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UNIVERSIDAD MAYOR REAL PONTIFICIA DE SAN FRANCISCO

XAVIER DE CHUQUISACA

FACULTAD DE CIENCIAS Y

TECNOLOGÍA LABORATORIO DE

FISICA III (FIS-200)

Materia: laboratorio de física básica III

Practica N°: 6
Título del tema: Variación de la resistencia con la temperatura
Grupo N°: 20
Universitario: Guzmán Torres Joaquín y Veramendi Condo Leandro
Fecha: 01/12/2022
Docente: Ing. José Luis Barrón

SUCRE - BOLIVIA

2021
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PRACTICA Nº6

VARIACIÓN DE LA RESISTENCIA

CON LA TEMPERATURA

1. FUNDAMENTO TEORICO
La resistividad en un conductor metálico casi siempre se incrementa al
aumentar la temperatura. A medida que la temperatura vaya
incrementando, losiones del conductor vibran con mayor amplitud, lo que
hace más probable que un electrón en movimiento colisione con un ion,
esto dificulta la deriva de los electrones a través del conductor y con ello
reduce la corriente.

En un pequeño intervalo de temperatura (hasta 100 °C, aproximadamente),

la resistividad de un metal queda representada en forma adecuada por la
ecuación:

ρ ( T )=ρ0 [ 1+ α ( T −T 0 ) ]

Donde:
ρ0=Resistividad a una temperatura de referencia T 0(a menudo 0 °C o 20° C )

ρ (T)=Resistividad a la temperatura T, que puede ser mayor o menor que T 0

α =Coeficiente de temperatura de resistividad

COEFICIENTES DE TEMPERATURA DE LA RESISTIVIDAD (Valores

aproximados cerca de la temperatura ambiente)
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2. OBJETIVOS
2.1 OBJETIVO GENERAL
➢ Simular en ordenador la variación de la resistencia de un material con la
temperatura, utilizando el puente de Wheatstone
2.2 OBJETIVOS ESPECIFICOS
➢ Montar el “PUENTE DE WHEATSTONE” en un simulador de circuitos
eléctricos, usando una resistencia de patrón fija R.
➢ Usar un termistor para la prueba (semiconductor) para determinar el
comportamiento de la resistividad con la temperatura.
➢ Determinar el valor de la resistencia del material Rx, en función de la
temperatura, ajustando los reóstatos R1 y R2, de modo que la corriente en
el galvanómetro sea cero.
➢ Determinar el valor de las resistencias en los reóstatos para una
indicación nula del amperímetro
➢ ) Mediante la ecuación calcular la Resistencia Rx en función de la
Resistencia patrón R, de las resistencias R1 y R2 que marcan los
reóstatos respectivamente. f) Comparar con la resistencia Rx que marca
el termistor en el Software y obtener la diferencia porcentual en las
mediciones simuladas.
➢ Graficar la Resistencia versus la Temperatura
➢ Graficar el logaritmo del cociente Rx/R versus temperatura y obtener la
pendiente por regresión lineal
➢ Interpretar el significado físico del valor de dicha pendiente
➢ Interpretar resultados y emitir conclusiones y que es igual al coeficiente
térmico de variación de la resistividad.

3. DESCRIPCION DE LA PRÁCTICA
3.1 Material o equipo utilizado

➢ Amperímetro
➢ Termistor
➢ Resistencia Patrón de 10k Ω (10000Ω)
➢ 2 reóstatos
➢ Fuente de voltaje continuo
➢ Interruptores y fusibles
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3.2 Esquema del experimento

4. Cálculos
4.1 Fórmulas utilizadas
R1
1) Rx = R( ¿
R2
𝑅𝑋 𝑠𝑜𝑓𝑤𝑎𝑟𝑒−𝑅𝑥 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
2) *100
𝑅𝑋 𝑠𝑜𝑓𝑤𝑎𝑟𝑒

3) Ln(Rx/Rx0)
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4.2 Datos experimentales y teóricos

Voltaje Rx calculado Rx software Diferencia
N° T (°C) R1 (Ω) R2 (Ω) R(Ω) Ln (Rx/Rx0)
fuente (V) (Ω) (Ω) %
1
9 -20 201,93 14,43 10000 139937,63 139820.00 0.08 0,0000
2
9 -10 126,93 14,43 10000 87962,58 81200.00 0,33 -0.4643
3
9 0 126,93 26,93 10000 47133,31 48170.00 2,15 -1.0882
4
9 10 76,93 26,93 10000 28560,65 28300.00 3,65 -1.5890
5
9 20 76,93 39,43 10000 19510,52 18060.00 8,03 -1,9702
6
9 30 76,93 64,43 10000 11940,09 12370.00 0.59 -2,4613
7
9 40 89,43 114,43 10000 7815,26 7910.00 1.20 -2.8851

4.3 Cálculos matemáticos

CALCULO DE Rx (Ω)
201.93
R X 1=1000 ∗ 14.43
= 139937.63Ω

( 14.43 ) =87962,56Ω
RX 2 126.93
=10000×

( 26,93 ) =47133,31Ω
RX 3 126,93
=10000×

201.93
CALCULO DE LA DIFERENCIA %1000 ∗ = 139937.63Ω
14.43

139820,00−139937,63
1¿ ×100=0.80 %
139820.00

81200.00−87962,58
2¿ ×100=0,33 %
81200.00

48170.00−47133,31
3¿ ×100=2,14 %
481700.00
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CALCULO DE Ln (Rx/Rx0)

(
1¿ ln 129966,63 =0,00
139966.63 )
( )
82914.02
2 ¿ ln =−0.4643
139966.63

( 139966.62 )=−1.0882
48801.80
3 ¿ ln

5. Interpretación de resultados

GRAFICA DE Rx vs TEMPERATURA

T °C Rx(Ω)
-20 139937,63
-10 87962,58
0 47133,31
10 28566,65
20 19510,52
30 11940,09
40 7815,26
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GRAFICA DE Ln(Rx/R0) vs TEMPERATURA

Ln
T °C
(Rx/Rx0)
-20 0,000
-10 -0.464
0 -1.088
10 -1.589
20 -1,970
30 -2.461
40 -2.885

6. CONCLUSIONES
➢ Se logró el objetivo de calcular la variación de la resistencia de los materiales
con la temperatura, obteniendo un error relativo porcentual del 89.65%, lo que
indica que se cometió algún tipo de error de medición al recoger los datos, por
tanto, el error es bastante alto.

7. CUESTIONARIO
1. ¿Qué le indica a Ud., el valor del coeficiente térmico de variación de la
resistividad de un material?
R.-Un valor alto de resistividad indica Que el material es mal conductor mientras que uno
bajo indicará que es un buen conductor. Generalmente la resistividad de los metales
aumenta con la temperatura, mientras que la resistividad de los semiconductores
disminuye ante el aumento de la temperatura.
2. Con el aumento de la temperatura no sólo varía la resistencia sino también la
longitud y sección transversal de la resistencia, de acuerdo a los fenómenos de
dilatación lineal y superficial. ¿Por qué, no se tomó en cuenta estas variaciones en
la realización de la práctica?
R.- Se despreció estos parámetros por qué solo se quiere el cálculo de la variación de la
resistencia del platino con la temperatura, que es un conductor.
3. ¿Qué otros materiales semiconductores conocen?
R.- Cadmio, aluminio, fosforo, diodos, etc.
4. Cite algunas aplicaciones de los semiconductores.
R.- básicamente se usan en equipos semiconductores: Termistores: puede ser para
alarma contra incendios. Transistores y diodos.
• Rectificar la corriente alterna, uniendo electrones semiconductores de tipo N y tipo P
para lograr un desequilibrio electrónico.
• Detectar señales de radio.
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• Amplificar señales de corriente eléctrica.

• Transistores, ya sean BJT o JFET.

8. BIBLIOGRAFIA

• https://www.google.com/search?
client=opera&q=diodos&sourceid=opera&ie=UTF-8&oe=UTF-8
• http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_3.htm