Mapa de los diodos lser

LDs de propsito general (de baja y media P

o
)
6.1 LDs NIR (750

-

880 nm) de baja y media P
o
(AlGaAs)
6.2 LDs rojos (AlGaInP)
6.3 LDs violeta y azules (nitruros)
LDs de altas prestaciones para FO (monomodo, GaInAsP)
6.4 LDs emisores para 2 y 3 ventana
6.5 LDs para WDM: estabilizacin de
6.6 LDs de alta potencia

(AlGaAs y GaInAsP)
6.7 LDs de cavidad vertical: VCSELs (AlGaAs)
Encapsulado de propsito general
Structure of complete standard o 9 mm laser diode device
6.1 LDs de AlGaAs de baja (y media) potencia
buffer
E
g
(eV)
z
sustrato
cladding
cladding
gua de ondas
gua de ondas
zona activa
para contacto
AlGaAs-n
(+)

AlGaAs-p
(+)
AlGaAs-p o i

AlGaAs-n o i

(Al)GaAs -i
GaAs -p
+

GaAs-n


GaAs-n
+
1.42
ESTRUCTURA de CAPAS
Ej.: SC-LD o QW-LD con zona activa de AlGaAs
MOTIVACIN: Los ms sencillos
GaAs: directo y sustratos comerc. (
g
=880 nm,NIR)
AlGaAs: aa
GaAs
y E
g
>E
g,GaAs

< 880nm (NIR) para Z.A. de AlGaAs. Tp.:785nm CDs
=880nm para zona activa de GaAs.
( > 880nm para zona activa de GaInAs, tensado)
no visible
Estructura: DH o SC o QW
Conf. lateral: ganancia (ms sencillo) o
ndice (menor I
th
y mejor haz)
Cavidad: Fabry-Perot multimodo
P
opt,mx
: Normalmente 5 < P
opt
< 100 mW

V

E
g,cladding
/q - 0.3 0.4 V. Tp.: ~1.5V
r
s
~1 O

APLICACIONES
Lectores y grabadores de CDs
|P
opt
|velocidad de grabacin
Impresoras lser
|P
opt
|velocidad de impresin
Comunicacin por FO local
: mucha atenuacin y dispersin
pero fcilmente f
c
~ GHz
Otras (instrumentacin, sensores,
ratones pticos, comunicacin
ptica en espacio abierto, etc.)


RLD78MA
Ver tambin problemas 6.2 y 6.A1
Ejemplo de LD de AlGaAs de baja P
opt
Lectores/grabadores de CDs
785 nm (NIR)
P 5 mW (para lectura)
Control en potencia (lazo cerrado)
LD + PD
monitor
+ ptica + PDs,
lect

LDs de AlGaAs: ilustracin de aplicaciones

Impresoras lser
6.2 LDs rojos (de AlGaInP)
buffer
z
sustrato
cladding
cladding
gua de ondas
gua de ondas
zona activa
(Al)GaInP-QW

para contacto
AlGaInP-n
(+)

AlGaInP-p
(+)
AlGaInP-p o i

AlGaInP-n o i

GaAs -p
+

GaAs-n


GaAs-n
+

ESTRUCTURA de CAPAS
Ej.: QW-LD con emisin en 650 nm
MOTIVACIN: visible y corta
GaInP con aa
GaAs
: directo y
g
670 nm (rojo)
AlGaInP con aa
GaAs
: Z.A. con 670 nm >
g
> 630 nm
o
v
(630nm) <
v
(670nm)
o directo para 670 nm >
g
> 580 nm
o pero barreras muy pequeas para
g
< 630 nm:
casi tipo II (ver problema 1.13) I
th
, T
o
, P
opt,mx
peores
para 630 nm
Estructura: QW o MQW (a veces
tensado) para disminuir I
th

Conf. lateral: ndice (o ganancia)
Cavidad: Fabry-Perot multimodo
P
opt,mx
: Normalmente 3 < P
opt
< 50 mW

I
th
, T
o
y P
opt,mx
peores para 630 nm
V

E
g,cladding
/q - 0.4 V. Tp.: ~1.8 V
r
s
~1 O

APLICACIONES
Punteros lser
Ojo: lo que importa es u
v
, no P
opt

Lectores de codgos de barras
Lectores y grabadores de DVDs
o r
min
de enfoque (limitado por
difraccin) mejor 650 que 785 nm
o |P
opt
|velocidad de grabacin
Otras (instrumentacin, sensores,
etc.)


1.42 1.9
E
g
(eV)
Ver problemas 6.4 y 6.A2
Ejemplo de LDs de AlGaInP

HL6501
LDs rojos: ilustracin de aplicaciones

Lectores de
cdigos de barras
Punteros
Sensores
Alineamiento
Lectores/
grabadores
de DVD
Dic. 94 Sony y Philips anuncian el MM-DC
En. 95 Toshiba y otros anuncianel SuperDensity
Dic.95 acuerdo: DVD (Digital Versatil Disk)
Abril 97 acuerdos sobre proteccin de copia
Medio fsico:
Caracteristicas comunes para
DVD-video, audio, ROM, RAM, R, RW
Mismas dimensiones del CD
Capacidad: 4.7 Gb por cara y capa
135 min de video a ~5Mb/s
De donde viene el aumento?
Puntos: x 4.5 (2.1
2
) (| x 1.5 )
Datos/puntos: x 1.5 650 nm, 5mW
Datos: x 7
LDs rojos: ilustracin de aplicaciones

6.3 LDs violeta y azules (AlGaInN)
MOTIVACIN: corta (y hv grande)
Familia de los nitruros:
GaN directo con
g
=365 nm (UV)
GaInN: E
g
<E
g,GaN
, pero a>a
GaN

Z.A., pero difcil >450 nm
AlGa(In)N: E
g
>E
g,GaN
cladding
Dificultades:
Sustrato: aa
GaN
Sustrato de zafiro (aislante) o SiC
estrategias para minimizar dislocaciones
(ej.: crecimiento selectivo)
Difcil: contactos, dopado, etc


Estructura: QW o MQW tensado
(en realidad puntos cunticos)
Estructura tipo mesa:
los dos contactos por la misma cara
Conf. lateral: ndice o ganancia
Cavidad: Fabry-Perot multimodo
(tp.) ~ 400 nm (violeta)
(365 < < 470 nm; UV-azul)
Prevalecen mltiple modos
P
opt,mx
: 5 < P
opt
< 100 mW
pero n
v
(400nm)/n
v,mx
~10
-3

u
v
muy pequeo

T
o
muy buena y I
th
buena (para 400 nm)
V

E
g,cladding
/q - 0.6 V ~3.5 V
r
s
~10 O ; V
F
~4-5 V
u
h
y u
v
pequeas ( )


APLICACIONES
Lectores y grabadores de discos pticos
(blue ray). 405 nm
Otros: instrumentacin cientfica (hv >3 eV)
Ver problemas 6.A4 y 6.A5
Ejemplo de LDs de AlGaInN

DL-5146
La fibra ptica
Optica guiada n
1
>n
2

Atenuacin
Dispersin: modal y cromtica
Ventanas para:
= (0.9), 1.3 y 1.55 um
Monomodo o multimodo
6.4 LDs emisores para 2 y 3 ventana (GaInAsP)
E
g
(eV)
z
sustrato
cladding
y buffer

cladding
gua de ondas
gua de ondas
zona activa
GaInAs(P)-QW
para contacto
InP-n
(+)

InP-p
(+)
GaInAsP-p o i

GaInAsP- n o i

GaInAs -p
+

InP-n
+
1.35
ESTRUCTURA de CAPAS
GaInAsP/InP QW-LD
MOTIVACIN: comunicacin por FO a alta velocidad y larga distancia
Atenuacin: mnima en ~1.55um (3 ventana) (y pequea en 1.3um, 2 v.)
Dispersin: - modal fibras monomodo (ncleo muy estrecho, solo 1 modo)
- espectral - necesidad de A muy pequea LD monomodo
- dc/d mnima para 1.3 um (2 v.) (y pequea en 3 v.)
LD: (1) en 1.3 o 1.55um, (2) monomodo, (3) acoplable a FO monomodo, (4) f
c
~GHzs (o con
GaInAsP/InP DFB oDBR buen haz (conf. Por ndice) modulacin externa)
0.8
o
0.95

Estructura: QW o MQW (a veces
tensado) para disminuir I
th

Conf. lateral: por ndice
A veces con estrategias de micro-ptica
(para mejor acoplamiento a FO monom.)
Cavidad: DFB (o DBR) monomodo
A= o muy pequeo en cw
(pero armnicos al modular)
P
opt,mx
: Normalmente 3 < P
opt
< 100 mW

V

E
g,InP
/q - 0.3 o 0.4 V ~1 V
f
c
~1 10 GHz
minimizar RC (R
L
, r
s
, C
paras
, el rea)
|I
F
|f
c


otra posibilidad: modulacin externa

en la FO
Emisores para fibra ptica
Aspectos sobre la cavidad ptica
DFB
DBR
Insercin en fibra
alineamiento
acoplamiento
estrategias de micro-ptica
Cavidades monomodo
(DFB, DBR u otras)
butterfly
14 pin DIL
coaxial
LD encapsulados
y transmisores
para FO
6.5 LDs para WDM: estabilizacin de
MOTIVACIN: WDM
WDM =multiplexacin en . (DWDM = WDM denso)
N canales fsicos
c
en la FO, con c=1-N. (4N40). ~3 ventana
Espaciado: v
c+1
-v
c
= 100 GHz (o 50 GHz)
c
-
c+1
0.8nm (o 0.4 nm)
Ventajas: Aumenta la capacidad de la FO existente
Un solo amplificador ptico para varios canales
Requisitos(adems de los de 6.4):
m
muy estable

m
ajustable a
c

Causas de
variacin de
Soluciones
Aparicin de
armnicos
Ninguna determina el mnimo
espaciado de para una f dada
Variacin de T

controlar T (o mejor ) en lazo
cerrado
Envejecimiento controlar en lazo cerrado
Variacin del n
ef

de la cavidad con
An(t) chirp
LD en cw + modulador
(LD con BR externo)
Tb. facilitan la estabilizacin de T
A = (
2
/c
o
)

Av
Aparicin de armnicos:
Ej: 10 Gb/s
f
1
=5 GHz 1
os
armnicos en v

f
1

Av
1
=10 GHz , y Av
5
=50 GHz (5 arm.)
Variacin de con T:
A = (d
m
/dT)

AT 0.09nm/C

Necesidad de estabilizar T
Vlido para centrar en
c

A veces vlido para cambiar de canal.
(Cuidado: I
th
(T) con forma de U).
Estabilizacin de : soluciones
Ajustar/estabilizar T en lazo cerrado:
medir T con un termistor: R
u
(T)
cambiar T con un TEC: T(I
TEC
)
Ajustar/estabilizar en lazo cerrado:
medir con el PD
monitor
(PPD) y un PD
con un filtro (WPD): I
WPD
/I
PPD
=T
filtro
()
cambiar con el TEC:
m
(T) y T(I
TEC
)
(o cambiando elctricamente
el n
ef
de los reflectores del DBR)
Moduladores electro-pticos
de electroabsorcin (EAM), monoltico
- basados en QW: E
g
ef
(c) (V
R
)
Interferomtricos, externos
(evitar retorno de P
opt
al LD)

LD con control de T en lazo cerrado para ajuste en
c
(Prob. 6.6)
LD en cw con control de en lazo cerrado mediante
cambio de T con ajuate a 4 canales (Prob. 6.A10)
LD con EAM (Prob. 6.A7)
6.6 LDs de alta potencia
Bombeo de amplificadores
pticos para FO (EDFAs)
Bombeo de lseres de
estado slido .
Aplicaciones sin
requerimiento de
Aplicaciones con
requerimiento de
Ej.: soldadura
Amplificadores opticos
Fibra ptica dopada con erbio (EDF)
Comunicacin ptica a larga distancia
atenuacin necesidad de amplificadores
O/E E/O
ptico ptico elctrico
A
Repetidores
elctricos
Retardos
Ruido de conversin
D ~75Km
ptico
A
Amplificadores
pticos
EDFA: ganancia en
1.55 um
Alta ganancia
Rapidez
Bajo ruido
BOMBEO
Bombeo con lser
980 nm o 1480 nm
SSLs. Ej.: Nd-YAG
Aislante bombeo ptico
Niveles (no bandas) A pequea
Para Nd-YAG :

pump
= 808 nm ,
lser
=1064 nm
Mejor calidad del haz que los LDs
Bombeo de lseres de estado slido (SSL)
Punteros verdes: 532 nm, 5-150 mW
batera + circuito con control en P
opt

LD de potencia (808 nm)
lser de Nd-YAG (1064 nm)
doblador de frecuencia
ptica de acondicionamiento
arrays y stacks
Lseres de muy alta potencia
Cunta P
opt
pueden dar ?
< 1 W cw a fibra 1mod
< 10 W cw por tira
< 100 W cw por array
< 1000 W qcw por stack
LASER-DIODE ARRAY
Qu hay que optimizar ?
Estructura (QW tensados, r
s
,.. )
Fiabilidad (recubrir los espejos)
Disipacin trmica
LD
bars
water tubes
6.6 LDs de alta potencia
Requerimientos
Alta P
opt
rea grande

Alta n
P
baja J
th
, alta n
d
, baja r
s
Fiabilidad para I
F
y P
opt
grandes
tecnologa robusta
evitar autocalentamiento
Aplicacin Requerimientos especficos
Bombeo de EDFAs

pump
= 980 nm o 1480 nm
Acoplable a FO
monomodo
Estable en
conf. por ndice
DBR o con BR en la fibra
TEC
Bombeo de lseres
de estado slido.
(ej. Nd-YAG, = 1064 nm)

pump
= 808 nm
(para Nd-YAG)
a veces arrays o stacks
a veces modos transversales superiores
FP y mltiples modos long.: A grande
conf. por ganancia
Baja R
th,JA
. A veces, refrigeracin
Aplicaciones de
potencia bruta

Materiales:
808 nm: AlGaAs, con ZA de AlGaAs (o AlGaInAs)
980 nm: AlGaAs, con ZA de GaInAs
1480 nm: GaInAsP
Estructura de capas:
QW o MQW, con frecuencia tensado
Esquemas semejantes a los de 6.1 y 6.3


6.7 Lseres de cavidad vertical con emisin por superficie
(VCSELs)
Reflectores de Bragg
GaAs/AlAs
Monomodo
Haz circular
Matrices 2D
Acoplamiento a fibra
P
o
~ mW; I
th
~ mA
Buses opticos en 1
a
v.
array de VCSELs
= 850 nm 0.8 mW
200 Mbit/s
10 x 2 canales
4 Gbit/s
d
max
= 300 m
array de PDs
BER > 10E-14
(1995)
Laseres de cavidad vertical: Ejemplos
array de VCSELs
= 850 nm 0.8 mW
200 Mbit/s
10 x 2 canales
4 Gbit/s
d
max
= 300 m
array de PDs
BER > 10E-14
(1995)
Laseres de cavidad vertical: Ejemplos
Transceptor para 10Gb Ethernet en 850 nm
VCSEL (emisor) + fotodiodo PIN (receptor)
Laseres de cavidad vertical
Ejemplos
850-nm, 10-Gbit/s, directly modulated, VCSEL
Typical: 820 W ,fc= 7.5 GHz, tr=55 ps
low-cost, very short reach (<300m)
high-speed interconnects


Laseres de cavidad vertical
Ejemplos