PRACTICA XG, ESTUDIO Y APLICACIONES DEL TRANSISTOR DE EVECTO DE CAMPO ET) > Obtener los parametros, Vie, loys yk de un JEET de canal n, mediante sendos montajes experimentaies Los FETS son dispositivos de. terminales que pueden llevar a cabo una amptia vartedad de funciones de procesamiento = sefiales, destacando: amplificaciones, conmutacian control. A diferencia del BIT que controla el Mujo de una gsan corriente. mediante otra cortiente, el FET regula este flujo por la aplicacién de un voliaje ‘\ continuaciéa se resumen los tipos de FETs con e simbolo eo vondiente ' focremental | Chen if | ate: Chen oot | MESFETs ft Los JFETs, los MOSFETs desrementales son dispositivos de cierre, ya que ellos tiefien siruido un canal-conductor entre su drenaje j° su fueote, La aplicacion de un voltaje Yes ido (Per encima del voltaje umbral), produciré un blogueo del canal y de esta form cl FET entra en ta region de corte (Ip = 0). EI MOSFET incremental es un dispositive de Ft coy fOllaie NGS adecuado (Por encima é2! voltaje umbral) creara el canal para que thuya cortiente entre el drenador y el surtidor, es acct, sin voltaje (Vas) aplicado el MOSFET estara en corte ersuraPRACTICA NO. 3 ESTUDIO Y APLICACION Ss DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. ORT 3.1 se muestran las curvas caracteristicas de salida de un JFET de canal N En la misma se indican las 3 regiones de operacién del dispositivo. las curvas son extensibles a cualquier FET, La operaci6n y las ecuaciones en cada una de las regiones para cualquier FET. se resumen como siguen: En [a figura Regidn de Amplificacién Ch=n| Ee 3.6PRACTICA NG. 3 ESTUDIO Y APLICACIONES DEL TRANSISTOR DE E“ECTO DE CAMPO. (FET) clave de_manejar apropiadamente los FETs, es conocer las polaridades necesarias para cada dispositivo, por ello ei la tabla 3.1 se resume esta situacion para cada dispositivo. En ampli acion para cualquier FET el canal debe éstar abierio. c Nig Ves Vos on | | MOSEET. Peeve terete eee ae | c L_INCREMENTAL : i ent MOSFET" 7 = [fe ec \ 9B CREME: i I Be i . 1 t - : | nad | Pisce > Mag — Vay s L | (eee {anes | Fe eo] i : MOSFET eee reara anata neaean | INCREMENTAL | al, | La constante i se concce depende de las dim © parametro de conductancia que tiene unidades mA.V renslones y las propiedades del semiconductor v siempre iendra valores positives. de igual manera In corriemte de drenador se esta conside siempre de un valor p lo en el sentido que En los dispositivos de cierte muchas veces se especifiea el parimetro que representa la corrienie de drenador en ta regidn de ampliticacion con Vas = OV, entonees la relacion entre el pesdimetro k @ Inss viene dado por Oto parkmetto que es importante en un FET es ta transconductancia (gm) que formalmente se define como la relacién entre las varinciones de Ip y las variaciones de Vos Fespecto al punto Q y su unidad es el Siemen (generalmente se expresa en ms)br PRACTICA NO. 3 ESTUDIO Y APLICACIONES DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) Y forma aprosimada se puetie calcular como, gm = 2K (Ve —Ky)] Ee 3.11 0 == 2K Tiny] Be 3.12 Prelaboratorio Bes 4s) 2 seer, eek x b taut '. Usando un manual de reemplazo (ECG) describa tos dispositives ECGN6S, MPF IG-ves> my [dentifique,cada uno de Jos pines. (Epos Hin Gd *Materiales Hare 5 too Pena - 1 Transistor MPF102 + 1 Resistencia 500 9, 32. gh) wins ab | Monte el circuito de la figura 3,2, fijando isiitmene{A Nos = 0v y Vin = Ov. 2 Aumente graduaimente Von y ‘ida ia corrieme in hagia que esta presente minimas Varlaciones, anole este valor de Iny Vin. Yirl2¥ Ty = 12,55 0A 3° Fife 3V por encima del valor anotado anteriormente. Aumemte la fuente Vee (Vas crece negativamente) en pasos de 0.Sv y en cada paso observe la lectura del miliamperimetra hasta que esta sea cero. 4 Anote este valor de Voc, ese valor serd consideradé vicky /32v 5 Conecte la resistencia de 500 en serie al miliamperiimetro y ut vellimetro en Vos. © Fije Von = Ov y Vos =0v. sD Sot , Aumente Visp hasta obtener todos los valores de Vos indicados en la tabla 3.2 y anote cada lectura de Ip. Fig 3.2. Montaie para obtener AV pV ey del EET Cys 25 [3 3155 Tabla Lz i 2 beach onte cacy HEE SoSPRACTICA NO.3 - ESTUDIO ¥ APLICACIONES DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) *Positahoratorio | Haciendo uso de los datos de la tabla 3.2, grafique la ca Vas#0¥ € indique los pardimetros mds relevanie'de la erifica. 2 Segim los datos de In table 3.2, indique el valor de Vps que separa la regién tredo ¢ teristica de salida para 2S la region de saturacién. Este valor seré Vpss.ar para el circuito, luego compara con el valor tebrico de Vpss.s. Soe 3 Tome el promiedio se los valores de Ip en la region de amplificacién (saturacion). 4 Usando las ecuaciones 3.6 y 3.10 y con el valor promedio de Id Parametros Ke Ipss, Compare esta Ipss con la Tp anotada en el inci prictico Complete la tabla 3.3 De la tal 'a.de 3,2 determine la resistencia del JFET en la region triodo, haciendo Rt = A Vds/ Aid con los valores de Ia region triodo. determine Jos 2 del desarri r x(V)_ | K(maiv?) I 7, PFI | Tabla 33- Resumen de tos pardonetros del JPET utiticadto on ta prictiew 3.2 Amplificadores con FET's ie 0: ~_Diseftar un amplificador en fuente coméin, usando un JFE resultados obtenidos en un montaje experimental de canal N y verificar los “Tnformacién de inverés: El circuit de ta figura 3.3 muestra in estructura de un amplificador con FET. Et foe abt Se Polaiza en la region de saturacién (Ip constante) mediante las resistencias Ry y Re Los condensadores Ci y Cy se escogen lo suficientemente erandes para que actiien como cortocircuitos para la sefal aplicada En figura 3.4 se muestra un circuito equivalente de Ja transconductanei pequena seftal, donde gm representa ¥ fo In impedancia de salida del FET (este valor por lo general es muy grande y en Ia mayoria de los casos se desprecia), Sino se considera r, la vanancia de voltaje es ate iePRACTICA NC (FET) 3.5 Circuito anplificndar on fiente Fig 3.4- Circuito amplificador en firente contin y Polarizaciion por divisor de voltage connia en si eyuivatanie de peyuetia seni Los pasos para diseftar este tipo de amplificadores son 1; Seleccionar un punto Q en la porcion lineal de la familia de curvas caracteristicas del JFET (Esto es lo mas importante). Esto significa escogerQralcal At) Vos, Vasu, Tog y Sm POORER he aCe mintrn arr 2- De la ecuaci6n de recta de carga CD ipale §- De la ecuacion S42 ecuacion de ganancia) y ia ecuacid: se votigne un sisiente de dos variables. © 343 bs Se resuelve el sistema para obtener Rs ¥ Ry 4+ Determinar Vac; a partir de la matla compuerta — fuente » tiene la misma polaridad que Vp entonces Ry y Ry se obtienen del divisor para Vac ¥ de los datos que se tengan de la impedancia de entrada (Ru). ry R= RMR Ret > Ee zo -Si Vag tiene polaridad opuesta a Vpn no es posible despejar Ry y Ry entonces se utiliza un circuito de polafizacién fija o se debe considerar un nuevo punta de trabajo (pto Qj donde bien In aumente o Vos sea mas proximo a ceronee 7 J 24 PRACTICA NO. 3 ESTUDIG Y APLICACIONES DEL 1 RANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) 1 Determine la ganancia d a los gt siguientes; My9=20!) sie a Iaxs Hi ne oo 2 Usando un software de simulacion ob =0.01Sen(2x, 1000), 5 Coloque un capacitor de desvio en Rs v determine nuevamente la ganancia Repita el uw inciso 2, coneluya brevemente. ‘i 1 Usando los valores de Vp e Ipss obtenidos fad_3.1disefte un amplificador coma el de la figura 3.3 con J) , Res=Ry |] R= 20KQ. Desprecie los efectos de ro. Dy aKa Po = tonsa Pim que past “Materiales Re: Tron a eo 2350 dizimolle pwdice : - irri = G~ uf pestlobost ose} ~ 1 Resistencia de 10 kQ ~ Resistencias del diseno ~ Condensadores de 10uF *Desarrolto | fctico: ionte of amplificador disenado en el puis 4 del pretaboratorio. lor de 2 Aplique te sefal senaital de 1KHz v amplitad minima que prod Tanciones ca el genera io Viy Vo simulineamente, Dib nie lentamente La 2m elas arse distorsign a ta salida 1 le ampfitud de Vi al minimo Conocircuifa temporsimance a RI. Anote lo observado con respecto a Vo by erteera& * Postlahoratario: ‘ ' Con los datos obsenidos en el punto 3 del desarrollo practico obtenga la ganancin del amplificador Compare este vator con el valor esperado. Realice un breve &. :nentario. Del resultado obtenido en el punto 5 del desarrollo practico, indique los valores maximos de Vove y Vipp EXplique porque a salida Vo tiene ese comportamiento en el punto 7 del desarrollo practico. 3 ConelusionesPRACTICA NO. 3 ESTUDIO Y APLICACIONES DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) “Objetiv -Werificar las propiedacles de conmutacion de los FETS a través de montajes practicos Informacion de interé: En Ia figura 3,3.se muestra un interruptor con un JFET Chen. Para este tipo de funcionamiento Vos s¢ resttinge a dos valores (Oi 0 mi valor mayor ye Veslol Voi, de esta _Manera el JPET funciona en {a zona ohmica 0 en corte. aia § Si Vos es alto (OV) el JFET estara en la regidn ohmica (Tine “fel JFET estara en corte bes 01) y si Vas es bajo jalan co IFET De igual manera se pondtrian con: por un MOSFET de enriquecimiente Los tansistores NMOS ¥ PMOS se utilizan logica CMOS. El circuito CMOS més sencillos ef inversor que se muestra en la five comportamiento de este circuito se puede caracterizar de ia siguiente manera Sir =0 ajo Set fair circuitos inversores con Tyg, =O en core 31, =9 ' t a Ny > O, eis rivedPRACTICA NO. 3 APLICACIONES DEL TRANSISTOR DE (FE Como se puede notar el circuite se comporta como una compuerta NOT El convenio para CMOS alimentado con 5 voltios, se muestra en la figura 3.7 Fig 3.7. Niveles higiewy Camas pura St FECTO DE CAMPO Los FETs también pueden ser usados como muestreadores de senales gracias a sus propiedades de conmutacion En la figura 3.8 se ve un JFET muestreador. El voltaje en la puerta es una onda cuadrada FET const lor a través de Rp como resultado de esto se obtiene Vo como una sefial #Prelaboray }-_ El JFET de la figura 3.5 tiene las siguientes caracteristicas: I» Von2s1 » Ry=2.2KD. Verifique que cuando Vi=OV el transistor este en la rei iriodo y cuando Vis -SV al transistor opere en Conte. Determine el valor de Vo para cada caso, of Veritique que el circuito de la figura 3.9 s¢ compar ~ Con la ayuda de un software de simulacién obtenga simulténeamente Vi, para el circuito de fa figura 3.8 donde RI temente mientras que la entrada a muestrear se aplica al de Vien na, ¥ con, a a como una compuerta NOR Vo y Vas =10KO, VGS es una sefial cuadrada conPRACTICA NO. 3 TUDIO Y APLIC. ACIONES DEL TRANSISTOR: DE EFECTO DE CAMPO OED \ sa sabato nea a ices aise Joktlz de fiscuencia y de OV hasta Ve de excinsién, Vi es una senoidal p_ Sxcursién 2vpp y un nivel DC de 1,5 v (Vi(t)= 1. $4Sen(2x.10000). (/ Los parainet70s del JEET son los obtenidos en-@mnatisidad S| \ ) Jo sae NORIO loins 2.54 22 Id Ve. nals. Nidive 2.35 +L resistencia 2,2k, 1iw + Tresistencia 10K. Law (3) Monte el circuito de la figura 3.8 con los valores de la parte 3 del pre obtenga en el osciloscopio las graficas de Vi y Vo simulténeamente. 4° Disminuya la frecuencia de Muestreo aun valor, por debajo de 2fi (donde fi es la frecuencia de la seal de entrada). anote lo observade\. jaboratorio “Pos laboratorio ~ b+ Investigue y dibuje el circuito de una coinpuerta NAND CMOS Explique como trabaja 2 Diga una breve conclusion sobre el fumcionamiento de circuito del desarrollo, practico en la parte 1 3+ Compare los resultades abtenidos en la parte 3 del desarrollo prctico con las simulaciones realizadas en la parte 3 del prelaboratorio, : 4+ Dé tn comentario sobre lo observado en la parte 4 del desarrollo practicoPRACTICA NO. 3 FPSPUDIO Y APLICACIONES DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET) 3:5 Bibliografia NEAAIEN, DONALD, -Andlisis y diseito de circuitos Electrénicas, Tomo |. Me Graw Hil NORENSTEIN, MARK. Microelectréniea. 2da edicién, PHH. WAKERLY, JOHN, Dis Digital, Sera edicion. Pearson, ECG. Replacement Guide. 1.995 7