Preycap 1

LOS DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES
M.Sc. Ing. F. Renato Campana Valderrama
Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama
Advertencia
Se invita y se sugiere al amigo lector a revisar mi página
web para localizar aquellos errores de tipografía en la
seccion de Fe de Erratas:
https://sites.google.com/site/semiconductorescampana
Errores tipográficos adicionales encontrados por los

estimados lectores o algún comentario, el autor los
recibirá con gratitud !
Los Dispositivos Semiconductores, ISBN: 978-9972-50-142-5

Copyright © 2011: Franco Renato Campana Valderrama
1
3
1.-OBJETIVOS
1.- Exposición de algunos conceptos de la Física
de los semiconductores.
2.- Comprensión cualitativa y cuantitativa de los
principales dispositivos electrónicos:
- Diodo.
- Transistor Bipolar (BJT).
- Transistor Efecto de Campo:
• JFET
• MESFET
• MOSFET
3.- Comprensión cualitativa de los fenómenos
transitorios de estos dispositivos.
2.- BASES PRINCIPALES
Electromagnetismo
Mecánica Estadística
Física de los
Mecánica Cuántica Semiconductores
Física del Estado Sólido
2
5
2.1.- BASES PRINCIPALES
Física de los Semiconductores
Dispositivos Semiconductores
2.2.- UBICACIÓN Y UNA POSIBLE APLICACIÓN DE

LA MATERIA DE DISPOSITIVOS
Dispositivos Semiconductores
Análisis y diseño de
Circuitos Lineales Circuitos Electrónicos
Procesos de fabricación
Microelectrónica
de circuitos integrados
3
7
3.- ALGUNOS DATOS HISTÓRICOS DEL CURSO
http://www.baumanrarebooks.com/BookImages/71189f.jpg
http://www.bibliopolis.com/books/images/client
s/briancassidy/11166.jpg
Este fue el primer texto usado en la Universidad

de Illinois en 1952. La materia se llamaba: En 1955 James Gibbons enseña en
Conduction of Electricity in Solids. Fue enseñada Stanford la materia de Transistors and
por John Bardeen. Active Circuits.
http://img2.mlstatic.com/s_MLA_v_V_f_14195
4682_9690.jpg
En 1960 se funda la SEEC con una

concesión de la fundación Ford. http://ecx.images-amazon.com/images/I/
515ey4VSULL._SL500_AA300_.jpg
En 1969, Paul Gray y Cambell Searle (M.I.T)

publican este libro, teniendo como base
los textos SEEC.
4
9
http://i.ebayimg.com/t/PHYSICS-TECHNOLOGY-
SEMICONDUCTOR-DEVICES-A-S-GROVE-1967- http://bookmoving.com/book/covers/physics-
/00/s/NTk5WDQwOA==/$%28KGrHqV,!osE- semiconductor-devices-nd-edition-.jpg
vzqsNBJBP2j3EKdjQ~~60_35.JPG
En 1969 Simon Sze publica su libro.
En 1967 Andrew Grove (Fairchild Muy conocido en las escuelas de post-
Semiconductor) publica su libro. grado (la foto muestra la segunda edición).
10
4.- PARTES DEL LIBRO
1.- LOS SEMICONDUCTORES.
2.- LAS JUNTURAS Y LOS DIODOS.
3.- EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT.
4.- EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.
5.- ANEXOS.
5
11
PARTE I:
LOS SEMICONDUCTORES
12
Galería de algunos pioneros !
http://en.nkfu.com/wp-content/uploads/2012/
03/Michael-Faraday-Quotes-4.jpg
Michael Faraday
En 1833 observa que ciertos
materiales conducen a pesar http://upload.wikimedia.org/wikipedia/
commons/thumb/8/8e/Portrait_of_Antoine-
de una temperatura elevada. Henri_Becquerel.jpg/260px-Portrait_of_
esto no lo predecían los Antoine-Henri_Becquerel.jpg
estudios de los metales. Edmond Becquerel http://upload.wikimedia.org/wikipedia/

En 1839 observa la gene- commons/9/9d/Winkler_Clemens.jpg
ración de un “fotovoltaje”. W. Clemens

En 1866 descubre
el Germanio.
6
13
http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/
physics/laureates/1909/braun_postcard.jpg
http://www.fisicanet.com.ar/biografias/
Ferdinand Braun cientificos/h/img/hertz.jpg
En 1874 observa la pro-
piedad de “rectificación”. Heinrich R. Hertz http://www.probertencyclopaedia.com/
photolib/people/Guglielmo%20Marconi.jpg
En 1888 observa que
ondas Electromagnéticas
pueden ser a transmitidas Guglielmo Marconi
a grandes distancias. En 1901 demuestra lo
propuesto por Hertz.
14
http://photos.aip.org/history/
Thumbnails/pohl_robert_a3.jpg
http://3.bp.blogspot.com/-XWndYW_2yNw/
Robert Pohl T0u1e2kLhvI/AAAAAAAA7M8/AwuYDv54hNw/
s1600/Thomas-Alva-Edison.jpg
A comienzos del siglo XX http://www.biography.com/imported/
estudia la conductividad T. Alva Edison images/Biography/Images/Profiles/F/
Sir-John-Ambrose-Fleming-9296963-1-402.jpg
en materiales no metales. Patenta el diodo de vacío.
J. A. Fleming
En 1904 usa un diodo de
vacío en un detector de
radio.
7
15
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/common
s/thumb/0/0b/Felix_Bloch,_Stanford_University.j
pg/150px-Felix_Bloch,_Stanford_University.jpg
http://www.physics.purdue.edu/
F. Bloch prizes_awards/images/karl_lark-
horovitz_100.jpg
En 1926 usa la Mecánica
Cuántica para describir al K. L. Horovitz http://wikipcpedia.com/wp-content/uploads/
electrón mediante una En la U. de Purdue ya se 2011/06/Carl-Frosch.jpg
función de onda. trabaja con el Germanio y C. Frosch

con Silicio. En 1955 descubre
que el Silicio posee
un óxido propio.
16
Capítulo 1
Los Semiconductores y sus Propiedades
8
17
1.- Clasificación de los Materiales

1.- De acuerdo a su conductividad σ (Ω-cm)-1
MATERIAL CONDUCTIVIDAD
σ (Ω-cm)-1
Metales 105 - 1010

Semiconductores < 10-9 – 102 >
Aislantes < 10-9
2.- De acuerdo a la Banda Prohibida EG (más adelante).
18
Ubicación de los Semiconductores en la

Tabla Periodica
III IV V
BORO (B) CARBONO (C) NITROGENO (N)
GALIO (Ga) SILICIO (Si) FOSFORO (P)
INDIO (In) GERMANIO (Ge) ARSENICO (As)
TALIO (Ti) ESTAÑO (Sn) ANTIMONIO (Sb)
PLOMO (Pb) BISMUTO (Bi)
Principal material semiconductor: El Silicio (Si)

Otro material: El Germanio (Ge).
Material Compuesto: el Arsenuro de Galio (AsGa)
9
19
1.4- Modelamiento de los semiconductores

Formas de visualizar a los semiconductores
Para el posterior análisis de los dispositivos
1. Modelo de enlaces.
2. Modelo de bandas de energía.
20
Modelo de enlaces
Atomo de Silicio + + +
+ Si + + Si + + Si +
aislado + + +
Núcleo
atómico
+ + +
+ Si + + Si + + Si +
+ + + +
+ Si +
+
+ + +
+ Si + + Si + + Si +
+ + +
Electrones de
valencia
Enlace de varios átomos de silicio
10
21
Las Bandas de Energía
El Silicio,
número
atómico: 14
Atomo de Silicio
aislado
22
Dos átomos de Si
E
11
23
Más y más átomos de Si
Banda de conducción
Banda prohibida Banda de valencia
24
Nivel de Ionización E0
Banda de Conducción
EC
Banda Prohibida
EG =EC - EV
EV
Banda de Valencia
12
25
Otra forma de clasificar los materiales
De acuerdo a la Banda Prohibida EG

MATERIAL CONDUCTIVIDAD BANDA PROHIBIDA
σ (Ω-cm)-1 EG (eV)
Metales 105 - 1010 No tiene
Semiconductores < 10-9 – 102 > 0<EG <4
Aislantes < 10-9 EG ≥ 4
MATERIAL EG (eV)
Silicio (Si) 1.12
Germanio (Ge) 0.66
Arsenuro de Galio (AsGa) 1.42
26
Visualización de la clasificación
13
27
1.5.- Los portadores de carga
- Transportan carga en el material.
- Metales: electrones (e)

- Semiconductores: electrones (e) y huecos (h).
Visualización a través de los modelos

de enlaces y de bandas:
28
Sin excitación
(imaginar T=0 K y no hay campo eléctrico externo)
Banda de conducción
vacía de electrones
EC
EV
Banda de valencia
llena de electrones
14
29
Ahora, T≠ 0 K y aún sin campo eléctrico externo

Electrón
Electrón libre Electrón generado
Faltante
(HUECO)
EC
EV
Hueco generado
Par Electrón-Hueco (e-h)

generados térmicamente
Generación Térmica!
30
Dos características básicas de los

portadores en los semiconductores
CARGA:
Electrón (e-): (-q).
Hueco (e+): (+q).
q: 1.6x10-19 C.
MASA:
*
Electrón (e-): “masa efectiva” mn
Hueco (e+): “masa efectiva” m *p
15
31
Diferencias entre la masa del electrón

en el vacío m0 y en un semiconductor
En el vacío: m0=9.11x10-31 kg.
Dentro de un semiconductor los portadores:

1.- Sufren colisiones.
2.- Están sujetos a campo eléctricos internos.
Las masas varían de acuerdo al corte del cristal.

(lo veremos al último del curso)
32
Por lo tanto:
Tratamiento clásico m0
Tratamiento “casi clásico”: mn* m *p
Esto nos permite tratar a estas partículas

mediante el formalismo de la Mecánica clásica
Material Masa efectiva (e-) mn*/mo Masa efectiva (e+)
mp*/mo
Si 1.18 0.81
Ge 0.55 0.36
GaAs 0.066 0.52
Masa efectivas a T=300 K
16
33
Concentración de portadores en un
semiconductor intrínseco
- Muestra semiconductora muy pura.
- Concentración de electrones igual a la concen-
tración de huecos.
ú /
p ú /
Entonces: n p
“i” denota intrínseco
34
1.6.- Adulteración en los semiconductores

Hasta ahora, hemos visto sólo a un semiconductor
intrínseco:
“la concentración de electrones es igual a la
concentración de huecos”
PROBLEMA:
Pocos portadores para conducir corriente!
17
35
SOLUCION: ADULTERAR O DOPAR EL SC !
DOPAJE:
1.- Manera controlada de introducir y variar

la concentración de portadores en un SC.
2.- Se logra mediante la adición de átomos

“de impurezas o dopantes”en el SC.
Con ello se tendrá un semiconductor extrínseco !
36
Para aumentar la concentración de electrones:

se agregan átomos de la columna V o donadores.
Semiconductor tipo N:
Electrones: Son la “mayoría”: Concentración mayoritaria.
Huecos: Son la “minoría”: Concentración minoritaria.
Para aumentar la concentración de huecos:

se agregan átomos de la columna III o aceptores.
Semiconductor tipo P:
Huecos: Son la “mayoría”: Concentración mayoritaria.
Electrones: Son la “minoría”: Concentración minoritaria.
18
37
Dopantes comunes para el silicio:
DONADORES ACEPTORES
DE LA COLUMNA V DE LA COLUMNA III
Fósforo (P) Boro (B)
Arsénico (As) Galio (Ga)
Antimonio (Sb) Indio (In)
38
Visualización: Dopando con donadores
Electrón donado
→0K
EC
+ + + + ED
+ Si +
+
+
+ P+ +
+
+ Si +
+
Ión
EV
+ + +
+ Si + + Si + + Si + : 150 450> K
+ + +
EC
ED
+ + +
+ Si + + Si + + Si +
+ + +
EV
19
39
Visualización: Dopando con aceptores
Enlace incompleto (hueco)
→0K
Ión EC
+ +
+ Si +
+ -
+ B +
+
+ Si +
+ EA
EV
+ + +
+ Si + + Si + + Si +
+ + + : 150 450> K
EC
+ + +
+ Si + + Si + + Si +
+ + + EA
EV
40
1.7.- Concentración de portadores

Dos tareas importantes para analizar:
1.- Estudiar la distribución de portadores sobre los
estados de energía permitidos.
Se obedece al principio de exclusión de Pauli:
“a lo sumo dos electrones (de diferente Spin) pueden
ocupar cualquier nivel de energía”
2.- Investigar el comportamiento estadístico de un
grupo muy grande de portadores.
Usar la función de distribución de Fermi-Dirac.
20
41
Desarrollando estos dos conceptos, llegamos a:

La Densidad de Estados
Número de estados disponibles para ser ocupados
por los portadores, por unidad de área, por unidad
de energía.
3
1  2m*  2
g C (E) = 2  2n  E - E C , E ≥ EC E gC(E)
2π  h 
 Ec
3
1  2m p 
* 2
g V (E) = 2  2  EV - E , E ≤ EV
gV(E)
2π  h  Ev
42
La Función de Fermi-Dirac (F.D)
Describe la probabilidad que un estado a determinada
energía y temperatura está siendo ocupado por un
electrón.
Para electrones: Para huecos:
1 1
fe (E) = (E −EF )
fh (E) = 1- fe (E) = (EF −E)
kBT kBT
1+ e 1+ e
f(E) Para T=0 K
kB: Constante de Boltzman.

1 Ta<Tb<Tc (1.38x10-23 J/K ó 8.62x10-5 eV/K)
2 T: Temperatura (K)
E
EF
21
43
Para electrones Para huecos

fe(E) fh(E)
f(E)
1
2
E
EF
Donde EF: Energía de Fermi o Función de Fermi.
A T=0 K: Nos define que los estados debajo de EF están
llenos y los estados arriba de EF están vacíos.
A T>0 K: Nivel de energía cuya probabilidad de ocu-pación
es 0.5 ó 50 %.
44
Si hacemos que Si hacemos que

! " #/$% & " ! #/$% &
≫1 1>>
en fe(E): en fh(E):
-(E −EF ) -(E −E F )
kBT
fe (E) ≅ e fe (E) ≅ e kBT
Aproximaciones de Maxwell-Boltzman
Mucho mayor (o menor) que la unidad podemos

tomarlo como 20 veces, entonces, por ejemplo para
fe(E) en F.D:
(E −E F )
kBT
e = 20
E - E F = k B TLn(20)≈ 3k B T
22
45
Distribución de portadores
Diagrama de Función de Densidad de Distribución

bandas probabilidad estados de portadores
E E
Electrones
gC(E) EC
EC
EF
gV(E)
EV EV
huecos
f(E)
46
Agrandando la imagen:
gC(E) fh(E) Electrones
EC
EF
EV
fe(E) huecos
gV(E)
23
47
Semiconductor intrínseco:
Distribución
de portadores
Electrones
EC
EFi EFi: Nivel de Fermi intrínseco
EV
huecos
48
Semiconductor tipo N:

E E
Electrones
EC gC(E) EC
EF
EFi
gV(E)
EV
EV
huecos
f(E)
24
49
Semiconductor tipo P:

E E
Electrones
EC gC(E)
EC
EFi
EF
EV gV(E) EV
huecos
f(E)
50
Usando diagrama de bandas:
EC
EF
EFi
EF
EV
SC intrínseco SC tipo N SC tipo P
EC
EF
EFi
EF
EV
25
51
1.8.- Concentración de portadores en

condiciones de equilibrio
Electrones Huecos
+∞ EC EFi EV -∞
∞ -(E C -EF ) EV -(EF -E V )
n0 = ∫ fe (E)gC (E)dE = NCe kBT
p 0 = ∫ fh (E)gV (E)dE = NV e kBT
EC −∞
3 3
 m* k T  2
 m* k T  2
NC = 2 n B2  NV = 2 p B2 
 2πh   2πh 
NC: Densidad efectiva de estados en la banda de conducción.

NV: Densidad efectiva de estados en la banda de valencia.
-(E C -EFi ) -(E Fi -E V )
Otra manera: k BT kB T
no = NC e , p o = NV e
52
Constantes de las densidades efectivas y concentración

intrínseca a T=300 K.
Material Densidad Densidad Concentración

(300 K) efectiva efectiva intrínseca
NC NV ni=pi
Silicio 2.78x1019 cm-3 9.84x1018 cm-3 1.50x1010 cm-3
Germanio 1.04x1019 cm-3 6.00x1018 cm-3 2.33x1013 cm-3
Arsenuro de 4.45x1017 cm-3 7.72x1018 cm-3 1.84x106 cm-3

Galio
26
53
Expresiones alternativas
Electrones Huecos
 (EF −EFi )   − (EF −EFi ) 
   
 kBT   kBT 
n0 = nie p0 = nie
Concentración intrínseca y ley de acción de masas

− (E G )
2k B T
ni = NCNV e
n 0p0 = n i2
54
27
55
Relación de neutralidad de la carga
q(n 0 + N A ) = q(p 0 + N D )
Donde:
q: carga electrónica.
p0: número de huecos en equilibrio.
n0: número de electrones en equilibrio.
ND: número de donadores ionizados
(positivamente cargados) donadores/cm3.
NA: número de aceptores ionizados
(negativamente cargados) aceptores/cm3.
56
Aproximaciones para el cálculo de la concentración

de portadores
1.- Trabajar con semiconductores no degenerados.
2.- Ionización total de los átomos dopantes.
Semiconductor intrínseco Electrones (
(NA=0, ND=0): Huecos )(
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

(ND>>NA y ND>>ni): (NA>>ND y NA>>ni
Concentración mayoritaria Concentración mayoritaria
n 0 = n n0 ≈ N D p 0 = p p0 ≈ N A
Concertación minoritaria Concertación minoritaria
n2 n i2
p 0 = p n0 ≈ i n 0 = n p0 ≈
ND NA
28
57
Posición real del nivel de Fermi EF
Semiconductor intrínseco (NA=0, ND=0):
EC − E V 3  m*p 
E Fi = + k BT Ln * 
2 4 m 
 n
Semiconductor tipo N (ND>>NA y ND>>ni):

N 
EF - EFi = k B T Ln D  EF-EFi: Varía de
 ni 
acuerdo a:
Semiconductor tipo P (NA>>ND y NA>>ni: • Dopaje
• Temperatura
N 
EFi - EF = k B T Ln A 
 ni 
58
* No se han tomado en consideración la dependencia de las bandas debido al dopaje.
29
59
* No se han tomado en consideración la dependencia de las bandas debido a la variación de la temperatura.
60
1.9.- Dependencia entre concentración

mayoritaria y la temperatura
Ionización Semiconductor N
total !!
n≈ND
30
61
Analizando sólo la region de ionización total y la región intrínseca:
Región
Intrínseca
Región de ionización total

?
62
Región
Intrínseca
Región de ionización total
31
63
Mayor intervalo de Región

de I.T. para el Silicio
32

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Los Dispositivos Semiconductores, ISBN: 978-9972-50-142-5

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

2.- BASES PRINCIPALES

Física del Estado Sólido

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

2.1.- BASES PRINCIPALES

Física de los Semiconductores

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

2.2.- UBICACIÓN Y UNA POSIBLE APLICACIÓN DE

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

3.- ALGUNOS DATOS HISTÓRICOS DEL CURSO

Este fue el primer texto usado en la Universidad

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

En 1960 se funda la SEEC con una

En 1969, Paul Gray y Cambell Searle (M.I.T)

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

4.- PARTES DEL LIBRO

1.- LOS SEMICONDUCTORES.

2.- LAS JUNTURAS Y LOS DIODOS.

3.- EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT.

4.- EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

estudios de los metales. Edmond Becquerel http://upload.wikimedia.org/wikipedia/

ración de un “fotovoltaje”. W. Clemens

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

función de onda. trabaja con el Germanio y C. Frosch

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

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1.- Clasificación de los Materiales

Metales 105 - 1010

2.- De acuerdo a la Banda Prohibida EG (más adelante).

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Ubicación de los Semiconductores en la

Principal material semiconductor: El Silicio (Si)

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

1.4- Modelamiento de los semiconductores

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Las Bandas de Energía

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Más y más átomos de Si

Banda prohibida Banda de valencia

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Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Otra forma de clasificar los materiales

De acuerdo a la Banda Prohibida EG

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

1.5.- Los portadores de carga

- Transportan carga en el material.

- Metales: electrones (e)

Visualización a través de los modelos

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Ahora, T≠ 0 K y aún sin campo eléctrico externo

Par Electrón-Hueco (e-h)

Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama

Dos características básicas de los