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EXPERIENCIA: 8
CURVA CARACTERÍSTICA DEL
TRANSISTOR FET

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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

EXPERIENCIA N°: 8

TÍTULO DE LA EXPERIENCIA:

CURVA CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR FET

Alumno(os): Grupal Indiv. Total

1. Juan Carlos Cornejo Baltazar
2.
3.
4.
Grupo: A Docente: Ing William Mullisaca
Semestre: 4 Atamari
Fecha de
14/11/2020 Hora:
entrega:
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TRANSISTOR FET
LABORATORIO N° 8
CURVA CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR FET

I.- OBJETIVOS:

1.1. Demuestra experimentalmente la forma de la curva característica del transistor FET,

mostrando sus parámetros principales.

II.- FUNDAMENTO TEÓRICO:

Curva característica del transistor FET

Punto de operación y recta d carga estática

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III.- RECOMENDACIONES EN SEGURIDAD

3.1. En condiciones de una emergencia Identifique:

 Vías de acceso y evacuación

 Equipos de respuesta a emergencias

 Señalización de seguridad
3.2. Complete el ATS (Anexo 1) y cumpla las condiciones obligatorias para el uso del
ambiente

IV.- EQUIPOS Y MATERIALES A UTILIZAR:

.Cantidad Descripción
1 Ordenador de mesa

V.- PROCEDIMIENTO:
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TRANSISTOR FET
5.1. Implemente el siguiente circuito en el protoboard para tomar datos de corriente, y voltaje,
según las condiciones requeridas. Dibujar las curvas de cada tabla en papel milimetrado, sobre
un mismo eje de operación cartesiano en donde el eje de las abscisas es el voltaje surtidor
drenador y el eje de las ordenadas es la corriente en drenador, colocar la leyenda de para cada
voltaje de gate. Dibuje además la curva de corriente versus el voltaje Gate Surtidor.

Simulacion realizada en el software Electronic Workbench

Calibrar el potenciómetro de la base hasta que marque aproximadamente -100mV, debiendo

comenzar en cero al momento de encender el sistema, lo mismo en el caso del potenciómetro
del drenador-surtidor, aumentar el valor del potenciómetro de drenador-surtidor
aproximadamente siguiendo los valores de la tabla siguiente:
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Tabla 1: Tabla de valores para una corriente aproximada de -100 (-89.97) mV
𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
0.5 0.1716
1.0 0.2814
1.5 0.3511
2.0 0.3668
2.5 0.3673
3.0 0.3679
3.5 0.3683
4.0 0.3689
4.5 0.3693
5.0 0.3698
5.5 0.3703
6.5 0.3713
7.0 0.3719
7.5 0.3723
8.0 0.3728

Calibrar el potenciómetro de la base hasta que marque aproximadamente -200mV, también,

calibre el potenciómetro del drenador-surtidor en cero voltios para comenzar a capturar los
datos, aumentar el valor del potenciómetro de drenador-surtidor aproximadamente siguiendo
los valores de la tabla siguiente:
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TRANSISTOR FET
Tabla 2: Tabla de valores para una corriente aproximada de -200 (-209.9) mV
𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
0.5 0.1437
1.0 0.2616
1.5 0.3143
2.0 0.3225
2.5 0.3230
3.0 0.3235
3.5 0.3240
4.0 0.3245
4.5 0.3250
5.0 0.3255
5.5 0.3260
6.5 0.3269
7.0 0.3275
7.5 0.3279
8.0 0.3285
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Tabla 3: Tabla de valores para una corriente aproximada de -300 (-299.7) mV
𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
0.5 0.1526
1.0 0.2456
1.5 0.2861
2.0 0.2911
2.5 0.2916
3.0 0.2921
3.5 0.2926
4.0 0.2931
4.5 0.2936
5.0 0.2942
5.5 0.2947
6.5 0.2956
7.0 0.2961
7.5 0.2966
8.0 0.2971
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Tabla 4: Tabla de valores para una corriente aproximada de -400 (-389.6) mV
𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
0.5 0.1293
1.0 0.2222
1.5 0.2602
2.0 0.2614
2.5 0.2618
3.0 0.2623
3.5 0.2629
4.0 0.2634
4.5 0.2639
5.0 0.2645
5.5 0.2649
6.5 0.2659
7.0 0.2664
7.5 0.2669
8.0 0.2674
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Tabla 5: Tabla de valores para una corriente aproximada de -500 (-509.3) mV
𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
0.5 0.1192
1.0 0.2009
1.5 0.2237
2.0 0.2242
2.5 0.2248
3.0 0.2253
3.5 0.2257
4.0 0.2262
4.5 0.2267
5.0 0.2272
5.5 0.2278
6.5 0.2287
7.0 0.2292
7.5 0.2298
8.0 0.2302
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5.2. Repetir el mismo experimento anterior, pero ahora utilice el transistor K170, complete
sus propias tablas bajo las mismas condiciones. Dibuje en papel milimetrado superponiendo
las curvas en un mismo diagrama cartesiano, además de la corriente con respecto al voltaje de
gate surtidor según se muestra en la parte teórica.
Para esta simulación se usó el transistor JFET de canal P, debido a que no se encuentra
disponible el transistor K170 en la mayoría de simuladores.

Tabla 1: Tabla de valores para una corriente aproximada de 100 (89.97) mV

𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
-0.5 -0.1716
-1.0 -0.2814
-1.5 -0.3511
-2.0 -0.3668
-2.5 -0.3673
-3.0 -0.3679
-3.5 -0.3683
-4.0 0.3689
-4.5 -0.3693
-5.0 -0.3698
-5.5 -0.3703
-6.5 -0.3713
-7.0 -0.3719
-7.5 -0.3723
-8.0 -0.3728
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Tabla 2: Tabla de valores para una corriente aproximada de 200 (209.9) mV
𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
-0.5 -0.1437
-1.0 -0.2616
-1.5 -0.3143
-2.0 -0.3225
-2.5 -0.3230
-3.0 -0.3235
-3.5 -0.3240
-4.0 -0.3245
-4.5 -0.3250
-5.0 -0.3255
-5.5 -0.3260
-6.5 -0.3269
-7.0 -0.3275
-7.5 -0.3279
-8.0 -0.3285
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Tabla 3: Tabla de valores para una corriente aproximada de 300 (299.7) mV
𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
-0.5 -0.1526
-1.0 -0.2456
-1.5 -0.2861
-2.0 -0.2911
-2.5 -0.2916
-3.0 -0.2921
-3.5 -0.2926
-4.0 -0.2631
-4.5 -0.2936
-5.0 -0.2942
-5.5 -0.2947
-6.5 -0.2956
-7.0 -0.2961
-7.5 -0.2966
-8.0 0.2971
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Tabla 4: Tabla de valores para una corriente aproximada de 400 (389.6) mV
𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
-0.5 -0.1293
-1.0 -0.2222
-1.5 -0.2602
-2.0 -0.2614
-2.5 -0.2618
3.0 -0.2623
-3.5 -0.2629
-4.0 -0.2634
-4.5 -0.2639
-5.0 -0.2645
-5.5 -0.2649
-6.5 -0.2659
-7.0 -0.2664
-7.5 -0.2669
-8.0 -0.2674
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Tabla 5: Tabla de valores para una corriente aproximada de 500 (509.3) mV
𝑉𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟−𝑠𝑢𝑟𝑡𝑖𝑑𝑜𝑟 (voltios) I𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑑𝑟𝑒𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟 (mA)
-0.5 -0.1192
-1.0 -0.2009
-1.5 -0.2237
-2.0 -0.2242
-2.5 -0.2248
-3.0 -0.2253
-3.5 -0.2257
-4.0 -0.2262
-4.5 -0.2267
-5.0 -0.2272
-5.5 -0.2278
-6.5 -0.2287
-7.0 -0.2292
-7.5 -0.2298
-8.0 -0.2302
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5.3. Determine la recta de carga para cada uno de los casos.
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VI.- CUESTIONARIO:

6.1.- ¿Qué es MOSFET?

Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo
de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,
MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.
6.2.- ¿Qué es ecuación del transistor FET?
El desempeño del Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W. Shockley,
en 1952. De ahí el nombre que rige la ecuación de este tipo de transistores; la llamada
"ECUACIÓN DE SHOCKLEY".

 ID = Corriente de Drenaje
 IDSS = Corriente de Drenaje de Saturación
 VGS = Voltaje Puerta-Fuente
 VP = Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.

Id=Idss*( (1-VGS/VP)^2)
VII.- OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:

- Dar 6 observaciones y 6 conclusiones de forma personal, en forma clara y empleando el

menor número de palabras.

Observaciones

 Se puede observar que la curva característica a la salida del FET es muy similar a la de
un BJT.

 Algunos valores (como el voltaje manejado por los potenciómetros) no fueron exactos,
los valores se especifican en el título de las tablas.
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Conclusiones

 Los valores de los JFET pueden ser diferentes aunque sean del mismo tipo.

 Los valores medidos se asemejan a los calculados y simulados, solo con un pequeño
margen de error debido a las resistencias o a las características del FET.

VIII.- BIBLIOGRAFÍA:

 Principles of Electronics Circuits, Second Edition, PWS Publishing Company. S. Burns,

P. Bond, Cubre Semiconductores, Diodos, Circuitos con diodos, Transistores y
Circuitos con Transistores.

 Malvino, A., & Bates. (2006). Principios de electrónica. Mc Graw - Hill.

 Pallas, R. (2006). Instrumentos electrónicos básicos. Marcombo.

 Ruiz Robredo, G. A. (2009). Electrónica básica para ingenieros. Cantabria.

 Ryder, J. (1962). Electrónica. Madrid.

 http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-
1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf

 https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/teoria/te
ma-4-teoria.pdf
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Rubrica:
Desarrollo de experiencias

Conclusion
Observacin

Sugerencia
Puntualida

Porcentaje
Asistencia

Total
es

es

%
d

s
5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 6.1 6.2 6.3
1 5 5 5 1 1 2 20 15

Ing William Mullisaca

Docente DAIE
 Anexo 1
ATS: Análisis de trabajo seguro

Curso: Tarea: Docente:

Ambiente: Grupo: Mesa:
Integrantes (Apellidos y nombres) Firma Integrantes (Apellido
1. 2.

3. 4.
Elementos de protección (Marque con aspa) Características de elementos d

1. _______________________
2. _______________________
USO USO USO USO USO USO
3. _______________________
OBLIGATORIO OBLIGATORIO OBLIGATORIO OBLIGATORIO OBLIGATORIO OBLIGATORIO
4. _______________________
DEL CASCO DE BOTAS DE GUANTES DE DE DE
5. _______________________
DE AISLANTES AISLANTES PROTECCIÓN MASCARILLA PROTECTOR
SEGURIDAD OCULAR FACIAL

USO APAGAR USO OBLIGATORIO USO OTRO

OBLIGATORIO DESCONECTAR OBLIGATORIO CONECTAR A OBLIGATORIO
DE DE TIERRA
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PROTECCIÓN CUANDO NO SE PROTECTOR DE TRAJE DE
AUDITIVA USE AJUSTABLE SEGURIDAD

Acciones a realizar
(marque con aspa las advertencias por cada acción)

1.
2.
3.
4.
5.
6.