .a .)
0 .5
0 .4
0 .7 5
0 .3
0 .2
0 .5 0 0 .8 0 .9 1 .0 1 .1
0 .2 5
x = 0 .3 0
0 1 2 3
E (e V )
Figura 3.19: Densidad de estados para un pozo de L=100Å y F=100 kV/cm.
mentamos la concentración de Al. Variar la concentración de Al no produce ningún efecto
en la frecuencia rápida ni en la frecuencia de modulación; el número de ondas en un inter-
valo de energı́a (0,8-1,1 eV para el caso de la frecuencia rápida y 0-3 eV para la frecuencia
de modulación) es el mismo tanto para x = 0, 15 como x = 0, 3.
La DOS aumenta al aumentar la concentración de Al, lo cual quiere decir que es más
54
probable encontrar estados en la región de pulsaciones cuando se tienen concentraciones

grandes.
P = 0 k b a r
1
0
P = 5 0 k b a r
1
0
ρ(u .a .)
1
P = 1 0 0 k b a r
0
P = 1 5 0 k b a r
1
0
P = 2 0 0 k b a r
1
0
0 1 2 3
E (e V )
Figura 3.20: Densidad de estados para un pozo de GaAs/Ga0,7 Al0,3 As, L=100Å y F=100 kV/cm.
La figura (3.20) muestra cómo cambia el comportamiento de las pulsaciones a medida que
aumentamos la presión. La frecuencia de modulación no es monótona con la presión: de
0 kbar a 50 kbar la frecuencia aumenta y de 50 kbar a 200 kbar disminuye.
55
0 .6
P = 0 k b a r
0 .4
0 .2
P = 5 0 k b a r
0 .4
0 .2
P = 1 0 0 k b a r
ρ(u .a .)
0 .8
0 .5
0 .5
P = 1 5 0 k b a r
0 .4
0 .3
0 .7 P = 2 0 0 k b a r
0 .5
0 .3
0 .6 3 0 .8 1 0 .9 9 1 .1 7 1 .3 5
E (e V )
Figura 3.21: Densidad de estados (0, 63 ≤ E ≤ 1, 35)para un pozo de GaAs/Ga0,7 Al0,3 As, L=100Å y
F=100 kV/cm.
La figura (3.21) muestra un acercamiento de la figura (3.20) entre las energı́as 0,63 eV
y 1,35 eV. En este intervalo de energı́a puede notarse que la frecuencia rápida aumenta
levemente al aumentar la presión; el número de ondas cada vez que se aumenta la presión
es mayor.
56
Capı́tulo 4
Conclusiones
Se desarrolló en Wolfram Mathematica

c
una herramienta computacional que permite
calcular los estados energéticos de un pozo cuántico simple bajo la acción de campo
eléctrico y presión. Gracias a su modularidad es posible obtener resultados para diversos
conjuntos de parámetros.
Energéticamente el pozo cuántico presenta 3 zonas importantes: una región de con-

finamiento en la cual se encuentran todos los estados cuasi-estacionarios, una región
resonante y finalmente una región de pulsaciones o batimentos. Según las caracterı́sticas
de estas regiones pueden presentarse dos posibilidades de Pozo: una es cuando la región de
confinamiento tiene la forma de un cuadrilátero y la otra cuando tiene forma triangular.
El pozo tipo cuadrilátero se logra con longitudes de pozo pequeñas y campos eléctricos
pequeños, mientras que el triangular con longitudes de pozo grandes y campos eléctricos
aplicados muy intensos.
El pozo cuántico bajo la acción de un campo eléctrico no posee estados estacionarios,

sino estados cuasi-estacionarios. Los estados cuasi-estacionarios se evidencian como picos
muy agudos en la función DOS, no simplemente como máximos.
57
Capı́tulo 4. Conclusiones
El número de estados cuasiligados aumenta con la concentración y la longitud, mientras

que disminuye con el campo eléctrico, la presión hidrostática no cambia el número de
estados cuasiligados que aparecen.
Al aumentar el campo eléctrico la energı́a de los estados cuasi-estacionarios disminuye.
La energı́a disminuye con la longitud de pozo; para pequeñas longitudes de pozo los
estados cuasi-estacionarios disminuyen en una forma de potencia mientras que para
grandes longitudes los estados disminuyen en forma lı́neal .
La variación en la concentración de Al no modifica sustancialmente la energı́a los estados
cuasi-estacionarios y en primera aproximación puede decirse que la energı́a permanece
constante.
Los efectos de la presión sobre las energı́as de los estados cuasi-estacionarios son muy
pequeños, del orden de unidades de milésimas de eV.
En algunos casos al aumentar el campo eléctrico estados cuasi-estacionarios se tornan
en estados resonantes. Por otro lado, es posible convertir estados resonantes en estados
cuasi-estacionarios aumentando la longitud o la concentración.
Las curvas de los estados cuasi-estacionarios del electrón son muy similares a las
curvas correspondientes a los huecos: se diferencian en que las energı́as de los estados
cuasi-estacionarios de los huecos son menores que las del electrón. En particular, los
estados cuasi-estacionarios del hueco pesado son menores que los del hueco ligero y a su
vez éstos son menores que los del electrón.
Esta diferencia en las energı́as de los portadores se atribuye a las diferencias en las masas
efectivas. En términos de masa, el hueco ligero está muy cercano al electrón mientras que
el hueco pesado no, de allı́ que las curvas energéticas del hueco ligero se encuentren muy
cercanas al electrón mientras que las del hueco pesado aparezcan muy por debajo y en
consecuencia se originen más estados cuasi-estacionarios energéticos para el hueco pesado.
Por encima de la energı́a del vértice superior del pozo, aparece en la DOS un comporta-
miento de pulsaciones o batimentos, caracterizable por dos frecuencias: la frecuencia de
modulación, que crece con la longitud del pozo y es independiente de la concentración y
58
Capı́tulo 4. Conclusiones
el campo eléctrico, y la frecuencia rápida de las pulsaciones, que decrece al aumentar el

campo eléctrico y no depende ni de la concentración ni de la longitud. Cuando se aplica
presión al pozo, la frecuencia de modulación de las pulsaciones no es monótona mientras
que la frecuencia rápida crece con la presión.
Se concluye que el campo eléctrico permitirı́a sintonizar, según sea el interés, los niveles
de los portadores; en consecuencia facilitarı́a el control de las frecuencias de emisión en
este tipo de heteroestructuras.
Trabajos en preparación
[1] Estados Cuasi-estacionarios y densidad de estados energéticos en un pozo cuántico de
GaAs/Ga1−x Alx As bajo la acción de un campo eléctrico. Aceptado CNF 2011.
[2] Preassure Effects and Electric Field on Quasi-stationary and Resonant States in
GaAs/Ga1−x Alx As. En preparación. Artı́culo para ser sometido a una revista interna-
cional.
59
Capı́tulo 5
Perspectivas
Como estudios posteriores se propone:
Ajustar teóricamente las pulsaciones o batimentos utilizando transformadas de Fou-

rier, Hilbert etc, obtener una distribución de frecuencias y analizar qué aplicaciones
podrı́an estar dentro de este rango de frecuencias.
Extender el cálculo de los efectos del campo eléctrico y presión hidrostática sobre
la región de pulsaciones para los huecos.
Utilizando la solución exacta propuesta por Enderlein[3], resolver el problema para

un excitón, calcular la energı́a de enlace en función del ancho del pozo y la concen-
tración de aluminio en las barreras del pozo; de igual forma, calcular la energı́a de
transición del estado fundamental a otros estados próximos permitidos. Por último,
estudiar cómo varı́an las energı́as cuando se aplica un campo eléctrico en la dirección
de crecimiento de la hetroestructura, presión hidrostática y ambas simultánemente.
61
63
Apéndice A. DOS electrónica
Apéndice A
DOS electrónica
2 2 2 2
1 0 1 0
ρ( 0 ) ρ( 0 )
1 0
2 0
ρ( 1 ) 1 0
2 0
ρ( 1 )
1 8 1 8 ρ( 2 )
1 0 1 0
ρ( 3 )
1 6 1 6
1 0 1 0
1 4 1 4
1 0 1 0
ρ( u .a .)
ρ( u .a .)
1 2 1 2
1 0 1 0
1 0 1 0
1 0 1 0
8 8
1 0 1 0
6 6
1 0 1 0
4 4
1 0 1 0
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0 0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0
F (k V /c m ) F (k V /c m )
(a) x=0,15, L=100Å (b) x=0,15, L=200Å

2 2 2 2
1 0 1 0 ρ(
ρ( 0 ) 0 )
1 0
2 0
ρ( 1 ) 1 0
2 0
ρ( 1 )
1 8 ρ( 2 ) 1 8
ρ( 2 )
1 0 1 0 ρ( 3 )
1 0
1 6
1 0
1 6
ρ( 4 )
1 4 1 4
1 0 1 0
ρ( u .a .)
ρ( u .a .)
1 2 1 2
1 0 1 0
1 0 1 0
1 0 1 0
8 8
1 0 1 0
6 6
1 0 1 0
4 4
1 0 1 0
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0 0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0
F (k V /c m ) F (k V /c m )
(c) x=0,30, L=100Å (d) x=0,30, L=200Å
Figura A.1: DOS en función del campo eléctrico aplicado
64
2 9 2 9
1 0 1 0
2 6 ρ( 0 ) 2 6 ρ( 0 )
1 0 1 0
ρ( 1 ) ρ( 1 )
2 3 2 3
1 0 ρ( 2 ) 1 0 ρ( 2 )
2 0 2 0
1 0 1 0
1 7 1 7
1 0 1 0
ρ(u .a .)
ρ(u .a .)
1 4 1 4
1 0 1 0
1 1 1 1
1 0 1 0
8 8
1 0 1 0
5 5
1 0 1 0
2 2
1 0 1 0
-1 -1
1 0 1 0
0 5 0
L ( Å)
1 0 0 1 5 0 2 0 0 0 5 0
L ( Å)
1 0 0 1 5 0 2 0 0
(a) x=0,15, F=100 (b) x=0,15, F=200

2 9 2 9
1 0 1 0
ρ( 0 )
2 6 ρ( 0 ) 2 6
1 0 1 0 ρ( 1 )
ρ( 1 )
2 3 2 3 ρ( 2 )
1 0 ρ( 2 ) 1 0
ρ( 3 )
2 0 2 0
1 0 1 0 ρ( 4 )
1 7 1 7
1 0 1 0
ρ(u .a .)
ρ(u .a .)
1 4 1 4
1 0 1 0
1 1 1 1
1 0 1 0
8 8
1 0 1 0
5 5
1 0 1 0
2 2
1 0 1 0
-1 -1
1 0 1 0
0 5 0
L ( Å)
1 0 0 1 5 0 2 0 0 0 5 0
L ( Å)
1 0 0 1 5 0 2 0 0
(c) x=0,30, F=100 (d) x=0,30, F=200

2 9 2 9
1 0 1 0
ρ( 0 ) ρ( 0 )
2 6 2 6
1 0 ρ( 1 ) 1 0 ρ( 1 )
2 3 ρ( 2 ) 2 3 ρ( 2 )
1 0 1 0
ρ( 3 ) ρ( 3 )
2 0 2 0
1 0 ρ( 4 ) 1 0 ρ( 4 )
1 0
1 7 ρ( 5 ) 1 0
1 7 ρ( 5 )
ρ(u .a .)
ρ(u .a .)
1 4 1 4
1 0 1 0
1 1 1 1
1 0 1 0
8 8
1 0 1 0
5 5
1 0 1 0
2 2
1 0 1 0
-1 -1
1 0 1 0
0 5 0
L ( Å)
1 0 0 1 5 0 2 0 0 0 5 0
L ( Å)
1 0 0 1 5 0 2 0 0
(e) x=0,45, F=100 (f) x=0,45, F=200
Figura A.2: DOS en función de la longitud de pozo
65
2 9 2 9
1 0 1 0
ρ( 0 ) ρ( 0 )
2 6 2 6
1 0 ρ( 1 ) 1 0 ρ( 1 )
1 0
2 3 ρ( 2 ) 1 0
2 3 ρ( 2 )
ρ( 3 )
2 0 2 0
1 0 1 0
1 7 1 7
1 0 1 0
ρ(u .a .)
ρ(u .a .)
1 4 1 4
1 0 1 0
1 1 1 1
1 0 1 0
8 8
1 0 1 0
5 5
1 0 1 0
2 2
1 0 1 0
-1 -1
1 0 1 0
0 .0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4 0 .0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4
x x
(a) L=200Å, F=100 kV/cm (b) L=100Å, F=200 kV/cm

2 9 2 9
1 0 1 0
ρ( 0 ) ρ( 0 )
2 6 2 6
1 0 ρ( 1 ) 1 0 ρ( 1 )
1 0
2 3 ρ( 2 ) 1 0
2 3 ρ( 2 )
ρ( 3 ) ρ( 3 )
2 0 2 0
1 0 ρ( 4 ) 1 0 ρ( 4 )
1 0
1 7 ρ( 5 ) 1 0
1 7 ρ( 5 )
ρ(u .a .)
ρ(u .a .)
1 4 1 4
1 0 1 0
1 1 1 1
1 0 1 0
8 8
1 0 1 0
5 5
1 0 1 0
2 2
1 0 1 0
-1 -1
1 0 1 0
0 .0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4 0 .0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4
x x
(c) L=200Å, F=100 kV/cm (d) L=200Å, F=200 kV/cm

1 9 1 9
1 0 1 0
1 7
ρ( 0 ) 1 7
ρ( 0 )
1 0 ρ( 1 ) 1 0 ρ( 1 )
1 5
ρ( 2 ) 1 5
1 0 1 0
1 3 1 3
1 0 1 0
ρ( u .a .)
ρ( u .a .)
1 1 1 1
1 0 1 0
9 9
1 0 1 0
7 7
1 0 1 0
5 5
1 0 1 0
3 3
1 0 1 0
0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0 0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0
P (k b a r) P (k b a r)
(e) x=0,3, L=100Å, F=100 kV/cm (f) x=0,3, L=100Å, F=200 kV/cm
Figura A.3: (a),(b),(c),(d) DOS en función de la concentración de Al. (e)(f) DOS en función de la
presión hidrostática
66
Apéndice B
Códigos fuente
B.1. Pozo simple
(* Program by A.M. Schönhöbel *) (* Calculates the energy levels in a \

quantum well GaAs-GaAlAs of width Lw and depth V0 *)
c = 3 10^8;(*m/s*)
\[HBar] = 6.58211899 10^-16;(*eV.s*)
L[l_] := l 10^-10(*l esta en angstroms, L en m*)
\[CapitalDelta]E[
y_] := (1.36 y) + (0.22 y^2) (*gap de energı́a a T baja GaAlAs H. Li*)
V0[y_] := \[CapitalDelta]E[y] 0.6 (*V0 del electrón*)
m1[y_] := (0.0665 + (0.1006 y) + (0.0137 y^2)) \
(0.51 10^6)/c^2(*masa del GaAlAs a T bajas eV s^2/m^2*)
\[Theta]0[y_, l_] := Sqrt[(m1[y] V0[y] L[l]^2)/(2 \[HBar]^2)]
lmin = .001;
Dl = .15;
co = 0.45; (*co=0.15,0.3,0.45*)
67
Pozo simple Apéndice B. Códigos fuente
\[Theta]muerte[y_, l_] := \[Theta]0[y, l]

\[Theta]inicial[n_] := ((n - 1) Pi )/2
\[Theta]fin[n_, y_, l_] :=
If[\[Theta]muerte[y, l] > (n Pi)/2, (n Pi)/2, \[Theta]muerte[y, l]]
\[Theta]semilla[n_, y_, l_] :=
If[\[Theta]muerte[y, l] < \[Theta]inicial[n], -1, (\[Theta]inicial[
n] + \[Theta]fin[n, y, l])/2]
\[Theta]impar[n_, y_, l_] :=

If[\[Theta]semilla[n, y,
l] == -1, -1, \[Theta] /. (FindRoot[
Abs[- Cot[\[Theta]] - Sqrt[\[Theta]0[y, l]^2/\[Theta]^2 - 1]] ==
0, {\[Theta], \[Theta]semilla[n, y, l], \[Theta]inicial[
n], \[Theta]fin[n, y, l]}])]
\[Theta]par[n_, y_, l_] :=
If[\[Theta]semilla[n, y,
l] == -1, -1, \[Theta] /. (FindRoot[
Abs[Tan[\[Theta]] - Sqrt[\[Theta]0[y, l]^2/\[Theta]^2 - 1]] ==
0, {\[Theta], \[Theta]semilla[n, y, l], \[Theta]inicial[
n], \[Theta]fin[n, y, l]}])]
\[Theta][n_, y_, l_] :=
If[(-1)^n == -1, \[Theta]par[n, y, l], \[Theta]impar[n, y, l]]
En[n_, y_, l_] :=
If[\[Theta]semilla[n, y, l] == -1, -1,
10^3 (4 \[HBar]^2)/(2 m1[y]) \[Theta][n, y, l]^2/L[l]^2];
Nlon := 500;(*Número de datos de longitud que deseo*)

Nnivel := 8; (*Número de niveles*)
i[x_] := x;
Ener = Array[i, {IntegerPart[Nlon + 1], IntegerPart[Nnivel + 2]}];
For[j = 0, j <= Nlon, j++, lactual = j 200/Nlon + lmin;
68
Apéndice B. Códigos fuente Pozo simple bajo la acción de campo eléctrico
Ener[[j + 1, 1]] = lactual;

For[k = 0, k \[LessSlantEqual] Nnivel, k++, niv = k + 1;
Ener[[j + 1, k + 2]] = En[niv, co, lactual];
]
]
ListEner =
Re[Table[Ener[[j + 1, k + 1]], {j, 0, Nlon}, {k, 0, Nnivel + 1}]];
Export["D:\\Sin campo\\Datos sin campo eléctrico\\masas \
constantes\\e,EnvsL(x=0.45)2.dat", ListEner, "Table"]
B.2. Pozo simple bajo la acción de campo eléctrico
NbDefiniciones =
"D:\\campo electrico\\EmvsX (X_es_y_L_o_F)Definiciones.m";
Get[NbDefiniciones];
NbRecibeParam =
"D:\\campo electrico\\Funcion Recibe Parametros Ver2.m";
Get[NbRecibeParam];
(*Evaluar["Xw",yw ,Lw ,Fw, NXw, Xini, Xfin, n];*)

(*Xw=yw, Lw, Fw. Parámetro que varı́a*)
(*Lw=longitud, yw=concentración, Fw=campo*)
(*NXw=número de datos a barrer, Xini=dato inicial,
Xfin=dato final, n=precisión de la energı́a*)
************Archivo EmvsX (X_es_y_L_o_F)Definiciones.m************
c=3 10^8;(*m/s*)
\[HBar]=6.58211899 10^-16;(*eV.s*)
69
Pozo simple bajo la acción de campo eléctrico Apéndice B. Códigos fuente
e=1;
d[l_]:=l 10^-10 (* d[m], l[A]*)
F[g_]:=g 10^5 (*F[V/m], g[kV/cm]*)
m[y_]:=(0.0665+0.1006 y+0.0137 y^2) (0.51 10^6)/c^2 (*eV s^2/m^2*)
\[CapitalDelta]E[y_]:=1.36 y+0.22 y^2 (*eV*)
Eb[y_]:=\[CapitalDelta]E[y] 0.6 (*eV*)
E0[y_,l_]:=\[HBar]^2/(2 m[y] d[l]^2)
F0[y_,l_]:=E0[y,l]/(e d[l])
f[y_,l_,g_]:=F[g]/F0[y,l]
\[Epsilon][y_,l_,En_]:=En/E0[y,l]
\[Epsilon]b[y_,l_]:=Eb[y]/E0[y,l]
\[Eta]p[y_,l_,g_,En_]:=(1/2 f[y,l,g]-\[Epsilon][y,l,En])/f[y,l,g]^(2/3)
\[Eta]n[y_,l_,g_,En_]:=(-(1/2)f[y,l,g]-\[Epsilon][y,l,En])/f[y,l,g]^(2/3)
\[Eta]b[y_,l_,g_]:=\[Epsilon]b[y,l]/f[y,l,g]^(2/3)
a3[y_,l_,g_,En_]:=Pi^2 Det[({
{AiryAi[\[Eta]p[y,l,g,En]], AiryBi[\[Eta]p[y,l,g,En]],
AiryAi[\[Eta]p[y,l,g,En]+\[Eta]b[y,l,g]], 0},
{AiryAiPrime[\[Eta]p[y,l,g,En]], AiryBiPrime[\[Eta]p[y,l,g,En]],
AiryAiPrime[\[Eta]p[y,l,g,En]+\[Eta]b[y,l,g]], 0},
{-AiryAi[\[Eta]n[y,l,g,En]], -AiryBi[\[Eta]n[y,l,g,En]], 0,
AiryBi[\[Eta]n[y,l,g,En]+\[Eta]b[y,l,g]]},
{-AiryAiPrime[\[Eta]n[y,l,g,En]], -AiryBiPrime[\[Eta]n[y,l,g,En]], 0,
AiryBiPrime[\[Eta]n[y,l,g,En]+\[Eta]b[y,l,g]]}
})]
b3[y_,l_,g_,En_]:=Pi^2 Det[({
{AiryAi[\[Eta]p[y,l,g,En]], AiryBi[\[Eta]p[y,l,g,En]], 0,
AiryAi[\[Eta]p[y,l,g,En]+\[Eta]b[y,l,g]]},
{AiryAiPrime[\[Eta]p[y,l,g,En]], AiryBiPrime[\[Eta]p[y,l,g,En]], 0,
AiryAiPrime[\[Eta]p[y,l,g,En]+\[Eta]b[y,l,g]]},
70
{-AiryAi[\[Eta]n[y,l,g,En]], -AiryBi[\[Eta]n[y,l,g,En]],
AiryAi[\[Eta]n[y,l,g,En]+\[Eta]b[y,l,g]], 0},
{-AiryAiPrime[\[Eta]n[y,l,g,En]], -AiryBiPrime[\[Eta]n[y,l,g,En]],
AiryAiPrime[\[Eta]n[y,l,g,En]+\[Eta]b[y,l,g]], 0}
})]
\[Rho][y_,l_,g_,En_]:=1/(f[y,l,g]^(1/3) (a3[y,l,g,En]^2+b3[y,l,g,En]^2))
************Archivo Funcion Recibe Parametros Ver2.m************
Evaluar[yLF_,y_,L_,Fmia_,NXW_,XINI_,XFIN_,NE_]:={
TipoBarr=yLF;
yw=y;
Lw=L;
Fw=Fmia;
NXw=NXW;
i[x_]:=ToString[x];
EmRhomvsX=Array[i,{NXw+2,1+4+10+10}];(* Xw, Unidades, Ena,Enap,Enb,Enbp,
E0,...,E9, rho0,...,rho9 *)
Xini=XINI;
Xfin=XFIN;
n=NE;
DX=(Xfin-Xini)/(NXw-1);
EmRhomvsX[[1,1]] = yLF;
EmRhomvsX[[2,1]] =Switch[yLF,"yw"," ","Lw","A","Fw","kV/cm"];
NomTipoBarr=Switch[yLF,
"yw","yw"<>"_"<>ToString[Lw]<>"_"<>ToString[Fw],
"Lw",ToString[yw]<>"_"<>"Lw"<>"_"<>ToString[Fw],
"Fw",ToString[yw]<>"_"<>ToString[Lw]<>"_"<>"Fw"];
NbEjecutor="D:\\campo electrico\\EmvsX (X_es_y_L_o_F)Ejecutor.m";
71
Get[NbEjecutor];
}
************Archivo EmvsX (X_es_y_L_o_F)Ejecutor.m************
EmRhomvsX[[1, 2]] = "Ea";

EmRhomvsX[[1, 3]] = "Ea’";
EmRhomvsX[[1, 4]] = "Eb";
EmRhomvsX[[1, 5]] = "Eb’";
EmRhomvsX[[2, 2]] = "eV";
For[j = 1, j <= 10, j++,
EmRhomvsX[[1, j + 5]] = "E" <> ToString[j - 1];
EmRhomvsX[[1, j + 15]] = "Rho" <> ToString[j - 1];
EmRhomvsX[[2, j + 5]] = "eV";
EmRhomvsX[[2, j + 15]] = "u.a.";
];
(*Se define el nombre del Barrido y subdirectorio de salida, si es \

yw, Lw o Fw. La función Evaluar crea NomTipoBarr*)
NomBarrido = "(" <> NomTipoBarr <> ")_" <> ToString[NXw] <>

"(" <> ToString[Xini] <> "_" <> ToString[Xfin] <>
")_nE_" <> ToString[n]
MiDirBarrido = "D:\\Campo electrico\\Rho_vs_E\\" <> NomBarrido <> "\\";

CreateDirectory[MiDirBarrido];
For[k = 0, k <= NXw - 1, k++,
72
Xw = Xini + DX* k;
(*Con base en el valor de TipoBarr, creado en la función evaluar, Se \

define la variable a barrer, yw, Lw o Fw*)
Switch[TipoBarr, "yw", (yw = Xw), "Lw", (Lw = Xw), "Fw", (Fw = Xw)];
Vbarrera = Eb[yw];
Ena = -e F[Fw] d[Lw]/
2; (* Energı́a de la esquiNa a del pozo \
de potencial bajo campo*)
Enap = e F[Fw] d[Lw]/
2; (* Energı́a de la esquiNa a’ del pozo \
de potencial bajo campo*)
Enb = Vbarrera -
e F[Fw] d[Lw]/
2; (* Energı́a de la esquiNa b del pozo de potencial bajo \
campo*)
Enbp = Vbarrera +
e F[Fw] d[Lw]/
2;(* Energı́a de la esquiNa b’ del pozo de potencial bajo campo*)
dE = (Enbp - Ena)/n;
i[x_] := x;
ER = Array[i, {n + 1, 3}];
Evertices = Array[i, {10, 4}];
vertice = 0;
For[j = 0, j <= n, j++,
73
Enactual = N[Ena + j*dE];

ER[[j + 1, 1]] = Enactual;
ER[[j + 1, 2]] = N[\[Rho][yw, Lw, Fw, Enactual]];
If[j > 0,
ER[[j + 1, 3]] = ER[[j + 1, 2]] - ER[[j, 2]];(* rho actual-
rho anterior *)
If[j > 1,
If[(ER[[j + 1, 3]] <= 0) && (ER[[j, 3]] > 0),
Evertices[[vertice + 1, 1]] = ER[[j - 1, 1]];(*
Energı́a inferior al vértice*)
Evertices[[vertice + 1, 2]] =
ER[[j, 1]]; (*Esta es la Energia del vertice *)
Evertices[[vertice + 1, 3]] = ER[[j + 1, 1]];(*
Energı́a superior al vértice*)
Evertices[[vertice + 1, 4]] =
ER[[j, 2]];(*Esta es la rho del vertice *)
(*Print["(y,L,F)=(",yw,", ",Lw,", ",Fw,
") Hay máximo previo en E",vertice," =",Evertices[[vertice+1,
2]]];*)
(*Ajuste Cuadrático para vértice*)
Anita = {{ER[[j - 1, 1]], ER[[j - 1, 2]]},
{ER[[j, 1]], ER[[j, 2]]},
{ER[[j + 1, 1]], ER[[j + 1, 2]]}};
Anita =
FindFit[Anita, AniA x^2 + AniB x + AniC, {AniA, AniB, AniC}, x];
Evertices[[vertice + 1,
2]] = -(AniB /. Anita)/2/(AniA /. Anita);
Evertices[[vertice + 1, 4]] = \[Rho][yw, Lw, Fw,
Evertices[[vertice + 1, 2]]];
(*Print["(y,L,F)=(",yw,", ",Lw,", ",Fw,
") Hay máximo fiteo en E",vertice," =",Evertices[[vertice+1,
74
2]]];*)
vertice++;
](* end if Ocurre vértice*)
](*end if j>1*)
](*end if j>0*)
];(* Next j, Enactual *)
(*Print[MatrixForm[ER]];*)
(*GraficaLog=LogPlot[\[Rho][yw,Lw,Fw,En],{En,Ena,Enb}, \
AxesOrigin->{Enb,0}];
Print[GraficaLog];
Print[MatrixForm[Evertices]];*)
(* Llena con -10^66 los elementos de matriz vacios, no llenados*)

Nvertices = vertice + 1;
For[vertice = Nvertices, vertice <= 10, vertice++,
For[j = 1, j <= 4, j++,
Evertices[[vertice, j]] = -10^66;
](*Next j *)
]; (*Next vertice*)
(*Print[MatrixForm[Evertices]];*)
(*Coloca en la Fila de EmRhomvsX Fw, Ena,Enap,Enb,Enbp ytodas las \

energı́as de los vértices y los rhos*)
EmRhomvsX[[k + 3, 1]] = N[Xw];
EmRhomvsX[[k + 3, 2]] = N[Ena];
EmRhomvsX[[k + 3, 3]] = N[Enap];
EmRhomvsX[[k + 3, 4]] = N[Enb];
EmRhomvsX[[k + 3, 5]] = N[Enbp];
For[vertice = 1, vertice <= 10, vertice++,
EmRhomvsX[[k + 3, vertice + 5]] =
75
N[Evertices[[vertice, 2]]];(*Energia Em*)

EmRhomvsX[[k + 3, vertice + 15]] =
N[Evertices[[vertice, 4]]];(*Rho Rm*)
];(*Next vertice*)
NomArchER =
MiDirBarrido <> ToString[N[Xw]] <> "_" <> NomBarrido <> ".CSV";
ER[[1, 3]] = ER[[2, 3]];
Export[NomArchER, ER, "CSV"];
Print["k=", k, "/", NXw - 1, " (", yw, ", ", Lw, ", ", Fw,
") NomArchER: ", NomArchER];
]
(* Next k*)
(*Cambia los valores vacios enEmRhomvsX por -10^66*)

Nk = k + 1;
For[k = Nk, k <= NXw, k++,
For[j = 1, j <= 21, j++,
EmRhomvsX[[k, j]] = -10^66;
](*Next j *)
]; (*Next k*)
DirEmvsyLF = "D:\\Campo electrico\\Em_vs_yLF.CSV\\";

Print[MatrixForm[EmRhomvsX]];
NomArchivo = DirEmvsyLF <> "Em" <> NomBarrido <> ".CSV";
Export[NomArchivo, EmRhomvsX, "CSV"]
(*Normaliza las Energı́as a Vbarrera*)

For[k = 3, k <= NXw + 2, k++,
Vbarrera = (N[EmRhomvsX[[k, 4]]] - N[EmRhomvsX[[k, 2]]]);
76
Apéndice B. Códigos fuente QW bajo la acción de campo eléctrico y presión
For[j = 2, j <= 15, j++,

If[EmRhomvsX[[k, j]] == -10^66, EmRhomvsX[[k, j]] = -10^66,
EmRhomvsX[[k, j]] = N[EmRhomvsX[[k, j]]]/Vbarrera;
]
] (*Next j *)
]; (*Next k*)
Print[MatrixForm[EmRhomvsX]];
NomArchivo = DirEmvsyLF <> "N(Em)(" <> NomBarrido <> ".CSV";
Export[NomArchivo, EmRhomvsX, "CSV"]
B.3. QW bajo la acción de campo eléctrico y presión
NbDefiniciones =
"D:\\campo electrico\\EmvsX (X_es_y_L_F_o_p)Definiciones.m";
Get[NbDefiniciones];
NbRecibeParam =
"D:\\campo electrico\\Funcion Recibe Parametros Ver2.m";
Get[NbRecibeParam];
(*Evaluar["Xw",yw ,Lw ,Fw, pw ,NXw, Xini, Xfin, n];*)
************EmvsX (X_es_y_L_F_o_p)Definiciones.m************
c = 3 10^8; (*m/s*)
\[HBar] = 6.58211899 10^-16;(*eV.s*)
e = 1;
d[l_, p_] :=
l 10^-10 (1 - (1.16 10^-3 + 2*3.7 10^-4) p) (* d[m], l[A]*)
F[g_] := g 10^5 (*F[V/m], g[kV/cm]*)
77
QW bajo la acción de campo eléctrico y presión Apéndice B. Códigos fuente
Eg[p_] := 1.425 + 1.26 10^-2 p - 3.77 10^-5 p^2(*eV*)

mEh[p_] := (0.51 10^6)/
c^2 /(1 + 7.51*(2/Eg[p] + 1/(Eg[p] + 0.341)))(*eV s^2/m^2*)
mEh0 = mEh[0];
m[y_, p_] := (mEh[p]/mEh0
) (0.51 10^6)/c^2 (0.0665 + 0.1006 y + 0.0137 y^2)
T[y_] := -1.3 10^-3 y(*ev/kbar*)
\[CapitalDelta]E[y_, p_] := 1.36 y + 0.22 y^2 + p T[y](*eV*)
Eb[y_, p_] := \[CapitalDelta]E[y, p] 0.6 (*eV*)
E0[y_, l_, p_] := \[HBar]^2/(2 m[y, p] d[l, p]^2)
F0[y_, l_, p_] := E0[y, l, p]/(e d[l, p])
f[y_, l_, g_, p_] := F[g]/F0[y, l, p]
\[Epsilon][y_, l_, p_, En_] := En/E0[y, l, p]
\[Epsilon]b[y_, l_, p_] := Eb[y, p]/E0[y, l, p]
\[Eta]p[y_, l_, g_, p_, En_] := (
1/2 f[y, l, g, p] - \[Epsilon][y, l, p, En])/f[y, l, g, p]^(2/3)
\[Eta]n[y_, l_, g_, p_,
En_] := (-(1/2) f[y, l, g, p] - \[Epsilon][y, l, p, En])/
f[y, l, g, p]^(2/3)
\[Eta]b[y_, l_, g_, p_] := \[Epsilon]b[y, l, p]/f[y, l, g, p]^(2/3)
a3[y_, l_, g_, p_, En_] := Pi^2 Det[( {

{AiryAi[\[Eta]p[y, l, g, p, En]],
AiryBi[\[Eta]p[y, l, g, p, En]],
AiryAi[\[Eta]p[y, l, g, p, En] + \[Eta]b[y, l, g, p]], 0},
{AiryAiPrime[\[Eta]p[y, l, g, p, En]],
AiryBiPrime[\[Eta]p[y, l, g, p, En]],
AiryAiPrime[\[Eta]p[y, l, g, p, En] + \[Eta]b[y, l, g, p]], 0},
{-AiryAi[\[Eta]n[y, l, g, p, En]], -AiryBi[\[Eta]n[y, l, g, p,
En]], 0,
AiryBi[\[Eta]n[y, l, g, p, En] + \[Eta]b[y, l, g, p]]},
78
Apéndice B. Códigos fuente QW bajo la acción de campo eléctrico y presión
{-AiryAiPrime[\[Eta]n[y, l, g, p, En]], -AiryBiPrime[\[Eta]n[y,

l, g, p, En]], 0,
AiryBiPrime[\[Eta]n[y, l, g, p, En] + \[Eta]b[y, l, g, p]]}
} )]
b3[y_, l_, g_, p_, En_] := Pi^2 Det[( {
{AiryAi[\[Eta]p[y, l, g, p, En]],
AiryBi[\[Eta]p[y, l, g, p, En]], 0,
AiryAi[\[Eta]p[y, l, g, p, En] + \[Eta]b[y, l, g, p]]},
{AiryAiPrime[\[Eta]p[y, l, g, p, En]],
AiryBiPrime[\[Eta]p[y, l, g, p, En]], 0,
AiryAiPrime[\[Eta]p[y, l, g, p, En] + \[Eta]b[y, l, g, p]]},
{-AiryAi[\[Eta]n[y, l, g, p, En]], -AiryBi[\[Eta]n[y, l, g, p,
En]], AiryAi[\[Eta]n[y, l, g, p, En] + \[Eta]b[y, l, g, p]],
0},
{-AiryAiPrime[\[Eta]n[y, l, g, p, En]], -AiryBiPrime[\[Eta]n[y,
l, g, p, En]],
AiryAiPrime[\[Eta]n[y, l, g, p, En] + \[Eta]b[y, l, g, p]], 0}
} )]
\[Rho][y_, l_, g_, p_, En_] :=

1/(f[y, l, g, p]^(1/3) (a3[y, l, g, p, En]^2 + b3[y, l, g, p, En]^2))
79
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Estados cuasi-estacionarios y densidad de estados

energéticos en un pozo cuántico de GaAs/Ga1−xAlxAs

Ana Marı́a Schonhobel Sánchez

Facultad de Ciencias Naturales y Exactas

Ana Marı́a Schonhobel Sánchez

Trabajo de Grado presentado como requisito parcial para optar al tı́tulo de

Nelson Porras Montenegro, Ph.D.

Facultad de Ciencias Naturales y Exactas

Ana Marı́a Schonhobel Sánchez

Estados cuasi-estacionarios y densidad de estados

Se estudió teóricamente un pozo cuántico simple de GaAs/Ga1−x Alx As al cual se le

PALABRAS CLAVES: Heteroestructuras; GaAs-GaAlAs; Pozo cuántico; Electrón;

2.1. Confinamiento Cuántico y Heteroestructuras . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.2. Aproximación de masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.3. Solución del Pozo Cuántico Simple (QW) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

2.4. Solución del pozo simple bajo la acción de Campo Eléctrico . . . . . . . . . 14

2.5. Densidad de estados (DOS) de Enderlein[1][3] . . . . . . . . . . . . . . . . 20

3.1. Información experimental empleada para los cálculos . . . . . . . . . . . . 27

3.2. Implementación del cálculo numérico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

3.3. Pozo simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

3.4. QW bajo la acción de campo eléctrico y presión hidrostática . . . . . . . . 32

3.4.1. Regiones electrónicas de confinamiento y Resonancia . . . . . . . . 36

3.4.2. Regiones de confinamiento y Resonante. Comparación entre Elec-

3.5. DOS electrónica. Región de pulsaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

B.1. Pozo simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

B.2. Pozo simple bajo la acción de campo eléctrico . . . . . . . . . . . . . . . . 69

B.3. QW bajo la acción de campo eléctrico y presión . . . . . . . . . . . . . . . 77

En las últimas cuatro décadas la nanotecnologı́a se ha convertido en uno de los campos

como material de barrera y en consecuencia la movilidad electrónica queda confinada en

El efecto de un campo eléctrico permite explorar los niveles energéticos de electrones

2.1. Confinamiento Cuántico y Heteroestructuras

Cuando los electrones se encuentran restringidos a moverse en una región muy

de conducción (valencia) a lo largo de la dirección de crecimiento. Según como estén

En lo que sigue, nos centraremos en pozos cuánticos donde el elemento A es el

(a) Straddling (b) Offset

La distribución espacial de los perfiles de las bandas de conducción y valencia dan

La diferencia de energı́a entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de

Figura 2.2: Pozo GaAs-GaAlAs

la banda de conducción se conoce como bandgap o banda prohibida. Ası́, en la figura(2.2)

∆EΓ = EΓ (Ga1−x Alx As) − EΓ (GaAs) (2.1)

2.2. Aproximación de masa efectiva

donde W (~r) corresponde al potencial periódico cristalino en un punto ~r de la red y m∗

donde Ψ es la función de Bloch y Ec la energı́a asociada al electrón libre en la banda de

donde α indica el número de la banda de energı́a y ~k es el vector de onda. La estructura de

el máximo de la banda de valencia y el mı́nimo de la banda de conducción, por lo cual las

En la ec.(2.9), si ~k → 0, entonces W (~k) → 0. Ası́, como W (~k) en la ec.(2.7) se hace muy

2.3. Solución del Pozo Cuántico Simple (QW)

Figura 2.3: Pozo cuántico de GaAs/Ga1−x Alx As

La heteroestructura de GaAs/Ga1−x Alx As puede analizarse de igual forma que un

y las soluciones generales en cada una de las regiones son de la forma

ϕI (z) = F e−qz + Geqz ,

2.4. Solución del pozo simple bajo la acción de Cam-

Si se tiene una partı́cula de carga e y masa m en el potencial de confinamiento Vf in (z)

El Hamiltoniano general del sistema tiene la forma

Figura 2.5: Pozo cuántico en presencia de un campo eléctrico constante

De aquı́ se deriva lo siguiente:

1. El espectro de Ĥ es continuo y no degenerado.

2. Ĥ no es un operador hermı́tico y por lo tanto sus autovalores son complejos y pueden

3. Las autofunciones de Ĥ cumplen con la condición lı́m Vef (z) → ∞ ⇒ ϕ(z) → 0

El significado de Γ puede ser entendido considerando la evolución de los estados:

Si se define τ = ~/Γ, la ecuación anterior queda definida como

|E0 | >> |Γ| . (2.25)

La corriente de tunelamiento de los estados cuasiligados depende entonces de sus tiempos