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EXPERIENCIA Nº 1
AMPLIFICADOR MULTIETAPA.
I. OBJETIVO:
1. Detalle las condiciones para que un BJT y/o FET pueda operar en baja frecuencia.
2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, escriba una ecuación
𝑑𝐼𝐶2⁄
𝑑𝑇 , 𝑡𝑎𝑙 𝑞𝑢𝑒 𝐼𝐶2 = 𝑓(𝐼𝐶𝐵𝑂 , 𝑉𝐵𝐸 ) y considere que los BJT sean de silicio.
3. Fundamente las razones por los que se diseña la ganancia y otros parámetros del
amplificador independiente del ℎ𝑓𝑒 , ℎ𝑖𝑒 , etc, del BJT por ejemplo.
4. Diseñe el circuito amplificador de la figura bajo las siguientes premisas.
Fuente de operación DC 12V
Elementos activos 2N2222A
Señal de Prueba 1 KHz 10 mV con resistencia interna 10 K
Corriente ICQ mayor o igual a 1 mA
Frecuencia de corte fi =100 Hz y fs = 5 KHz
Ganancia a frecuencia medias 350 (aproximadamente)
5. Simule en computadora el circuito de la experiencia y muestre los principales parámetros
del amplificador (Diagrama de Bode, Respuesta del amplificador a una onda de prueba
de 1 KHz, y Diagramas que prueban que los transistores Q3 y Q4 operan en régimen
lineal
1 Osciloscopio
1 Multímetro
1 Generador de ondas.
1 Fuente DC
Transistores 2N2222A o similar
Resistencias y Condensadores de acuerdo al diseño
Conductores para conexiones.
IV. PROCEDIMIENTOS:
1. Arme el circuito de la figura, con los valores sugeridos o con los valores obtenidos en su
diseño; sin conectar Vin y C3.
5. Conecte el circuito global Q1, Q2, Q3, Q4, y aplique Vin con una señal de prueba de 1
KHz y anote en AC.
VVin VR1 VB1 VB2 VC2 VE2 VB3 VB4 VC4 VE4 VRL
VR1 VB1 VB2 VC2 VE2 VB3 VB4 VC4 VE4 VRL
5 Hz
10 Hz
20 Hz
50 Hz
100Hz
200Hz
500Hz
1 Khz
5 Khz
10Khz
20Khz
50Khz
80Khz
Q1 Q2 Q3 Q4
IQ
VCEQ
Compare los resultados con las ganancias que se obtienen de las tablas 3 y 4.
VE1 / Vin VC2 / VE1 VC2 / Vin VB4 / VC2 VRL / VB4 VRL / Vin
El Profesor