Untitled Español

Diseño y fabricación de
superficies selectivas de frecuencia

como absorbedores de radiación en
longitudes de onda milimétrica
por
Ing. Vı́ctor Hugo Gómez Rivera
Tesis presentada en el Instituto Nacional

de Astrofı́sica, Óptica y Electrónica
para obtener el grado de Maestro en Ciencias
en el departamento de Astrofı́sica.
Asesores:
Dr. Miguel Velázquez de la Rosa
Dr. David H. Hughes
Sta. Ma. Tonantzintla, Pue.

Febrero, 2012
©INAOE, 2012
Derechos Reservados
El autor otorga al INAOE el permiso de
reproducir y distribuir copias en su totalidad
o parcial de esta tesis.
Diseño y fabricación de superficies selectivas
de frecuencia como absorbedores de
radiación para longitudes de onda milimétrica
Ing. Víctor Hugo Gómez Rivera

2
Dedicatoria
A mi esposa Tania Peña y a mi hija Hanna Lileth

quienes estuvieron conmigo siempre durante la
etapa final de este trabajo...
A mis padres, hermanos y sobrinos

quienes siempre me apoyaron en todas
las formas posibles...
A mis amigos...
3
4
Agradecimientos
Deseo agradecer a mis asesores, el Dr. Miguel Velázquez y el Dr. David

Hughes, quienes han compartido conmigo su conocimiento y experiencia en el
trabajo científico. Fueron sus enseñanzas las que han hecho posible el desa-
rrollo de la presente tesis.
Al Dr. Joel Molina quien, con sus conocimientos de micro-maquinado, me
apoyo para definir el tamaño de las membranas y a su vez en los procesos de
fabricación y los depósitos de Ti.
Debo reconocer también el apoyo recibido por parte de los técnicos del
laboratorio de micro-electrónica, nano-electrónica y de diseño mecánico ya que
sin ellos no hubiera sido posible terminar este trabajo.
A mis amigos Eduardo Ibarra, Marco Vázquez, Cesar Mata, Karla Arellano,
Cesar Chávez, Paola Espinoza, Mauricio Gómez, Anaely Pacheco, Milagros
Ceballos, Víctor Patiño y a los miembros del grupo de astronomía milimétrica.
Agradezco a la comunidad del INAOE y a sus directivos por su trabajo al
frente de una institución clave en el desarrollo científico y tecnológico de nues-
tro país.
Gracias al CONACyT por la beca otorgada y sin la cual no hubiera sido
posible la realización de mis estudios de maestría.
5
6
Resumen
Se presenta el diseño y simulaciones de superficies selectivas de frecuen-

cia (FSS, por sus siglas en inglés) que serán utilizadas como material absor-
bente de radiación en bolómetro superconductivo. Las estructuras que se di-
señaron y simularon son del tipo dipolo cruzado, ya que por su naturaleza nos
permiten absorber radiación en una frecuencia en específico. También se dise-
ña un filtro con características capacitivas, para esto se utilizaron estructuras
del tipo parche metálico, esto permitió entender el comportamiento de las FSS
así como sentar las bases de simulación de dichas estructuras.
Las membranas de nitruro de silicio fueron hechas por técnicas de micro-
maquinado, las cuales se obtuvieron después de 10 hrs de grabado con hidró-
xido de potasio (KOH). Posteriormente se realizaron depósitos de Ti, procesos
de litografía para grabar el patrón de FSS sobre el Ti y por último se graba el
Ti con una solución compuesta de ácido fluorhídrico (HF), ácido nítrico (HNO3 )
y agua desionizada (H2 O).
Las mediciones para caracterizar las membranas de nitruro de silicio pu-
ras y metalizadas con Ti así como las FSS se realizan mediante el uso de
un espectrómetro de transformada de Fourier (FTS, por sus siglas en inglés)
construido en el laboratorio de instrumentación milimétrica del Instituto Nacio-
nal de Astrofísica, Óptica y Electrónica. Los resultados de estas mediciones
corroboran de buena forma el diseño y las simulaciones con los datos de la
medición.
7
8
Índice general
1. INTRODUCCIÓN 13
1.1. Astronomía sub − mm/mm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2. Observaciones terrestres en sub − mm/mm . . . . . . . . . . . . 15
1.3. Vapor de agua precipitable . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
1.4. Detectores de longitudes de onda sub − mm/mm . . . . . . . . . 19
1.5. Motivación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.6. Proposito de la tesis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2. TEORÍA DE BOLÓMETROS 25
2.1. Bolómetros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2. Características de los bolómetros . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.3. Sensor de transición de borde (TES) . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4. TES en modo de polarización por corriente . . . . . . . . . . . . 30
2.5. TES en modo de polarización por voltaje . . . . . . . . . . . . . 34
2.6. Potencia de ruido equivalente (NEP) . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.7. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3. DISEÑO DE FSS COMO ABSORBEDORES PARA TES 43

3.1. Superficies selectivas de frecuencia (FSS) . . . . . . . . . . . . 43
3.1.1. Geometrías de los elementos FSS . . . . . . . . . . . . 44
3.1.2. Dimensiones de las FSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.1.3. Mecanismo de operación de las FSS . . . . . . . . . . . . 47
3.1.4. Comportamiento de las FSS . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.2. Simulación de FSS usando las condiciones de contorno periódi-
cas en Ansoft HFSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.3. Diseño de FSS para filtro con características capacitivas . . . . . 51
9
ÍNDICE GENERAL
3.4. Dipolos cruzados como absorbedores de radiación para TES . . 54

3.5. Diseño absorbedores para longitudes de onda milimétricas . . . 56
3.6. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
4. FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE MEMBRANAS DE Si3 N4 67

4.1. Medición del espesor de nitruro de silicio . . . . . . . . . . . . . 67
4.2. Fabricación de membranas por medio de maquinado anisotrópi-
co de Si . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.2.1. Diseño de la mascarilla. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.2.2. Grabado de patrones mediante el proceso de litografía . 70
4.2.3. Grabado de patrones por iones reactivos (“Reactive Ion
Etching“; RIE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.2.4. Maquinado anisotrópico de Si . . . . . . . . . . . . . . . 73
4.3. Metalización y medición de perfiles de Ti de 10 nm y 5 nm . . . . 77
4.3.1. Depósito de Ti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.3.2. Medición de espesores con perfilometro óptico . . . . . . 79
4.4. Caracterización de membranas por medio de espectroscopía de
transformada de Fourier . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.4.1. Espectrómetro de transformada de Fourier . . . . . . . . 80
4.4.2. Medición de espectros por medio del FTS . . . . . . . . . 81
4.4.3. Caracterización de las membranas de Si3 N4 y Si3 N4 + T i 84
4.5. Obtención del índice de refracción
de Si3 N4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
4.6. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
5. FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE FSS 91

5.1. Fabricación y depósito de Ti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
5.2. Medición de FSS por medio de espectroscopía de transformada
de Fourier . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
5.3. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
6. CONCLUSIONES 101
6.1. Trabajo a futuro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
6.1.1. Cono tipo corneta-guía de onda. . . . . . . . . . . . . . . 104
6.1.2. Cono de Winston con salida RW10 para mediciones con
calorímetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
10
ÍNDICE GENERAL
6.1.3. Diseño y fabricación del bolómetro selectivo de frecuencia 106
Bibliografía 122
11
ÍNDICE GENERAL
12
Capítulo 1
INTRODUCCIÓN
Al observar el universo en diferentes longitudes de onda se pueden obser-

var diferentes condiciones físicas, objetos como gas molécular, polvo interes-
telar, el remanente de radiación del Big Bang, colisión de agujeros negros y
estrellas de neutrones. Los telescopios satelitales de rayos gamma y de rayos
X como el Chandra, Fermi, SWIFT, etc. observan la dinámica energética en
el cosmos, como galaxias activas, los remanentes de la muerte de estrellas
masivas, acreción de materia alrededor de los agujeros negros, etc. Telesco-
pios de luz visible como Very Large Telescope (VLT), Hobby-Eberly Telesco-
pe (HET), Gran Telescopio de Canarias (GTC), etc. observan la gama visible
que producen las galaxias, estrellas, planetas, cometas así como las nebulo-
sas. Telescopios de longitudes de onda mm/sub-mm como el Atacama Large
Millimiter/submillimeter Array (ALMA), Very Large Array (VLA), Low Frequency
Array (LOFAR), Gran Telescopio Milimétrico (GTM), etc. nos permiten observar
la formación estelar que tiene lugar en ambientes en estado gaseoso, denso,
polvoriento y frío. La radiación óptica-UV liberada durante las primeras etapas
de formación de galaxias, estrellas y planetas es casi totalmente absorbida y
oscurecida dentro de la nube naciente, por lo que el estudio de gran cantidad
de fuentes astronómicas se lleva a cabo en longitudes de onda mm/sub-mm.
1.1. Astronomía sub − mm/mm

Durante el tiempo de vida de las primeras generaciones de estrellas ma-
sivas, la formación de estrellas y galaxias de tipo temprano fue más intensa
en donde se poseía un medio interestelar pleno y eran enriquecidas de metal.
Por esto, el estudio observacional de la evolución de galaxias y las emisiones
13
CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN
de polvo es crucial para entender la evolución de las galaxias mismas. Un pa-

rámetro clave para determinar la evolución de las galaxias de tipo temprano,
es la tasa de consumo de gas: en el caso de un consumo rápido de gas den-
tro de las galaxias, la emisión en el lejano infrarrojo no es dominante; pero si
el agotamiento del gas es más lento, la galaxia puede experimentar una fase
opaca prolongada, con la mayor parte de la luminosidad emitida en el infrarrojo
lejano [24]. En cualquier caso, se espera una importante emisión de polvo du-
rante las primeras fases de la evolución de las galaxias y durante las fases de
intensa formación estelar, la mayoría de la radiación óptica es absorbida por el
polvo y vuelve a irradiar en el infrarrojo lejano. Masas de polvo w 108 − 109M
son detectadas en mm/sub-mm [19, 47, 29] en galaxias con alto corrimiento al
rojo como 4C41.17 (z = 3, 8), 53W002 (z = 2.39) y 8C1435 635 (z = 4.26),
estas masas de polvo son de 1-2 órdenes de magnitud mayor que el encon-
trado por radio galaxias cercanas [18, 39]. Por otra parte, grandes depósitos
de polvo con altos corrimientos al rojo son proporcionados por detecciones en
el mm/sub-mm de un número distante de radio QSO’s [21, 29]. La distribución
espectral de energía (SED, por sus siglas en ingles) de galaxias en las fases de
la evolución temprana, se caracteriza por una intensa actividad de formación
estelar, con su máximo cercano a milímetros en donde la luminosidad es domi-
nada por la emisión en radio. El estudio de esta emisión y de su evolución es
interesante para tener una mejor comprensión de las contribuciones relativas
de la emisión sincrotrón y procesos libre-libre en estas longitudes de onda que
arrojan una idea sobre las propiedades del campo magnético en las regiones
HII. En el rango de 100 µm − 1 mm, las emisiónes de polvo son las dominan.
La emisión de polvo interestelar, el cual localmente comprende w 30 % de la
luminosidad bolométrica global de galaxias y se hace más significativa durante
las primeras fases evolutivas cuando el medio interestelar (ISM, por sus siglas
en ingles) fue más abundante. Por lo tanto las observaciones de la emisión
de polvo son cruciales para entender la evolución de las galaxias. Durante los
primeros 1-2 Gyr de la vida en galaxias de tipo temprano, las cuales contienen
pobres masas de polvo y gas en donde la mayoría de la luz de las estrellas
podría haber sido reprocesada por el polvo, lo que corresponde a un aumen-
to de la luminosidad en el lejano IR por más de tres órdenes de magnitud. El
incremento de espectros de las galaxias en la gama de mm a w 100 µm es
excepcionalmente adecuado para investigar la evolución de las galaxias hasta
14
1.2. Observaciones terrestres en sub − mm/mm
z w 10 [24].
1.2. Observaciones terrestres en sub − mm/mm

A pesar de la creciente importancia de la astronomía en el sub-mm/mm
para entender la evolución y el crecimiento de las estructuras en el Universo,
en la actualidad sólo es posible hacer observaciones en observatorios terres-
tres. La alta meseta antártica es considerada el mejor sitio en la Tierra para
las observaciones en los rangos de longitudes de onda milimétricas y sub-
milimétricas ya que la atmosfera es más estable en el Polo Sur [12]. En los úl-
timos años muchos experimentos astrofísicos se han desplegado en este con-
tinente y proyectos de grandes telescopios han sido desarrollados. En 1994,
Italia y Francia comenzaron un programa para construir estaciones científicas
permanentes (Concordia) en los domos de la meseta antártica. Los domos
son regiones más elevadas que el resto del continente excepto las montañas
trans-antárticas. El domo más alto es el Domo A (4100m), potencialmente es
el mejor sitio de observación del planeta pero es muy difícil de alcanzar.
El vapor en la atmosfera terrestre es una fuente dominante de absorción de
radiación e incrementa el fondo térmico, en consecuencia afecta el rendimiento
de las observaciones desde todas las instalaciones astronómicas en la Tierra.
Las zonas geográficas de interés para la astronomía son aquellas que tienen
bajo contenido de vapor de agua atmósferico y tienen un gran número de no-
ches secas [26]. Con la excepción de las regiones polares, donde la sequedad
de la atmosfera resulta de las temperaturas extremadamente bajas [36, 49];
otras regiones, dominadas por centros de alta presión con la subducción de ai-
re relativamente seco, han sido encontradas para cumplir con las condiciones
de desarrollo de instalaciones astronómicas [26, 20]. En estas áreas geográ-
ficas, el vapor de agua decrece con la altitud y por lo tanto, mientras más alto
sea el lugar, más seco es el aire [8], pero, debido a la expansión adiabática
que se genera al escaso intercambio de calor en la troposfera da lugar a un
gradiente de temperatura de alrededor de -6.5K/km. Esto implica menor ab-
sorción y bajas emisiones del fondo térmico de la atmosfera, por lo tanto, se
mejora el rendimiento de las imágenes astronómicas y la espectroscopia [46].
Cámaras como SCUBA [3], MAMBO [5], BOLOCAM [35], SHARC II [38],
15
Figura 1.1: En la parte superior el espectro de radiación electromágnetica des-

de rayos gamma hasta ondas de radio, en la parte inferior se muestran las
ventanas de absorción en la atmósfera por las diferentes moléculas con dife-
rente absorción.
APEX-SZ [2], LABOCA [60], ACT [8] y SPT [57] han creado imágenes en el
mm/sub-mm en los últimos 15 años. Estas cámaras son operadas en telesco-
pios terrestres, todas ellas ven emisión del vapor de agua en la atmósfera. En
casi todos los casos, los datos de estas cámaras son dominados por el ruido
atmosférico causado por las fluctuaciones de esta emisión. Todas estas cáma-
ras hacen uso del hecho de que el vapor de agua atmosférico se encuentra en
el campo cercano y por lo tanto la mayor parte de las fluctuaciones en la emi-
sión atmosférica se registran como una señal de modo común entre todos los
detectores [22, 13, 56]. La mayor parte del ruido atmosférico puede ser remo-
vido de los datos por medio de la substracción de esta señal de modo común
y este método ha demostrado ser por lo menos tan eficaz como la tradicional
técnica de conmutación de haz o las técnicas de chopeo [30, 33, 15].
Moleculas atmosféricas son las responsables de bandas de absorción de
16
1.3. Vapor de agua precipitable
la radiación cósmica. En el infrarrojo cercano y medio, la mayor parte de ab-

sorbedores son las moléculas triatómicas H2 0, CO2 y O3 . Entre las bandas de
absorción aparecen ventanas parcialmente transparentes, haciendo observa-
ciones posibles en el cercano infrarrojo (NIR, por sus siglas en ingles) y el
mediano infrarrojo (MIR, por sus siglas en ingles) desde la tierra. La atmosfe-
ra es virtualmente opaca entre 50 µm y 200 µm desde todos los sitios sobre la
tierra, por lo que se desarrollan observatorios espaciales y aerotransportados
para esta región de longitudes de onda. La absorción por el vapor de agua
también domina la región en el lejano infrarrojo (FIR, por sus siglas en ingles)
y el sub-mm; aparecen ventanas cercanas a 200, 350, 450, 600, 750 y 870 µm;
en esta región transparentemente espectral, es significativa solamente en se-
co, en sitios con gran altitud [40, 34]. Las moleculas de H2 O tienen un tiempo
de residencia corto en la atmosfera y su concentración es altamente variable.
Por lo tanto, la caracterización de posibles sitios astronómicos para los regíme-
nes del espectro IR y sub-mm/mm depende en gran medida de las mediciones
de vapor de agua atmosférico [50]. En las longitudes de onda sub-mm/mm
(4 mm − 300 µm), la atmósfera es parcialmente transparente. En esta región
hay absorción y emisión de una variedad de moléculas (CO, N H3 , HCl, etc.),
hay ventanas de excelente transmisión entre 6 mm y 1 mm(50 GHz–300 GHz)
aunque estas tienen características de H2 O y O2 ; aunque hay dos amplias
ventanas a 650 GHz y 850 GHz como se observa en la figura 1.1.
1.3. Vapor de agua precipitable

La abundancia de vapor de agua es muy variable. Es muy abundante en la
atmósfera, pero apenas supera el 1 % de la masa. El agua esta difusa dentro
del aire por evaporación. Es transportado por el viento y los procesos de con-
vección. La cantidad de vapor de agua en una columna vertical de aire puede
ser expresada por la cantidad de agua líquida que se produce cuando todo el
vapor se condensa, a menudo se mide en mm de agua precipitable (PWV por
sus siglas en inglés). El total de vapor de agua en la atmósfera contenida en
una columna vertical en una unidad de área transversal que se extiende entre
dos niveles especificados es conocido como vapor de agua precipitable y se
expresa comúnmente en términos de la altura a la cual la sustancia del agua
17
se mantiene completamente condensada y se colecta en un recipiente de la

misma unidad de área transversal [6].
El vapor de agua contenido es un parámetro importante que afecta las ob-

servaciones astronómicas, el cual es clasificado en términos de vapor de agua
precipitable en cuatro divisiones: Buena o excelente (PWV <= 3mm); Justo
(3<PWV<=6 mm); deficiente (6<PWV<=10 mm); extremadamente deficiente (
PWV>=10mm) [16], ejemplos de PWV de 1 mm, 3 mm y 5 mm se muestran en
la figura 1.2.
Las moléculas triatómicas H2 0, CO2 y O3 son las principales responsables

de la reducción de varias ventanas transparentes en el espectro de transmi-
sión atmosférico las cuales producen bandas de absorción que son difíciles de
corregir durante el procesamiento de datos astronómicos. Fuera de esas ven-
tanas, la atmósfera es opaca y las observaciones a esas longitudes de onda
tienen que ser desde el espacio.
Sitios con grandes niveles de vapor de agua tienen estrechas e inestables

ventanas transparentes. Altos niveles de vapor de agua reducen la transpa-
rencia atmosférica pero también incrementan el fondo térmico infrarrojo. Por
lo que sitios con bajas altitudes son menos aptos para observaciones con alta
calidad, sin embargo, otro parámetro como el espesor de la tropósfera también
juega un papel importante. Hay muchos parámetros que cuentan para un sitio
astronómico, la vista, la cubierta de nubes, vientos terrestres, vientos de gran
altura, etc. [32].
El desarrollo de la instrumentación y los requerimientos para actuales y fu-

turos telescopios demandan una apropiada caracterización de PWV y estudios
estadísticos de una gran base de datos temporales (tomados durante varios
años). La fracción de noches con buenas condiciones (pequeña columna de
vapor de agua) es función de la época del año que permitirá una agenta optima
del tiempo de observación del telescopio. Las mediciones de PWV pueden ser
obtenidas de diferentes formas, desde mediciones in situ (radiosondas) hasta
técnicas de sensado remoto (fotómetros, radiómetros, GPS, imágenes espec-
troradiometricas sobre satélites, etc.) [45].
18
1.4. Detectores de longitudes de onda sub − mm/mm
Figura 1.2: Simulación con el programa de transmisión atmósferica (AT) en

dependencia del vapor de agua precipitable de 1 mm, 3 mm y 5 mm.
1.4. Detectores de longitudes de onda sub − mm/mm

La mayoría de los detectores, que funcionan como transductores, captan la
radiación electromagnética incidente en forma de fotones y producen una res-
puesta eléctrica acondicionada, amplificada y convertida en una señal. Dentro
de estos detectores se encuentran los siguientes:
Foto-detectores.- Responden directamente a un fotón, un fotón absorbi-

do, libera portadores de carga en el detector, que puede modular una
señal eléctrica del material o ir a una etapa de amplificación, se utilizan
en la detección de rayos X, radiación ultravioleta (UV), visible e infrarroja
(IR).
Detectores Térmicos. Absorben los fotones y termalizan su energía. En la

mayoría de los casos, esta energía cambia las propiedades eléctricas del
material del detector, resultando en la modulación de una señal eléctri-
ca, tienen respuesta de banda espectral amplía. Usualmente son usados
en la detección de longitudes de onda sub-mm/mm (200 µm – 3 mm). Los
bolómetros son un ejemplo de este tipo de detectores.
19
Detectores coherentes. Responden a la fuerza del campo eléctrico de la

señal y pueden mantener la información de la fase de los fotones que son
detectados, trabajan por medio de la interferencia del campo eléctrico de
los fotones incidentes y el campo eléctrico de un oscilador local coheren-
te. Se utilizan para la detección de longitudes de onda de radio, sub-mm
y a veces infrarrojo.
Un bolómetro es un detector térmico capaz de medir radiación electromag-

nética que viene de un objeto en todas las longitudes de onda. Cuando está
expuesto a una fuente de radiación electromagnética el bolómetro absorbe
una parte de la potencia incidente y por lo tanto su temperatura aumenta. En
el caso ideal, al cesar la radiación el bolómetro deja de absorber potencia y
su temperatura se mantiene constante. Así, el bolómetro actúa como un inte-
grador de potencia: el incremento de temperatura sufrido corresponde con la
integral de la potencia suministrada por la fuente de radiación.
Un bolómetro está formado por un elemento que absorbe la radiación y
por un elemento sensor, aunque en algunos tipos de bolómetros (los termis-
tores) ambos constituyen una única estructura. Además, el bolómetro tiene un
soporte, a través del cual se disipa calor y que sirve para establecer el con-
tacto eléctrico con el sensor propiamente dicho. El sensor es un material con
alguna propiedad física cuya variación con la temperatura sea notable. Nor-
malmente esta propiedad es la resistencia eléctrica del material. Para ello es
necesario que exista un buen contacto térmico entre el absorbedor y el sensor,
de manera que las variaciones de temperatura que experimenta el absorbedor
al recibir potencia se transmita rápidamente al sensor. En longitudes de onda
sub − mm/mm (longitudes de onda en torno a 200µm − 3mm), los bolómetros
siguen siendo los dispositivos más sensibles de detección. En longitudes de
onda mm se utilizan bolómetros que son enfriados por encima del cero abso-
luto, entre 50 mK y 300 mK. Por este motivo su utilización es técnicamente muy
compleja.
1.5. Motivación
Como se mencionó en secciones anteriores, en el universo existen zonas
gaseosas, frías y polvorientas en donde se encuentran regiones de formación
20
1.5. Motivación
Figura 1.3: Imagen de los pilares de la creación en la nebulosa del águila, en

la derecha, imagen en el óptico tomada por el telescopio espacial Hubble, a
la izquierda imagen en el sub-milimétrico a 450 µm en donde se observan las
regiones de formación estelar.
estelar, la radiación emitida en estas regiones es reprocesada por el polvo

teniendo su máximo en el lejano infrarrojo y debido al corrimiento al rojo se
detectan en el sub-mm/mm como se ilustra en la figura 1.3.
La radiación proveniente de estas regiones son señales muy débiles del

orden de mJy. Por lo que para detectarlas se necesitan de arreglos de disposi-
tivos muy sensibles como los bolómetros, los más comunes son los fabricados
con materiales semiconductores y los superconductores. La detección por me-
dio de un bolómetro consta de un absorbedor de banda ancha conectado a
un sumidero de calor por medio de una liga térmica, un termistor es colocado
sobre el absorbedor en donde los cambios de temperatura son proporcionales
a la energía del fotón depositado, este incremento de temperatura causa un
incremento en la resistencia del termistor. Debido a que el absorbedor es de
banda ancha, se coloca un filtro para definir la banda de transmisión, este filtro
implica pérdidas en la radiación incidente sobre el bolómetro como se muestra
en la siguiente figura 1.4.
21
Figura 1.4: La detección por medio de un bolómetro consta de un absorbe-

dor de banda ancha conectado a un sumidero de calor por medio de una liga
térmica, un termistor es colocado sobre el absorbedor en donde los cambios
de temperatura son proporcionales a la energía del fotón depositado, este in-
cremento de temperatura causa un incremento en la resistencia del termistor.
Debido a que el absorbedor es de banda ancha se coloca un filtro para definir
la banda de transmisión.
Se puede mejorar este sistema, ya sea optimizando el termistor para tener

un incremento grande de resistencia con pequeños cambios de temperatura u
optimizando el absorbedor. En este trabajo la opción que se eligió fue mejorar
el absorbedor, para lo cual hay dos opciones:
Optimizar la impedancia superficial del material para que sea acoplada

a la impedancia del vacío y la absorción de radiación se maximice, para
esto es necesario hacer pruebas con diferentes materiales así como te-
ner un buen control para definir con exactitud los espesores del material,
lo cual es muy dificil y conlleva tiempo.
Utilizar superficies selectivas de frecuencia como material absorbedor de

radiación para definir la banda de absorción, esta opción nos permite eli-
minar la etapa de filtrado previa y por lo tanto no tendríamos las perdidas
relacionas al filtro.
La opción a utilizarse en este trabajo es mejorar el absorbedor haciendo uso

de superficies selectivas de frecuencia para definir la banda de absorción para
22
1.6. Proposito de la tesis
el termistor. Las superficies selectivas de frecuencia (o dicroicas) pueden ser

estudiadas como filtros en líneas de transmisión. Una vez expuestas a la ra-
diación electromagnética, una superficie selectiva de frecuencia (FSS por sus
siglas en inglés) actúa como un filtro espacial, algunas bandas de frecuencias
son transmitidas y algunas son reflejadas. Las FSS comúnmente toman for-
ma plana y en forma de arreglos periódicos de metal-dieléctrico en espacio
bidimensional. El comportamiento de una FSS es enteramente determinado
por la geometría de la superficie en un periodo siempre que el tamaño de la
superficie es infinito.
1.6. Proposito de la tesis

El objetivo principal de este trabajo es diseñar, implementar y caracterizar
absorbedores utilizando superficies selectivas de frecuencia, para que en un
futuro, sean integradas como elementos absorbedores para un bolómetro de
transición de borde (TES, por sus siglas en inglés). Las estructuras FSS serán
del tipo dipolo cruzado, ya que por su comportamiento debido a su geometría
nos permitirán absorber en una frecuencia en especifico que al ser incorporado
el bolómetro TES nos permitirán crear un bolómetro selectivo de frecuencia
(FSB, por sus sigles en inglés) que solo absorba la radiación a 1, 2 mm, 2 mm y
3 mm.
A su vez, también se fabricará un filtro de parches con comportamiento ca-
pacitivo que servirá como ejercicio de aprendizaje para el diseño y sentará las
bases para la simulación ya que es una estructura básica, que posteriormente,
podría ser utilizado como filtro pasa-bajas para definir una banda óptica en un
sistema concentrador de energia del tipo corneta-guia de onda.
Derivado de este trabajo, se fabricarán membranas de nitruro de silicio por
técnicas de micro-maquinado que sirva de soporte mecánico para las FSS y
en un futuro al TES, así mismo se utilizarán para medir las pérdidas intrínsecas
en la membrana y las pérdidas en el material que constituirán las FSS.
Una ves cumplidos los objetivos anteriores, se hara un pre-diseño para la
fabricación del TES y poder finalmente obtener un bolómetro selectivo de fre-
cuencia para longitudes de onda de 1.1 mm, 2 mm y 3 mm.
El siguiente trabajo se aborda de la siguiente forma, el capítulo de introduc-
23
ción abarca describe de forma breve la astronomía en la gama sub − mm/mm,

así como la importancia de la ubicación de cualquier observatorio terrestre
para disminuir la contribución del vapor de agua precipitable y los tipos de de-
tectores. El capítulo siguiente provee una introducción en breve y general a
la teoría del bolómetro, donde se muestran las principales figuras de mérito
del ruido del TES, tanto de ruido de Johnson como de fonones y el comporta-
miento en frecuencia ya sea polarizado por voltaje o por corriente. El diseño
de una FSS del tipo de parches metálicos con comportamiento capacitivo y de
las FSS del tipo dipolo cruzado que serviran como absorbedores se presenta
en el capítulo 3, así como las simulaciones en HFSS y los modelos previos
a la fabricación en SolidWorks. En el capítulo 4 se describe la fabricación de
las membranas de nitruro de silicio (Si3 N4 ) y muestras de estas membranas
metálizadas con titanio (T i) por técnicas de micro-maquinado para su carac-
terización por medio del espectroscopía de transformada de Fourier (FTS), la
función de estas membranas es servir de soporte mecánico, primero para las
FSS y en un futuro para el FSB. El desarrollo de la fabricación de las FSS so-
bre las membranas de Si3 N4 así como su caracterización por medio del FTS
se muestran en el capítulo 5, la función de los absorbedores del tipo dipolo
cruzado es servir como material absorbente de radiación para detectores bo-
lómetricos TES. Un pre-diseño de la integración del absorbedor selectivo con
el bolómetro TES y un esquema de medición para el bolómetro selectivo de
frecuencia se muestra en el capítulo 6 como trabajo a futuro así como las con-
clusiones de este trabajo.
24
Capítulo 2
TEORÍA DE BOLÓMETROS
2.1. Bolómetros
Un bolómetro es un dispositivo que mide la potencia total de radiación elec-

tromagnética incidente en él. El modelo típico de un bolómetro es un resistor
sensible a la temperatura colocado sobre un material absorbedor, cuando in-
cide radiación sobre el, provoca un pequeño cambio en la temperatura y a su
vez provoca un cambio en la resistencia del termistor, en la figura 2.1 se mues-
tra un bolómetro del arreglo de la cámara LABOCA, en donde se observan
las partes descritas anteriormente. A longitudes de onda, desde unos cuantos
milímetros y a través de la banda sub-mm, los bolómetros son los detectores
más sensibles de banda ancha disponibles.
25
CAPÍTULO 2. TEORÍA DE BOLÓMETROS
Figura 2.1: Vista bajo el microscopio de un bolómetro de LABOCA. Donde la

membrana de Si3 N4 es el area de color verde de 3.4x3.4 mm2 con un espesor
de 400 nm la cual tiene la función de absorber la radiación, la caja negra es el
termistor NTD [28] el cual tiene un cambio en la resistencia cuando se presenta
un cambio temperatura y las pistas son delgadas capas de metal echas en oro
(amarillas) y Niobio (gris) [10] .
2.2. Características de los bolómetros

Un bolómetro en general consta de tres componentes distintos: un absor-
bedor, una liga térmica conectada a un sumidero de calor y un termistor.
El absorbedor está diseñado para acoplar la radiación incidente y está

definido térmicamente por una capacidad calorífica C(T ). El absorbedor
tiene un tamaño apropiado para interceptar la potencia de radiación inci-
dente, una gran absorción en las frecuencias de interés, baja capacidad
calorífica y una gran conductividad térmica para que matenga una tem-
peratura constante durante la operación del bolómetro.
Por medio de una liga débil con una conductancia térmica G(T ) conecta
al absorbedor con el sumidero de calor. La liga térmica debe de tener una
capacidad calorífica baja y una apropiada conductancia térmica requeri-
da para la aplicación.
26
2.3. Sensor de transición de borde (TES)
Figura 2.2: Configuración básica de un bolómetro, el cual consiste en un ab-

sorbedor con capacidad calorífica dependiente de temperaura C(T ) unido por
medio de una liga térmica con conductancia térmica G a un disipador de calor
a una temperatura T0 . El elemento sensor es un termistor con una corriente de
polarización I0 .
Por último, el termistor o la resistencia dependiente de la temperatura

R(T ) está fuertemente acoplada al absorbedor para medir con precisión
las pequeñas variaciones de temperatura del absorbedor. Debe tener ba-
ja capacidad calorífica, bajo ruido eléctrico y una dependencia de tempe-
ratura adecuada a su resistencia eléctrica.
El soporte mecánico del bolómetro debe tener baja capacidad calorífi-

ca, baja conductancia térmica y debe ser lo sufucientemente rígido para
soportar las frecuencias mecánicas de resonancia ya que son mas altas
que las frecuencias de operación de un bolómetro.
El funcionamiento del bolómetro es fundamentalmente una cuestión de equili-

brio de las potencias de entrada y salida. La potencia incidente sobre un bo-
lómetro es la suma de la potencia óptica y el calentamiento de Joule causado
por la disipación de potencia eléctrica.

El sensor de transición de borde es un termistor fabricado de materiales
superconductores. Su operación se basa en la transición de superconductor
27
a estado normal para medir los cambios de resistencia en proporción a los

cambios de temperatura. Estos dispositivos son muy sensibles, debido a que
pequeños cambios de temperatura del orden de mK provocan grandes cam-
bios en la resistencia.
Un TES tiene muchas ventajas sobre los termitores clásicos. El tamaño pe-
queño de un TES es útil cuando se trabaja en bajas temperaturas donde el
espacio es límitado ya que su tamaño es muy pequeño, como en los refrige-
radores de dilución y algunos otros aparatos criogénicos, donde su principal
ventaja es que es altamente sensible a variaciones en la temperatura. Un TES
puede ser descrito por cuatro características: la temperatura crítica (Tc ), la re-
sistencia en estado normal (RN ), el ancho de transición y el parámetro alfa (α)
[44].
Tc es la temperatura en el punto medio de la transición. Este se utiliza
para determinar si el TES es adecuado para una aplicación en específico,
ya que sólo puede operar en una región de temperatura limitada por Tc ,
como se muestra en la figura 2.3.
RN se define como la resistencia en estado normal, ya que diferentes

aplicaciones pueden requerir pequeños o grandes cambios de resisten-
cia para el acoplamiento de impedancias.
La ventana de transición esta definido como el rango de temperatura en

el cual la resistencia varía desde 0.1RN hasta 0.9RN , esta ventana puede
ser del orden de unos mK. Una ventana de transición grande puede ser
deseable para trabajar sobre un rango de temperatura más grande que
unos pocos mK.
α es un coeficiente adimensional el cual define la sensibilidad de la tran-

sición de surpercondutor a normal. Este coeficiente adimensional deter-
mina el cambio de resistencia y es función de la corriente de polarización
y la temperatura (punto de operación) dentro de la fase de transición.
Grandes valores de α hacen potencialmente mas sensitivo al dispositivo.
Cuando el sensor es térmicamente balanceado en la temperatura de tran-
sición, este puede ser usado para detectar pequeños cambios de temperatura
o fluctuaciones de energía. Con el fin de seleccionar una temperatura de fun-
cionamiento, el TES se fabrica de una película delgada de metal en estado
28
Figura 2.3: Comparación ilustrativa de la sensitividad y la ventana de transición

de dos TES con α ≈ 20, 500, donde la ventana de transición esta definida por
el rango 0.1 ≤ RN ≤ 0.9 de la resistencia para un TES con α ≈ 500 es de
aproximadamente 5 mK mientras que para un TES con una α ≈ 20 es del
orden de 135 mK. [44] .
normal sobre una pelicula delgada de metal superconductor. Debido al efecto

de proximidad [43], el espesor relativo de cada metal determina la temperatura
critica (Tc ) del sensor.
El término de efecto proximidad se utiliza para describir un fenómeno que
ocurre cuando un superconductor (S) se coloca en contacto con un normal
(N ) no-superconductor. Típicamente, esto suprime la Tc del superconductor y
signos débiles de superconductor aparecen en el material normal. Este efecto
es causado por la difusión de pares de Cooper en el material normal, redu-
ciendo la densidad de pares en el superconductor y bajando la temperatura
de transición [53, 43]. Es importante que el contacto eléctrico entre S y N sea
muy bueno, si una fina capa aislante de impurezas existe en la interfaz, el bi-
metal no mostrará signos de supresión de Tc [43]. En la figura 2.4 se muestra
un arreglo de TES del APEX-SZ que funcionan bajo el efecto de proximidad.
El detector a usarse en un futuro junto con las FSS consiste en un pequeño
sandwich de N b/T i el cual será depositado sobre una membrana de Si3 N4 con
un espesor de 1 µm, el N b será polarizado sobre o muy cercana a la transición
de superconducción, por lo que contiene muchas cuasi-partículas exitadas tér-
29
Figura 2.4: Vista microscopica de un TES del arreglo de 330 bolómetros del
APEX-SZ. Los sensores son contruidos de un sandwich de Al/Ti por medio del
efecto de proximidad la transición a superconductor sera cercana a 470 mK,
estan suspendidos en absorbedores tipo Spider-web metalizados con oro so-
bre una membrana de Si3 N4 de un espesor de 1 µm. Cada bolómetro tiene un
diámetro de 4 mm [2].
micamente. Cuando un fotón atérmico incide sobre la membrana, interactua

fuertemente con las cuasi-partículas y es termalizado rapidamente, aumen-
tando la temperatura de los electrones en el superconductor. Este aumento de
temperatura causa un incremento resistivo.
El N b tiene una transición a la fase superconductora alrededor de los 9.2 K
y el T i alrededor de los 390 mK. Debido al efecto de proximidad tendriamos
una transición a la fase superconductora de los dos metales alrededor de los
8.2 K.
2.4. TES en modo de polarización por corriente

La manera más correcta de utilizar estos detectores es a bajas temperatu-
ras alrededor de 4.2 K y en algunos casos, dependiendo de su uso, hasta por
30
debajo de 1 K debido a la necesidad de minimizar el ruido, para alcanzar estas

temperaturas se utilizan dispositivos como los criostatos que permiten alcan-
zar temperaturas de tan solo unos cuantos mK. Los principales ruidos en el
TES son el ruido de fonones yel ruido de Johnson.
Cuando el TES esta polarizado por corriente, como se muestra en la figu-

ra 2.5, y las mediciones son por medio del voltaje en un JFET, la potencia de
entrada por el calentamiento de Joule del detector debida a la resistencia del
termistor esta dada por P = I02 R(T ), por lo tanto, cambios pequeños de tem-
peratura causan grandes cambios en la resitencia y a su ves en la potencia de
entrada de Joule, lo que hace al sensor demasiado inestable ya que el tiempo
de termalización del termistor es muy grande. La función de resistencia con
respecto a la temperatura esta definida como
T dR
α= (2.1)
R dT
Asumiendo dos condiciones, primera, que el detector esta perfectamente

sellado y no tenemos fuentes de ruido externo, segunda, que el ruido del ampli-
ficador es pequeño comparado con el ruido de Johnson y el ruido de fonones,
y que la constante de tiempo intrinseca del detector es τ = C/g. En equilibrio,
la potencia de Joule es igual al flujo de potencia hacia el substrato a traves de
la liga térmica, entonces tenemos que la densidad espectral de la corriente de
ruido es [27]
" Ts
#
2
4K T
B 0 α (1 − T0
)
In2 = 1+ (2.2)
R0 1 + ω τ2
2
31
Figura 2.5: Diagrama esquematico simple de la lectura de un TES polarizado

en corriente y las mediciones de voltaje atraves de un JFET.
Donde el primer término es la corriente del ruido de Johnson y el segundo

término es la corriente de ruido de fonones, como se observa el ruido de John-
son es ruido blanco y toma importancia en altas frecuencias mientras el ruido
de fonones es plano a bajas frecuencias pero decae a altas frecuecias con una
pendiente ω = 1/τ .
Cuando un fotón incide sobre el detector, causa un incremento en la tempe-

ratura, el resultado es un pulso de corriente con la siguiente densidad espetral
de potencia [27]
I02 α2 E 2 τ2
Iω2 = (2.3)
T02 C 2 1 + ω 2 τ 2
Donde la señal tiene la misma forma que el ruido de fonones y al igual

decae en altas frecuencias con una pendiente ω = 1/τ . Ambas señales son
proporcionales a la funcion de resistencia α. Simulaciones de ruido para dife-
rentes α se muestran en las figuras figuras 2.6 y 2.7.
32
Figura 2.6: Señal, ruido de Johnson y fonones. El ruido de Johnson es blanco y

se hace significante a altas frecuencias, mientras, tanto la señal como el ruido
de fonones tienen el mismo comportamiento y decaen a altas frecuencias con
una pendiente ω = 1/τ , ambas son proporcionales a α. Ejemplos a α = 10, α =
50, α = 200.
Figura 2.7: Señal, ruido de Johnson y fonones. Se muestra el comportamien-

to de los ruidos como una sola componente, donde a bajas frecuencias el
dominante es el ruido de fonones pero en altas el ruido de Johnson es más
significativo.
33
Para bolómetros con materiales superconductores con un valor de α gran-

de, el ruido de fonones domina al ruido de Johnson a bajas frecuencias, en
este caso, la señal a ruido a bajas frecuencias es independiente de α. Confor-
me aunmenta la frecuencia, la señal a ruido aun contiene información hasta
que la señal cae por debajo del ruido blanco de Johnson, dicha frecuencia es
tambien dependientemente lineal al incremento de α.
Para tomar las ventajas que ofrece tener una valor de α grande, el ancho
de banda usado debe incrementarse linealmente conforme a α pero el tiempo
de termalización es un límite sobre que tan grande debe ser el ancho de banda
a utilizarse, por lo tanto, la constante de tiempo intrinseca del detector τ = C/g
es extremadamente grande [27].
2.5. TES en modo de polarización por voltaje

El esquema de la retroalimentación electro-térmica en los TES mantiene la
temperatura constante en el termistor. La señal de retroalimentación requiere
de una entrada de calor que se da por medio de el calentamiento de Joule.
Cuando un TES es polarizado por voltaje y el substrato es enfriado por debajo
de la temperatura de transición, el TES puede auto regularse dentro de su tem-
peratura de transición. La señal de retroalimentación es el cambio en el TES
por la potencia de Joule, el producto del voltaje y la corriente de polarización,
el cual puede ser medido con un dispositivo superconductor de interferencia
cuántica (SQUID por sus siglas en ingles) como se muestra en la siguiente
figura 2.8.
La potencia de entrada en el TESs polarizado por voltaje es función de la
V2
resistencia P = R(T0 ) y por lo tanto de la temperatura. Cuando el TES esta en
estado normal, es decir, por encima de Tc , la resistencia tiene un valor grande
y la potencia de entrada P es menor que la potencia de salida. Cuando el TES
esta por debajo de Tc , este entra en transición y la resistencia tiene una caida
abrupta. Como la resistencia decrementa, la potencia de entrada P incrementa
y calienta al dispositivo regresándolo a su punto de polarización. El TES entra
en un estado de equilibrio entre la potencia de salida a traves de la liga térmica
y la potencia de entrada a traves del calentamiento de Joule por el voltaje de
polarización y la resistencia del termistor. Esto es llamado retroalimentación
34
Figura 2.8: Circuito de lectura de los TES polarizados por voltaje y la medición
de corriente a través de un SQUID.
electrotérmica negativa. Esto hace que el TES se autopolarize lo cual lo hace

muy estable y facil de operar. La retroalimentación electro-térmica afecta la
duración del pulso, bajo el voltaje de polarización constante, los pulsos son
cortos. Si la transición de la película es fuerte y el substrato es enfriado hasta
debajo de la transición de la película, el efecto de la duración del pulso es más
largo. Donde τ0 = C/g es la constante de tiempo intrinseca del detector, que
es el tiempo que tarda en recuperarse el pulso en ausencia de calentamiento
por Joule. Cuando la temperatura del substrato es mucho más fría que la del
detector, Tsn T0n y estando polarizado por voltaje, el tiempo de recuperación
del pulso tiende a ser [27]
τ0 τ0 n
τef f ≈ α ≈ (2.4)
1+ n α
La densidad espectral de la corriente de ruido es [27]
n2
! !
4KB T0 α2
+ ω 2 τef
2
f 4KB T0 n
In2 = 2 2
+ 2
2
(2.5)
R0 1 + ω τef f R0 1+ ω 2 τef f
Donde el primer término es el ruido de Jhonson debido a la resistencia del

termistor y el segundo término es el ruido de fonones debido a la liga térmi-
ca. En las figuras 2.9 y 2.10 se muestra el comportamiento de los ruidos con
diferentes α.
35
Figura 2.9: Señal, ruido de Johnson y fonones en polarización por voltaje. El

ruido de Johnson se decrece conforme aumenta α y se hace significante a altas
frecuencias mientras que el ruido de fonones se mantiene constante conforme
aumenta α, tanto la señal como el ruido de fonones tienen el mismo compor-
tamiento y decaen a altas frecuencias con una pendiente ω = 1/τeff , ambas son
proporcionales a α. Ejemplos a α = 10, α = 100.
Figura 2.10: Señal, ruido de Johnson y fonones. Se muestra el comportamien-

to de los ruidos como una sola componente, donde a bajas frecuencias el
dominante es el ruido de fonones pero en altas el ruido de Johnson es más
significativo.
36
Figura 2.11: Representación esquemática de un TES polarizado en voltaje.

Vbias , RL , Ibias son el voltaje de polarización, la resistencia de carga y la co-
rriente de polarización. V (t) e I(t) son el voltaje y la corriente de salida del
detector. R(I, T ) es la resistencia del detector en función de la corriente y tem-
peratura. C(T ) es la capacidad calorifica del absorbedor. La temperatura del
detector es T (t) y está conectada a un baño frio a una temperatura Tb a través
de una liga de conductancia G(T ). Vcn (t) e Icn (t) son fuentes de ruido de John-
son de la resistencia de polarización. Vdn (t) es ruido de Johnson en el detector.
Peb es el ruido de fonones desde el baño térmico hacia el bolómetro. Ptn (t) es
en general el término de ruido térmico que puede ser debido a la radiación o
alguna otra manera de acoplamiento térmico hacia el bolómetro. P γ(t) es la
potencia depositada por un periodo corto por la absorción de un fotón.
En el trabajo de [27], para obtener la expresión 2.5 se eliminan términos

cruzados para poder simplificar y facilitar los cálculos, lo cual implica que se
pierden una porción del término correspondiente a la corriente de ruido. Para
evitar esa pérdida de la señal de corriente de ruido, se puede obtener la matriz
de ruidos de acuerdo al trabajo de [23] con el esquemático mostrado en la
figura 2.11.
En la figura 2.11 observamos Vbias , RL , Ibias que son el voltaje de polariza-
ción, la resistencia de carga (o shunt) y la corriente de polarización. V (t) e I(t)
son el voltaje y la corriente de salida del detector. R(I, T ) es la resistencia del
detector que es función de la corriente y temperatura. C(T ) es la capacidad
calorifica y es función de la temperatura. La temperatura del detector es T (t) y
está conectada a un baño frio a una temperatura Tb a través de una liga de con-
ductancia G(T ). Se incluyen tres fuentes de ruido en el circuito eléctrico. Vcn (t)
e Icn (t) son fuentes de ruido fuera del detector, tal como el ruido de Johnson
37
de la resistencia de polarización. Vdn (t) es ruido producido dentro del detec-

tor, tal como el ruido de Johnson, ruido 1/f o flujos de vórtice en bolómetros
superconductores. Esos son en general los términos de ruido y pueden tener
cualquier forma espectral desde ruido blanco hasta una simple sinusoidal. En
el lado térmico se muestran varias potencias térmicas de entrada. Peb es el rui-
do de fonones desde el baño térmico hacia el bolómetro. Ptn (t) es en general
el termino de ruido térmico que puede ser debido a la radiación o alguna otra
manera de acoplamiento térmico hacia el bolómetro.
Este término puede también tener alguna forma espectral y es más general
que el término de fonones, se absorbe el término del ruido de fonones dentro
de este para reducir la complejidad de la derivación. Pγ (t) es la señal, está es
la potencia depositada siempre por un periodo corto de tiempo por la absorción
de un fotón. Donde las derivadas de la resistencia en función de la corriente y
la temperatura se definen como
T dR(I, T )
α= (2.6)
R dT
I dR(I, T )
β= (2.7)
R dI
Analizando el circuito eléctrico en el dominio del tiempo utilizando las leyes
de Kirkoff y por otro lado la parte térmica se obtiene la matriz de ruidos como
se muestra a continuación
" # " #−1
∆I iωL + RL + R0 (1 + β) αV0
=
4T −(2 + β)V0 iωC − PT00α + g
" #
V n(ω) − RL Ic n(ω) − Vd n(ω)
(2.8)
Ic n(ω) − Vd n(ω)IVdn (ω) + Ptn (ω) + Pγ (ω)
Resolviendo numéricamente la matriz 2.8 obtenemos el comportamiento

de la señal con respecto a frecuencia y podemos compararla con la expresión
2.5 como se muestra en la figura 2.12.
Como se observa en la figura anterior, la señal es plana a baja frecuencias
y tiene el mismo comportamiento que el ruido de fonones. Para frecuencias de
tras de la pendiente, el ruido fonones no tiene dependencia de α mientras que
38
2.6. Potencia de ruido equivalente (NEP)
Figura 2.12: En cafe, señales de ruido de Johnson y fonones dados por la

expresión 2.5 para un α = 10, en verde, señales de ruido de Johnson y fonones
dados por la matriz de ruidos 2.8 para un α = 10 resuelta numericamente para
evitar pérdidas de la señal de ruido por la eliminación de los términos cruzados
en [27].
el ruido de Johnson depende de α, conforme aumenta α el ruido de Johnson

decrementa, mientras que el ruido de fonones permanece estable al igual que
la señal, a altas frequencias o despues de la pendiente, el ruido de Jhonson
permanece plano o como ruido blanco mientras la señal y el ruido de fonones
decaen. Esto es importante ya que el mayor contenido de la información de la
señal se encuentra en frequencias debajo de ω = 1/τef f . Por lo que la resolución
puede ser mejorada por el incremento de α.
2.6. Potencia de ruido equivalente (NEP)

De las figuras de mérito mas importantes en los diseños de bolómetros,
tenemos la de la potencia de ruido equivalente (NEP, por sus siglas en inglés),
la cúal esta definida como la potencia de la señal incidente requerida para
obtener una señal igual a la de ruido en un ancho de banda de 1 Hz. Notar
que el NEP es una medición de señal a ruido, no solamente de ruido y esta
√
especificado en unidades de W/ Hz.
39
Figura 2.13: Potencia equivalente de ruido para a = 10, 50, 100
En esta medición tenemos diferentes contribuciones de ruido, pero las prin-

cipales son el ruido de Johnson debido a la resistencia del termistor en la en-
trada del detector y el ruido de fonones debidas a las fluctuaciones de energia
producidas por la liga térmica del bolómetro, tambien llamado ruido de fluctua-
ciones de energia, ruido de fluctuaciones térmicas o ruido G. Por lo tanto, el
NEP en un TES esta definido como [27]
gT0 (1 + ω 2 τ 2 )

2
N EP (f ) = 4KB T02 g 1+ (2.9)
α 2 P0
Donde el NEP es inversamente proporcional a α, en la figura 2.13 se mues-

tran el NEP para diferentes valores de α.
Cuando una cantidad de calor incide sobre una película superconductora,
un impulso de corriente exponencial se produce, con un tiempo constante τ =
C/g. La amplitud de este impulso es proporcional a la energía depositada, la
cantidad de energía depositada provoca un aumento en la temperatura que

es una fracción significativa del ancho de transición, sin embargo, el pulso ya
no es exponencial y no es posible despreciar los términos de orden superior
en las expansiones, volviéndose mucho más complicados los cálculos para los
límites fundamentales.
40
2.7. Conclusiones
2.7. Conclusiones
En este capítulo se observa la importancia de trabajar con bolómetros su-
perconductivos, ya que por el material del que se componen y a temperaturas
mas bajas que la Tc nos permiten obtener valores de α muy grandes, lo cual
repercute directamente tanto en el ruido de Johnson en el detector como en el
ruido de fonones por la liga térmica.
La principal desventaja de trabajar un TES polarizado por corriente y medi-
ciones de voltaje en un JFET es debido al incremento de potencia de entrada
por Joule PJ = I 2 R(T ) que es linealmente dependiente de la resistencia en
función de la temperatura, al tener un TES un α tan grande, pequeños cam-
bios de temperatura generan grandes cambios de resistencia y esto a su vez
en la potencia de entrada en el termistor, por lo que hace al TES inestable.
Un TES polarizado por voltaje y las mediciones de corriente a través de un
SQUID, presenta ventajas tanto de sensibilidad como de ancho de banda, ya
que estos son proporcionales a α y por otra parte, la contribución de ruido de
Johnson disminuye y el ruido de fonones se mantiene constante al incremen-
tarse α. Por medio de la retroalimentación electrotérmica el TES es capaz de
autopolarizarse y mantiene su temperatura constante.
41
42
Capítulo 3
DISEÑO DE FSS COMO

ABSORBEDORES PARA TES
En este capítulo se diseñara una filtro capacitivo, ya que al ser una estruc-
tura básica, permitirá enterder el comportamiento de las superficies selectivas
de frecuencia y a su vez servirá de entrenamiento para sentar las bases para
obtener las simulaciones por medio del programa de simulación de estructuras
en altas frecuencias de Ansof (HFSS, por sus siglas en ingles). Una vez tenien-
do esto, se diseñaran los absorbedores con estructuras del tipo dipolo cruzado,
que debido a su naturaleza permitiran absorber la radiación solamente en una
frecuencia en específico, en este caso para longitudes de onda de 1.1 mm,
2 mm y 3 mm. El proceso de fabricación y los resultados de la caracterización
se muestran en el capítulo 4 y 5.
3.1. Superficies selectivas de frecuencia (FSS)

El estudio de las FSS comenzó a mediados de los 70’s a raíz de poten-
ciales aplicaciones militares, como radomos híbridos para antenas colocadas
en aviones y como filtros rechazo banda para antenas embarcadas a bordo
de buques [41]. En los últimos años han tenido otras aplicaciones como sub-
reflectores dicroicos para reflectores parabólicos, que permiten trabajar en dos
bandas de frecuencias distintas con dos alimentadores distintos [58], diseño
de pantallas absorbentes de banda ancha y polarizadores circulares [41] o lí-
neales [14].
Superficies selectivas de frecuencia (o dicroicas) son la contraparte de fil-
tros en líneas de transmisión. Una vez expuestas a la radiación electromag-
43
CAPÍTULO 3. DISEÑO DE FSS COMO ABSORBEDORES PARA TES
nética, una FSS actúa como un filtro espacial, algunas bandas de frecuencias
son transmitidas y algunas son reflejadas. Las FSS comúnmente toman forma
plana, arreglos periódicos de metal-dieléctrico en espacio bidimensional.
El comportamiento de una FSS es enteramente determinado por la geome-
tría de la superficie en un periodo siempre que el tamaño de la superficie es
infinito. Trabajos previos se han enfocado en el diseño de superficies selecti-
vas de frecuencia (FSS) los cuales ofrecen ahora la posibilidad de diseños y
además permiten una flexibilidad en la utilización de diferentes materiales (Cu,
Mylar, Si3 N4 , Ti). Teniendo los parámetros del diseño geométrico, el progra-
ma HFSS nos permite simular las estructuras en alta frecuencia para saber su
comportamiento en frecuencia.
Las estructuras FSS son arreglos periódicos de elementos especiales colo-
cados sobre un substrato. Para el análisis numérico, estos arreglos se suponen
que tienen dimensiones infinitas y por lo tanto las FSS usualmente están cons-
tituidas de muchos elementos. La aproximación de arreglos infinitos reduce el
problema de análisis utilizando un solo elemento de la matriz para calcular su
respuesta en frecuencia, dada la naturaleza periódica de la FSS [9].
3.1.1. Geometrías de los elementos FSS

En general, las estructuras FSS son categorizadas en dos grupos: elemen-
tos del tipo parche y elementos del tipo de aperturas. Una estructura simple, la
cual consiste en un arreglo periódico de parches metálicos ha demostrado te-
ner características de un filtro pasa bajas. Una vez que incide una onda plana
en esta superficie, el arreglo de parches metálicos transmite el contenido de
bajas frecuencias de la onda y refleja las de altas frecuencias. En el caso de
la estructura complementaria, una malla metálica tiene una respuesta inducti-
va, actuando como un filtro pasa altas. Por lo tanto, superficies capacitivas e
inductivas pueden ser puestas juntas para producir la respuesta deseada de
un filtro.
A través de los años, una variedad de elementos FSS fueron introducidos
para aplicaciones de filtros pasa bandas y filtros rechaza banda. Varios de es-
tos tipos de elementos estan descritos en [41, 59]. Esta lista incluye arreglos de
los siguientes tipos de FSS: dipolos cruzados, tripolos y la cruz de Jerusalén,
formas circulares, placas metálicas tales como cuadrados y dipolos, dipolos de
44
Figura 3.1: Algunos tipos básicos de estructuras selectivas de frecuencia, lo

cuales por su simple forma geométrica, como los parches metálicos tienen
características capacitivas así mismo una malla tiene caraterísticas inductivas.
Dependiendo de las necesidades de la aplicación se pueden hacer uso de
estructuras con características tanto capacitivas como inductivas, tal es el caso
del dipolo cruzado y la cruz de Jerusalen [9].
tres o cuatro caras, anillos, lazos de cuadros y mallas de lazos de cuadros, etc.
como se muestra en la siguiente figura 3.1.
Dependiendo de las caracteristicas de la aplicación, existen diferentes di-

seños de FSS que pueden ser elegidos para satisfacer las demandas. Estas
caracteristicas incluyen niveles del ángulo de la onda incidente, niveles de po-
larización cruzada, ancho de banda y niveles de separación del ancho de ban-
da. Una comparación de las características anteriormente mencionadas de las
FSS más utilizadas se muestran en la siguiente tabla 3.1 [59]. Como por ejem-
plo, el dipolo cruzado tiene una separación de banda muy estrecha y el dipolo
es que tiene el ancho de banda más grande.
45
Elemento Ángulo de Nivel de Ancho de Ancho de

incidencia polariza- banda banda
ción amplio estrecho
cruzada
Dipolo cargado 1 2 1 1
Cruz de Jerusalen 2 3 2 2
Anillos 1 2 1 1
Tripolos 3 3 3 2
Dipolos cruzados 3 3 3 3
Ciclos de cuadros 1 1 1 1
Dipolos 4 1 4 1
Cuadro 3.1: Caraterísticas de algunos tipos de FSS para los requerimientos

de aplicaciones especificas, en donde los números representan los niveles de
cada característica [59].
3.1.2. Dimensiones de las FSS
El diseño de las FSSs está basado en la frecuencia de resonancia de los

elementos. Por ejemplo, un arreglo plano de tiras de dipolos, produce una res-
puesta en frecuencia que consta de múltiples cortes a frecuencias donde la
longitud de los dipolos es un múltiplo de media longitud de onda. Efectos simi-
lares como el de este pueden explicar el comportamiento de otros elementos.
Aunque la forma de los elementos tiene la mayor importancia sobre el com-

portamiento o de la respuesta en frecuencia, la manera en la que estos ele-
mentos son organizados es parte del trabajo de diseño, de cualquier forma, la
respuesta también depende de las características del substrato a usarse.
Estas características se obtienen en colaboración con las ondas electro-

magnéticas con el fin de adaptar un vínculo electromagnético en el entorno
del espacio libre. Actúan como una barrera para las ondas propagándose a
lo largo del vínculo. Las FSS controlan el flujo de energía electromagnética.
La función de transferencia de las FSS manipula el contenido espectral de la
onda, como resultado, algunas de las componentes en frecuencia de la onda
son bloqueados y algunas pasan a través del arreglo.
46
Figura 3.2: Al incidir una onda plana sobre el arreglo de las estructuras metáli-
cas, esta excita mediante una corriente eléctrica a las estructuras, la amplitud
de esta corriente depende de que tan fuerte sea el acoplamiento de la onda
con las estructuras metálicas. Alcanzando su punto mas alto en la frecuencia
fundamental donde la longitud de los elementos es λ/2. La distribución de esta
corriente en los elementos metálicos es la que determina el comportamiento
en frecuencia de la FFS.
3.1.3. Mecanismo de operación de las FSS

El mecanismo de operación de las FSS, está basado en la forma geomé-
trica de los elementos resonantes. Cuando una onda plana incide sobre el
arreglo de los elementos metálicos, esta excita a los elementos mediante una
corriente eléctrica como se muestra en la figura 3.2. La amplitud de esta co-
rriente generada depende de que tan fuerte sea el acoplamiento de energía
entre la onda y los elementos. El acoplamiento alcanza su nivel más alto a la
frecuencia fundamental donde la longitud de los elementos es λ/2. Como resul-
tado, los elementos son diseñados y distribuidos para que su resonancia sea
cercana a la frecuencia de operación deseada. Dependiendo de esta distribu-
ción, la corriente misma actúa como una fuente electromagnética, produciendo
un campo dispersado. El campo dispersado se agrega al campo incidente, el
cual constituye la totalidad del campo en el espacio que rodea a la FSS, por lo
tanto, la distribución de esta corriente en los elementos es la que determina el
comportamiento en frecuencia de las FSS. Esta corriente depende de la forma
geométrica de los elementos.
47
Figura 3.3: Cualquier elemento puede ser excitado en la frecuencia fundamen-

tal (f f ) en el plano de incidencia normal a la FSS (arriba, modo fundamental),
mientras que el primer armonico cercano a 2f f puede ser excitado sólo por
ángulos oblicuos de incidencia (abajo). Los armonicos pueden ocurrir en di-
ferentes frecuencias a partir de 2f f dependiendo de la forma geométrica del
elemento. Una interacción nula entre los modos de transporte se encuentra
entre f f y 2f f (sin lóbulos de rejilla) [41].
Dada la dependencia de las FSS sobre la longitud de onda, además del

primer modo fundamental, la excitación de los modos de orden superior son
inevitables. Como resultado, la frecuencia de resonancia de la FSS usualmen-
te tiene un alto contenido de armónicos. Los armónicos no solo afectan las
características en frecuencia de la FSS si no también degradan el rendimiento
del análisis porque algunos de los armónicos pueden ser excitados solamente
cuando el ángulo de incidencia cambia de la normal al plano de la FSS [9]. El
primer y el segundo modo posible se muestran en la siguiente figura 3.3.
Aunque la geometría de los elementos tiene una influencia crítica sobre el
comportamiento del filtrado, hay otros parámetros que pueden afectar la res-
puesta en frecuencia. Esto podría ser la elección del substrato de soporte para
las FSS y también el espacio entre los elementos. El substrato podría afectar
la frecuencia de operación y el ancho de banda de la respuesta. Por otra parte,
el espacio entre los elementos, tiene el problema del lóbulo de rejilla, que es
inherente a cualquier radiación, un espacio grande entre las FSS, es decir, una
separación entre los elementos del arreglo mayor a λ/2 genera lóbulos de rejilla,
por lo que generalmente se prefiere un espacio pequeño entre los elementos.
De cualquier forma, el espacio entre elementos puede también cambiar el an-
48
cho de banda, una separación grande produce un ancho de banda estrecho

[41].
3.1.4. Comportamiento de las FSS

Para la implementación de superficies selectivas de frecuencia, es necesa-
rio crear resonadores en un espacio bidimensional sobre un substrato. Para
producir tales características de resonancia, se requieren de efectos tanto in-
ductivos como capacitivos.
De acuerdo con la teoría electrostática, dos objetos conductivos conecta-
dos a diferentes voltajes construyen a un capacitor para el almacenamiento
de energía eléctrica. Esta energía está presente en el campo eléctrico, cuyos
contornos comienzan a partir de uno de los objetos y terminan en la tierra del
otro. Por lo que si se establece un campo eléctrico entre los dos conductores,
entonces se ha creado un capacitor. La capacitancia es proporcional al tamaño
de las áreas de solapamiento y es inversamente proporcional a la separación
de los parches.
Por el otro lado, una corriente eléctrica que fluye en sobre un cable, muestra
efectos inductivos de acuerdo a la teoría electrodinámica. Un campo magnético
es generado como resultado del movimiento de las cargas, el cual almacena
energía (concepto de inductancia). Del mismo modo, colocar un alambre en un
campo magnético variable con el tiempo que tiene una componente perpendi-
cular al alambre sobre el plano del alambre, produce una corriente eléctrica a
lo largo del alambre (inductor).
En investigaciones previas se han reportado superficies selectivas con ca-
racterísticas capacitivas e inductivas [41, 59]. Se ha reportado que un arreglo
periódico de parches metálicos produce una respuesta capacitiva sobre una
banda de frecuencias. Por otro lado, una malla, produce una respuesta induc-
tiva como se muestra en la figura 3.4.
Hay una solución analítica aproximada para el valor de la reactancia de las
estructuras periódicas descritas anteriormente [51]. Considerando el arreglo
de parches cuadrados metálicos con una longitud de lado l y una separación
s. La respuesta en frecuencia del arreglo periódico, se puede describir utilizan-
do una sola celda o un periodo del arreglo. De manera similar, se calcula la
inductancia aproximada a una rejilla de alambre en 2-D con una periodicidad p
49
Figura 3.4: Cuando una onda plana incide sobre un arreglo de parches meta-
licos, el campo electrico crea cargas positivas y negativas en las caras de los
parches adyacentes produciendo un capacitor, de manera similar, una malla
metalica paralela a la normal del campo magnetico actua como un inductor.
y el ancho del alambre w. La aproximación de primer orden de la capacitancia

del arreglo de parches y la inductancia de la malla de la rejilla, está dada en
[51] respectivamente por:

2l h πs i
C = 0 ef f log csc (3.1)
π 2l
p
πw
L = µ0 log csc (3.2)
2π 2p
Donde 0 es la permitividad del aire, ef f es la constante dieléctrica efectiva
del substrato y µ0 es la permitividad del aire.
3.2. Simulación de FSS usando las condiciones

de contorno periódicas en Ansoft HFSS
En esta sección se describe una visión general del análisis de onda com-
pleta de superfices selectivas de frecuencia (FSS) utilizando Ansoft HFSS. Las
FSS son matrices periódicas en un plano 2D con una medida infinita. Por lo
general, el problema de interés es la reacción de la FSS a una onda plana inci-
dente. Dado el tamaño infinito de las matrices de la FSS, se puede demostrar
(teorema de Floquet) de que la dispersión de toda la matriz se sabe apartir
de la información de un único período de la matriz (celda unitaria) que este
disponible. Esta condición supone una excitación onda plana. Este teorema se
50
3.3. Diseño de FSS para filtro con características capacitivas
utiliza en Ansoft HFSS para simular FSS. Esto se hace a través de la celda de
una unidad de modelado y aplicación de las condiciones de contorno periódi-
cas (PBC). La excitación es en general una onda plana incidente que choca
contra la FSS.
Después de dibujar la celda unitaria, el PBC se asigna como la condición
de frontera de cada par de paredes laterales opuestas del modelo con el fin
de decirle al solucionador de que esta celda unitaria pertenece a un arreglo
infinito en un espacio de dos dimensiones. En los lados superior e inferior
de la caja se usan capas perfectamente adaptadas (PML) para absorber las
ondas salientes. Por último, la excitación es elegida para formar la onda plana
incidente.
3.3. Diseño de FSS para filtro con características

capacitivas
Como se había mencionado anteriormente, el principal objetivo de fabricar
una FSS del tipo capacitivo, es servir de ejercicio para el diseño y la compren-
sión del funcionamiento, así como para sentar las bases de prueba para las
simulaciones y comprobarlas con las mediciones.
El diseño tiene las siguientes restricciones para mallas delgadas de cual-
quier tipo; el espesor (th) tiene que ser mucho menor a las aperturas o es-
pacio (g) entre las estructuras (th«g), y estando cercanamente a la región de
no difracción, la longitud de onda (λ) tiene que ser mayor al periodo de las
estructuras (λ > p) [54], como se muestra en la figura 3.5.
Mientras la razón p/λ sea más pequeña, la frecuencia de resonancia se
recorre a altas frecuencias, para obtener un periodo más pequeño que la lon-
gitud de onda y satisfacer la condición, se divide por un factor k, definiendo el
periodo del arreglo de parches como p = λ/k. Asi, se obtiene una expresión em-
pírica para un arreglo de parches metálicos en base a datos de simulaciones,
la frecuencia de resonancia está dada por:
fres ≈ 0.88k (c/λ) ←→ g/p < 0.6 (3.3)
Donde, k es el factor de la razón λ/p, c es la velocidad de la luz y λ la longitud
51
Figura 3.5: Ilustración de las dimensiones de una FSS de parches metálicos

para obtener un filtro con comportamiento capacitivo. Donde p es el periodo
del arreglo, g es la separación entre estructuras y l es la longitud del parche
metálico.
de onda de interés.
Definimos una λ = 2 mm y un periodo de un tercio de la longitud de onda

k = 3, obtenemos una frecuencia de resonancia de fres = 395GHz. Si defi-
nimos una transmitancia del 31 % y de acuerdo a [7], la separación entre los
elementos es de g = 288 µm.
La pendiente con la que cae la respuesta del filtro depende de la razón g/p,
por lo tanto tenemos una razón de la caída de la pendiente de 0.432. Un arreglo
de parches se comporta como una malla capacitiva, por lo que es muy difícil
obtener una razón g/p mayor a 0.6.
La simulación se hace por medio de HFSS, en la cual se utilizan PML en

ambos lados de la FSS, para absorber las ondas salientes como se describe
en la sección anterior y se muestra en la figura 3.6. Se hace un barrido de
frecuencias de 100 GHz a 1000 GHz para observar la respuesta en frecuencia
del filtro capativo como muestra en la figura 3.7.
52
3.3. Diseño de FSS para filtro con características capacitivas
Figura 3.6: Modelo de la celda unitaria para simulación en HFSS. El cuadro del
centro representa la FSS del tipo parche metálico de T i con un espesor th =
250 nm sobre una membrana de nitruro de silicio con un espesor de 1 µm. Una
onda incidente se propaga a lo largo de la dirección Z y polariza en dirección
X, normal a la FSS. La onda incidente termina en ambos extremos del modelo
sobre un PML (caja roja) .
Figura 3.7: Simulación en HFSS de la celda unitaria de la figura anterior con

un periodo p = 666 µm, separación g = 288 µm, longitud por lado de l = 378 µm
y un espesor th = 250 nm de T i.
53
Figura 3.8: Vista superior del modelo en SolidWorks de una FSS de parches
metálicos sobre una membrana de Si3 N4 de 10x10 mm2 con un marco de Si de
3 mm para obtener un filtro capacitivo.
En la figura 3.8 se hace un modelo del filtro en SolidWorks, para tener una
idea de la distribución de los parches metálicos sobre la membrana de Si3 N4 ,
esta cuenta con un marco de Si que sirve de soporte para la membrana y a su
ves para las FSS.
3.4. Dipolos cruzados como absorbedores de ra-

diación para TES
Los bolómetros tradicionales de banda ancha, requieren filtros externos pa-
ra definir la banda de absorción; los bolómetros selectivos en frecuencia incor-
poran superficies selectivas de frecuencia como elementos de absorción, me-
diante el ajuste de las propiedades geométricas de las FSS es posible crear
una banda de rechazo, que sea muy absorbente en este punto de rechazo y
casi completamente transparente a la radiación electromagnética a frecuen-
cias fuera de esa banda.
Esta propiedad, es la principal ventaja de los FSB, en la que se pueden
54
3.4. Dipolos cruzados como absorbedores de radiación para TES
colocar de forma compacta varios FSB con diferente frecuencia de absorción

para permitir la observación en diferentes bandas sin la necesidad de ópticas
complejas que causan demasiadas perdidas.
Los primeros trabajos realizados sobre FSS’s fueron sobre mallas capaci-
tivas e inductivas [54]. Trabajos posteriores expandieron el uso de las FSS’s
a aplicaciones astronómicas por medio del diseño de filtros pasa banda [42,
52, 48]. Estos filtros fueron formados perforando hojas metal-conductivas con
un patrón de dipolos cruzados y mostraron ser filtros pasa banda efectivos
[55]. Estos filtros de dipolos cruzados fueron diseñados con muy bajas perdi-
das e independientemente acompañados con un detector. Estos FSB tenían
un patrón de parches de metal resistivo el cual sus propiedades geométricas
absorbian frecuencias específicas de radiación. Incluyendo las perdidas por el
detector (termistor), crearon un bolómetro el cual tenía un perfil de absorción
de banda estrecha cerca de la frecuencia de interés [4].
La simple geometría del dipolo, nos permite absorber en un ancho de banda

estrecho. En su forma más simple, la geometría del dipolo cruzado se compor-
ta como otros dipolos estándar cuya frecuencia de resonancia es aproximada-
mente el doble de la longitud del dipolo. El patrón de dipolos cruzados puede
colocarse sobre un substrato ópticamente transparente al ancho de banda de
interés.
Además del dipolo cruzado, si se necesita un perfil de absorción más com-

plejo, existen diferentes superficies las cuales se pueden modelar sobre el
substrato. Una superficie importante es la del dipolo estándar, que se pue-
de utilizar para FSB de polarización sensible. En un FSB con dipolos estándar,
la radiación polarizada paralela al dipolo es absorbida y la radiación polarizada
perpendicular al dipolo pasa a través de el con bajas pérdidas. Si se necesitan
perfiles de absorción más complejos, los FSB pueden ser hechos desde patro-
nes más complejos como cruces de Jerusalén [31], anillosc[1] o el diseño de
patrones de mallas construidos en previos estudios de las FSS [41].
55
3.5. Diseño absorbedores para longitudes de on-

da milimétricas
Como se ha comentado anteriormente, los dipolos cruzados han demostra-

do ser buenos filtros pasa bandas con perfiles de absorción de banda estrecha
en la banda de interes, como se observa en la tabla 3.1 aparte de tener buena
polarización cruzada, son muy dependientes del ángulo de incidencia.
La respuesta óptica de los modelos de absorción, transmisión y reflexión

en la atmosfera pueden ser ajustados a un perfil Lorentziano [37] debido que
las alas de los costados son mas suaves por el gas contenido en ella, por lo
que este tipo de perfil se ajusta de mejor forma a los perfiles de transmisión y
absorción atmósferica.
Cada espectro modelado es ajustado a la siguiente función con tres pará-

metros libres a través de un ajuste por medio del método de mínimos cuadra-
dos.
A
f= 2 (3.4)
ν−ν0
1+ νhwhm
Donde A representa el pico máximo de pérdidas por absorción, reflexión

o esparcimiento, v0 es la frecuencia de máxima absorción o reflexión y vhwhm
es el ancho medio a altura media de la Lorentziana. Ajustando los parámetros
conocidos para una longitud de onda de 1.1 mm ,vo = 272.72 GHz ≈ 273 GHz,
A = 1 y vhwhm = 25 GHz obtendríamos el siguiente perfil Lorentziano (figura
3.9).
56
3.5. Diseño absorbedores para longitudes de onda milimétricas
Figura 3.9: Perfil Lorentziano para un absorbedor de longitud de onda de

1.1 mm dado por la expresión 3.4 con un pico máximo de perdidas A = 1 y
vhwhm = 25 GHz.
Si la frecuencia de resonancia está definida por la siguiente expresión
v0 = c/λres (3.5)
y las dimensiones del dipolo cruzado de acuerdo a [25] estan definidas

como
λres = 2.2l + a − 3.1b (3.6)
Donde de acuerdo a la figura 3.10, l es la longitud de los dipolos cruzados,

a es la separación entre cada estructura y b es el ancho del dipolo. Con estas
dimensiones podemos reescribir la expresion 3.4 como:
A
fres = 2 (3.7)
c
ν−( 2.2l+a−3.1b )
1+ νhwhm
57
Figura 3.10: Ilustración de las dimensiones de los dipolos cruzados como ab-
sorbedores. Donde g es el periodo del arreglo, l es la longitud del dipolo cru-
zado, 2b es el ancho del dipolo y 2a es la separación entre cada estructura.
Debido al comportamiento natural del dipolo, la longitud de onda de reso-

nancia es aproximadamente el doble de la longitud del dipolo. Por lo tanto, la
longitud del dipolo esta definida como [37]
λres
l= (3.8)
2.1
Para una longitud de onda de 1.1 mm tendríamos una longitud del dipolo
l ≈ 524 µm y un pico de perdidas ideal A = 1, haciendo el ajuste por medio
de mínimos cuadrados de la expresión 3.7 obtenemos los demás parámetros,
a = 75 µm y b = 35 µm.
Para poder observar el comportamiento del dipolo cruzado hacemos uso

del paquete HFSS, el cual nos permite simular las estructuras en altas frecuen-
cias. Al simular obtenemos una frecuencia de resonancia ubicada en aproxi-
madamente 254 GHz que no concuerda con la frecuencia de resonancia que
se desea.
58
Figura 3.11: Respuesta en transmisión de la simulación en HFSS del absorbe-

dor del tipo dipolo cruzado con medidas dimensionales l = 524 µm, a = 77 µm,
b = 53 µm y g = 678 µm.
En los dipolos cruzados y en general, la frecuencia de resonancia es des-

plazada de acuerdo al ancho del dipolo b, por lo que se cambia el valor de
b experimentalmente hasta ubicarlo en la frecuencia de resonancia deseada,
en este caso a 273 GHz como se observa en la figura 3.11. Obteniendo las si-
guientes dimensiones del dipolo cruzado, l = 524 µm, a = 77 µm, b = 53 µm y
g = 678 µm.
Como cambiamos las dimensiones del dipolo cruzado para ubicar la fre-
cuencia de resonancia en el punto deseado, si introducimos los valores dimen-
sionales modificados en la expresión 3.7 obtendríamos una respuesta en el
perfil Lorentziano con una frecuencia de resonancia de 282 GHz.
Definiendo las pérdidas como A = 1 − T , donde T son los datos de la

ganancia de transmisión dados por el parámetro S(2,1) de la simulación, po-
demos comparar las pérdidas con el perfil Lorentziano como se ilustra en la
figura 3.12 .
59
Figura 3.12: Azul: Perdidas (A = 1 − T ) en la transmisión de los datos de la

simulación del absorbedor de la figura 3.11. (- -) Perfil arrojado por las dimen-
siones del absorbedor (l = 524 µm, a = 77 µm, b = 53 µm y g = 678 µm) en la
expresión 3.10.
Para poder corregir este desplazamiento, la expresión 3.7 tiene que ser mo-
dificada y ajustada para obtener los parámetros correctamente. Esto se hace
encontrando los coeficientes (x, y) para el perfil Lorentziano y utilizando las
dimensiones de la estructura simulada, como se muestra en la siguiente ex-
presión.
A
f= 2 (3.9)
c
ν−( xl+a+yb )
1+ νhwhm
Utilizando los valores geométricos de la estructura simulada y tomando los

datos de la simulación, el pico máximo de las pérdidas A ≈ 0.971 y un νhwhm ≈
28 GHz. Por medio de un ajuste de minimos cuadrados se obtiene un valor
para x = 1.77 e y = 1.897 ≈ 1.9. Así de esta forma, obtenemos la expresión
para el perfil Lorentziano para obtener los parámetros dimensionales para la
simulación como se muestra en la siguiente expresión.
A
f= 2 (3.10)
c
ν−( 1.77l+a+1.9b )
1+ νhwhm
60
Figura 3.13: (-)Perfil Lorentziano ideal para un absorbedor de longitud de onda

de 1.1 mm (expresión 3.4) vs (- -)perfil ajustado por la expresión 3.10.
Haciendo una comparación del perfil Lorentziano ideal dado por la expre-
sión 3.4 y el perfil Lorentziano ajustado por la expresión 3.10 introduciendo las
dimensiones del dipolo cruzado simulado, A ≈ 0.971 y un νhwhm ≈ 28 GHz, se
observa que la frecuencia de resonancia deseada esta muy cerca del perfil
ideal como se muestra en la siguiente figura 3.13.
Otra propiedad que define el rendimiento óptico de un FSS es el ancho de
banda, donde ∆λ está definido como el ancho completo a altura media del
perfil y el factor de calidad Q está definido como el inverso del ancho de banda
fraccional. El factor de calidad del filtro Q está dado por la siguiente expresión
[37].
λres fres
Q= = (3.11)
∆λ νf whm
Como se observa en la figura 3.13, la estructura simulada tiene un vf whm =
57 GHz por lo que el factor de calidad del filtro es de Q = 4.75, teniendo un
factor de calidad bajo, para fines de diseño necesitamos un vf whm ≤ 50 GHz,
como en todos los dipolos, los dipolos FSS se espera que exhiban un mayor
ancho de banda a medida que aumenta el ancho del dipolo, en el caso con-
trario, si se disminuye el ancho del dipolo disminuye el ancho de banda, por
lo tanto se reduce el ancho del dipolo fijandolo en b = 15 µm y nuevamente
61
Figura 3.14: Comparación para observar como el ancho de banda depende

del ancho del dipolo, se redujo de 106 µm (–) a 30 µm (–). Se fija en 30 µm para
evitar cortes en los dipolos con el grabado de T i, utilizando el mismo espesor
que los parches metálicos, th = 250 nm T i.
se manipula la longitud del dipolo y la separación entre los elementos hasta

obtener la frecuencia de resonancia deseada, con esto tenemos las siguientes
dimensiones del dipolo cruzado l = 493 µm, b = 15 µm y a = 45 µm.
Sacando las pérdidas y comparando ambas simulaciones en la figura 3.14,
tanto para un ancho del dipolo de 2b = 106 µm y como para 2b = 30 µm ,
se observa que el ancho de banda disminuye al reducir el ancho del dipolo,
obteniendo un factor de calidad del filtro Q=6.06, aunque la frecuencia de re-
sonancia se desplazó un poco.
Debido a que estamos en la región de interés, con los datos obtenidos de la
simulación para disminuir el ancho de banda ( 2b = 30 µm ) y de la misma forma
que se hizo para obtener los coeficientes en la expresión 3.10, se encuentran
nuevos coeficientes para la expresión 3.9, se toman las dimensiones del dipolo
cruzado así como los valores de la simulación A = 0.9181 y Vhwhm = 22.5 GHz
para obtener la nueva expresión de las dimensiones de las estructuras.
A
f= 2 (3.12)
c
ν−( 2.15l+a+0.071b )
1+ νhwhm
62
Figura 3.15: Respuesta de las pérdidas (A = 1 − T ) para cada absorbedor con

los datos de la simulación comparadas con el perfil ideal Lorentziano dado por
la expresión 3.4 con longitud de onda de 1.1 mm, 2 mm y 3 mm.
Utilizando la expresión 3.12 obtenemos las dimensiones de las siguientes

estructuras absorbedoras para longitudes de onda de 2 mm y 3 mm, esto quiere
decir 150 GHz y 100 GHz respectivamente. En la siguiente tabla se muestran las
dimensiones de cada una de las estructuras.
λres fres l a b g
1.1 mm 273 GHz 493 µm 45 µm 15 µm 583 µm
2 mm 150 GHz 890 µm 81 µm 27 µm 1052 µm
3 mm 100 GHz 1336 µm 120 µm 41 µm 1576 µm
Cuadro 3.2: Dimensiones de los absorbedores del tipo dipolo cruzado para
longitudes de onda de 1.1 mm, 2 mm y 3 mm
Una vez obtenido las dimensiones de cada estructura, se simulan por medio
del programa HFSS y se obtienen los perfiles de perdidas para cada una de
las diferentes longitudes de onda comparadas con el perfil ideal dado por la
expresión 3.4 mostrado en la figura 3.15, así mismo se muestra el modelo de
la simulación y un modelo 3D en SolidWorks de la membrana de Si3 N4 que
actuará como soporte mecánico para las FSS en las figuras 3.16 y 3.17.
63
Figura 3.16: Modelo de la celda unitaria para simulacón en HFSS de los dipolos
cruzados como absorbedores para bolómetros. La cruz del centro representa
la FSS del tipo dipolo cruzado de T i con un espesor th = 250 nm sobre una
membrana de nitruro de silicio con un espesor de 1 µm. Una onda incidente se
propaga a lo largo de la dirección Z y polariza en dirección X, normal a la FSS.
La onda incidente termina en ambos extremos del modelo sobre un PML (caja
roja).
Figura 3.17: Modelo en SolidWorks de la membrana de Si3 N4 con la FSS del

tipo dipolo cruzado para un absorbedor de 1.1 mm de un espesor de 250 nm de
T i, ambas sostenidas por un marco de Si de 3 mm.
64
3.6. Conclusiones
3.6. Conclusiones
En este capítulo se logró el diseño de un filtro con características capa-
citivas, en base a los resultados de las simulaciones se obtuvo una expresión
empírica para la frecuencia de resonancia. El diseño de este filtro sirvió de ejer-
cicio para sentar bases de la configuración para las simulaciones por medio de
la utilización de PML con el programa HFSS. Así mismo, esta configuración se
utilizó para obtener las simulaciones de los absorbedores.
Una vez obtenido la configuración de las simulaciones, se parametrizó un
perfil Lorentziano a las dimensiones del dipolo para obtener una expresión que
por medio de un ajuste de minimos cuadrados nos regresara las dimensiones
de diseño para la FSS del tipo dipolo cruzado que actuará como material ab-
sorbende de radiación para bolómetros TES a longitudes de onda de 1.1 mm,
2 mm y 3 mm. Estos absorbedores, al incorporar tanto características capativas
como inductivas, tienen un funcionamiento de filtro rechaza banda, en donde
se espera que en el punto más bajo de la banda de rechazo sea el punto donde
se obtenga la máxima absorción.
Una vez que se tienen las dimensiones de los diseños con las medidas de
cada FSS, se procede a fabricar y caracterizar las membranas de nitruro de
silicio que servirán de soporte para las FSS. El procedimiento de fabricación
se describe en el siguiente capítulo 4.
65
66
Capítulo 4
FABRICACIÓN Y
CARACTERIZACIÓN DE
MEMBRANAS DE Si3N4
En este capítulo se abarcará tanto la preparación de las obleas para poder

fabricar las membranas de Si3 N4 de 10x10 mm2 , el objetivo de tener este ta-
maño de la membrana es porque su caracterización sera hecha por medio del
FTS del laboratorio de instrumentación astronómica, en el cual las mediciones
son hechas por medio de un cono de Winston con una diametro de apertura de
entrada de 10 mm. Las FSS estarán hechas de T i, por lo que las membranas
de Si3 N4 se metalizaron con T i con un espesor de 5 nm y 10 nm para medir las
pérdidas en este material.
4.1. Medición del espesor de nitruro de silicio

La medición se basa en elipsometría espectroscópica la cual mide los cam-
bios en el estado de polarización de la luz, después de haber sido reflejada
desde alguna superficie. El hecho de que sean medidos los cambios del es-
tado de polarización, en lugar de la intensidad absoluta de la luz, hace de la
elipsometría una técnica altamente sensible a la presencia de finas capas de
apenas algunos cuantos angstroms (Å). Como una herramienta no invasiva ni
destructiva, la elipsometría requiere solamente de una fuente de luz de baja
potencia y, en consecuencia, no afecta la mayoría de los procesos, lo que la
hace una herramienta conveniente para estudios in situ. Dicho análisis es no
destructivo y es útil para la determinación de espesores de películas delgadas
67
CAPÍTULO 4. FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE MEMBRANAS DE Si3 N4
Figura 4.1: Los puntos de medición se realizan sobre la mitad de la oblea de

3” de diámetro. Los puntos se colocan de tal forma que abarquen de manera
uniforme la oblea sobre la cara pulida que servirá para obtener las membranas
de Si3 N4 . Las mediciones de los puntos se hicieron con un elipsómetro, los
cuales se muestran en la siguiente tabla 4.1.
y constantes ópticas de materiales (índices de refracción) [17].
La medición se realizó por la parte pulida de la oblea, las mediciones se

hicieron con un elipsómetro con una longitud de onda de 6328Å. Las carac-
terísticas de la oblea son las siguientes: Espesor: 457 ± 15 µm 1 − 10Ω − cm
SSP + 10, 000Å Nitruro de Silicio a bajo estrés con un diametro de 3”. La me-
dición se realizó de acuerdo a la figura 4.1 con los puntos marcados, la cual
representa la mitad de la oblea, las mediciones se presentan en la tabla 4.1.
68
4.2. Fabricación de membranas por medio de maquinado anisotrópico
de Si
Punto Espesor (Å) Indice de Refracción (n)

A 10100 2.182
B 9979 2.197
C 10243 2.148
D 10152 2.169
E 10025 2.189
F 10062 2.180
G 10000 2.190
H 10157 2.183
I 10485 2.102
J 10027 2.182
K 10432 2.136
Cuadro 4.1: Resultado de la medición de puntos sobre la oblea.
Debido a la forma aspera y rugosa de la parte no pulida de la oblea que se

utiliza para hacer el grabado de los patrones mediante litografía, no esposible
obtener una medición ya que el haz del laser es dispersado y no es posible ob-
tener una lectura, por lo que el índice de refracción estequiómetrico promedio
es de 2.1689 de la cara pulida de Si3 N4 , el índice de refracción del Nitruro de
Silicio esperado es de 2.0105 [11].
4.2. Fabricación de membranas por medio de ma-

quinado anisotrópico de Si
4.2.1. Diseño de la mascarilla.

Para comenzar con el maquinado anisotrópico de Si con hidróxido de pota-
sio (KOH) es necesario diseñar una mascarilla con las dimensiones para poder
obtener una ventana de 10x10 mm2 y una de 3x3 mm2 sobre la cara pulida, de-
bido a que el maquinado se hace con un ángulo de 54.7°, es necesario hacer
los siguientes cálculos para obtener las ventanas tomando como referencia la
figura 4.2.
Para obtener una ventana de 10x10 mm2 .
457µm
x= = .323(2) = .647 + 10 = 10.647mm
tg(54.7°)
69
Figura 4.2: Angulo de grabado de para cavidades de Si con hidróxido de pota-

sio (KOH) en obleas con alineación 100 para obtener ventanas de 10x10 mm2 y
de 3x3 mm2 . El espesor de la oblea es de 457 µm la cual tiene en ambos lados
1 µm de Si3 N4 .
Para obtener una ventana de 3x3 mm2 .
457µm
x= = .323(2) = .647 + 3 = 3.647mm
tg(54.7°)
Debido a que el espesor de la membrana de Si3 N4 es de 1 µm y poder

realizar el corte sin romper las ventanas, se deja una cavidad de 100 µm entre
cada ventana para que con el mismo KOH haga el corte con un marco de 3 mm,
así mismo se deja un pequeño cuadro en los extremos de cada ventana para
que funcione como soporte y no se separen las ventanas cuando la cavidad del
Si sea muy delgada. Debido a las limitaciones de la máquina y por el tamaño
de la oblea de 3” se decide trabajar con cuartos de oblea. Todo este proceso
se realiza en los laboratorios de microeléctronica del INAOE.
4.2.2. Grabado de patrones mediante el proceso de litogra-

fía
La fotolitografía es un proceso empleado en la fabricación de dispositivos
semiconductores o circuitos integrados. El proceso consiste en transferir un
patrón desde una fotomáscara (denominada retícula) a la superficie de una
oblea como se muestra en la figura 4.3.
Una vez que se tiene la fotomascarilla, el siguiente paso es pasar el patrón
de las ventanas de 10x10 mm2 diseño de la fotomascarilla sobre la cara no
70
de Si
Figura 4.3: Ilustración del proceso de litografía, donde se transfiere un patrón

desde una fotomascarilla por medio de luz UV sobre la cara de la oblea cu-
bierta de fotoresina. El patrón se graba por medio de la luz UV y la fotoresina
expuesta se remueve con un revelador.
pulida de la oblea, la técnica de litografía se describe en los siguientes pasos.
Se aplica resina (+) AZ3027 por la cara no pulida de Si3 N4 y se esparse

a 4000 rpm por 30 seg.
Precosido en parrilla a 90 °C durante 60 seg.
Exposición a luz ultravioleta (UV) durante 50 seg con una λ entre 450 nm y
500 nm.
Recosido en parrilla a 120 °C durante 120 seg.
Revelado con AZ726 durante 60 seg.
4.2.3. Grabado de patrones por iones reactivos (“Reactive

Ion Etching“; RIE)
El grabado por iones reactivos (RIE) es una combinación de grabado en
seco por pulverización física y reactivos químicos a baja presión, que se puede
71
Figura 4.4: Ilustración del grabado por iones reactivos para dejar expuesto el Si
de las ventanas de 10x10 mm2 y 3x3 mm2 , el grabado remueve el área expuesta
al gas y deja el área cubierta por la fotoresina. Una vez hecho esto se remueve
la fotoresina con acetona y las obleas estan listas para el maquinado húmedo
con hidróxido de potasio (KOH).
aplicar en casi todos los materiales en la electrónica y en la óptica. El reactor

típico consta de una camara de vacío que contiene la oblea que suele ser de
aluminio, vidrio, silicio o cuarzo; una fuente de energía de radiofrecuencia (RF)
por lo común de 450 kHz, 13, 56 MHz o 40, 5 MHz y de un módulo de control
que regula el tiempo del proceso, la composicion del gas reactivo, el caudal
de gas y el nivel de potencia de la RF. El RIE utiliza un bombardeo iónico
para lograr un grabado direccional, y también un gas químicamente reactivo
para mantener una buena selectividad de la capa de grabado. Una descarga
eléctrica crea un plasma de “radicales libres” (iones) reactivos con energía de
algunos centenares de electrovoltios. Los iones inciden verticalmente sobre la
superficie de la oblea, donde reaccionan para formar sustancias volátiles que
se eliminan mediante un sistema de vacío a baja presión en serie, el proceso
se muestra en la figura 4.4.
Realizada la litografía se pasa al grabado RIE para remover el Si3 N4 ex-
puesto de la cara no pulida mediante el calentamiento del gas CF4 al aplicarle
una potencia de 200 W forma un plasma el cual remueve el Si3 N4 . Este proceso
se describe en los siguientes pasos.
Se depositan los cuartos de oblea en la camara RIE.
72
de Si
Figura 4.5: Si expuesto para las ventanas de 10x10 mm2 y 3x3 mm2 en cada
cuarto de oblea despues de grabado RIE, listo para comenzar el maquinado
con KOH .
Se libera gas CF4 (F reón14) dentro de la camara RIE con una presión
de 300 mT.
Se aplica una potencia de 200 W durante 40 min.
Asi al final de este proceso, ha sido removido el Si3 N4 de la cara no pulida

como se muestra en la figura 4.5 y queda al descubierto el Si para poder
empezar con el maquinado anisotropico de Si con KOH .
4.2.4. Maquinado anisotrópico de Si

El proceso de maquinado se realiza con Hidróxido de Potasio (KOH) a
45 % sin diluir a una temperatura de 80 °C inicialmente por un lapso de 10 hrs
y 1 hr a una temperatura de 860 °C, revisando el maquinado cada 2.5 hrs y mi-
diendo la profundidad de grabado sobre el silicio en el orden consecutivo de
las siguientes figuras 4.6, 4.7, 4.8, 4.9, 4.10, se muestra en avance del micro-
maquinado del Si bajo la vista de un microscopio.
73
80 °C: 2.5 hrs, avanzado 106 µm.
Figura 4.6: Transcurridas 2.5 hrs de maquinado con KOH, se observa la rampa
de grabado sobre la oblea, la cual tiene una proyección sobre la parte superior
de 75 µm, de acuerdo a esto tenemos una profundidad de 106 µm.
80 °C : 5 hrs, avanzado 212 µm.
Figura 4.7: Con 5 hrs de maquinado con KOH, tenemos una proyección de
la rampa de 150 µm por lo cual tenemos una profundidad en el maquinado de
212 µm sobre el silicio de la oblea.
80 °C : 7.5 hrs, avanzado 318 µm.
Figura 4.8: A 7.5 hrs de maquinado con KOH, tenemos una proyección de la
rampa de grabado de 225 µm por lo tanto tenemos una profundidad de 318 µm
sobre el Si.
74
de Si
Figura 4.9: A 10 hrs de maquinado con KOH, tenemos una proyección de la

rampa de grabado de 310 µm por lo tanto tenemos una profundidad de 438 µm
sobre el Si.
Como se puede observar en las imágenes, la parte oscura es la rampa que

se va generando sobre el Si por el grabado con un espesor aproximadamente
de 310 µm, por lo que llevamos una profundidad en el Si aproximadamente de
438 µm, la parte clara es la parte del Si3 N4 el cual al ser expuesto a la luz, esta
lo atraviesa sin ningun problema, lo que resta del Si es una capa muy delgada,
para controlar el grabado, se reduce la temperatura a la que actua el KOH a
60 °C.
Figura 4.10: A 11 hrs con temperatura de maquinado de 60 °C , con una proyec-

ción de la rampa de 315 µm y una profundidad de 445 µm, en este momento el
Si a sido removido completamente dejando expuesta la membrana de Si3 N4 .
75
Figura 4.11: Obtención de 12 ventanas de 10x10 mm2 y 4 ventanas de 3x3 mm2

de Si3 N4 despues de 11 hrs de maquinado sobre una oblea de 3” de diametro.
Como se puede observar en la figura 4.10 la rampa está más definida, te-
niendo un espesor de 315 µm aproximadamente, por lo que haciendo los cálcu-
los tendríamos avanzado 445 µm sobre el Si, si la oblea tiene 457 µm ± 20 µm,
por lo que en este punto detenemos el proceso de maquinado anisotrópico del
Si.
En este punto, en los cuartos de las obleas, las membranas de Si3 N4 de

10x10 mm2 y 3x3 mm2 estan al descubierto como se observa en la figura 4.11
y son demasiado frágiles, por lo que se manipulan con demasiado cuidado.
En esta etapa el Si ha sido totalmente removido dejándonos al descubierto

la ventana de Si3 N4 que es la de interés para nosotros, teniendo un avance por
lapsos de 2.5 hrs, ahora podemos crear un perfil para el maquinado del silicio
como se muestra en la siguiente figura 4.12.
76
4.3. Metalización y medición de perfiles de Ti de 10 nm y 5 nm
Figura 4.12: Perfil de grabado húmedo anisotrópico de Si en KOH durante

11 hrs, con el cual se obtuvo una razón de grabado de 42 µm/hr aproximada-
mente.
4.3. Metalización y medición de perfiles de Ti de

10 nm y 5 nm
En la técnica de deposición mediante evaporación, el calentamiento del
material hasta la fusión se lleva a cabo mediante el paso de una corriente
eléctrica a través de un filamento o placa metálica sobre el cual se deposita
el material. El vapor del material termina condensándose en forma de lámina
delgada sobre la superficies fría del substrato y las paredes de la cámara de
vacío como se muestra en la figura 4.13.
Normalmente la evaporación se hace a presiones bajas, del orden de 10−6
o 10−5 Torr, con objeto de evitar la reacción del vapor con la atmósfera ambien-
te. A estas presiones bajas, el recorrido libre medio de los átomos de vapor es
del orden de las dimensiones de la cámara de vacío por lo que estas partículas
viajan en línea recta desde la fuente de evaporación (crisol) hasta el substrato.
También se usan otras formas de calentamiento como el de inducción median-
te una bobina de RF rodeando un crisol de grafito o de BN, donde se funde el
material que se quiere evaporar. El montaje de la técnica es simple, y resulta
77
Figura 4.13: Ilustración de una camara de evaporación, las muestras se colo-

can sobre un carrusel que gira alrededor del crisol y mediante un filamento se
calienta el material hasta su punto de sublimación.
muy apropiada para depositar metales y algunos compuestos de bajo punto de

fusión (Al, Ag, Au, SiO, etc.).
Los metales típicos usados como resistencia de calentamiento son el tan-
talio (Ta), molibdeno (Mo), wolframio o tungsteno (W) los cuales presentan
una presión de vapor prácticamente nula a la temperatura de evaporación
(Tevap = 1000 − 2000 °C).
4.3.1. Depósito de Ti
El depósito de Ti se realiza mediante una evaporadora con una camara
de vacío, el material se calienta por medio de filamento que lanza un haz de
electrones al crisol con la potencia suficiente para llegar a la temperatura de
fusión del material y que empieze a sublimar el material. Los parámetros del
depósito de Ti son los siguientes.
Vacio de 10x10−6 mBars y Potencia de 1 mA.
Densidad de 4.520 gr/cm y Z-ratio de 0.628
Tooling de 103.7 %
78
4.3. Metalización y medición de perfiles de Ti de 10 nm y 5 nm
Figura 4.14: Imagen del mapa de la superficie de la muestra de 10 nm de T i,

en donde se observa que la superfie no es completamente uniforme.
4.3.2. Medición de espesores con perfilometro óptico
Los perfilometros ópticos permiten un análisis completo de la forma y aspe-

ridad de una superfidie de manera rápida, completa y sin decesidad de contac-
to. Objetos con pasos o elecaciones a escalas nanométricas se pueden medir
en una fracción de seundo mientras que objetos a escala milimétrica se pue-
den medir casi igual de rápido. Los perfilometros ópticos usan luz blanca ara
tomar mediciones en millares de puntos. La habilidad de proveer este nivel de
datos, sin necesidad de rayar o contactar la muestra indica su aplicación en
numerosos procesos de investigación y manufacturación. La medición exacta
de superficies también desempeña un papel importante en varios mercados de
la energía verde como: superficies de paneles solares, turbinas utilizadas para
captar energía del viento, producción de LED’s para iluminación, la captura de
energía usando dispositivos MEMS, etc.
Las mediciones se llevan acabo sobre trozos de oblea pilotos que se me-
tieron junto con las ventanas al proceso de evaporacion de T i, la medición se
lleva acabo con el perfilometro de Veeco Instruments, Inc. donde se obtienen
los perfiles de la superficie como se muestran en la figura 4.14.
79
4.4. Caracterización de membranas por medio de

espectroscopía de transformada de Fourier
4.4.1. Espectrómetro de transformada de Fourier
El FTS está basado en un interferómetro Martin-Puplett, el cual usa un po-

larizador de rejilla de alambre como un divisor de haz y espejos superiores
para reflejar. La ventaja de este diseño, el cual es una adaptación del interfe-
rómetro de Michelson, es que es posible proveer 2 entradas y 2 salidas de haz
de luz por la inclinación de los polarizadores a 45° para la radiación incidente.
Este haz entra por una ventana del criostato y llega a un bolómetro de Ge
NTD adherido a un material absorbente hecho de una oblea de silicio recu-
bierta con una película de diamante de 2 mm de radio que está montado en
conjunto con una resistencia de carga y la óptica de un cono de Winston ma-
nufacturado por Infrared Laboratories (Figura 4.15).
El espectrómetro consta de cuatro secciones principales:
El interferómetro donde el haz a analizar se combina con un haz de refe-

rencia y se construye el interferograma.
Un sistema de detección bolométrico que cuantifica la potencia recibida

del interferómetro.
Circuito de lectura y amplificación de la señal
Sistema de adquisición de datos con el que se registra y almacenan los

datos obtenidos en las secciones anteriores.
80
transformada de Fourier
Figura 4.15: a) Configuración actual del FTS del INAOE (panel izquierdo). El
FTS está basado en un interferómetro de tipo Martin-Puplett y acoplado a una
cámara bolométrica operada a 4.2 K. b) El FTS mide y registra un interferogra-
ma (panel superior derecho), que representa la distribución de energía en el
dominio espacial. c) Por medio del cálculo de la transformada de Fourier inver-
sa se obtiene la información espectral de la fuente (panel inferior derecho).
4.4.2. Medición de espectros por medio del FTS
La mediciónes de cada membrana se realizó por medio del espectrómetro

de transformada de Fourier (FTS) en el laboratorio de instrumentación astro-
nómica.
La figura 4.16 muestra el diagrama a bloques de las etapas que se necesi-

tan para obtener un interferograma y la respuesta espectral de cada muestra.
El primer paso aplicar una radiación de entrada, esto se hace por medio de
un cuerpo el cual nos da la potencia de entrada suficiente para poder hacer
las mediciones, esta radiación va hacia el FTS el cual es controlado con un
programa desde LabView.
81
Figura 4.16: Diagrama a bloques de cada una de las etapas para obtener un
espectro de la muestra. La potencia de entrada es la radiación de un cuerpo
negro a 1150◦ C, la cual recorre el FTS y entra por la ventana del criostato, una
vez en el interior es reflejada por unos espejos hacia la muestra y recolecta-
da por un cono de Winston. La radiación es convertida a una señal eléctrica
por medio del bolómetro, se amplifica y demodula para su adquisición en una
PC para formar un interferograma y obtener su espectro en frecuencia por la
transformada de Fourier.
La radiación es concentrada hacia el bolómetro por medio de un cono de

Winston, la señal del bolómetro es amplificada y demodulada por medio de
una señal de referencia en el LOCK IN, los datos pasan hacia la computado-
ra por medio de una tarjeta de adquisión de datos (DAC) y son procesados
por el programa de LabView para obtener el interferograma y su espectro en
frecuencia correspondiente.
Se diseño y se manufacturo la montura para colocar (figura 4.17), por un

lado el filtro pasa-banda y por el otro las membranas de Si3 N4 para que es-
tuvieran completamente sujetadas y alineanas con la apertura de entrada del
cono de Winston.
Fabricada la montura se procede a hacer las mediciones por medio del

FTS de la membrana pura de Si3 N4 así como las que se metalizaron con T i
de 10 nm y 5 nm. Estas se colocan sobre la montura y en frente de la apertura
de entrada del cono de Winston sobre el plato frío de 4K del criostato como se
muestra en la figura 4.18.
82
transformada de Fourier
Figura 4.17: Montura de aliminio para colocar el filtro y la membrana de mues-

tra en la apertura de entrada del cono de winston.
Figura 4.18: Vista interna del plato frio a 4K del criostato de ciclo abierto de
LHe/LN2, donde se muestra la membrana de Si3 N4 colocada sobre la montura
a la entrada del cono concentrador de Winston para su caracterización.
83
Figura 4.19: En azul, el espectro del filtro pasa-banda, en rojo el espectro de

la membrana de Si3 N4 , en verde y rosa el espectro de las membranas metá-
lizadas con T i respectivamente, en donde se observan las pérdidas por el la
membrana pura de Si3 N4 y las metálizadas con diferentes diferentes espeso-
res de T i.
4.4.3. Caracterización de las membranas de Si3 N4 y Si3 N4 +

Ti
Para caracterizar la membrana de Si3 N4 , se toman varios interferogramas
con el FTS y despues se procesan por medio de LabView para obtener la res-
puesta en frecuencia de cada interferograma y se promedian con la finalidad
de reducir el ruido sistematico en las mediciones. La respuesta en frecuencia
se compara con la respuesta en frecuencia de un filtro pasa banda con un an-
cho de banda de 100GHz aproximadamente para poder observar las pérdidas
de la membrana pura de Si3 N4 y las membranas de Si3 N4 metalizadas con T i
de 10nm y T i de 5nm, los resultados de la caracterización se muestran en la
figura 4.19.
Se normaliza todos los espectros al valor máximo del espectro del filtro pa-
ra poder apreciar de mejor forma las atenuaciones de cada espectro, como
se muestra en la siguiente figura 4.20. Estas atenuaciones son debidas a las
pérdidas de absorción, reflexión y esparcimiento por los materiales que consti-
tuyen cada membrana y a su vez bloquean el paso del haz de luz, por lo tanto,
como se observa en la siguiente figura 4.20, las pérdidas por el Si3 N4 son
84
de Si3 N4
Figura 4.20: Espectros normalizados al valor máximo del espectro del filtro
pasa-banda para reducir el ruido y observar de mejor forma las atenuaciones.
casi nulas, por lo que el Si3 N4 para longitudes de onda milimétricas es casi
transparente, pero al depositar titanio observamos que las pérdidas aumentan
conforme al espesor y de esta forma atenúa más la señal.

de Si3N4
El índice de refracción es una medida que determina la reducción de la
velocidad de la luz al propagarse por un medio homogéneo. En este caso, el
medio es Si3 N4 , para obtenerlo necesitamos calcular la transmisión que esta
definida por la siguiente expresión.
Po (ν)
t(ν) = (4.1)
Pi (ν)
Donde Po es la potencia de salida y Pi la de entrada, si consideramos la
potencia de entrada al espectro tomado con el filtro y la de salida el espectro
del Si3 N4 , de esta obtenemos la transmisión pura del Si3 N4 al eliminar el ruido
sistematico y cualquier otra contribución por el filtro.
Suponiendo que las pérdidas por absorción y esparcimiento son casi nulas
85
y despreciables en el Si3 N4 . Podemos calcular la reflexión en función de la

frecuencia con la siguiente expresión:
t(ν) + r(ν) = 1 (4.2)
1−n 2 2R

Si substituimos R = 1+n
yr= 1+R
, tenemos:
2n
t(ν) = (4.3)
n+1
Si igualamos la expresión 4.1 y la expresión 4.3, tenemos:
Po (ν) 2n
t(ν) = = (4.4)
Pi (ν) n+1
Así podemos encontrar el índice de refracción en función de la frecuencia

para el Si3 N4 como se muestra en la siguiente expresión:
p
1+ 1 − t(ν)2
n1 (ν) = (4.5)
t(ν)
p
1− 1 − t(ν)2
n2 (ν) = (4.6)
t(ν)
Los datos a considerarse para la transmisión estan en el rango de fre-

cuencias delimitado por el ancho completo a potencia media del espectro de
245 GHz a 280 GHz, esto con la finalidad de asegurar que se esta por encima
del nivel de ruido, así obtenemos el índice de refracción como se muestra en
la siguiente figura 4.21.
86
de Si3 N4
Figura 4.21: Índice de refracción para el Si3 N4 , si valor mínimo para el índice
de refracción es el del aire n = 1, se desecha el valor n2 y se toma n1, para el
cual, el valor promedio para el Si3 N4 es n = 1.7855 en el rango milimétrico.
Si las pérdidas por absorción, reflexión y esparcimiento estan dadas por la

siguiente expresión, entonces podemos calcular cuales son las pérdidas para
el Si3 N4 , Si3 N4 + 10nm T i y Si3 N4 + 5nm T i.
A(υ) = 1 − t(υ) (4.7)
Donde A son las pérdidas por el material t(υ) es la transmisión en el rango

del ancho completo a potencia media, por lo tanto, el valor promedio en las
pérdidas en la transmisión por el Si3 N4 corresponden a un 13.92 % y principal-
mente son por reflexión de la membrana, Si3 N4 + 10nm T i corresponden a un
73.25 % y para Si3 N4 + 5nm T i corresponden a un 51.84 %, en este caso las
pérdidas son principalmente por absorción del material como se muestra en la
figura 4.22.
87
Figura 4.22: Debido al acoplamiento de la impedancia de vacio con las mem-

branas, las pérdidas en la membrana de Si3 N4 son principalmente por reflexion
al ser un dieléctrico pero en las membranas metalizadas de Si3 N4 + 10 nm T i
y Si3 N4 + 5 nm T i las pérdidas son principalmente por absorción.
4.6. Conclusiones
Se fabricaron membranas de Si3 N4 en las cuales el tiempo de maquinado
con KOH fue alrededor de 11 hrs, algunas de estas muestras fueron metali-
zadas con Ti ya que es el material con el cual están echas las FSS y por lo
tanto fue necesario medir las propiedades de absorción del metal sobre un
dieléctrico.
La caracterización se realizó con espectroscopía de transformada de Fou-
rier por medio del FTS donde se define una banda optica por medio de un filtro
pasa-banda. Las obtención de cada espectro con una resolución de 1 GHz y
una frecuencia máxima de 500 GHz se realiza en un lapso de 80 min.
Se logró obtener un indice de refracción de n = 1.7855 cercano al esperado
donde dependiendo del tipo de deposición por plasma puede variar entre 1.8 y
2.2. Por otra parte, de estas mismas mediciones fue posible medir las pérdidas
en las diferentes membranas.
Donde las principales pérdidas en la membrana de Si3 N4 al ser un dieléc-
trico puro, la mayor parte de las pérdidas son por reflexión. Por otra parte, en
88
4.6. Conclusiones
las membranas metalizadas, al tener un acoplamiento con el metal (T i) las

pérdidas principalmente son por absorción. El comportamiento de las pérdidas
fue el esperado conforme se aumento el espesor de T i.
89
90
Capítulo 5
FABRICACIÓN Y
CARACTERIZACIÓN DE FSS
Como se observó en el capitulo 4, las pérdidas por la membranas de Si3 N4

a longitudes de onda milimétricas son pocas y casi despreciables, por lo que
son un buen soporte para colocar las FSS. De la misma forma, el material
a utilizarse para las FSS es Ti debido a que ya se tienen mediciones con
espesores pequeños y se observa una buena absorción del material. Como
las FSS no ocupan todo el espacio de la membrana de manera uniforme, si no
solo por pequeños espacios por el tamaño de cada estructura FSS, el espesor
de Ti de las FSS se deja en 250 nm.
5.1. Fabricación y depósito de Ti
En el capítulo anterior se mostró como fue realizada la fabricación de las

membranas de Si3 N4 y la metalización con Ti, en este caso las membranas
de Ti funcionarán como soporte para las FSS y el material a utilizarse para la
fabricación sera Ti de 250 nm.
Una vez que se tiene el depósito de Ti de 250 nm, por medio del proceso
de litografía se imprime el patrón de las FSS sobre las membranas y se hace
el grabado por medio de una solución compuesta de ácido fluorhídrico (HF ),
ácido nítrico (HN O3 ) y agua desionizada (H2 O) en una relación (1 : 1 : 20)
durante 25 seg para finalmente obtener las FSS.
91
CAPÍTULO 5. FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE FSS
Figura 5.1: Ambas caras del filtro capacitivo a 394 GHz sobre las membranas
de Si3 N4 .
Figura 5.2: Ambas caras del absorbedor para una longitud de onda de 1.1 mm
sobre las membranas de Si3 N4 .
92
5.1. Fabricación y depósito de Ti
Figura 5.3: Ambas caras del absorbedor para una longitud de onda de 2 mm
Figura 5.4: Ambas caras del absorbedor para una longitud de onda de 3 mm
93
Figura 5.5: Comparación con la simulación de los absorbedores y el filtro capa-

citivo contra la simulación de la transmisión atmosferica dada por el programa
AT para un vapor de agua precipitable de 1 mm. En donde se observa que
cada absorbedor cae en una ventana de transmisión y no en una línea de ab-
sorción de agua. Por otro lado, el comportamiento del filtro capacitivo borraría
por completo una ventana de transmisión.
5.2. Medición de FSS por medio de espectrosco-

pía de transformada de Fourier
Las mediciones se hacen de la misma forma que se hicieron para carac-

terizar las membranas de Si3 N4 por medio del FTS donde la muestra que se
indica en la figura 4.16 ahora seran las FSS, en este procedimiento se remueve
el filtro pasa banda debido a que las frecuencias de resonancia de cada FSS
no se encuentran dentro del rango del filtro pasa banda.
Para tener una idea de lo que se espera de la respuesta espectral de cada
absorbedor, se hace una comparación de la simulación de transmisión atmos-
ferica para un vapor de agua precipitable de 1 mm comparandola con la simu-
lación de cada absorbedor así como con la respuesta del filtro (figura 5.5). De
la misma forma que en capítulo anterior, se obtienen seis espectros para reali-
zar un promedio y aumentar la señal a ruido, para eliminar el ruido sistemático
de las mediciones se toman seis espectros del marco sin membrana de Si3 N4
como señal de referencia y poder obtener la respuesta espectral pura de cada
94
5.2. Medición de FSS por medio de espectroscopía de transformada de
Fourier
Figura 5.6: Espectros promediados del marco de Si en azul vs el espectro de

la FSS de parches metálicos en rojo , en el cual se observa claramente el
comportamieto del filtro capacitivo esperado.
FSS.
Figura 5.7: Espectros promediados del marco de Si vs el absorbedor a 1.1 mm,

en donde se alcanza a observar muy tenue el comportamiento del absorbedor,
aunque se tiene mucho ruido debido a la frecuencia de corte del cono de wins-
ton.
Se comparan las mediciones del espectro del marco sin membrana de

Si3 N4 con los espectros de filtro capacitivo (figura 5.6) y del absorbedor de
95
1.1 mm (figura 5.7).
Si la respuesta espectral total de entrada del sistema con el marco de Si se

define de la siguiente manera:
RT in = Rcn RF T S RF RM (5.1)
Donde Rcn es la respuesta espectral de la potencia de entrada del cuerpo

negro, RF T S es la respuesta espectral del FTS y RF RM es la respuesta es-
pectral del marco de Si sin la membrana de Si3 N4 . Por lo tanto, la respuesta
espectral total del sistema de medición seria:
Rout = RT in (5.2)
Ahora, con la FSS colocada al final del sistema para su medición, la res-
puesta espectral total de salida quedaria de la siguiente forma:
0
Rout = Rcn RF T S RF RM RF SS (5.3)
Por lo tanto si substituimos la expresión 5.1 en 5.2 y esta en 5.3 y despeja-

mos la respuesta espectral de la FSS, esta queda dfinida como:
0
Rout
RF SS = (5.4)
Rout
De esta forma eliminamos el ruido sistemartico del sistema experimental y

obtenemos la respuesta espectral del filtro pasa bajas mostrado en la figura
5.8 y del absorbedor de 1.1 mm mostrada en la figura 5.9.
96
5.2. Medición de FSS por medio de espectroscopía de transformada de
Fourier
Figura 5.8: Comparación de la respuesta espectral de la FSS de parches me-

tálicos a 394 GHz (Azul) dada por la expresión 5.4 y la simulación arrojada por
HFSS (rojo).
En la figura 5.8 observamos el comportamiento de la respuesta espectral

de las mediciones tomadas con el FTS en línea azul, en rojo son los datos de
la solución numérica dada por el programa HFSS.
En esta figura se observa como los datos de la respuesta espectral con-

cuerdan de buena forma con los datos de la solución numérica de HFSS, en
donde se observa el comportamiento capacitivo antes de la frecuencia de re-
sonancia que ocurre aproximadamente a 395 GHz, en donde la caída es suave
y sin efectos de difracción como lo menciona [54], también se observa que
después de la frecuencia de resonancia existen oscilaciones debido a estos
efectos.
Otra cosa importante que hay que considerar es una pequeña atenuación
de la señal de la solución numérica y la señal medida con el FTS, esto puede
ser debido a las pérdidas en el sistema, ya que en la solución numérica de
HFSS es una solución ideal sin pérdidas en el medio, en este caso vacío.
97
Figura 5.9: Comparación de la respuesta espectral de la FSS de dipolos cru-

zados para un absorbedor de longitud de onda de 1.1 mm (Azul) dada por la
expresión 5.4 y la simulación arrojada por HFSS (rojo).
En la figura 5.9 observamos el comportamiento de la respuesta espectral

de las mediciones tomadas con el FTS en línea azul, en rojo son los datos de
la solución numérica dada por el programa HFSS.
En esta figura se observa como estamos afectado por la frecuencia de corte
del cono de Winston que ocurre aproximadamente a 225 GHz, por lo cual no es
posible observar de forma clara la frecuencia de resonancia del absorbedor a
1.1 mm.
Como estamos completamente inmersos en la región de ruido, no es posi-
ble seguir con la caracterización de los absorbedores para longitudes de onda
de 2 mm y 3 mm, por lo que estas mediciones quedan como trabajo a futuro.
5.3. Conclusiones
Las mediciones hechas por espectroscopía de transformada de Fourier por
medio del FTS corroboran de forma eficiente el diseño y las simulaciones he-
chas para el filtro con características capacitivas. Ya que las mediciones de la
respuesta espectral del filtro capacitivo sigue de forma eficiente la simulación
echa en HFSS.
98
5.3. Conclusiones
Las pérdidas en la transmisión son mayores en la FSS de parches metálicos

despues de la frecuencia de resonancia ya que existen efectos de difracción,
antes de la frecuencia de resonancia la FSS transmite todo el contenido es-
pectral de radiación, lo cual corrobora el comportamiento de filtrado capacitivo.
Por otra parte, la medición de la respuesta espectral que se realizó para el
absorbedor a una longitud de onda 1.1 mm, aunque no observamos de forma
clara la frecuencia de resonancia debido a la proximidad de la frecuencia de
corte del cono que ocurre aproximadamente a 225 GHz, pero una ventaja que
nos permitió observar esta medición, fue que la FSS con estructuras del tipo
dipolo cruzado transmite la mayor parte de la radiación fuera de la frecuencia
de resonancia con bajas pérdidas como se observa en la figura 5.7.
Las mediciones para los absorbedores de radiación para longitudes de on-
da de 2 mm y 3 mm no fue posible realizarse ya que la principal limitante del
sistema de medición es la frecuencia de corte del cono de Winston, que como
se habia mencionado anteriormente ocurre a una frecuencia de 225 GHz, que-
dando inmersos las mediciones de 100 GHz y 150 GHz en el ruido del sistema
de medición, lo cual queda a trabajo a futuro.
99
100
Capítulo 6
CONCLUSIONES
En este trabajo se muestra la importancia de trabajar con bolómetros super-

conductivos TES, ya que al operar en la transición al estado superconductivo,
un cambio pequeño de temperatura causa grandes incrementos en la resisten-
cia. Esta característica es la principal ventaja de este, ya que hace al bolómetro
un dispositivo muy sensible. Por otra parte, al operar al TES con polarización
en voltaje y al tener un valor de α grande, por un lado, es posible disminuir
el ruido de Johnson en el termistor en una proporción Ijh ∝ 1/α2 y mantener
constante el ruido de fonones, y por el otro es posible aumentar el ancho de
banda así como mantener su temperatura de operación constante.
El objetivo principal de diseñar superficies selectivas de frecuencia es para
ser utilizada como absorbedor de radiación en un bolómetros TES. Se diseño
un filtro de parches metálicos con características capacitivas que sirviera de
base para establecer la configuración de las simulaciones y así mismo corro-
borar el diseño con mediciones echas con espectrometría de transformada de
Fourier. La expresión 3.3 para la respuesta en frecuencia del parche metáli-
co, se obtuvo basada en simulaciones, en las cuales se modificó el tamaño
del parche y el periodo del arreglo para observar su comportamiento y poder
determinar la expresión.
Las mediciones hechas por espectroscopía de transformada de Fourier por
medio del FTS corroboran de forma eficiente el diseño y las simulaciones he-
chas para el filtro con características capacitivas. Ya que las mediciones de la
respuesta espectral del filtro capacitivo sigue de forma eficiente la simulación
echa en HFSS. Las pérdidas en la transmisión son mayores en la FSS de par-
ches metálicos después de la frecuencia de resonancia ya que existen efectos
de difracción, antes de la frecuencia de resonancia la FSS transmite el con-
101
CAPÍTULO 6. CONCLUSIONES
tenido espectral de radiación, lo cual corrobora el comportamiento de filtrado

capacitivo.
Se fabricó por medio de maquinado anisotrópico de Si ventanas de 10x10 mm2
y de 3x3 mm2 y en un cuarto de oblea de 3 in. Obteniendo en un periodo de
tiempo de 11 hrs las membranas de Si3 N4 . En los primeros experimentos de la
fabricación, la principal dificultad que se tuvo fue el corte de cada ventana, ya
que intertar ser separadas por el cortador de obleas, estas se quebraban. La
solución fue hacer otra mascarilla, donde se definio el corte de la ventana para
que por medio del maquinado con KOH fuera posible hacer el corte sin romper
las ventanas, dejandolas unidas por una pequeño pedazo de Si de 1 mm que
sirvió de soporte mecánico.
Las mediciones en las membranas de Si3 N4 sirvieron para observar las
pérdidas. Estos resultados nos demostraron que las membranas deSi3 N4 son
un buen material de soporte para las FSS, debido a que tiene bajas pérdidas
por el dieléctrico y son casi ópticamente transparentes a longitudes de onda
milimétrica. Algunas de estas muestras fueron metalizadas con Ti ya que es el
material con el cual están echas las FSS y por lo tanto fue necesario medir las
propiedades de absorción del metal sobre un dieléctrico.
Se diseñó una FSS del tipo dipolo cruzado con la finalidad de que sirva
absorbedor de radiación en la banda de 100 GHz a 1500 GHz en un bolómetro
TES, en donde por medio de un ajuste de las pérdidas ideales (A = 1 − T ) a un
perfil Lorentziano e insertando parámetros conocidos, fue posible obtener una
expresión (3.12) para las dimensiones del dipolo dependiendo de la frecuencia
de resonancia deseada.
Por otra parte, la medición de la respuesta espectral que se realizo para el
absorbedor a una longitud de onda 1.1 mm, aunque no observamos de manera
eficiente la frecuencia de resonancia debido a la proximidad de la frecuencia de
corte del cono que ocurre aproximadamente a 225 GHz, pero una ventaja que
nos permitió observar esta medición, es que la FSS con estructuras del tipo
dipolo cruzado transmite la mayor parte de la radiación fuera de la frecuencia
de resonancia con bajas pérdidas.
Las mediciones para los absorbedores de radiación para longitudes de on-
da de 2 mm y 3 mm no fue posible realizarse ya que la principal limitante del
sistema de medición es la frecuencia de corte del cono de Winston, que co-
mo se habia mencionado anteriormente ocurre a una frecuencia de 225 GHz,
102
quedando inmersos las mediciones de 100 GHz y 150 GHz en el ruido del siste-
ma de medición. Lo cual queda a trabajo a futuro. En lo personal, este trabajo
me dejo muchos conocimientos, tanto de la parte del diseño y simulación de
superficies selectivas de frecuencia así como en el área de micro fabricación.
También puede comprender las partes que componen a un bolómetro, sus
características y funciones así como los principales ruidos que afectan el fun-
cionamiento de este. Por otra parte, la aportación al grupo de instrumentación
milimétrica se aporta con el conocimiento para fabricar filtros para definir una
banda de transmisión deseada además de los principios para fabricar bolóme-
tros TES por medio de técnicas de micro fabricación.
103
Figura 6.1: Ilustración del sistema de medición por medio de un cono concen-
trador del tipo corneta-guía de onda con una frecuencia de corte de 90 GHz,
en donde los absorbedores se colocaran sobre el porta FSS colocado en la
apertura de entrada del cono, la radiación pasa a través del cono y se concen-
tra en el bolómetro, la radiación genera una señal en el bolómetro la cual es
amplificada y acondicionada en una etapa posterior.
6.1. Trabajo a futuro
6.1.1. Cono tipo corneta-guía de onda.
Fabricar la herramienta necesaria para la caracterización de forma eficiente

de los absorbedores. Esta herramienta ya esta siendo fabricada y caracteriza-
da (Tesis Mauricio Gómez Gonzalez), consiste en un cono del tipo corneta-guía
de onda que tendra una frecuencia de corte aproximadamente a 90 GHz. Una
vez que se tenga el circuito de lectura por medio de un bolómetro y el acondi-
cionamiento de la señal, podra acoplarse al sistema de medición y permitirá la
caracterización de las FSS absorbedores de 100 GHz y 150 GHz. El sistema de
acoplamiento porta FSS-cono-bolómetro se muestra en la figura 6.1.
104
Figura 6.2: Ilustración del sistema de medición con el cono de winston modifi-
cado con terminación a rw10 para ser adaptado a un calorímetro PM4 Erickson
Instruments por la parte posterior para la caracterización de las FSS a tempe-
ratura ambiente.
6.1.2. Cono de Winston con salida RW10 para mediciones

con calorímetro
Se fabricará un duplicado del cono de Winston con una frecuencia de corte

aproximadamente de 225 GHz que esta modificado en la parte posterior para
una unión RW10 con el fin de poder ser instalado en un calorímetro PM4 Erick-
son Instruments (figura 6.2). La ventaja de este dispositivo es que no necesita
ser enfriado para realizar mediciones, esto nos permitiría corroborar las medi-
ciones a temperatura ambiente de la FSS con características capacitivas y de
igual forma para el absorbedor a una longitud de onda de 1.1 mm.
105
Pmax 0.8 µW
AΩ 9x10−2
g 0.5µW/K
CSi3 N4 1.73 nJ/K
Z 1.2 Ω
α 100
Cuadro 6.1: Características principales del bolómetro, donde Pmax es la poten-

cia máxima en el rango de 100 GHz a 1500 GHz a una temperatura base de
T0 = 4.2 K y de operación Ts = 8.1 K. La conductancia esperada es g y una
capacidad calorífica que esta dominada por la membrana CSi3 N4 . Z es la im-
pedancia esperada del detector con un area de 100x100 µm2 y un espesor total
de 143 nm.
6.1.3. Diseño y fabricación del bolómetro selectivo de fre-

cuencia
La principal ventaja de los TES es que su operación se basa en la transición

de superconductor a estado normal para medir los cambios de resistencia en
proporción a los cambios de temperatura. Estos dispositivos son muy sensi-
bles, debido a que pequeños cambios de temperatura del orden de mK provo-
can grandes cambios en la resistencia por lo que los valores del parámetro α
son muy grandes. Aprovechando esta característica, el rendimiento del TES es
mejor polarizado en voltaje, ya que conforme α aumenta el ruido de Johnson
disminuye mientras permanece constante el ruido de fonones. Por otro lado,
el ancho de banda aumenta y el TES mantiene su temperatura de operación
constante.
El bolómetro a utilizarse esta compuesto por un bi-metal Ti(50 nm) y Nb(93 nm)
con un area de 100x100 µm2 y un espesor total de 143 nm que operará en un
ancho de banda de 100 GHz a 1500 GHz a una temperatura base de T0 = 4.2 K
y de operación Ts = 8.1 K. Las características de este bolómetro TES se mues-
tran en la tabla 6.1.
Con estas características esperamos los siguientes niveles de ruido en el

detector en el modo de operación polarizado por voltaje como se muestra en
la figura 6.3.
106
Figura 6.3: Componentes de ruido esperado tanto de Johnson como de fono-

nes para el TES de Ti/Nb polarizado por voltaje con los valores de la tabla 6.1
a una temperatura base de T0 = 4.2 K y de operación Ts = 8.1 K. La energía
de la señal es la aportada por un fotón con una frecuencia de 150 GHz y una
energía E = 621 µeV.
La etapa de fabricación del bolómetro selectivo de frecuencia consta de 4

mascarillas las cuales son:
1. Mascarilla de membranas de 10x10 mm2 y 3x3 mm2 .
2. Mascarilla de bolómetros de 100x100 µm2 .
3. Mascarilla de pistas
4. Mascarilla de superficies selectivas de frecuencia.
Con estas mascarillas el proceso de fabricación del bolómetro selectivo co-

mienza con la fabricación de las membranas por medio de maquinado anisó-
tropico de Si con KOH, una vez expuestas las membranas de Si3 N4 se depo-
sita el metal del TES, en esta caso Ti(50 nm)/Nb(93 nm) y se utiliza HF: HNO3
(1:1) para hacer el grabado humedo de ambos metales utilizando la mascarilla
2.
107
Figura 6.4: Diseño del bolómetro selectivo de frecuencia cono absorbedores

para longitudes de onda de 1.1 mm, 2 mm y 3 mm. En donde se muestra en el
centro de la membrana el bolómetro de Ti/Nb (en blanco) que opera bajo el
efecto de proximidad, en violeta las pistas de Nb desde el bolómetro hasta los
contactos en las orillas de las membranas y en amarillo las estructuras FSS
echas con metal de Ti de 250 nm.
Paso siguiente es el deposito de fotoresina para grabar Nb por lift-off utili-

zando la mascarilla 3, se deposita el metal de Nb(200 nm) y se graba por lift-off.
Por ultimo se deposita resina para grabar Ti por lift-off utilizando la mascarilla
4, se deposita el metal de Ti (250 nm) y se graba por lift-off. Una ilustración del
diseño final se muestra en la figura 6.4 y en la figura 6.5 se muestra un modelo
en SolidWorks del detector TES con las pistas entre las estructuras FSS.
108
Figura 6.5: Modelo en SolidWorks del detector ubicado en el centro de la

membrana de Si3 N4 entre las estructuras FSS del tipo dipolo cruzado, en
donde se alcanza a observar el area del detector de 100x100 µm2 y un es-
pesor de Nb(93 nm)/Ti(50 nm), también se aprecia el contacto de las pistas de
Nb(250 nm) con un ancho de 20 µm.
109
110
Índice de cuadros
3.1. Caraterísticas de algunos tipos de FSS para los requerimientos

de aplicaciones especificas, en donde los números representan
los niveles de cada característica [59]. . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.2. Dimensiones de los absorbedores del tipo dipolo cruzado para
longitudes de onda de 1.1 mm, 2 mm y 3 mm . . . . . . . . . . . . 63
4.1. Resultado de la medición de puntos sobre la oblea. . . . . . . . 69
6.1. Características principales del bolómetro, donde Pmax es la po-

tencia máxima en el rango de 100 GHz a 1500 GHz a una tempe-
ratura base de T0 = 4.2 K y de operación Ts = 8.1 K. La conduc-
tancia esperada es g y una capacidad calorífica que esta domi-
nada por la membrana CSi3 N4 . Z es la impedancia esperada del
detector con un area de 100x100 µm2 y un espesor total de 143 nm.106
111
ÍNDICE DE CUADROS
112
Índice de figuras
1.1. En la parte superior el espectro de radiación electromágnetica

desde rayos gamma hasta ondas de radio, en la parte inferior
se muestran las ventanas de absorción en la atmósfera por las
diferentes moléculas con diferente absorción. . . . . . . . . . . . 16
1.2. Simulación con el programa de transmisión atmósferica (AT) en
dependencia del vapor de agua precipitable de 1 mm, 3 mm y 5 mm. 19
1.3. Imagen de los pilares de la creación en la nebulosa del águi-
la, en la derecha, imagen en el óptico tomada por el telescopio
espacial Hubble, a la izquierda imagen en el sub-milimétrico a
450 µm en donde se observan las regiones de formación estelar. 21
1.4. La detección por medio de un bolómetro consta de un absor-
bedor de banda ancha conectado a un sumidero de calor por
medio de una liga térmica, un termistor es colocado sobre el
absorbedor en donde los cambios de temperatura son propor-
cionales a la energía del fotón depositado, este incremento de
temperatura causa un incremento en la resistencia del termistor.
Debido a que el absorbedor es de banda ancha se coloca un
filtro para definir la banda de transmisión. . . . . . . . . . . . . . 22
2.1. Vista bajo el microscopio de un bolómetro de LABOCA. Donde

la membrana de Si3 N4 es el area de color verde de 3.4x3.4 mm2
con un espesor de 400 nm la cual tiene la función de absorber
la radiación, la caja negra es el termistor NTD [28] el cual tiene
un cambio en la resistencia cuando se presenta un cambio tem-
peratura y las pistas son delgadas capas de metal echas en oro
(amarillas) y Niobio (gris) [10] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
113
ÍNDICE DE FIGURAS
2.2. Configuración básica de un bolómetro, el cual consiste en un

absorbedor con capacidad calorífica dependiente de temperau-
ra C(T ) unido por medio de una liga térmica con conductancia
térmica G a un disipador de calor a una temperatura T0 . El ele-
mento sensor es un termistor con una corriente de polarización
I0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.3. Comparación ilustrativa de la sensitividad y la ventana de transi-

ción de dos TES con α ≈ 20, 500, donde la ventana de transición
esta definida por el rango 0.1 ≤ RN ≤ 0.9 de la resistencia para
un TES con α ≈ 500 es de aproximadamente 5 mK mientras que
para un TES con una α ≈ 20 es del orden de 135 mK. [44] . . . . 29
2.4. Vista microscopica de un TES del arreglo de 330 bolómetros del

APEX-SZ. Los sensores son contruidos de un sandwich de Al/Ti
por medio del efecto de proximidad la transición a superconduc-
tor sera cercana a 470 mK, estan suspendidos en absorbedores
tipo Spider-web metalizados con oro sobre una membrana de
Si3 N4 de un espesor de 1 µm. Cada bolómetro tiene un diáme-
tro de 4 mm [2]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.5. Diagrama esquematico simple de la lectura de un TES polariza-

do en corriente y las mediciones de voltaje atraves de un JFET. 32
2.6. Señal, ruido de Johnson y fonones. El ruido de Johnson es blan-

co y se hace significante a altas frecuencias, mientras, tanto la
señal como el ruido de fonones tienen el mismo comportamiento
y decaen a altas frecuencias con una pendiente ω = 1/τ , ambas
son proporcionales a α. Ejemplos a α = 10, α = 50, α = 200. . . 33
2.7. Señal, ruido de Johnson y fonones. Se muestra el comporta-

miento de los ruidos como una sola componente, donde a bajas
frecuencias el dominante es el ruido de fonones pero en altas el
ruido de Johnson es más significativo. . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.8. Circuito de lectura de los TES polarizados por voltaje y la medi-

ción de corriente a través de un SQUID. . . . . . . . . . . . . . . 35
114
ÍNDICE DE FIGURAS
2.9. Señal, ruido de Johnson y fonones en polarización por voltaje.

El ruido de Johnson se decrece conforme aumenta α y se hace
significante a altas frecuencias mientras que el ruido de fono-
nes se mantiene constante conforme aumenta α, tanto la señal
como el ruido de fonones tienen el mismo comportamiento y de-
caen a altas frecuencias con una pendiente ω = 1/τeff , ambas son
proporcionales a α. Ejemplos a α = 10, α = 100. . . . . . . . . . 36
2.10.Señal, ruido de Johnson y fonones. Se muestra el comporta-

miento de los ruidos como una sola componente, donde a bajas
frecuencias el dominante es el ruido de fonones pero en altas el
ruido de Johnson es más significativo. . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.11.Representación esquemática de un TES polarizado en voltaje.

Vbias , RL , Ibias son el voltaje de polarización, la resistencia de
carga y la corriente de polarización. V (t) e I(t) son el voltaje
y la corriente de salida del detector. R(I, T ) es la resistencia
del detector en función de la corriente y temperatura. C(T ) es la
capacidad calorifica del absorbedor. La temperatura del detector
es T (t) y está conectada a un baño frio a una temperatura Tb
a través de una liga de conductancia G(T ). Vcn (t) e Icn (t) son
fuentes de ruido de Johnson de la resistencia de polarización.
Vdn (t) es ruido de Johnson en el detector. Peb es el ruido de
fonones desde el baño térmico hacia el bolómetro. Ptn (t) es en
general el término de ruido térmico que puede ser debido a la
radiación o alguna otra manera de acoplamiento térmico hacia el
bolómetro. P γ(t) es la potencia depositada por un periodo corto
por la absorción de un fotón. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.12.En cafe, señales de ruido de Johnson y fonones dados por la

expresión 2.5 para un α = 10, en verde, señales de ruido de
Johnson y fonones dados por la matriz de ruidos 2.8 para un
α = 10 resuelta numericamente para evitar pérdidas de la señal
de ruido por la eliminación de los términos cruzados en [27]. . . 39
2.13.Potencia equivalente de ruido para a = 10, 50, 100 . . . . . . . . 40
115
ÍNDICE DE FIGURAS
3.1. Algunos tipos básicos de estructuras selectivas de frecuencia, lo

cuales por su simple forma geométrica, como los parches me-
tálicos tienen características capacitivas así mismo una malla
tiene caraterísticas inductivas. Dependiendo de las necesidades
de la aplicación se pueden hacer uso de estructuras con carac-
terísticas tanto capacitivas como inductivas, tal es el caso del
dipolo cruzado y la cruz de Jerusalen [9]. . . . . . . . . . . . . . 45
3.2. Al incidir una onda plana sobre el arreglo de las estructuras me-
tálicas, esta excita mediante una corriente eléctrica a las estruc-
turas, la amplitud de esta corriente depende de que tan fuer-
te sea el acoplamiento de la onda con las estructuras metáli-
cas. Alcanzando su punto mas alto en la frecuencia fundamen-
tal donde la longitud de los elementos es λ/2. La distribución de
esta corriente en los elementos metálicos es la que determina el
comportamiento en frecuencia de la FFS. . . . . . . . . . . . . . 47
3.3. Cualquier elemento puede ser excitado en la frecuencia funda-

mental (f f ) en el plano de incidencia normal a la FSS (arriba,
modo fundamental), mientras que el primer armonico cercano a
2f f puede ser excitado sólo por ángulos oblicuos de incidencia
(abajo). Los armonicos pueden ocurrir en diferentes frecuencias
a partir de 2f f dependiendo de la forma geométrica del ele-
mento. Una interacción nula entre los modos de transporte se
encuentra entre f f y 2f f (sin lóbulos de rejilla) [41]. . . . . . . . 48
3.4. Cuando una onda plana incide sobre un arreglo de parches me-
talicos, el campo electrico crea cargas positivas y negativas en
las caras de los parches adyacentes produciendo un capacitor,
de manera similar, una malla metalica paralela a la normal del
campo magnetico actua como un inductor. . . . . . . . . . . . . 50
3.5. Ilustración de las dimensiones de una FSS de parches metálicos

para obtener un filtro con comportamiento capacitivo. Donde p
es el periodo del arreglo, g es la separación entre estructuras y
l es la longitud del parche metálico. . . . . . . . . . . . . . . . . 52
116
ÍNDICE DE FIGURAS
3.6. Modelo de la celda unitaria para simulación en HFSS. El cuadro

del centro representa la FSS del tipo parche metálico de T i con
un espesor th = 250 nm sobre una membrana de nitruro de si-
licio con un espesor de 1 µm. Una onda incidente se propaga a
lo largo de la dirección Z y polariza en dirección X, normal a la
FSS. La onda incidente termina en ambos extremos del modelo
sobre un PML (caja roja) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.7. Simulación en HFSS de la celda unitaria de la figura anterior con
un periodo p = 666 µm, separación g = 288 µm, longitud por lado
de l = 378 µm y un espesor th = 250 nm de T i. . . . . . . . . . . 53
3.8. Vista superior del modelo en SolidWorks de una FSS de parches
metálicos sobre una membrana de Si3 N4 de 10x10 mm2 con un
marco de Si de 3 mm para obtener un filtro capacitivo. . . . . . . 54
3.9. Perfil Lorentziano para un absorbedor de longitud de onda de
1.1 mm dado por la expresión 3.4 con un pico máximo de perdi-
das A = 1 y vhwhm = 25 GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.10.Ilustración de las dimensiones de los dipolos cruzados como ab-
sorbedores. Donde g es el periodo del arreglo, l es la longitud del
dipolo cruzado, 2b es el ancho del dipolo y 2a es la separación
entre cada estructura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.11.Respuesta en transmisión de la simulación en HFSS del ab-
sorbedor del tipo dipolo cruzado con medidas dimensionales
l = 524 µm, a = 77 µm, b = 53 µm y g = 678 µm. . . . . . . . . . . 59
3.12.Azul: Perdidas (A = 1 − T ) en la transmisión de los datos de la
simulación del absorbedor de la figura 3.11. (- -) Perfil arrojado
por las dimensiones del absorbedor (l = 524 µm, a = 77 µm,
b = 53 µm y g = 678 µm) en la expresión 3.10. . . . . . . . . . . 60
3.13.(-)Perfil Lorentziano ideal para un absorbedor de longitud de on-
da de 1.1 mm (expresión 3.4) vs (- -)perfil ajustado por la expre-
sión 3.10. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.14.Comparación para observar como el ancho de banda depende
del ancho del dipolo, se redujo de 106 µm (–) a 30 µm (–). Se
fija en 30 µm para evitar cortes en los dipolos con el grabado
de T i, utilizando el mismo espesor que los parches metálicos,
th = 250 nm T i. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
117
ÍNDICE DE FIGURAS
3.15.Respuesta de las pérdidas (A = 1 − T ) para cada absorbedor

con los datos de la simulación comparadas con el perfil ideal
Lorentziano dado por la expresión 3.4 con longitud de onda de
1.1 mm, 2 mm y 3 mm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.16.Modelo de la celda unitaria para simulacón en HFSS de los dipo-

los cruzados como absorbedores para bolómetros. La cruz del
centro representa la FSS del tipo dipolo cruzado de T i con un
espesor th = 250 nm sobre una membrana de nitruro de silicio
con un espesor de 1 µm. Una onda incidente se propaga a lo lar-
go de la dirección Z y polariza en dirección X, normal a la FSS.
La onda incidente termina en ambos extremos del modelo sobre
un PML (caja roja). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.17.Modelo en SolidWorks de la membrana de Si3 N4 con la FSS del

tipo dipolo cruzado para un absorbedor de 1.1 mm de un espesor
de 250 nm de T i, ambas sostenidas por un marco de Si de 3 mm. 64
4.1. Los puntos de medición se realizan sobre la mitad de la oblea de

3” de diámetro. Los puntos se colocan de tal forma que abarquen
de manera uniforme la oblea sobre la cara pulida que servirá
para obtener las membranas de Si3 N4 . Las mediciones de los
puntos se hicieron con un elipsómetro, los cuales se muestran
en la siguiente tabla 4.1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4.2. Angulo de grabado de para cavidades de Si con hidróxido de

potasio (KOH) en obleas con alineación 100 para obtener ven-
tanas de 10x10 mm2 y de 3x3 mm2 . El espesor de la oblea es de
457 µm la cual tiene en ambos lados 1 µm de Si3 N4 . . . . . . . . 70
4.3. Ilustración del proceso de litografía, donde se transfiere un pa-

trón desde una fotomascarilla por medio de luz UV sobre la cara
de la oblea cubierta de fotoresina. El patrón se graba por medio
de la luz UV y la fotoresina expuesta se remueve con un revela-
dor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
118
ÍNDICE DE FIGURAS
4.4. Ilustración del grabado por iones reactivos para dejar expues-
to el Si de las ventanas de 10x10 mm2 y 3x3 mm2 , el grabado
remueve el área expuesta al gas y deja el área cubierta por la
fotoresina. Una vez hecho esto se remueve la fotoresina con
acetona y las obleas estan listas para el maquinado húmedo
con hidróxido de potasio (KOH). . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.5. Si expuesto para las ventanas de 10x10 mm2 y 3x3 mm2 en cada
cuarto de oblea despues de grabado RIE, listo para comenzar el
maquinado con KOH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
4.6. Transcurridas 2.5 hrs de maquinado con KOH, se observa la ram-
pa de grabado sobre la oblea, la cual tiene una proyección sobre
la parte superior de 75 µm, de acuerdo a esto tenemos una pro-
fundidad de 106 µm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.7. Con 5 hrs de maquinado con KOH, tenemos una proyección de
la rampa de 150 µm por lo cual tenemos una profundidad en el
maquinado de 212 µm sobre el silicio de la oblea. . . . . . . . . . 74
4.8. A 7.5 hrs de maquinado con KOH, tenemos una proyección de
la rampa de grabado de 225 µm por lo tanto tenemos una pro-
fundidad de 318 µm sobre el Si. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.9. A 10 hrs de maquinado con KOH, tenemos una proyección de la
rampa de grabado de 310 µm por lo tanto tenemos una profundi-
dad de 438 µm sobre el Si. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
4.10.A 11 hrs con temperatura de maquinado de 60 °C , con una pro-
yección de la rampa de 315 µm y una profundidad de 445 µm,
en este momento el Si a sido removido completamente dejando
expuesta la membrana de Si3 N4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
2 2
4.11.Obtención de 12 ventanas de 10x10 mm y 4 ventanas de 3x3 mm
de Si3 N4 despues de 11 hrs de maquinado sobre una oblea de 3”
de diametro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
4.12.Perfil de grabado húmedo anisotrópico de Si en KOH durante
11 hrs, con el cual se obtuvo una razón de grabado de 42 µm/hr
aproximadamente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.13.Ilustración de una camara de evaporación, las muestras se colo-
can sobre un carrusel que gira alrededor del crisol y mediante un
filamento se calienta el material hasta su punto de sublimación. 78
119
ÍNDICE DE FIGURAS
4.14.Imagen del mapa de la superficie de la muestra de 10 nm de

T i, en donde se observa que la superfie no es completamente
uniforme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.15.a) Configuración actual del FTS del INAOE (panel izquierdo). El
FTS está basado en un interferómetro de tipo Martin-Puplett y
acoplado a una cámara bolométrica operada a 4.2 K. b) El FTS
mide y registra un interferograma (panel superior derecho), que
representa la distribución de energía en el dominio espacial. c)
Por medio del cálculo de la transformada de Fourier inversa se
obtiene la información espectral de la fuente (panel inferior de-
recho). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
4.16.Diagrama a bloques de cada una de las etapas para obtener un
espectro de la muestra. La potencia de entrada es la radiación
de un cuerpo negro a 1150◦ C, la cual recorre el FTS y entra por la
ventana del criostato, una vez en el interior es reflejada por unos
espejos hacia la muestra y recolectada por un cono de Winston.
La radiación es convertida a una señal eléctrica por medio del
bolómetro, se amplifica y demodula para su adquisición en una
PC para formar un interferograma y obtener su espectro en fre-
cuencia por la transformada de Fourier. . . . . . . . . . . . . . . 82
4.17.Montura de aliminio para colocar el filtro y la membrana de mues-
tra en la apertura de entrada del cono de winston. . . . . . . . . 83
4.18.Vista interna del plato frio a 4K del criostato de ciclo abierto de
LHe/LN2, donde se muestra la membrana de Si3 N4 colocada
sobre la montura a la entrada del cono concentrador de Winston
para su caracterización. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.19.En azul, el espectro del filtro pasa-banda, en rojo el espectro
de la membrana de Si3 N4 , en verde y rosa el espectro de las
membranas metálizadas con T i respectivamente, en donde se
observan las pérdidas por el la membrana pura de Si3 N4 y las
metálizadas con diferentes diferentes espesores de T i. . . . . . 84
4.20.Espectros normalizados al valor máximo del espectro del filtro
pasa-banda para reducir el ruido y observar de mejor forma las
atenuaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
120
ÍNDICE DE FIGURAS
4.21.Índice de refracción para el Si3 N4 , si valor mínimo para el índice

de refracción es el del aire n = 1, se desecha el valor n2 y se
toma n1, para el cual, el valor promedio para el Si3 N4 es n =
1.7855 en el rango milimétrico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
4.22.Debido al acoplamiento de la impedancia de vacio con las mem-
branas, las pérdidas en la membrana de Si3 N4 son principal-
mente por reflexion al ser un dieléctrico pero en las membranas
metalizadas de Si3 N4 + 10 nm T i y Si3 N4 + 5 nm T i las pérdidas
son principalmente por absorción. . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
5.1. Ambas caras del filtro capacitivo a 394 GHz sobre las membra-
nas de Si3 N4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5.2. Ambas caras del absorbedor para una longitud de onda de 1.1 mm
sobre las membranas de Si3 N4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5.3. Ambas caras del absorbedor para una longitud de onda de 2 mm
5.4. Ambas caras del absorbedor para una longitud de onda de 3 mm
5.5. Comparación con la simulación de los absorbedores y el filtro
capacitivo contra la simulación de la transmisión atmosferica da-
da por el programa AT para un vapor de agua precipitable de
1 mm. En donde se observa que cada absorbedor cae en una
ventana de transmisión y no en una línea de absorción de agua.
Por otro lado, el comportamiento del filtro capacitivo borraría por
completo una ventana de transmisión. . . . . . . . . . . . . . . . 94
5.6. Espectros promediados del marco de Si en azul vs el espectro
de la FSS de parches metálicos en rojo , en el cual se observa
claramente el comportamieto del filtro capacitivo esperado. . . . 95
5.7. Espectros promediados del marco de Si vs el absorbedor a 1.1 mm,
en donde se alcanza a observar muy tenue el comportamiento
del absorbedor, aunque se tiene mucho ruido debido a la fre-
cuencia de corte del cono de winston. . . . . . . . . . . . . . . . 95
5.8. Comparación de la respuesta espectral de la FSS de parches
metálicos a 394 GHz (Azul) dada por la expresión 5.4 y la simu-
lación arrojada por HFSS (rojo). . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
121
ÍNDICE DE FIGURAS
5.9. Comparación de la respuesta espectral de la FSS de dipolos

cruzados para un absorbedor de longitud de onda de 1.1 mm
(Azul) dada por la expresión 5.4 y la simulación arrojada por
HFSS (rojo). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
6.1. Ilustración del sistema de medición por medio de un cono con-

centrador del tipo corneta-guía de onda con una frecuencia de
corte de 90 GHz, en donde los absorbedores se colocaran so-
bre el porta FSS colocado en la apertura de entrada del cono,
la radiación pasa a través del cono y se concentra en el boló-
metro, la radiación genera una señal en el bolómetro la cual es
amplificada y acondicionada en una etapa posterior. . . . . . . . 104
6.2. Ilustración del sistema de medición con el cono de winston mo-
dificado con terminación a rw10 para ser adaptado a un calorí-
metro PM4 Erickson Instruments por la parte posterior para la
caracterización de las FSS a temperatura ambiente. . . . . . . . 105
6.3. Componentes de ruido esperado tanto de Johnson como de fo-
nones para el TES de Ti/Nb polarizado por voltaje con los va-
lores de la tabla 6.1 a una temperatura base de T0 = 4.2 K y
de operación Ts = 8.1 K. La energía de la señal es la aporta-
da por un fotón con una frecuencia de 150 GHz y una energía
E = 621 µeV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
6.4. Diseño del bolómetro selectivo de frecuencia cono absorbedo-
res para longitudes de onda de 1.1 mm, 2 mm y 3 mm. En donde
se muestra en el centro de la membrana el bolómetro de Ti/Nb
(en blanco) que opera bajo el efecto de proximidad, en violeta las
pistas de Nb desde el bolómetro hasta los contactos en las ori-
llas de las membranas y en amarillo las estructuras FSS echas
con metal de Ti de 250 nm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
6.5. Modelo en SolidWorks del detector ubicado en el centro de la
membrana de Si3 N4 entre las estructuras FSS del tipo dipolo
cruzado, en donde se alcanza a observar el area del detector
de 100x100 µm2 y un espesor de Nb(93 nm)/Ti(50 nm), también
se aprecia el contacto de las pistas de Nb(250 nm) con un ancho
de 20 µm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
122
Bibliografía
[1] Cahill R.; Parker E. A. and Antonopoulos C. Design of multilayer fre-

quencyselective surface for diplexing two closely spaced channels. Mi-
crowave and Optical Technology Letters, 8, 1995.
[2] Dobbs M.; Halverson N. W.; Ade P. A. R.; Basu K.; Beelen A.; Bertoldi F.;
Cohalan C.; Cho H. M.; Güsten R.; Holzapfel W. L.; Kermish Z.; Kneissl R.;
Kovács A.; Kreysa E.; Lanting T. M.; Lee A. T.; Lueker M.; Mehl J.; Menten
K. M.; Muders D.; Nord M.; Plagge T.; Richards P. L.; Schilke P.; Schwan
D.; Spieler H.; Weiss A. and M. White. Apex-sz first light and instrument
status. New AR, 2006.
[3] Holland W. S.; Robson E. I.; Gear W. K.; Cunningham C. R.; Lightfoot J. F.;
Jenness T.; Ivison R. J.; Stevens J. A.; Ade P. A. R.; Griffin M. J.; Duncan
W. D.; Murphy J. A. and D. A. Naylor. Scuba: a common-user submillimetre
camera operating on the james clerk maxwell telescope. MNRAS, 1999.
[4] Kowitt M. S.; Fixsen D. J.; Goldin A. and Meyer S. S. requency selective
bolometers. Applied Optics, 35, 1996.
[5] Kreysa Ernst; Gemuend Hans-Peter; Gromke J.; Haslam C. G.; Reichertz
L.; Haller Eugene E.; Beeman Jeffrey W.; Hansen V.; Sievers A. and R. Zyl-
ka. Mambo: Bolometer array development at the max-planck-institut fuer
radioastronomie. SPIE, 1998.
[6] American Meteorological Society (AMS). Glossary of Meteorology. 2nd

ed edition, 2000.
[7] J. A. Arnaud and F.A Pelow. Resonant-grid quasi-optical diplexers. Bell

System Technical Journal, 54, 1975.
123
BIBLIOGRAFÍA
[8] Kosowsky Arthur. The atacama cosmology telescope. New AR, 2003.
[9] Farhad Bayatpur. Metamaterial-Inspired Frecuency-Selective Surfaces.

PhD thesis, The University of Michigan, 2009.
[10] G. Siringo; E. Kreysa; A. Kovács; F. Schuller; A. Weiß; W. Esch; H.-P. Ge-

münd; N. Jethava; G. Lundershausen; A. Colin; R. Güsten; K. M. Menten;
A. Beelen; F. Bertoldi; J. W. Beeman and E. E. Haller. The large apex
bolometer camera laboca. Astro-ph, 2009.
[11] Tryggve Bååk. Silicon oxynitride: a material for grin optics. Applied Optics,
21, 1982.
[12] Michael; Aitken D. K.; Allen D. A.; Ashley M. C. B.; Burton M. G.; Cannon
R. D.; Carter B. D.; Da Costa G. S.; Dopita M. A.; Duldig M. L.; Edwards P.
G.; Gillingham P. R.; Hall P. J.; Hyland A. R.; McGregor P. J.; Mould J. R.;
Norris R. P.; Sadler E. M.; Smith C. H.; Spyromilio J. Burton and J. W. V.
Storey. The scientific potential for astronomy from the antarctic plateau.
PASA, 1994.
[13] Borys Colin; Chapman Scott C. and Scott Douglas. Using scuba to place
upper limits on arcsecond-scale cosmic microwave background anisotro-
pies at 850?m. MNRAS, 1999.
[14] R. Mitra; C. H. Chan and T. Cwik. Techniques for analyzing frequency

selective surfaces a review. Proceedings of the IEEE, 76, 1998.
[15] Archibald E. N.; Jenness T.; Holland W. S.; Coulson I. M.; Jessop N. E.;
Stevens J. A.; Robson E. I.; Tilanus R. P. J.; Duncan W. D. and J. F. Light-
foot. On the atmospheric limitations of ground-based submillimetre astro-
nomy using array receivers. MNRAS, 2002.
[16] Kidger M. R.; Rodríguez-Espinosa J. M.; del Rosario J. C. and Trancho

G. Water vapour monitoring at the roque de los muchachos observatory
(1996-1998). New AR, 1998.
[17] Barrera C. E and F. J. C. Martínez. Applications of spectroscopic ellipso-

metry and its use in the characterization of materials used in solar energy
capture. Ecosolar, 15, 2005.
124
BIBLIOGRAFÍA
[18] Knapp G. R.; Bies W. E. and van Gorkom J. H. Infrared properties of

nearby radio galaxies. AJ, 1990.
[19] JAMES S. DUNLOP; DAVID H. HUGHES; STEVE RAWLINGS; STEP-

HEN A. EALES and MARTIN J. WARD. Detection of a large mass of dust
in a radio galaxy at redshift z = 3.8. 1994.
[20] A. Erasmus and C. van Staden. A satellite survey of water vapor and cloud
coverage in northern chile. 2001.
[21] Andreani P.; La Franca F. and Cristiani S. Cold dust around high-redshift
quasars. MNRAS, 1993.
[22] Jenness Tim; Lightfoot John F. and Wayne S. Holland. Removing sky
contributions from scuba data. SPIE, 1998.
[23] Enectalí Figueroa. Theory and development of position-sensitive quantum

calorimeters. PhD thesis, Stanford University, 2001.
[24] Gianfranco De Zotti; Paola Mazzei; Alberto Franceschini and Luigi Dane-
se. Observability of early evolutionary phases of galaxies at mm wave-
lengths. astro-ph, page 7, 1996.
[25] Lyman A. Page; Edward S. Cheng; Boris Golubovic; Joshua Gundersen

and Stephan S. Meyer. Millimetes-submillimeter wavelength fylter system.
Applied Optics, 33, 1994.
[26] E.Graham; M. Sarazin; M. Beniston; C. Collet; M. Hayoz and S. Goyette.

Site selection for owl using past, present and future climate information.
SPIE, 2004.
[27] Kent David Irwin. Phonon-mediated particle detection using superconduc-

ting tungsten transition-edge sensors. PhD thesis, STANFORD UNIVER-
SITY, 1995.
[28] E.E. Haller; K.M. Itoh and J.W. Beeman. Neutron transmutation doped
(ntd) germanium thermistors for sublmm bolometer applications. ESLAB
Symposium, 30, 1996.
125
BIBLIOGRAFÍA
[29] R. J. Ivison. Detection of dust in the most distant known radiogalaxy. MN-
RAS, 1995.
[30] Conway R. G.; Daintree E. J. and Long R. J. Observations of radio sources

at 612 and 1400 mc/s. MNRAS, 1965.
[31] Langley R. J. and Drinkwater A. J. Improved empirical model for the jeru-
salem cross. IEE Proceedings H: Microwaves Optics and Antennas, 129,
1982.
[32] Varela A. M.; Bertolin C.; Muñoz-Tuñón C.; Fuensalida J. J. and Ortolani
S. In situ calibration using satellite data results. RMxAC, 2007.
[33] Weferling B.; Reichertz L. A.; Schmid-Burgk J. and Kreysa E. Princi-

ples of the data reduction and first results of the fastscanning method for
(sub)millimeter astronomy. A&A, 2002.
[34] Wolfe William L. and Zissis George J. The infrared handbook. Office of
Naval Research, Department of the Navy, 1978.
[35] J. Glenn; I J. Bock; G. Chattopadhyay; S. F. Edgington; A. E. Lange and

J. Zmuidzina. Bolocam: A millimeter-wave bolometric camera. SPIE, 1998.
[36] W. Saunders; J. S. Lawrence; J. W. V. Storey; M. C. B. Ashley; S. Kato;

P. Minnis; D. M. Winker; G. Liu and C. Kulesa. Where is te best site on
earth? PASP, 2009.
[37] Daniel William Logan. A frequency selective bolometer camera for mea-
suring millimeter spectral energy distributions. PhD thesis, University of
Massachusetts Amherst, 2009.
[38] Dowell Charles D.; Allen Christine A.; Babu R. Sachidananda; Freund Mi-
noru M.; Gardner Matthew; Groseth Jeff; Jhabvala Murzy D.; Kovacs Attila;
Lis Dariusz C.; Moseley Samuel H. Jr.; Phillips Thomas G.; Silverberg Ro-
bert F.; Voellmer George M. and Yoshida Hiroshige. Sharc ii: a caltech
submillimeter observatory facility camera with 384 pixels. SPIE, 2003.
[39] Knapp G. R.and Patten Brian M. Millimeter and submillimeter observations

of nearby radio galaxies. AJ, 1991.
126
BIBLIOGRAFÍA
[40] Tokunaga Alan T.; Kobayashi Naoto; Bell James; Ching Gregory K.; Ho-
dapp Klaus-Werner; Hora Joseph L.; Neill Doug; Onaka Peter M.; Rayner
John T.; Robertson Louis; Warren David W.; Weber Mark and Young Tony
T. Infrared camera and spectrograph for the subaru telescope. SPIE,
1998.
[41] B.A. Munk. Frequency Selective Surfaces. Wiley Intersciencie, 2000.
[42] Tomaselli V. P.; Edewaard D. C.; Gillan P. and Moller K. D. Far-infrared

bandpass filters from cross-shaped grids. Applied Optics, 20, 1981.
[43] R. D. Parks, editor. Superconductivity. Marcel Dekker, Inc. New York,

1969.
[44] Lauren Margaret Persaud. Aluminium-Palladium Transition Edge Sensors.

PhD thesis, University of Waterloo, 2008.
[45] B. García-Lorenzo; A. Eff-Darwich; J. Castro-Almazán; N. Pinilla-Alonso

and C. Muñoz-Tuñon. The infrared astronomical characteristics of roque
de los muchachos observatory: precipitable water vapor statistics. Astro-
ph, 2010.
[46] Angel C. Otarola; Richard Querel and Florian Kerber. Precipitable wa-
ter vapor: Considerations on the water vapor scale height, dry bias of te
readiosonde humedity sensors, and spatial and temporal variability of the
humidity field. Astro-ph, 2011.
[47] Chini R. and Kruegel E. Dust at high z. A&A, 1994.
[48] Page L. A.; Cheng E. S.; Golubovic B.; Meyer S. S. and Gundersen
J. Millimeter-submillimeter wavelength filter system. Applied Optics, 33,
1994.
[49] J. A. Curry; J. L. Schramm; M. C. Serreze and E. E. Ebert. Water vapor

feedback over the arctic ocean. Journal Of Geophysical Research, 1995.
[50] Riccardo Giovanelli; Jeremy Darling; Charles Henderson; William Hoff-

man; Don Barry; James Cordes; Stephen Eikenberry; George Gull; Luke
Keller; J.D. Smith and Gordon Stacey. The optical/infrared astronomical
quality of high atacama sites. ii. infrared characteristics. Astro-ph, 2001.
127
BIBLIOGRAFÍA
[51] W.R Smythe. Static and Dinamic Electricity. 1968.
[52] Chase S. T. and Joseph R. D. Resonant array bandpass filters for the far
infrared. Applied Optics, 22, 1982.
[53] W. Seidel; E. Kellner; F.v. Feilitzsch U. Nagel; A. Nowak; H. J. Gebauer;

P. Colling; S. Cooper; D. Dummer; P. Ferger; M. Frank; J. Igalson; A. Nuc-
ciotti; F. Probst and G. Forster. Proximity effect in iridium-gold bilayers.
Applied Physics, 1994.
[54] R. Ulrich. Far-infrared properties of metallic mesh and its complementary

structure. Applied Optics, 6, 1967.
[55] R. Ulrich. Interference filters for the far infrared. Applied Optics, 7, 1968.
[56] Reichertz L. A.; Weferling B.; Esch W. and Kreysa E. The fastscanning ob-
serving technique for millimeter and submillimeter astronomy. A&A, 2001.
[57] Ruhl John; Ade Peter A. R.; Carlstrom John E.; Cho Hsiao-Mei; Crawford
Thomas; Dobbs Matt; Greer Chris H.; Halverson Nils w.; Holzapfel William
L.; Lanting Trevor M.; Lee Adrian T.; Leitch Erik M.; Leong Jon; Lu Wen-
yang; Lueker Martin; Mehl Jared; Meyer Stephan S.; Mohr Joe J.; Padin
Steve; Plagge T.; Pryke Clem; Runyan Marcus C.; Schwan Dan; Sharp M.
K.; Spieler Helmuth; Staniszewski Zak and Stark Antony A. The south pole
telescope. SPIE, 2004.
[58] J.Huang; T.K. Wu and S.W. Lee. Tri-band frequency selective surface with
circular ring elements. IEEE Trans. On Antennas & Propagation, 42, 1994.
[59] T.K. Wu. Frecuency-Selective surface and grid array. 1995.
[60] Kreysa Ernst; Bertoldi Frank; Gemuend Hans-Peter; Menten Karl M.; Mu-
ders Dirk; Reichertz Lothar A.; Schilke Peter; Chini Rolf; Lemke Roland;
May Torsten; Meyer Hans-Georg; Zakosarenko and Viatcheslav. Laboca:
a first generation bolometer camera for apex. SPIE, 2003.
128

Untitled Español

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Untitled Español

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Diseño y fabricación de

superficies selectivas de frecuencia

Ing. Vı́ctor Hugo Gómez Rivera

Tesis presentada en el Instituto Nacional

Sta. Ma. Tonantzintla, Pue.

Ing. Víctor Hugo Gómez Rivera

A mi esposa Tania Peña y a mi hija Hanna Lileth

A mis padres, hermanos y sobrinos

Deseo agradecer a mis asesores, el Dr. Miguel Velázquez y el Dr. David

Se presenta el diseño y simulaciones de superficies selectivas de frecuen-

3. DISEÑO DE FSS COMO ABSORBEDORES PARA TES 43

3.4. Dipolos cruzados como absorbedores de radiación para TES . . 54

4. FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE MEMBRANAS DE Si3 N4 67

5. FABRICACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE FSS 91

6.1.3. Diseño y fabricación del bolómetro selectivo de frecuencia 106

Al observar el universo en diferentes longitudes de onda se pueden obser-

1.1. Astronomía sub − mm/mm

de polvo es crucial para entender la evolución de las galaxias mismas. Un pa-

1.2. Observaciones terrestres en sub − mm/mm

Figura 1.1: En la parte superior el espectro de radiación electromágnetica des-

la radiación cósmica. En el infrarrojo cercano y medio, la mayor parte de ab-

1.3. Vapor de agua precipitable

se mantiene completamente condensada y se colecta en un recipiente de la

El vapor de agua contenido es un parámetro importante que afecta las ob-

Las moléculas triatómicas H2 0, CO2 y O3 son las principales responsables

Sitios con grandes niveles de vapor de agua tienen estrechas e inestables

El desarrollo de la instrumentación y los requerimientos para actuales y fu-

Figura 1.2: Simulación con el programa de transmisión atmósferica (AT) en

1.4. Detectores de longitudes de onda sub − mm/mm

Foto-detectores.- Responden directamente a un fotón, un fotón absorbi-

Detectores Térmicos. Absorben los fotones y termalizan su energía. En la

Detectores coherentes. Responden a la fuerza del campo eléctrico de la

Un bolómetro es un detector térmico capaz de medir radiación electromag-

Figura 1.3: Imagen de los pilares de la creación en la nebulosa del águila, en

estelar, la radiación emitida en estas regiones es reprocesada por el polvo

La radiación proveniente de estas regiones son señales muy débiles del

Figura 1.4: La detección por medio de un bolómetro consta de un absorbe-

Se puede mejorar este sistema, ya sea optimizando el termistor para tener

Optimizar la impedancia superficial del material para que sea acoplada

Utilizar superficies selectivas de frecuencia como material absorbedor de

La opción a utilizarse en este trabajo es mejorar el absorbedor haciendo uso

el termistor. Las superficies selectivas de frecuencia (o dicroicas) pueden ser

1.6. Proposito de la tesis

ción abarca describe de forma breve la astronomía en la gama sub − mm/mm,

Un bolómetro es un dispositivo que mide la potencia total de radiación elec-

Figura 2.1: Vista bajo el microscopio de un bolómetro de LABOCA. Donde la

2.2. Características de los bolómetros

El absorbedor está diseñado para acoplar la radiación incidente y está

Figura 2.2: Configuración básica de un bolómetro, el cual consiste en un ab-

Por último, el termistor o la resistencia dependiente de la temperatura

El soporte mecánico del bolómetro debe tener baja capacidad calorífi-

El funcionamiento del bolómetro es fundamentalmente una cuestión de equili-

2.3. Sensor de transición de borde (TES)

a estado normal para medir los cambios de resistencia en proporción a los

RN se define como la resistencia en estado normal, ya que diferentes

La ventana de transición esta definido como el rango de temperatura en

α es un coeficiente adimensional el cual define la sensibilidad de la tran-

Figura 2.3: Comparación ilustrativa de la sensitividad y la ventana de transición

normal sobre una pelicula delgada de metal superconductor. Debido al efecto

micamente. Cuando un fotón atérmico incide sobre la membrana, interactua

2.4. TES en modo de polarización por corriente

debajo de 1 K debido a la necesidad de minimizar el ruido, para alcanzar estas

Cuando el TES esta polarizado por corriente, como se muestra en la figu-