FACULTAD DE INGENIERIA

Tema 2, semiconductores
Enlace qumico, modelo atmico, bandas de energa y materiales tipo n y p
Antonio Olvera Martnez
18/08/2010

Electrnica bsica Grupo 8

Influencia de la estructura atmica de los semiconductores en las caractersticas conductivas, determinacin del tipo de material de acuerdo con las impurezas introducidas y la construccin de los bloques bsicos para dispositivos electrnicos.

Modelo atmico El modelo atmico es una representacin grfica que permite explicar algunas caractersticas de los elementos, establecer cmo reaccionan y los compuestos que pueden formar. Asimismo permite entender que en el tomo solo interactan los electrones de la capa ms externa, es decir, sus electrones de valencia. Para entender cmo funciona un semiconductor es necesario el uso de un modelo atmico que explique la interaccin de sus tomos de valencia, en este caso el modelo atmico de Bohr. Este modelo establece la presencia de tres elementos fundamentales: electrn, protn y neutrn estos ltimos elementos que constituyen el ncleo atmico. Ya que los electrones de valencia son los responsables de la interaccin entre tomos, el potencial (potencial de ionizacin) que se requiere para movilizar estos electrones es menor que el requerido para mover cualquier otro electrn dentro de la estructura. tomos como el silicio y el germanio presentan forman un patrn definido que tiene una naturaleza peridica. A este patrn completo se le llama cristal y a la red peridica formada red cristalina. Cualquier material compuesto nicamente con tomos del mismo tipo se le llama cristal nico. Para los materiales semiconductores esta condicin existe y su estructura no cambia significativamente con la adicin de otros materiales.

Bandas de energa En una estructura atmica existen niveles de energa discretos asociados con cada electrn en una rbita. As, cada tomo tendr su propio conjunto de niveles de energa permisibles para los electrones en su estructura atmica. Mientras un electrn se encuentre en las capas ms alejadas del ncleo atmico, mayor ser su estado de energa, de la misma manera, si un electrn ha dejado su tomo ser porque su nivel energtico ha aumentado lo suficiente para abandonar su rbita confirindole movilidad. Entre los niveles de energa existen bandas vacas en las cuales no pueden aparecer electrones dentro de la estructura atmica aislada. Cuando los tomos se unen en una red cristalina, existe una interaccin entre los tomos que ocasiona que los electrones dentro de una rbita en particular tengan ligeras diferencias en sus niveles de energa, respecto a las mismas rbitas de electrones de los tomos adjuntos. La banda de energa vaca Eg es el espacio que debe traspasar el electrn para entrar en una banda de conduccin. Esta energa necesaria es la cantidad de energa que el electrn debe de ganar para lograr movilidad y es caracterstica del material semiconductor del que se trate. De esta manera, para el silicio el Eg es de 1.1 eV, para el germanio 0.67 eV, en el caso de un aislante la banda de energa es con frecuencia de 5 eV o ms.

Enlaces qumicos Cuando los tomos interactan para formar un enlace qumico, solo entran en contacto sus regiones ms externas. Por esta razn cuando se estudian los enlaces qumicos, se consideran sobre todo sus electrones de valencia. Existen diferentes tipos de enlace qumico, como el inico establecido entre elementos de electronegatividades opuestas que forman principalmente sales, el enlace metlico presente en los metales y los enlaces covalentes, que se observa en los materiales semiconductores como Si y Ge.

Lewis expuso la teora de que todos los elementos tienen tendencia a conseguir configuracin electrnica de gas noble (8 electrones en la ltima capa). Elementos situados a la derecha de la tabla peridica (no metales) consiguen dicha configuracin por captura de electrones; elementos situados a la izquierda y en el centro de la tabla (metales), la consiguen por prdida de electrones. De esta forma la combinacin de un metal con un no metal se hace por enlace inico; pero la combinacin de no metales entre s no puede tener lugar mediante este proceso de transferencia de electrones; por lo que Lewis supuso que deban compartirlos. Es posible tambin la formacin de enlaces mltiples, o sea, la comparticin de ms de un par de electrones por una pareja de tomos. En otros casos, el par compartido es aportado por slo uno de los tomos, formndose entonces un enlace que se llama coordinado o dativo. Se han encontrado compuestos covalentes en donde no se cumple la regla. Por ejemplo, en BCl3, el tomo de boro tiene seis electrones en la ltima capa, y en SF6, el tomo de azufre consigue hasta doce electrones. Esto hace que actualmente se piense que lo caracterstico del enlace covalente es la formacin de pares electrnicos compartidos, independientemente de su nmero.

Materiales n y p Si bien la unin covalente genera una unin ms fuerte entre los electrones de valencia y su tomo, an es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energa cintica para romper la unin covalente y ser libres. De acuerdo a su naturaleza qumica los semiconductores se pueden definir como intrnsecos y extrnsecos Los materiales intrnsecos son aquellos que han sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como un monocristal. A los electrones libres localizados en el material se les conoce como portadores intrnsecos. As, el incremento en la temperatura de un semiconductor generar un incremento sustancial de electrones libres aumentando el ndice de conductividad y un menor nivel de resistencia. Los materiales extrnsecos son semiconductores que han sido modificados en su estructura por la adicin de una impureza, el tipo de elemento que se adiciona determina si un material tipo n o tipo p, es decir, si la impureza proporciona electrones libre o huecos en la estructura del semiconductor. Los materiales tipo n son aquellos que se crean por la adicin de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsnico y fosforo. El efecto de estos elementos consiste en la formacin de cuatro uniones covalentes (antimonio en silicio) sin embargo, el quinto electrn de valencia se encuentra desasociado, encontrndose relativamente libre para moverse dentro del material. Dado que el electrn es relativamente libre necesita menor energa que le permita entrar en la banda de conduccin del material. Aunque el material sigue siendo elctricamente neutro, al tener un electrn sin enlace, se dice que se dona un electrn teniendo una carga negativa (n).

Los materiales tipo p son aquellos en que la impureza introducida posee tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan con mayor frecuencia para este propsito son el boro, galio e indio. As, si se tiene boro en silicio, no existen los electrones suficientes para completar las uniones covalentes de la red cristalina formada. A la vacante que resulta se le llama hueco, por lo tanto, la vacante resultante aceptar con facilidad un electrn libre. As, el efecto de conduccin de los huecos o de los electrones determinar las propiedades del material. De esta manera la unin de materiales tipo p y n permite la construccin de dispositivos semiconductores.

Bibliografa Electrnica: Teora de circuitos Robert L. Boylestad, Sexta edicin Qumica Raymond Chang, Sptima edicin