Tema 4

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TECNOLOGICO NACIONAL DE
MÉXICO
INSTITUTO TECNOLOGICO DE MINATITLAN
ELECTRONICA ANALOGICA
JOSÉ SEVILLA MORFIN
UNIDAD 4 “OPTOELECTRÓNICA Y DISPOSITIVOS
DE POTENCIA”
INTEGRANTES:
CLYDE YAMIR POBLETE SÁNCHEZ
JUAN CARLOS PEREZ ROMERO
ALDAHIR ALBERTO VELAZQUEZ RODRIGUEZ
CRISTIAN IRIDIAN GONZALEZ CADENA

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ALEJANDRA VAZQUEZ ORTIZ
JOSE ARMANDO ARMAS DE LA CRUZ
INDICE
INTRODUCCION 3
OBJETIVO 5
SUBTEMA 4.1 DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS. 6
SUBTEMA 4.1.1 FOTODIODO 9

SUBTEMA 4.1.2 FOTORESISTENCIA 13
SUBTEMA 4.1.3 FOTOTRANSISTOR 19
SUBTEMA 4.1.4 OPTOACOPLADORES 27
SUBTEMA 4.2 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA 32
SUBTEMA 4.2.1 SCR 40
SUBTEMA 4.2.2 TRIAC 64
SUBTEMA 4.2.3 DIAC 79
SUBTEMA 4.2.4 TRANSISTORES IGBT 86
SUBTEMA 4.3 APLICACIONES DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA 96
CONCLUSIÓN 110
BIBLOGRAFIA 111
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INTRODUCCIÓN
La optoelectrónica es el estudio y la aplicación de electrónica a los dispositivos de esa fuente
para detectar y controlar la luz, generalmente se considera un subcampo de la fotonica .
En este contexto, la luz a menudo se incluye en formas invisibles de radiación como los rayos
gamma, rayos X, ultravioleta y rayos infrarrojos además de la luz visible.
Algunos aspectos destacados de la historia de la optoelectrónica son los siguientes:
• Primera observación de electroluminiscencia de cristales de SiC en el año 1907
Por el capitán Henry Joseph Round (Inglaterra).
• Algunas décadas más tarde, en 1927, Oleg Vladimirovich Losev (Rusia
Imperial) observó la emisión de luz a partir de óxido de zinc y diodos
Rectificadores de cristal de carburo de silicio utilizado en receptores de radio
Cuando eran atravesados por una corriente eléctrica.
• En 1961 Ali Javan (Bell Labs) inventó el primer láser de gas de neón o helio.
Un año más tarde, Robert Hall inventó el láser de inyección de semiconductores.
• Nick Holonyak (USA) inventó el primer LED (light emission diode) visible en
1962.
• Primera transmisión utilizando fibras de vidrio inventada por Corning glass e
Instalada por AT&T en 1983, desde New York a Washington, D. C., a 45
Megabits por segundo.

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Hoy en día la Optoelectrónica se ha convertido en una nueva tecnología emergente.
El mercado de la optoelectrónica está creciendo cada año en todo el mundo, con un
Crecimiento del 30% anual desde 1992.
La Optoelectrónica permite generar, transportar y manipular datos a muy alta velocidad.
Las principales aplicaciones de la optoelectrónica se centran en el campo de las
comunicaciones, incluyendo comunicaciones de fibra óptica y sistemas láser. Sin embargo,
las aplicaciones de la optoelectrónica se extienden a nuestra vida cotidiana, incluyendo los
campos de la informática, la comunicación, el entretenimiento, los sistemas de información
óptica, la educación, el comercio electrónico, la vigilancia del medio ambiente, la salud y el
transporte. Los dispositivos optoelectrónicos también son importantes en aplicaciones de
defensa que incluyen el tratamiento de imágenes de infrarrojos, radar, sensores de aviación y
armas guiadas ópticamente.

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OBJETIVO
Que el alumno aprenda reconozca y aplique dispositivos optoelectrónicos y de potencia,
tiristores e IGBT, para el diseño de circuitos de potencia básicos, así como también identifique
sus partes, funcionamiento y su conexión.
Tomando en cuenta que se tienen conocimientos previos, acerca de principios y teoremas de
circuitos eléctricos relacionados con los dispositivos electrónicos: Ley de Ohm, Terminales
positivas y negativas, resistencia, potencia, voltaje, etc.
Identificar en circuitos eléctricos dispositivos optoelectrónicos simplemente analizando su
símbolo.
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SUBTEMA 4.1 DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS.
Optoelectrónica
¿Qué es la optoelectrónica?
La optoelectrónica es la rama de la electrónica que trata con la luz. Los dispositivos ópticos
son aquellos que responden a la radiación de luz, o que emiten radiación. Estos dispositivos
responden a una frecuencia específica de radiación.
Dispositivos optoelectrónicos
 Fotorresistor
 Fotodiodo
 Fototransistor
 Optoacoplador
Fotorresistor
Un fotorresistor o fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye
con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado fotoconductor, célula
fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en

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inglés light-dependent resistor. Su cuerpo está formado por una célula fotorreceptora y dos
patillas. En la siguiente imagen se muestra su símbolo eléctrico.
Figura 4.1.1
Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de
la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente.
Figura 4.1.2
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base,
generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El
fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Figura 4.1.3
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Un optoacoplador, también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente, es un
dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor activado mediante la luz
emitida por un diodo
LED que satura un
Figura 4.1.4
componente optoelectrónico, normalmente en forma de fototransistor o fototriac
Figura 4.1.5
Dispositivos emisores: Emiten luz al ser activados por energía eléctrica. Son dispositivos que
transforman la energía eléctrica en energía luminosa.
Dispositivos detectores: Generan una pequeña señal eléctrica al ser iluminados transforman la
energía luminosa en energía eléctrica

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SUBTEMA 4.1.1 FOTODIODO
Es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente eléctrica proporcional a la
cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).
Un fotodiodo es un dispositivo semiconductor de unión pn o pin que consume energía de
la luz para generar corriente eléctrica. También se lo conoce como fotodetector, sensor de luz o
detector de luz. Los fotodiodos están especialmente diseñados para operar en condiciones de
polarización inversa. La polarización inversa significa que el lado p del fotodiodo está conectado
al terminal negativo de la batería y el lado n está conectado al terminal positivo de la batería.
El fotodiodo es muy sensible a la luz, por lo que cuando la luz o los fotones caen sobre el
fotodiodo, convierte fácilmente la luz en corriente eléctrica. Esta corriente eléctrica fluye en
sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga.
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en
electricidad y esta variación de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio
en el nivel de iluminación sobre el fotodiodo.
Figura 4.1.1.1
10
Si el fotodiodo es polarizado en directa, la luz que incide no tendría efecto sobre él y
se comportaría como un diodo semiconductor normal. (Recuerde, el fotodiodo trabaja en
inversa). La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad
de luz que lo incide, de manera que su reacción a la luz sea más evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad
a iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo
de respuesta más pequeño. Esta cualidad también la tienen los fototransistores que serán vistos al
final de este apunte.
La corriente de un diodo con polarización inversa es pequeña debido a sus portadores
minoritarios.
La cantidad de éstos dependerá de la temperatura y de la luz que incida en la unión.
Cuando la base de un diodo es opaca, la luz externa no llega a la unión; por lo tanto, no se
detecta ningún efecto fotoeléctrico (transformación de la luz en electricidad). En cambio, si la
base del diodo es de vidrio, la luz que entra modifica la cantidad de corriente inversa.
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Figura 4.1.1.2
Los fotodiodos son óptimos por su sensibilidad a la luz. En estos diodos, una ventana de
vidrio permite que la luz pase a través de la base y llegue a la unión. La luz incidente produce
electrones libres y huecos; es decir, la luz aumenta la cantidad e portadores minoritarios. Cuanto
más intensa sea la luz, mayor será la cantidad de portadores minoritarios producidos.
El fotodiodo es un dispositivo de unión p-n semiconductor cuya región de operación se
limita a la región de polarización en inversa.
Las fuentes luminosas constituyen una fuente única de energía. Ésta, transmitida como
paquetes individuales llamados fotones, tiene un nivel directamente relacionado con la
frecuencia de la onda luminosa viajera determinado por la siguiente ecuación:
Figura 4.1.1.3 Fórmula de Calculo
Donde la llamada constante de Planck y es igual a 6.624 × 10-34 joules por segundo.
Claramente establece que, como es una constante, la energía asociada con una onda de luz
incidente está en relación directa con la frecuencia de ésta.
La frecuencia, a su vez, está relacionada directamente con la longitud de onda (distancia
entre picos sucesivos) de la onda por la siguiente ecuación:

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Figura 4.1.1.4
La longitud de onda normalmente se mide en angstroms (Å) o micrómetros (mm), donde
1 Å = 10-10 m y 1 mm = 10-6 m
La longitud de onda es importante porque determina el material que se tiene que utilizar en
el dispositivo opto electrónico. Las respuestas espectrales relativas del germanio, silicio y selenio
se dan en la figura 4.1.1.2.
Figura 4.1.1.5
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Se incluye el espectro de luz visible junto con una indicación de la longitud de onda
asociada con los diversos colores. El número de electrones libres generados en cada material es
proporcional a la intensidad de la luz incidente. La intensidad luminosa mide la cantidad de flujo
luminoso que incide en un área de superficie particular. Por lo común, el flujo luminoso se mide
en lúmenes (lm) o watts.
SUBTEMA 4.1.2 FOTORRESISTENCIA
El LDR (Light Dependent Resistor) o fotorresistencia es una resistencia que varía su
resistencia en función de la luz que incide sobre su superficie. Cuanto mayor sea la intensidad de
la luz que incide en la superficie del LDR menor será su resistencia y cuanto menos luz incida
mayor será su resistencia.
¿Cómo funciona un LDR?
Los fotorresistores basan su funcionamiento en el conocido efecto fotoeléctrico, este efecto
nos dice que los fotones que componen la luz chocan contra los electrones de un metal, de esta
forma arrancan o desplazan sus átomos, en este proceso los electrones del metal están en
constante movimiento y esto da paso a una corriente eléctrica.
La resistencia de este tipo de componentes varía en función de la luz que recibe en su
superficie. Así, cuando están en oscuridad su resistencia es alta y cuando reciben luz su
resistencia disminuye considerablemente. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se
generan pares electrón - hueco. Al haber un mayor número de portadores, el valor de la
resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia
bajo. Las células son también capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias,
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incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). Los materiales que intervienen
en su construcción son Sulfuro de Cadmio, utilizado como elemento sensible a las radiaciones
visibles y sulfuro de plomo se emplean en las LDR que trabajan en el margen de las radiaciones
infrarrojas. Estos materiales se colocan en encapsulados de vidrio o resina.
Figura 4.1.2.1: Incidencia de luz en una fotorresistencia.
Tipos de fotorresistencia.
En general, un dispositivo fotoeléctrico
puede ser intrínseco o extrínseco. En
dispositivos intrínsecos, los únicos electrones disponibles están en la banda de la valencia, por lo
tanto el fotón debe tener bastante energía para excitar el electrón a través de toda la banda
prohibida. Por otro lado en los dispositivos extrínsecos tienen impurezas agregadas, que tienen
energía de estado a tierra más cercano a la banda de conducción puesto que los los electrones
adquieren una energía inicial mayor que en el caso intrínseco, y por lo tanto no tienen que saltar
lejos, es necesaria una energía (frecuencia, intensidad) menor para lograr el paso de un electrón a
la banda de conducción.
En el caso específico de las fotorresistencias existen las lineales y no lineales:
LDR lineales: son mejor conocidas como fotodiodos pero bajo ciertas aplicaciones es
posible tratarlas como fotorresistencias debido al comportamiento lineal que presentan. Para
considerar un fotodiodo como una fotorresistencia lineal simplemente se polariza en inverso.

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LDR no lineales: Son aquellas hechas comúnmente cuyo comportamiento no depende
de la polaridad aplicada sobre ella.
Figura 4.1.2.2: Fotorresistencia lineal
Figura 4.1.2.3: Fotorresistencia no lineal
Construcción.
Se fabrican de diversos tipos. Las células baratas del sulfuro del cadmio se pueden
encontrar en muchos artículos del consumidor por ejemplo cámara fotográfica, medidores de luz,
los relojes con radio y alarmas de seguridad. Se utiliza sulfuro de cadmio purificado y en forma
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de polvo que, mezclado con las materias complementarias adecuadas, es prensado en forma
de discos. Estos se someten a sinterización, controlando cuidadosamente las condiciones del
proceso, tales como presión, temperatura y tiempo de tratamiento térmico. Los electrodos se
aplican por evaporación en vacío. Después se sueldan a éstos los hilos de conexión y el disco
LDR con terminales se monta en esa cápsula o se recubre con una laca protectora.
Figura 4.1.2.5: Composición de una fotorresistencia
Características
Una característica de los LDR es que solo se recomienda su uso para la detección de señales
luminosas que no varíen con rapidez, esto debido a que el LDR posee un tiempo de respuesta de
una décima de segundo, esto en algunos casos puede no tener los resultados deseados si se
trabajan con tiempos más cortos.
Figura 4.1.2.5: No se recomienda utilizar el ldr para señales luminosas que varía con el tiempo.
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Los valores de la resistencia para estos dispositivos varían dependiendo del uso que le demos y la
luz disponible, los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz
brillante.
Aplicaciones
La mayor parte de las aplicaciones de los resistores LDR se basan en el accionamiento de un relé
o de una lámpara. Pueden actuar directamente o por mediación de un amplificador adecuado si se
requieren potencias relativamente elevadas. Las aplicaciones prácticas de las LDR comprenden
interruptores y alarmas activados por la luz o por la oscuridad, alarmas de barrera luminosa,
alarmas de humo por reflexión, etc. Las figuras a continuación muestran algunas aplicaciones
prácticas de este dispositivo.
Encendido de luces
Las aplicaciones de las fotorresistencias en el mundo son en su mayoría relacionadas con
sistemas de iluminación siendo el ejemplo más popular y más directo los sistemas de encendido
de luces en las empresas a medida que se acerca la noche en donde la fotorresistencia se utiliza
como un detector de oscuridad a modo de interruptor.
Este sistema basa su funcionamiento en un sensor especial, que actúa según la cantidad de luz
presente en el lugar en el que está instalado, sin necesidad de teclas u otros comandos que
accionar a mano. Cuando la luz ambiental disminuye bajo un cierto nivel, el interruptor
crepuscular acciona un relé, cerrando así el interruptor constituido por los contactos
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correspondientes. El nivel luminoso al que tiene lugar la intervención puede naturalmente
regularse, de modo que se puede adaptar el circuito a las distintas aplicaciones posibles.
Relé controlado por luz
En este caso donde el estado de iluminación de la fotorresistencia, activa o desactiva un Relay
(relé), que puede tener un gran número de aplicaciones. Cuando el LDR está iluminado su
resistencia es baja y causa que el voltaje en la base del transistor se incremente. El transistor 1
conducirá, lo que causará que el transistor T2 no lo haga (entre en corte). De esta manera
el Relay / relé no se activa.
Figura 4.1.2.6: relay/relé controlado por luz.

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4.1.3.- Fototransistores
¿Qué es un Transistor?
Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensión en un circuito
actuando como un interruptor o amplificador para señales electrónicas.
¿Cómo funciona?
El transistor tiene una entrada de corriente (puede ser el emisor - E), una salida de corriente
(puede ser el colector - C) y una entrada de señal (la base - B) que cuando actúa facilita la
transmisión de electrones entre el emisor y el colector.
Dicho de otra manera un transistor actúa como un interruptor, únicamente pasará corriente
entre E y C cuando actúe B.
Figura 4.1.3.1 Símbolo de un transistor

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Las tres regiones de trabajo que tiene un transistor son transistor en corte, saturación y en
activo.
El transistor en corte: cuando entre colector y emisor no pasa corriente, por ejemplo si
utilizáramos un transistor para encender una bombilla, cuando hablamos de la región de corte
significa que por la bombilla no pasará nada de corriente por lo tanto estará apagada.
La región saturación del transistor: en este caso utilizando el ejemplo de la bombilla, la
corriente estaría pasando por la bombilla y estaría encendida.
El transistor en su zona activa: esto significa que si utilizamos el ejemplo de la bombilla no
estaría ni apagada ni totalmente encendida, sino que estaríamos en una posición entre apagado y
encendido, por ejemplo el mismo resultado que obtenemos cuando regulamos con un
potenciometro la luminosidad de la bombilla.
Dependiendo de la polarización la región activa del transistor puede ser: región activa directa o
región activa inversa.

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Tipos de Transistor
Figura 4.1.3.2 Tipos de Transistores
Los tipos de transistor que se utilizan principalmente en la actualidad son:
o Transistor de unión bipolar o BJT.
o Transistor de efecto campo o FET.
o Fototransistores
El Transistor de Unión Bipolar o BJT:
Cuando circula corriente por la base la resistividad entre colector y emisor se reduce, con el
consecuente aumento de la corriente (si supones que el voltaje es constante).
En función de la corriente que esté circulando por la base el transistor se comportará de
alguna de las siguientes formas:

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 Corte: circuito abierto (interruptor abierto) entre colector y emisor, si la corriente
que circula por la base es nula.
 Saturación: como circuito cerrando entre colector y emisor y con un aumento grande de
corriente.
 Activa: En un determinado rango de corrientes de base, la amplificación, el aumento de
corriente, que se aprecia entre colector y emisor se puede regular
Figura 4.1.3.3 Simbolo Transistor NPN
Como puedes ver este tipo de dispositivo se gestiona mediante corriente y puede otorgar una
gran amplificación, por lo que suelen ser preferibles estos tipos de transistor a la hora de
utilizarlos como amplificadores (aunque también se pueden utilizar como interruptores, sobre
todo cuando los cambios de estado corte-saturación no tienen que ser excesivamente rápidos, es
decir, no se está trabajando a una frecuencia muy elevada).

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Transistor de Efecto Campo o FET:
El transistor de efecto campo es bastante similar al transistor BJT, con la diferencia de que
éste se regula mediante tensión en lugar de corriente debido a que tiene una impedancia de
entrada alta. Una forma de comprender este concepto es que al tener una resistencia a la entrada
de la base grande, la corriente de la base siempre será pequeña y lo que marca la diferencia es el
voltaje.
Algunas de las grandes virtudes de los transistores de efecto campo son su menor consumo y
su rapidez a la hora de cambiar de estado (de estado de corte a estado de saturación). Sin
embargo, estos transistores suelen tener una ganancia menor, es decir, amplifican menos. Por
tanto, aunque todos los tipos de transistor se pueden utilizar para los mismos proyectos, el hecho
de que este transistor amplifique menos y, sobre todo, responda más rápidamente a los cambios,
lo hacen especialmente útil a la hora de utilizarlos como interruptores.
Fototransistores
¿Qué es un fototransistor?
Es un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos;
La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella; Esta carga de base lleva el
transistor al estado de conducción; El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el
efecto de ganancia que es propio del transistor.

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Figura 4.1.3.4 Tipos de Fototransistores
Funcionamiento
Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo,
generando huecos y con ellos una corriente de base que hace el transistor entre en la región
activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso,
reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica eléctricamente. Es por este motivo
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que a menudo la patilla que corresponde a la base está ausente del transistor.
Figura 4.1.3.5 Partes de un fototransistor
Características
 Es un transistor sensible a la luz, por lo general a la infrarroja.
 Combinan en uno solo la detección de luz y ganancia.
 Los hay de 3 y 2 patas.
 La base es reemplazada por un cristal fotosensible, que al recibir luz produce una
corriente y desbloquea el transistor.

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Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la
ganancia.
Un fototransistor común puede poseer 2 modos, el primer modo es el común y el segundo es
el modo de iluminación
 Modo común: En este modo el fototransistor puede funcionar tal y como si fuera un
transistor normal
 Modo de iluminación: Este es el modo en que se utiliza realmente uno de estos
elementos, tal y como su nombre lo indica es cuando el fototransistor recibe luz y esto
conlleva que se creen portadores que posteriormente vuelven conductivo al transistor.
Usos
 Son usados comúnmente en sensores de proximidad o de movimiento, acompañados de
un emisor de luz ya sea visible o infrarroja.
 En el control remoto.
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Figura 4.1.3.6 Funcionamiento de un fototransistor

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SUBTEMA 4.1.4 OPTOACOPLADORES
¿Qué es un optoacoplador?
Un optoacoplador, también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente, es un
dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor activado mediante la luz
emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico, normalmente en forma de
fototransistor o fototriac. De este modo se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un
fotoemisor y un fotorreceptor cuya conexión entre ambos es óptica. Estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Se suelen utilizar para
aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles.
Figura 4.1.4.1 Optoacopladores

Tipos
En general, los diferentes tipos de optoacopladores se distinguen por su diferente etapa de
salida. Entre los principales cabe destacar el fototransistor, ya mencionado, el fototriac y el
fototriac de paso por cero. En este último, su etapa de salida es un triac de cruce por cero, que
posee un circuito interno que conmuta al triac sólo en los cruce por cero de la fuente.
Etapa de salida a fototransistor.

Figura 4.1.4.2 Clasificación
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Etapa de salida a fototriac
Funcionamiento
Se muestra un optoacoplador 4N35 formado por un LED y un fototransistor. La tensión de
la fuente y la resistencia en serie establecen una corriente en el LED emisor cuando se cierra el
interruptor S1. Si dicha corriente proporciona un nivel de luz adecuado, al incidir sobre el
fototransistor lo saturará, generando una corriente en R2. De este modo la tensión de salida será
igual a cero con S1 cerrado y a V2 con S1 abierto.
Si la tensión de entrada varía, la cantidad de luz también lo hará, lo que significa que la
tensión de salida cambia de acuerdo con la tensión de entrada. De este modo el dispositivo puede
acoplar una señal de entrada con el circuito de salida, aunque hay que tener en cuenta que las
curvas tensión/luz del LED no son lineales, por lo que la señal puede distorsionarse. Se venden
optoacopladores especiales para este propósito, diseñados de forma que tengan un rango en el
que la señal de salida sea casi idéntica a la de entrada.
Figura 4.1.4.3
Funcionamiento
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento eléctrico entre los circuitos
de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el único contacto entre ambos circuitos es un haz
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de luz. Esto se traduce en una resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden de
miles de MΩ. Estos aislamientos son útiles en aplicaciones de alta tensión en las que los
potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de voltios.
Aplicaciones
Dentro de un equipo electrónico, cuando una señal debe ser transmitida desde un circuito
específico a otro, sin que exista conexión eléctrica entre ambos.
Electrónica de potencia
La expresión electrónica de potencia se utiliza para diferenciar el tipo de aplicación que se
le da a dispositivos electrónicos, en este caso para transformar y controlar voltajes y corrientes de
niveles significativos. Se diferencia así este tipo de aplicación de otras de la electrónica
denominadas de baja potencia o también de corrientes débiles
En este tipo de aplicación se reencuentran la electricidad y la electrónica, pues se utiliza el
control que permiten los circuitos electrónicos para controlar la conducción (encendido y
apagado) de semiconductores de potencia para el manejo de corrientes y voltajes en aplicaciones
de potencia. Esto al conformar equipos denominados convertidores estáticos de potencia.
El principal objetivo de esta disciplina es el manejo y transformación de la energía de una
forma eficiente, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales generadores de
pérdidas por efecto Joule. Los principales dispositivos utilizados por tanto
son bobinas y condensadores, así como semiconductores trabajando en modo corte/saturación
(on/off, encendido y apagado).

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De esta manera, la electrónica de potencia permite adaptar y transformar la energía
eléctrica para distintos fines tales como alimentar controladamente otros equipos, transformar la
energía eléctrica de continua a alterna o viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento
de máquinas eléctricas, etc. mediante el empleo de dispositivos electrónicos,
principalmente semiconductores. Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control, sistemas
de compensación de factor de potencia y/o de armónicos como para suministro eléctrico a
consumos industriales o incluso la interconexión de sistemas eléctricos de potencia de distinta
frecuencia.
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden
clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los 0Diodos. Los estados de
conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por
tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control externo.
2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los
Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating
Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de
control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comúnmente denominado
puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia.
Es decir, se tiene control externo de la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del
dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores
bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo MOSFET
(“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores bipolares de puerta
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aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores GTO (“Gate Turn-Off
Thyristor”), entre otros. En los siguientes apartados se detallan las características más
importantes de cada uno de estos dispositivos.
Figura 4.1.4.4
Funcionamiento
33
SUBTEMA 4.2 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
La expresión electrónica de potencia se utiliza para diferenciar el tipo de aplicación que se le
da a dispositivos electrónicos, en este caso para transformar y controlar voltajes y corrientes de
niveles significativos. Se diferencia así este tipo de aplicación de otras de la electrónica
denominadas de baja potencia o también de corrientes débiles.
Figura 4.2.1
Clasificación
En este tipo de aplicación se
reencuentran la electricidad y la electrónica, pues se utiliza el control que permiten los circuitos
electrónicos para controlar la conducción (encendido y apagado) de semiconductores de potencia
para el manejo de corrientes y voltajes en aplicaciones de potencia. Esto al conformar equipos
denominados convertidores estáticos de potencia.
De esta manera, la electrónica de potencia permite adaptar y transformar la energía eléctrica
para distintos fines tales como alimentar controladamente otros equipos, transformar la energía
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eléctrica de continua a alterna o viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento de
máquinas eléctricas, etc. mediante el empleo de dispositivos electrónicos,
principalmente semiconductores. Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de
control, sistemas de compensación de factor de potencia y/o de armónicos como
para suministro eléctrico a consumos industriales o incluso la interconexión de sistemas
eléctricos de potencia de distinta frecuencia.
El principal objetivo de esta disciplina es el manejo y transformación de la energía de
una forma eficiente, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales
generadores de pérdidas por efecto Joule. Los principales dispositivos utilizados por
tanto son bobinas y condensadores, así como semiconductores trabajando en modo
corte/saturación (on/off, encendido y apagado).
HISTORIA
La historia de la electrónica de potencia empezó en el año 1900, con la introducción del
rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador de tanque
metálico, el rectificador de tubo al alto vacío de rejilla controlada, el ignitrón, el fanotrón y el
tiratrón. Estos dispositivos se aplicaron al control de la energía hasta la década de 1950.
Figura 4.2.2 Rectificador de arco de mercurio

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La primera revolución electrónica inicia en 1948 con la invención del transistor de
silicio en los Bell Telephone Laboratories por los señores Bardccn, Brattain y Schockley. La
mayor parte de las tecnologías electrónicas avanzadas actuales tienen Su origen en esta
invención. A través de los años, la microelectrónica moderna ha evolucionado a partir de los
semiconductores de silicio. El siguiente gran parteaguas, en 1956, también provino de las Bell
Telephone Laboratories: la invención del transistor de disparo PNPN, que se definió como un
tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en inglés).
Figura 4.2.3
La segunda revolución electrónica empezó en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por
General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrónica de potencia.
Desde entonces, se han introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de
potencia y técnicas de conversión. La revolución de la microelectrónica nos dio la capacidad de
procesar una gran cantidad de información a una velocidad increíble. La revolución de la
electrónica de potencia nos está dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades
de energía con una eficiencia cada vez mayor. Debido a la fusión de la electrónica de potencia,
que es el músculo, con la microelectrónica, que es el cerebro, se han descubierto muchas
aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia, y se descubrirán más. Dentro de los
siguientes 30 años, la electrónica de potencia formará y condicionará la electricidad, en alguna
parte de la línea de transmisión, entre el punto de generación y todos los usuarios. La revolución
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de la electrónica de po-tencia ha ganado inercia, desde el fin de los años 80 y principios de
los 90.
APLICACIÓN
Figura 4.2.4
Durante muchos años ha existido la necesidad de controlar la potencia eléctrica de los sistemas
de tracción y de los controles industriales impulsados por motores eléctricos; esto ha llevado a un
temprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de obtener un voltaje de corriente
directa variable para el control de los motores e impulsores. La electrónica de potencia ha
revolucionado la idea del control para la conversión de potencia y para el control de los motores
eléctricos.
La electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control. El control se
encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los sistemas de lazo
cerrado.
La energía tiene que ver con el equipo de potencia estática y rotativa o giratoria, para la
generación, transmisión y distribución de energía eléctrica. La electrónica se ocupa de los
dispositivos y circuitos de estado sólido requeridos en el procesamiento de señales para cumplir

37
con los objetivos de control deseados. La electrónica de potencia se puede definir como la
aplicación de la electrónica de estado sólido para el control y la conversión de la energía
eléctrica.
La electrónica de potencia se basa, en primer término, en la conmutación de dispositivos
semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnología de los semiconductores de
potencia, las capacidades del manejo de la energía y la velocidad de conmutación de los
dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnología de los
microprocesadores-microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la síntesis de la
estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. El equipo de electrónica
de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de potencia, que pueden compararse con el
músculo, y (2) microelectrónica, que tiene el poder y la inteligencia del cerebro.
La electrónica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnología moderna y se
utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluyen controles de
calor, controles de iluminación, controles de motor, fuentes de alimentación, sistemas de
propulsión de vehículos y sistemas de corriente directa de alto voltaje (HVDC por sus siglas en
inglés).
38
CARACTERÍSTICAS
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar como interruptores mediante
la aplicación de señales de control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base de los
transistores bipolares). La salida requerida se obtiene mediante la variación del tiempo de
conducción de estos dispositivos de conmutación. Una vez que un tiristor está en modo de
conducción, la señal de la compuerta ya sea positiva o negativa no tiene efecto.
Cuando un dispositivo semiconductor de potencia está en modo de conducción normal, existe
una pequeña caída de voltaje a través de este.

39
Figura 4.2.5
Clasificación
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden clasificar
en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de
conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por
tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control externo.
2. Dispositivos semi controlados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los
Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating
Current”). En este caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de
control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comúnmente denominado
puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia.
Es decir, se tiene control externo de la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del
dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares
BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo MOSFET (“Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT
40
(“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”),
entre otros.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE CONTROL DE POTENCIA
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperación
rápida) y Scholtky. Los diodos de uso general están disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la
especificación de los diodos de recuperación rápida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El
tiempo de recuperación inversa varía entre 0.1 y 5 µs. Los diodos de recuperación rápida son
esenciales para la interrupción de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo
tiene dos terminales: un cátodo y un ánodo. Los diodos Schotlky tienen un voltaje bajo de estado
activo y un tiempo de recuperación muy pequeño, típicamente en nanosegundos. La corriente de
fuga aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce
cuando el voltaje de su ánodo es más alto que el de su cátodo; siendo la caída de voltaje directa
de un diodo de potencia muy baja, típicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de cátodo es más alto
que el voltaje de ánodo, se dice que el diodo está en modo de bloqueo.
En la figura aparecen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan
básicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o montado en perno y el Otro como de
disco empacado a presión o de disco de hockey. En el de perno, tanto el ánodo como el cátodo
podrían ser el perno. Un tiristor nene tres terminales: un ánodo, un cátodo. Y una compuerta.
Cuando una pequeña corriente pasa a través de la terminal de la compuerta hacia el cátodo, el
tiristor conduce, siempre y cuando la terminal del ánodo esté a un potencial más alto que el
cátodo. Una vez que el tiristor está en un modo de conducción, el circuito de la compuerta no
tiene ningún control y el tiristor continúa conduciendo. Cuando un tiristor está en un modo de
41
conducción, la caída de potencial en directa es muy pequeña, típicamente 0.5 a 2 V. Un
tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del ánodo sca igual o menor
que cl potencial del cátodo. Los tiristores conmutados en línea se desactivan debido a la
naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en forma forzada se
desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitería de conmutación.
En la figura se muestran varias configuraciones de tiristores de control de fase (o de
conmutación de línea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja. Los tiristores
naturales o conmutados en línea están disponibles con especificaciones de hasta 6000 V, 3500 A.
El tiempo de desactivación de los tiristores de bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en
forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 µs con un tiristor de 1200-V, El tiempo de
desactivación se define como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente principal
se reduce a cero después de la interru1Xión externa del circuito de voltaje principal, y el ínstame
en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal especificado, sin activarse Los RCI y
los GAIT se utilizan en gran medida para la interrupción de alta velocidad, en especial en de
tracción. Un RCT se puede considerar como un tiristor que incluye un diodo inverso en paralelo.
Los RCT están disponibles hasta 2500 V, 1000 , (y 400 A de conducción inversa) con un tiempo
de interrupción de 40 µs. Los GATT están disponibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de
interrupción de 8 µs. Los IASCR, que se fabrican hasta V, 1500 A, con una velocidad de
interrupción de 200 a 400 LIS, son adecuados para sistemas de energía de alto voltaje,
especialmente en HVDC para aplicaciones de corriente alterna de baja potencia los TRIAC, se
utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de calor, de iluminación, de motor, así
como interruptores de corriente alterna. Las características de los TRIAC son similares a dos
tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de compuerta. El flujo de
42
corriente a través de un TRIAC se puede controlar en cualquier dirección. Los GTO y los
SITH son tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITH se activan mediante la aplicación de
un pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la aplicación de un pulso
corto negativo a las mismas. NO requieren de ningún circuito de conmutación. Los GTO resultan
muy atractivos para la conmutación forzada de convertidores y están disponibles hasta V, A. Los
SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200 V, 300 A, se espera que puedan
scr aplicados a convertidoras de mediana potencia con una frecuencia de varios cientos de
kilohcrv, y más allá del rango de frecuencia de los CITO.
Figura 4.2.6
En la figura se muestran varias configuraciones
de OTO. Un MC T se puede "activar" mediante un pequeño pulso de voltaje negativo sobre la
compuerta MOS (respecto a su ánodo), y desactivar mediante un pulso pequeño de voltaje
positivo. Es similar a un GTO, excepto en que la ganancia de desactivación es muy alta. Los MC
T están disponibles hasta 1000 V, 100 A. Los transistores bipolares de alta potencia son
Comunes en los convertidores de energía a frecuencias menores que IO kHz y su aplicación es
eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200V, 4A. Un transistor bipolar tiene tres
terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor con la
43
configuración de emisor común. Mientras que la base de un NPN esté a un potencial más
alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande como para excitar al
transistor en la región de saturación, el transistor se conservará activado, siempre que la unión
del colector al emisor esté correctamente polarizada. La caída directa de un transistor en
conducción está en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de excitación de la base es retirado, cl
transistor se conserva en modo de no conducción (es decir desactivado),
Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y frecuencias de hasta 20 KHz.
Los IGBT están disponibles hasta 1200 V, 400 A. Un SIT es un dispositivo de alta potencia y de
alta frecuencia. Es, en esencia, la versión en estado sólido del tubo de vacío triodo, y es similar a
un JFET. Tiene una capacidad de potencia de bajo ruido, baja distorsión y alta frecuencia de
audio. Los tiempos de activación y desactivación son muy cortos, típicamente de 0.25 µs. La
característica de normalmente activo y la alta caída de voltaje limitan sus aplicaciones para
conversiones de energía de uso general. La especificación de uso de corriente de los SIT puede
ser hasta de 1200 V, 300 A, y la velocidad de interrupción puede ser tan alta como 100 kHz. Los
SIT son adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia (es decir audio, VHF/UHF,
y amplificadores de microondas). Las especificaciones de los dispositivos semiconductores de
potencia comercialmente disponibles aparecen en la tabla donde el voltaje activo es la caída del
voltaje de estado activo del dispositivo a la corriente especificada.

44
especificaciones de dispositivos semiconductores de potencia
Figura 4.2.7
45
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
Para el control de la potencia eléctrica o del acondicionamiento de esta, es necesario convertir
la potencia de una forma a otra, las características de interrupción de los dispositivos de potencia
permiten dicha conversión. Los convertidores de potencia estáticos llevan a cabo estas funciones
de conversión de potencia. Un convertidor se puede considerar como una matriz de conmutación.
Los circuitos electrónicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos:
1. Rectificadores de diodos
2. Convertidores ca-cd (rectificadores controlados)
3. Convertidores ca-cd (controladores de voltaje de Ca)
4. Convertidores ca-cd (pulsadores de Cd)
5. Convertidores cd-ca (inversores)
6. Interruptores estáticos
Los dispositivos de los convertidores siguientes se utilizan únicamente para ilustrar los
principios básicos. La acción de Interrupción de un convertidor puede Ser llevada a cabo más de
un dispositivo. La selección de un dispositivo en particular dependerá del voltaje, la corriente y
los requisitos de velocidad del convertidor.

46
RECTIFICADORES.
Un circuito rectificador por diodos convierte el voltaje de Ca en un voltaje fijo de Cd. El
voltaje de entrada al rectificador puede ser monofásico o trifásico.
Figura 4.2.8
Figura 4.2.9
CONVERTIDORES CA-CD.
47
Un convertidor monofásico con dos tiristores de conmutación natural. El valor promedio del
voltaje de salida se puede controlar variando el tiempo de conducción de los tiristores o el ángulo
de retraso de disparo, a. La entrada puede mono o trifásica.
Figura 4.2.10
Características y simbolos de dispositivos de
Potencia
Figura 4.2.11
INTERRUPTORES ESTÁTICOS.
48
Dado que los dispositivos de potencia pueden ser operados como interruptores estáticos
o contactores, la alimentación a estos interruptores puede ser de Ca o de Cd y se conocen como
interruptores estáticos de ca o interruptores de Cd.
Subtema 4.2.1 SCR: Silicon Controlled Rectifier (rectificador controlado de silicio)

49
Dentro de la familia de dispositivos pnp, el rectificador controlado de silicio es el de mayor
interés. Fue presentado por primera vez en 1956 por Bell Telephone Laboratories. Algunas de las
áreas más comunes de aplicación de los SCR incluyen controles de relevador, circuitos de
retardo de tiempo, fuentes de potencia reguladas, interruptores estáticos, controles de motor,
recortadores, inversores y ciclos convertidores.
¿Qué es un SCR?
El rectificador controlado de silicio (SCR), es un dispositivo de estado sólido tipo
semiconductor que conduce la corriente eléctrica en su estado de encendido y la bloquea en su
estado de apagado.
El SCR dispone de tres terminales: ánodo, cátodo y puerta, la conducción de la corriente
entre ánodo y cátodo es controlada a través del terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional; es decir, el sentido de la corriente es único. La estructura básica de un SCR se
muestra en la figura 4.2.1.1(a) y el símbolo esquemático, en la figura 4.2.1.1(b).
Figura 4.2.1.1: Rectificador controlado de silicio.
Circuito equivalente del SCR

50
Al igual que la operación de un diodo de 4 capas, la operación del SCR se entiende
mejor si su estructura pnpn interna se ve como una configuración de dos transistores, como
muestra la figura 4.2.1.2. Esta estructura es como la del diodo de 4 capas excepto por la conexión
de compuerta. Las capas pnp superiores actúan como un transistor, Q1; las capas npn inferiores
lo hacen como un transistor, Q2. De nueva cuenta, Observe que las dos capas intermedias están
“compartidas”.
Figura 4.2.1.2: Circuito equivalente del SCR.
Funcionamiento básico del SCR
La estructura del SCR en verdad equivale a dos transistores, un NPN y un PNP, que son
conectados en un circuito regenerativo, tomando el circuito equivalente como punto de partida
resulta bastante más simple entender cómo funciona un SCR. En una aplicación normal, el ánodo
es mantenido positivo en relación al cátodo, como se muestra en la figura 4.2.1.3.

51
Figura 4.2.1.3: scr apagado; funciona como un interruptor abierto.
Con la compuerta despolarizada, es decir la corriente IG=0, no debe haber circulación de
ninguna corriente por los dos transistores pues el NPN (Q2) se encuentra al corte y con eso el
PNP (Q1) no tiene polarización de base. Ahora si se aplica una pequeña tensión positiva en la
compuerta, IB2 enciende a Q2 y crea una trayectoria para IB1 hacia el colector Q2, por lo que Q1 se
enciende. La corriente en el colector de Q1 proporciona una corriente adicional en la base para
Q2, de tal forma que Q2 permanece en conducción una vez que el pulso de disparo se retira de la
compuerta.
52
Figura 4.2.1.4: scr disparado; se cierra el interruptor.
El resultado es una realimentación: la corriente de colector del PNP polariza a la base del
NPN que provoca a su vez una polarización de base del PNP. Rápidamente los dos transistores
son llevados a la saturación, y aunque el estimulo inicial o sea la corriente de la compuerta
desaparezca, los dos transistores permanecen en plena conducción. Circula entonces una
corriente máxima entre el ánodo y el cátodo.
Figura 4.2.1.5: El SCR permanece encendido después del pulso de disparo.

53
Activación del SCR
La activación del tiristor SCR se puede dar de 2 maneras diferentes, una de ellas será
cuando entre el ánodo y el cátodo se presente una tensión llamada voltaje de ruptura o voltaje de
cebado y simbolizado mediante VDRM (obsérvese en la figura 4.2.1.6 como VBR(F)); ocurrirá que
mientras la tensión entre el ánodo y el cátodo sea menor al voltaje de ruptura este no conducirá,
pero cuando la tensión entre el ánodo y el cátodo del tiristor SCR alcance o sea mayor a la
tensión de ruptura, este se activará y conducirá; en el momento que el tiristor SCR comienza a
conducir, la tensión entre el ánodo y el cátodo baja de una forma casi instantánea hasta un
mínimo valor, haciendo que el SCR se comporte como si fuera un cortocircuito, pero no lo es
del todo ya que entre el ánodo y el cátodo habrá esa mínima tensión a la cual se le llama tensión
de encendido simbolizado como VTM.
Figura 4.2.1.6: curva característica del scr con ig=0.

54
El voltaje de ruptura en directa se reduce a medida que IG se incrementa por encima de
0 V, como lo muestra el conjunto de curvas de la figura 4.2.1.7. Con el tiempo, IG alcanza un
valor al cual el SCR enciende a un voltaje muy bajo entre el ánodo y el cátodo. Así que, como se
puede ver, la corriente en la compuerta controla el valor del voltaje de ruptura en directa,
VBR(F), requerido para que encienda.
Figura 4.2.1.7: Curva característica del SCR con varios valores de IG.
En la otra forma de activar o encender un tiristor SCR no es necesario que la tensión entre
el ánodo y el cátodo llegue a la tensión de ruptura, por lo que si la tensión entre el ánodo y el
cátodo es menor a la tensión de ruptura, el tiristor SCR se puede activar o encender enviando una
señal a la compuerta, con la condición de que esta señal sea capaz entregar a la compuerta una
corriente mínima, a la que se conoce como corriente de activación o corriente de disparo y
simbolizada como IGT, esta corriente tiene que ser capaz de hacer que entre la compuerta y el
cátodo caiga una tensión que se conoce como la tensión de disparo del tiristor SCR la cual se
simboliza mediante VGT.

55
Una vez que el tiristor SCR se activa, entre el ánodo y el cátodo circulará una corriente,
pero el SCR solo es capaz de poder soportar una determinada corriente, la cual si se sobrepasa el
tiristor SCR se dañará, esta corriente máxima que puede soportar el SCR entre ánodo y cátodo se
la simboliza como IRMS.
Figura 4.2.1.8: Valores nominales del SCR.
Cuando la señal que se envía a la compuerta hace que el tiristor SCR se active, el SCR
quedará activado así se le quite la señal a la compuerta, para desactivarlo o apagarlo hay que
hacer que la corriente que circula entre el ánodo y el cátodo sea menor a un valor que se conoce
como la corriente de mantenimiento, la cual se simboliza con IH.
Características y valores nominales de un SCR
Varias de las características y de valores nominales más importantes del SCR se definen como
a continuación se describe. Utilice la curva que aparece en la figura 4.2.1.6 como referencia en
los casos en que sea apropiado.

56
Voltaje de ruptura en directa, VBR(F) Éste es el voltaje al cual el SCR entra a la
región de conducción en directa. El valor de VBR(F) es máximo cuando IG = 0 y se designa VBR(F).
Cuando se incrementa la corriente en la compuerta, VBR(F) se reduce y se designa VBR(F1), VBR(F2), y
así sucesivamente, con incrementos graduales de la corriente en la compuerta (IG1, IG2, y así
sucesivamente).
Corriente de retención, IH Éste es el valor de la corriente en el ánodo por debajo del cual
el SCR cambia de la región de conducción en directa a la región de bloqueo en directa. El valor
se incrementa con valores decrecientes de IG y es máximo con IG = 0.
Corriente de disparo en la compuerta, IGT. Éste es el valor de la corriente en la compuerta
necesario para cambiar el SCR de la región de bloqueo en directa a la región de conducción en
directa en condiciones específicas.
Corriente en directo promedio, IF(prom). Ésta es la corriente máxima en forma continua en
el ánodo (cd) que el dispositivo puede soportar en el estado de conducción en condiciones
específicas.
Región de conducción en directa Esta región corresponde a la condición encendido del
SCR en la que la corriente fluye del ánodo al cátodo gracias a la muy baja resistencia (corto
aproximado) del SCR.
Regiones de bloqueo en directa y en inversa Estas regiones corresponden a la condición
apagado del SCR en la que la corriente que fluye del ánodo al cátodo es bloqueada por el
circuito abierto efectivo del SCR.
Voltaje de ruptura en inversa, VBR(R). Este parámetro especifica el valor de voltaje en
inversa del cátodo al ánodo al cual el dispositivo irrumpe en la región de avalancha y comienza a
conducir en exceso (igual que en un diodo de unión pn).

57
Apagado del SCR
Cuando la compuerta regresa a 0 V una vez que cesa el pulso de disparo, el SCR no puede
encenderse; permanece en la región de conducción en directa. La corriente en el ánodo se reduce
por debajo del valor de la corriente de retención, IH, para que prenda otra vez.
Existen dos métodos básicos de encender un SCR: interrupción de la corriente en el ánodo y
conmutación forzada. La corriente en el ánodo puede ser interrumpida mediante una
configuración de conmutación momentánea en serie o en paralelo, como muestra la figura
4.2.1.9. El interruptor en serie en la parte (a) simplemente reduce a cero al corriente en el ánodo
y apaga el SCR.
El interruptor en paralelo en la parte (b) aleja una parte de la corriente total del SCR, con lo
cual la corriente en el ánodo se reduce a un valor menor que IH.
Figura 4.2.1.9: El SCR se apaga por la interrupción de la corriente en el ánodo.

58
El método de conmutación forzada básicamente requiere obligar momentáneamente a la
corriente que circula a través del SCR a que lo haga en la dirección opuesta a la conducción en
directa, de modo que la corriente neta en directa se reduzca por debajo del valor de retención. El
circuito básico, como muestra la figura 4.2.1.10, consta de un interruptor (normalmente un
interruptor basado en un transistor) y un capacitor. En tanto el SCR está conduciendo, el
interruptor está abierto y Cc se carga al voltaje de alimentación por conducto de Rc, como
muestra en parte (a). Para apagar el SCR, el interruptor se cierra, lo cual coloca el capacitor a
través del SCR y la corriente fluye en la dirección opuesta a la corriente en directa, como
muestra la parte (b). Típicamente, los tiempos que los SCR permanecen apagados varían desde
unos cuantos microsegundos hasta cerca de 30 ms.
Figura 4.2.1.10: El SCR se dispara por conmutación forzada.

59
Aplicaciones del SCR.
Algunas de las posibles aplicaciones del SCR se mencionaron al principio del tema, en esta
sección solo consideramos algunas como: un interruptor estático, un sistema de control de fase y
un cargador de baterías.
Interruptor estático con serie.
En la figura 4.2.1.11 se muestra un interruptor estático en serie de media onda. Si el
interruptor está cerrado como se muestra en la figura 4.2.1.12, durante la parte positiva de la
señal de entrada fluirá un corriente de compuerta y el SCR se encenderá. El resistor R1 limita la
magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se enciende, el voltaje del ánodo al
cátodo (VF) se reducirá al valor de conducción, y la corriente de compuerta se reduce en gran
medida con una pérdida mínima en el circuito de la compuerta. Para la región negativa de la
señal de entrada, el SCR se apagará puesto que el ánodo es negativo con respecto al cátodo. Se
incluye el diodo D1 para impedir una inversión en la corriente de compuerta.
Figura 4.2.1.11: INTERRUPTOR ESTÁTICO EN SERIE DE MEDIA ONDA

60
Figura 4.2.1.12: INTERRUPTOR CERRADO
Control de fase de resistencia variable.
En la figura 4.2.1.13 (a) se muestra un circuito capaz de establecer un ángulo de
conducción de entre 90° y 180°C. El circuito es semejante al de la figura 4.2.1.11, excepto por la
adición de un resistor variable y la eliminación del interruptor. La combinación de los resistores
R y R1 limitará la corriente de compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada. Si R1 se
establece a su valor máximo, es posible que la corriente de compuerta nunca alcance una
magnitud de encendido. A medida que R1 se reduce a partir de su valor máximo, la corriente de
compuerta se incrementará a partir del mismo voltaje de entrada. De esta forma, se puede
establecer la corriente de compuerta de encendido requerida en cualquier punto entre 0° y 90°,
como se muestra en la figura 4.2.1.13 (b).
Si el valor de R1 es bajo, el SCR se encenderá casi de inmediato, y el resultado será la misma
acción que se obtuvo con el circuito de la figura 4.2.1.11 (conducción durante 180°C). Sin
61
embargo, como se indicó antes, si R1 se incrementa, se requerirá un mayor voltaje de
entrada (positivo) para encender el SCR. Como se muestra en la figura 4.2.1.13 (b), el control no
se puede ampliar más allá del desfasamiento de 90° puesto que la entrada alcanza su valor
máximo en este punto. Si no se enciende con éste y con valores menores de voltaje de entrada en
la pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma respuesta en la parte de pendiente
negativa de la forma de onda de la señal. La operación en este caso normalmente se conoce en
términos técnicos como control de fase de resistencia variable de media onda. Es un método
efectivo de controlar la corriente rms y por consiguiente la potencia suministradas a la carga.
(a)
(b)
Figura 4.2.1.13: CONTROL DE FASE DE RESISTENCIA VARIABLE DE MEDIA ONDA.
Regulador de carga de baterías.

62
Una tercera aplicación de gran uso del SCR es un regulador de carga de baterías.
En la figura 4.2.1.14 se muestran los componentes fundamentales del circuito. El circuito de
control se dejó fuera para propósitos de estudio.
Como se indica en la figura, D1 y D2 establecen una señal rectificada de onda completa a
través del SCR1 y la batería de 12 V que se va a cargar. A voltajes bajos de la batería, el SCR2
está “apagado” por razones que se explicarán en breve. Con el SCR2 abierto, el SCR1 que
controla el circuito es exactamente el mismo que el control de interruptor estático en serie
analizado al principio de esta sección. Cuando la entrada rectificada de onda completa es lo
bastante grande para producir la corriente de encendido requerida en la compuerta (controlada
por R1), el SCR1 se encenderá y la batería comenzará a cargarse. Al inicio de la carga, el bajo
voltaje de la batería dará por resultado un bajo voltaje VR determinado por el sencillo circuito de
divisor de voltaje. A su vez, el voltaje VR es demasiado pequeño para provocar conducción en el
Zener de 11.0 V. En el estado “apagado” el Zener es efectivamente un circuito abierto, y
mantiene el SCR2 en el estado “apagado” puesto que la corriente de compuerta es cero. Se
incluye el capacitor C1 para impedir que cualquier voltaje transitorio en el circuito encienda
accidentalmente el SCR2. Recuerde por sus conocimientos fundamentales de análisis de circuitos
que el voltaje no puede cambiar instantáneamente a través de un capacitor. De esta manera, el C1
evita que los efectos transitorios afecten al SCR.

63
Figura 4.2.1.14: REGULADOR DE CARGA DE BATERÍA
SCR activado por luz (LASCR)
El rectificador controlado de silicio activado por luz (LASCR) es un dispositivo
semiconductor de cuatro capas (tiristor) que opera esencialmente como lo hace un SCR
convencional, excepto porque también puede ser activado por luz. El LASCR conduce corriente
en una dirección cuando es activado por una cantidad suficiente de luz y continúa haciéndolo
hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor especificado. La figura 4.2.1.15, muestra
un símbolo esquemático de LASCR. El LASCR es más sensible a la luz cuando la compuerta
está abierta. Si es necesario, se puede utilizar un resistor de la compuerta al cátodo para reducir
la sensibilidad.
64
Figura 4.2.1.15: Símbolo de LASCR.
La figura 4.2.1.16, muestra un LASCR utilizado para energizar un relevador de
enclavamiento. La fuente de entrada prende la lámpara; la luz incidente resultante activa el
LASCR. La corriente en el ánodo energiza el relevador y cierra el contacto. Observe que la
fuente de entrada se encuentra eléctricamente aislada del resto del circuito.
Figura 4.2.1.16: circuito lascr.

65
Subtema 4.2.2 TRIAC
El TRIAC es un componente electrónico semiconductor de tres terminales para controlar la
corriente. Su nombre viene del término Triode for Alternating Current = Triodo Para Corriente
Alterna.
El triac es un elemento semiconductor de tres electrodos, uno de los cuales es de mando (la
puerta) y los otros dos son elementos principales de conducción. El elemento puede pasar de un
estado de bloqueo a un régimen conductor, en los dos sentidos de polarización (cuadrantes I y
III) y volver al estado de bloqueo por inversión de la tensión o por disminución de la corriente
por debajo del valor de mantenimiento IH.
Figura 4.2.2.1. Circuito equivalente de un triac y su símbolo.
El triac es, pues, la versión bidireccional del SCR; en su representación eléctrica se le
puede comparar a la asociación en antiparalelo de dos SCR (figura 4.2.2.1), presentando no
obstante dos ventajas fundamentales sobre este montaje el que solo se podría gobernar las
puertas mediante un transformador de impulsos:
1. El circuito de mando resulta más sencillo al no existir más que un electrodo de disparo;
2. El dispositivo puede vascular el estado conductor independientemente de las polaridades
de puerta o ánodo (el disparo se efectúa en los cuatro cuadrantes).

66
Estructura
El triac puede obtenerse mediante diversas capas de difusión como por ejemplo la de la
figura 4.2.2.2. En ella puede reconocerse los dos SCR constituyentes del triac:
 La mitad de la pastilla ABC, representa un SCR de estructura clásica cuya conducción
tiene lugar según (I).
 La mitad ABD, es un SCR de conducción inversa (según II), siendo la capa N3 la de
cátodo. Tecnológicamente pues, el triac es la unión de las capas de dos tiristores cuya
superficie de emisor útil en cada semiperiodo es la media pastilla.
 La puerta del conjunto está formada por dos capas de tipos opuestos: N4 y una porción de
P1.
Figura 4.2.2.2. Estructura de un Triac típico.
Disparo del triac
Si se aplica una tensión V1 al ánodo A1, la tensión V2 al ánodo A2 y la tensión VG a la
puerta, y si tomamos V1 como masa de referencia (V1=0), podemos definir cuatro cuadrantes de
polarización:
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Figura 4.2.2.3. Cuadrantes de polarización.
Disparo en el cuadrante I. El triac se dispara como un SCR normal. La zona P1 es la
puerta y la unión N1P1 inyecta portadores, produciéndose el disparo del SCR entre P2 y N1 (figura
4.2.2.4). La corriente IG mínima de disparo es función de la repartición de los cortocircuitos entre
N1 y P1, es decir, del valor de la resistencia R situada entre la puerta y el ánodo A1. En este
cuadrante, el triac se comporta como el SCR N1P1N2P2.
Figura 4.2.2.4. Disparo del triac en el primer cuadrante.
Disparo en el cuadrante II. La corriente de disparo circula de P1 a N4, y ceba el SCR
N4P1N2P2 (figura 4.2.2.5).

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Debido a la geometría del elemento, la corriente principal de N4P1N2P2 polariza las
bases P1N2 y el SCR N1P1N2P2 bascula a su vez. Este último, normalmente de menor impedancia,
provoca la apertura de N4P1N2P2 (por IH) a menos que se mantenga la corriente de puerta.
La corriente principal circula, pues, ocurría en el cuadrante (I) entre P2 y N1.
Figura 4.2.2.5. Disparo del triac en el segundo cuadrante.
Disparo en el cuadrante III. Refiriéndose al esquema de la figura 4.2.2.6. El potencial de
P1 es superior al de N4; la unión P1N4 tiene pues polarización directa e inyecta portadores. Ahora
bien, el SCR a disparar es el formado por las capas N3P2N2P1 (cátodo en N3, ánodo en P1).
La unión eficaz de puerta de ese SCR es el diodo N3P2; para que se produzca el disparo es
necesario que esa unión N3P2 inyecte sus portadores. El razonamiento que sigue se comprenderá
mejor refiriéndose al esquema de la figura 4.2.2.7.
El transistor T1 está formado por las capas N4P1N2, y T2 por las capas P2N2P1; el resistor R
es la impedancia del cortocircuito entre N3 y P2. Para que se dispare el SCR Th2 es necesario que
la corriente de emisor de T2 que circula por R de una polarización suficiente de la unión puerta-
cátodo de Th2 (SCR con cortocircuito de emisor). Tenemos
I B 2=α 1 I G
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I E 2 =β2 I B 2=α 1 β 2 I G
Donde
IE2 es la verdadera corriente de puerta de Th2;
IG es la corriente inyectada en la puerta del triac.
Es de hacer notar que el transistor T1 tiene polarización directa en sus uniones colector-
base y emisor-base; en saturación, y α 1es un valor impuesto. En general α 1 β 2no difiere mucha de
la unidad con lo que el triac presenta en este cuadrante una sensibilidad relativamente cercana a
la que presenta en los cuadrantes precedentes.
Resumiendo, el disparo de Th2 se logra mediante una corriente IE2 creada por IG en los
transistores T1 y T2.
Figura 4.2.2.6. Disparo en el tercer cuadrante.

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Figura 4.2.2.7. Esquema equivalente para el estudio del disparo del triac en el tercer cuadrante.
Disparo en el cuadrante IV. El proceso de disparo es idéntico al del tercer cuadrante,
siendo la capa N1 la que juega el papel que anteriormente desempeñaba la capa N4.
Característica de puerta
Puede dispararse un triac mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Las curvas
que dan la intensidad de puerta en función de la polarización puerta-“cátodo” adoptan la misma
forma, en los dos sentidos de conducción, que las de un diodo (figura 4.2.2.8).
Más exactamente se encuentran en ellas dos regiones, una correspondiente a un diodo
normal. Y otra, cerca del origen, que es sensiblemente resistiva. La curva correspondiente a
corriente de puerta positiva o negativa no son rigurosamente superponibles, y pueden presentar
inclinaciones diferentes, según el sentido de polarización de las salidas S1 y S2.

71
La sensibilidad difiere según el cuadrante, pero una corriente de puerta suministrada
en forma de impulsos de 100 mA a 3 V, por ejemplo, bastara en todos los casos para disparar el
triac.
Figura 4.2.2.8. Características de puerta del triac con polarización directa (zona A) o inversa (zona B).
Efecto de la derivada de la tensión con respecto al tiempo, dv/dt
En los triacs se distinguen en genera dos tipos de condiciones, en cuanto a la variación de
tensión:
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a) dv/dt aplicada sin conducción previa; para valores suficientemente elevados de
dv/dt, el triac puede dispararse al estado de conducción directa.
b) dv/dt aplicada tras conducción, llamad también “dv/dt den conmutación”; si se polariza
bruscamente el elemento en sentido opuesto, de bloqueo, es evidente que el exceso de
cargas almacenadas entre las dos posiciones limites debe desaparecer durante la
conmutación; una parte de esta carga se evacuara por la corriente circulante (carga
recuperada) y el resto se reabsorbe por recombinación. Este exceso de cargas es
fundamental en la conmutación del triac.
Funcionamiento
Podríamos decir que un triac se utiliza para controlar una carga de CA (corriente alterna),
semejante a como un transistor se puede utilizar para controlar una carga de CC (corriente
continua). En definitiva es un interruptor electrónico pero para corriente alterna. Los triac se
utilizan en muchas ocasiones como alternativas al relé.
Su funcionamiento básico es cerrar un contacto entre dos terminales (ánodo 1 y 2) para
dejar pasar la corriente (corriente de salida) cuando se le aplica una pequeña corriente a otro
terminal llamado "puerta" o Gate (corriente de activación). Se seguirá permitiendo que la
corriente fluya hasta que la corriente de salida disminuya por debajo de un valor determinado,
llamada corriente umbral, o se corte la corriente totalmente de alguna forma, por ejemplo con un
interruptor o pulsador
Cuando esta polarizado MT1 al positivo y MT2 al negativo (representado en la figura
4.2.2.9 de color rojo). Hemos llamado a los dos tiristores SCR1 y SCR2. Se puede pensar también
que son dos diodos aunque sean dos tiristores.

73
Figura 4.2.2.9. Por el triac puede pasar corriente en los dos sentidos
Si se piensa como si hubiera dos diodos (scr1 y scr2), resulta que el scr2 está polarizado
directamente y conduce, el scr1 está polarizado inversamente y no conduce o no permite el paso
de la corriente a través de él. En este caso el sentido de la corriente de salida será hacia arriba,
representada de color rojo.
Si ahora se cambia la polaridad del triac, es decir, el - en MT1 y el + en MT2 (de color azul)
ahora el que conduce es el scr1 y scr2 no conduce. La corriente de salida tendrá el sentido hacia
abajo o la representada de color azul.
Como se ve, cualquiera que sea la dirección (o polaridad) de la corriente de salida que
intenta pasar por el triac, esta puede pasar.
Cualquiera que sea la dirección de la corriente que intenta pasar por el triac, si el triac está
activado, se comportará como un conductor, dejando que esta fluya. Se comporta como un
interruptor cerrado.
Si se trabaja con una corriente alterna, la polaridad del triac irá cambiando según el ciclo
de la onda senoidal de la ca, pero en ambos casos el triac funciona. Por este motivo es ideal para
utilizar en ca.
74
Figura 4.2.2.10. Conducción de corriente alterna en un triac.
Como se ve en la figura 4.2.2.10 el triac conduce en las zonas marrones de la gráfica. Al
principio no conduce ya que al ser dos scr o tiristores necesitan una corriente mínimo para que se
comporten como conductores. Se puede notar que esta corriente mínima no tiene nada que ver
con la de activación (Igt). Es una corriente que necesita el tiristor para comportarse como
conductor. Se sabe que la onda de corriente alterna senoidal tiene una frecuencia (se repite) de
50Hz, es decir se repita 50 veces cada segundo, por lo que ese pequeño espacio que no conduce
casi no se nota.
Solo cuando la corriente que pasa por los diodos caiga por debajo de un cierto valor
llamado corriente umbral o de mantenimiento, o si de alguna forma somos capaces de cortar la
corriente totalmente. Esta segunda forma se podría hacer colocando a la salida del triac un
pulsador o interruptor cerrado y al pulsarlo que se abra y corte la corriente por el triac (como se
muestra en la siguiente figura 4.2.2.11).

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Figura 4.2.2.11. Formas en que dejara de circular la corriente por el triac.
Entonces se tiene que una corriente de activación, necesaria para activar el triac a través de
la puerta. Esta corriente se suele llamar Igt. También una corriente de salida que pasa por el triac,
que puede ser en un sentido o en otro. Esta corriente se suele llamar Ih, positiva o negativa en
función de su sentido. Esta se suele llamar corriente normal de trabajo.
Estos valores dependen de cada triac y se pueden ver en la hoja de datos proporcionada por
el fabricante. Es importante conocer y saber las corrientes máximas que puede soportar el triac
para no sobrepasarlas ya que podríamos quemar el triac.
Formas de onda de los triacs
La corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando la cantidad de tiempo
por ciclo que el triac permanece en el estado encendido. Si permanece una parte pequeña del
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tiempo en el estado encendido, el flujo de corriente promedio a través de muchos ciclos
será pequeño, en cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido,
la corriente promedio será alta.
Un triac no está limitado a 180 de conducción por ciclo. Con un arreglo adecuado del
disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control de
corriente de onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR.
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a
excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la figura 4.2.2.12 se
muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac (a través
de los terminales principales) para dos condiciones diferentes.
En figura 4.2.2.12 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros
30 de cada semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto, durante
este tiempo el voltaje completo de línea se cae a través de las terminales principales del triac, sin
aplicar ningún voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo de corriente a través del triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual existe esta situación se llama ángulo de retardo de disparo.
Después de transcurrido los 30, el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y
comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte
del semiciclo durante la cual el triac está encendido se llama ángulo de conducción. La figura
4.2.2.12 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardo de disparo mayor.
77
Figura 4.2.2.12. Formas de onda del triac.
Control de fase
El triac puede ser disparado de tal forma que la potencia de ca sea suministrada a la carga
durante una parte controlada de cada semiciclo. Durante cada semiciclo positivo de la ca, el triac
se apaga durante un cierto intervalo, llamado ángulo de retardo (medido en grados) y luego se
dispara y conduce corriente a través de la carga durante la parte restante del semiciclo positivo,
llamado ángulo de conducción. Una acción similar ocurre en el semiciclo negativo excepto
porque, desde luego, la corriente es conducida en la dirección opuesta a través de la carga.
Un ejemplo de control de fase por medio de un triac se ilustra en la figura 4.2.2.13. Se
utilizan diodos para proporcionar pulsos de disparo a la compuerta del triac. El diodo D1 conduce
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durante el semiciclo positivo. El valor de R1 fija el punto en el semiciclo positivo donde el
triac se dispara. Observe que durante esta parte del ciclo, A1 y G son positivos con respecto a A2.
El diodo D2 conduce durante el semiciclo negativo y R1 fija el punto de disparo. Observe
que durante esta parte del ciclo de ca, A2 y G son positivos con respecto a A1.
Figura 4.2.2.13. Circuito de control de fase de triac.
Prueba de un triac
Dependiendo de las características eléctricas del Triac, este podrá soportar más o menos
corriente (amperaje), lo que hace que el Triac usualmente necesite de un elemento radiador de
calor, o más conocido como disipador de calor.
En un Triac y con un polímetro, solo se puede comprobar con exactitud si está destruido.
En tal caso si tiene cortocircuito entre T1 y T2, o si la puerta está cortocircuitada con T, todo ello
con un Óhmetro. Por otra parte, en un Triac en buen estado, entre la puerta y T1 tiene que
conducir como si fuera un diodo, pero en ambos sentidos.
Pero esto no basta para asegurar que un Triac funciona bien. Para ello hay que hacer un
pequeño montaje. Para comprobar los Triacs, se puede hacer uso del siguiente circuito, que
79
permitirá conocer el estado en que se encuentra el Triac bajo prueba. Solo se necesita una
resistencia, una bombilla de 12v, un pulsador y una fuente de 12vdc.
Figura 4.2.2.14. Circuito de prueba de un triac.
Inicialmente la bombilla debe quedarse apagada, pero al presionar el pulsador la bombilla
deberá iluminar. Si esto ocurre, es porque el Triac se encuentra en buen estado.
Si al conectar el Triac, la bombilla se enciende aun sin presionar el pulsador, es debido a
que el Triac se encuentra en corto circuito.
Si la bombilla no enciende después de presionar el pulsador, será debido a que el Triac está
en circuito abierto.
80
Subtema 4.2.3 DIAC
El diac (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivosemiconductor de dos
conexiones.Es undiodobidireccional disparable que conduce la corriente sólo tras haberse
superado sutensión de disparo,y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor
característico p a r a e s e d i s p o s i t i v o . El comportamiento es fundamentalmente el mismo
para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo
dealrededor de 30V. En este sentido, su comportamiento es similar a unalámpara de neón. Los
diac son una clase detiristor , y se usan normalmente para disparar lostriac, otra clase de tiristor.Es
un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y cátodo. Actúa comoun
interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje
de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según la referencia
Figura 4.2.3.1
DIAC
81
Diac:
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseñado para
disparar TriacsyTiristores(es un dispositivo disparado por tensión). Tiene dos terminales: MT1 y
MT2.
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en paralelo, pero orientados en
formas opuestas. La conducción se da cuando se ha superado el valor detensión del zener que
está conectado en sentido opuesto.El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una
pequeña corrientede fuga. Laconducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza.Cuando
la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y entra enconducción dejando
pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Seutiliza principalmente en
aplicaciones de control de potenciamediante control de fase.Es un componente electrónico que
está preparado para conducir en los dos sentidosde sus terminales, por ello se le denomina
bidireccional, siempre que se llegue a su tensiónde cebado o de disparo (30v aproximadamente,
dependiendo del modelo).Hasta que la tensión aplicada entre sus extremos supera la tensión de
disparo VBO; laintensidad que circula por el componente es muy pequeña. Al superar dicha
tensión lacorriente aumenta bruscamente y disminuyendo, como consecuencia, la tensión

82
anterior. La aplicación más conocida de este componente es el control de un triac para
regular la potencia de una carga
Figura 4.2.3.2
Simbolo y estructura del DIAC
Funcionamiento:
Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control de potencia, lo que
significa que servirá para controlar electrónicamente el paso de corrienteeléctrica.La palabra diac
quiere decir “Diodo de Corriente Alterna”. Este componente essimétrico, por lo que se podrá
conectar indistintamente en cualquiera de los dos sentidos posibles. Dicho componente cuenta
con dos patillas de conexión.El diac es un componente simétrico porque está formado por dos
diodos conectadosen paralelo y en contraposición, por lo que cada uno de ellos permitirá el paso
de corrientede cada uno de los semiciclos de la corriente alterna a que se le somete.Para que un
diac comience a funcionar, necesitará que se le
apliquen entre sus bornes una tensión
determinada, momento después del cual empezará
a trabajar. La tensiónmínima necesaria se
denomina tensión de disparo. Dicha tensión de
disparo seráaproximadamente de 30
V. Normalmente, este tipo de componentes se

83
emplean para controlar el disparo de tipode componentes, como lo son los tiristores y,
fundamentalmente, para el disparo de Triacs
Figura 4.2.3.3
Principio de operación y curva característica:
La operación del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta un
voltaje de ruptura equivalente al BV CEO del transistor bipolar. Debido a la simetría de
construcción de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas direcciones y debe procurarse
que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza aconducir corriente
sucede un decremento en el voltaje de rupturaBV CEV.presentando unaregión de impedancia
negativa (si se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta lasegunda ruptura), entonces se
logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.
La conducción ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con
cualquier polaridad, a través de las dos terminales. La curva de la figura ilustra esta
característica.Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye en una dirección que depende
84
de la polaridad del voltaje en las terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae
abajodel valor de retención.El circuito equivalente de un DIAC consiste en cuatro transistores
dispuestosa , estructura Pnpn desde A1a A2, proporciona la operación del dispositivo con cuatro
capas.En el circuito equivalente,Q1Y Q2 están polarizados en directa y los Q3 yQ4 en inversa.
Eldispositivo opera en la porción derecha superior de la curva característica de la figura 2.2, bajo
esta condición de polarización. Cuando el DIAC está polarizado como se muestra en lafigura 2.3
(c), la estructura Pnpn desde A2 a A1,es la que se usa. En el circuito equivalente, los Q3 y Q4
están polarizados en directa y los Q1 y Q2 en inversa. El dispositivo opera en la porción
izquierda inferior de la curva característica, como se muestra en la figura.
Fabricación:
La fabricación de los diacs se basa en unir materiales cristalinos semiconductores positivados y
negativados, como el silicio y el germanio, después de un tratamientoespecífico. Para que los
materiales cristalinos sean semiconductores, se les dopa (introduceen su interior) con partículas
negativas o positivas, según se requiera convertir el cristalsemiconductor en negativo o positivo.
Circuito Práctico con diac:
Aquí podemos observar como el DIAC permite disparar tanto en el semiperíodo positivocomo
el negativo. Bloqueo y Disparo.En estas formas de onda podemos ver el momento cuando
disparamos el Tiristor y a partir de ese momento pasa a conducir, en la señal de arriba vemos
como se “queda” toda la señalen la RL, de esta manera controlamos la potencia a entregar a la
85
cargaAquí podemos ver la curva de características del Tiristor y aunque no se pueda
observar con claridad en el momento de disparo cuanto mayor sea la tensión entre ánodo y
cátodomenor Intensidad será necesaria en la puerta para dispararlo, incluso se pueden llegar a
dar cebados indeseados por tensiones muy altas entre ánodo y cátodo.
DIAC de tres capas:
Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y
con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanzala tensión de avalancha en la unión del colector. Esto inyecta
corriente en la base quevuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al
ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.
Figura 4.2.3.4
86
DIAC de cuatro capas:

Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da lacaracterística
bidireccional. Su aplicación tiene como dispositivo de disparo bidireccional para el TRIAC.
Figura 4.2.3.5
87
4.2.3 Transistores IGBT
El IGBT (transistor bipolar de compuerta aislada) combina las características tanto del
MOSFET como del BJT que lo hacen útil en aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta
corriente.
Historia
Los japoneses Yamagami y Akakiri, propusieron en 1968 un dispositivo de cuatro capas
alternas semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera controlado mediante una
estructura de "puerta" de semiconductor de óxido metálico (MOS), sin acción regenerativa. Esta
patente fue concedida en 1972 bajo el código 47-21739. Este modo de operación fue reportado
experimentalmente por vez primera en 1978 en un rectificador controlado de silicio (SCR) por
Scharf y Plummer, quienes no persiguieron la comercialización de sus ideas sobre el dispositivo.
El modo de operación descrito por ambos investigadores también fue descubierto de manera
experimental por J. Jayant Baliga, en 1979, en un dispositivo al que llamó "dispositivo MOSFET
con surco vertical con la región de drenaje reemplazada por una región de ánodo de tipo P".
Plummer solicitó una patente para el dispositivo que propuso en 1978.

88
Un dispositivo idéntico, fue inventado por Hans W. Becke y Carl F. Wheatley
quienes presentaron una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron "MOSFET de
potencia con una región de ánodo". Esta patente ha sido llamada "la patente seminal del
transistor bipolar de puerta aislada." En la patente se afirmó que "ninguna acción de tiristores se
produce en todas las condiciones de funcionamiento del dispositivo." Esto significa
sustancialmente que el dispositivo exhibe operación de IGBT sin enclavamiento a lo largo de
todo el rango de funcionamiento del dispositivo.
BJT Y MOSFET
El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras
separadas por dos uniones pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la figura 4.2.3.1
(a). Las tres regiones se llaman emisor, base y colector. En las figuras 4.2.3.1 (b) y (c) se
muestran representaciones físicas de los dos tipos de BJT. Un tipo se compone de dos regiones n
separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una región
n (pnp). El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores
de corriente en la estructura de transistor.
Figura 4.2.3.1. Estructura de un BJT.

89
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los
portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el
colector.
El MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) pertenece a
la categoría de transistor de efecto de campo. El FET es un dispositivo unipolar que depende no
sólo tanto de la conducción de electrones (canal n) como de la condición de huecos (canal p). El
JFET (transistor de efecto de campo de unión) es un tipo de FET que opera con una unión pn
polarizada en inversa para controlar corriente en un canal.
Figura 4.2.3.2. Estructura de un MOSFET.

90
El MOSFET, diferente del JFET, no tiene una estructura de unión pn; en cambio, la
compuerta del MOSFET está aislada del canal mediante una capa de bióxido de silicio (SiO2).
Los dos tipos básicos de MOSFET son el enriquecimiento (E) y el de empobrecimiento (D). De
los dos tipos, el MOSFET de mejora es el más utilizado. Debido a que ahora se utiliza silicio
policristalino para el material de compuerta en lugar de metal, estos dispositivos en ocasiones se
conocen como IGFET (FET de compuerta aislada).
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenaje
(D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
Los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el
drenaje y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae portadores
minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de inversión, es decir, una región
con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace
referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un
incremento en la concentración de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un
pMOSFET o PMOS).
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de
reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la puerta,
lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución
respectiva de la conductividad.
Construcción básica
91
Tanto los MOSFET de potencia como los BJT se pueden emplear en aplicaciones de
conmutación de alta potencia. El MOSFET tiene la ventaja de una mayor velocidad de
conmutación y el BJT tiene menores pérdidas de conducción. Combinando las bajas pérdidas de
conducción de un BJT con la alta velocidad de conmutación de un MOSFET de potencia,
podríamos conseguir un conmutador ideal.
Este dispositivo híbrido existe y es el IGBT (insulated-gate bipolar transistor, transistor
bipolar de puerta aislada).El IGBT procede esencialmente de la tecnología MOSFET de
potencia. Su estructura y funcionamiento son muy similares a los del MOSFET de potencia. En
la Figura 4.2.4.1 se muestra la estructura básica de un IGBT de canal n. Su estructura es parecida
a la de un MOSFET de potencia de canal n construido sobre un sustrato de tipo p. Como puede
ver, tiene terminales de puerta, emisor y colector. Está formado por obleas dopadas de tipo N y
de Tipo P formando cuatro capas de unión PN que reduce la resistividad haciendo menor la caída
de tensión en la conducción, pero a diferencia del tiristor este se puede controlar totalmente en el
momento del encendido y el apagado. Su construcción es similar a la de un MOSFET con la
diferencia de que el material de partida es de tipo P y no N.
La P adicional hace que cuando está en corte no haya inyección de huecos entre la unión
PN en la N (esto se produce cuando esta polarizado directamente) por lo que la capacidad de
soportar tensión solo depende de la capa N.

92
Figura 4.2.4.1. Estructura básica del IGBT.
Hay disponibles dos versiones de este dispositivo conocidas como IGBT PT (punch-
through) e IGBT NPT (nonpunch-through). La Figura 4.2.4.1 muestra la estructura de un
IGBTPT, formado por una capa de separación n+ entre las regiones p+ y n–. El dispositivo NPT
no tiene capa de separación n+.
Las versiones NPT tienen valores de conducción VCE (on) mayores que las versiones PT y un
coeficiente de temperatura positivo. Este coeficiente de temperatura positivo hace que el NPT
sea adecuado para montaje en paralelo. Las versiones PT, que tienen la capa n+ adicional,
presenta la ventaja de velocidades de conmutación más altas y un coeficiente de temperatura
negativo.
Control del IGBT
Las Figuras 4.2.4.2 (a) y 4.2.4.2 (b) muestran dos símbolos esquemáticos para el IGBT de
canal n. La Figura 4.2.4.2 (c) también muestra un circuito equivalente simplificado de este
dispositivo. Como puede ver, el IGBT es principalmente un MOSFET de potencia en el lado de
la entrada y un BJT en el lado de la salida. El control de entrada es una tensión entre los
terminales de puerta y de emisor. La salida es una corriente entre los terminales de colector y
emisor.
93
Figura 4.2.4.2 IGBT. (a) y (b) Símbolos esquemáticos. (c) Circuito equivalente simplificado .
El IGBT es un dispositivo normalmente en corte y con una alta impedancia de entrada.
Cuando la tensión de entrada, VGE, sea lo suficientemente grande, comenzará a circular la
corriente de colector. Este valor mínimo de tensión es la tensión umbral de puerta, VGE(umbral). La
Figura 4.2.4.3 muestra la hoja de características de un IGBT FGL60N100BNTD que emplea
tecnología NPT-Trench. La tensión VGE (th) (th = umbral) típica de este dispositivo se especifica como
5,0 V cuando IC = 60 mA. La corriente continua máxima de colector es de 60 A. Otra
característica importante es su tensión de saturación colector-emisor VCE (sat). El valor típico de
VCE (sat) especificado en la hoja de características es de 1,5 V para una corriente de colector de 10
Ay de 2,5 V para una corriente de colector de 60 A.

94
Figura 4.2.4.3. Hoja de características de un IGBT.
Ventajas del IGBT

95
Las pérdidas de conducción de los IGBT están relacionadas con la caída de tensión
directa del dispositivo, y las pérdidas de conducción del MOSFET están basadas en sus valores
de RDS (on). En aplicaciones de baja tensión, los MOSFET de potencia pueden tener
resistencias RD (on) extremadamente bajas. Sin embargo, en aplicaciones de alta tensión, los
MOSFET tienen valores de RDS (on) mayores, lo que hace que las pérdidas de conducción
aumenten. El IGBT no presenta esta característica. Los IGBT tienen una tensión de disrupción
colector -emisor mucho más grande comparado con el valor máximo de VDSS en los MOSFET.
Como se puede ver en la hoja de características de la Figura 4.2.4.3, el valor de VCES es de 1000
V. Esto es importante en aplicaciones que utilizan cargas inductivas de alta tensión. Comparados
con los BJT, los IGBT presentan una impedancia de entrada mucho más grande y precisan
requisitos de excitación de puerta mucho más simples. Aunque el IGBT no puede adaptar la
velocidad de conmutación del MOSFET, se están desarrollando nuevas familias de dispositivos
IGBT para aplicaciones de muy alta frecuencia. Por tanto, los IGBT son soluciones efectivas en
aplicaciones de alta tensión y corriente a frecuencias moderadas.
Figura 4.2.4.4. Comparación de las características entre IGBT, MOSFET y BJT.
Desventajas del IGBT

96
Entre algunas de sus desventajas encontramos que tienen una relativamente baja
velocidad de respuesta (20Khz) en comparación con el MOSFET aunque puede trabajar con altas
frecuencias y grandes intensidades, pero no siempre traen el diodo de protección (Damper) que
incluyen los MOSFET. En sus primeras versiones, los IGBT eran propensos a entrar
abruptamente en conducción, pero en la actualidad, las nuevas tecnologías de fabricación están
eliminando este defecto.
Otro de los posibles problemas con algunos tipos de IGBT es el coeficiente de temperatura
negativo que poseen, que podría conducir al dispositivo a una deriva térmica muy difícil de
controlar. Lo que significa que tiene un comportamiento dependiente de la temperatura. Por
supuesto, estas desventajas quedan eclipsadas cuando reconocemos la capacidad de un IGBT de
poder trabajar con varios miles de Voltios y corrientes tan elevadas que permiten hablar de
cientos de Kilovatios de potencia controlada.
A parte de estas características, un IGBT cuenta con una caída de tensión
significativamente menor en comparación con un MOSFET convencional en dispositivos con
clasificación más alta de tensión de bloqueo, aunque las pérdidas en conmutación son mayores.
A diferencia de un MOSFET, el IGBT no puede conducir en la dirección inversa. Es capaz
de bloquear tensiones Vce negativas, al contrario que el MOSFET, que no puede debido a su
diodo parásito.
Prueba de un transistor IGBT
Paso 1. Cortocircuitar G1 con E1 y G2 con E2
Paso 2. Con el multímetro en modo diodo, se mide entre C1 y C2E1 para comprobar la
unión semiconductora. Con la sonda positiva (+) en C1 y la negativa (-) en C2E1, el multímetro
97
debería marcar cómo circuito abierto. Si se cambia las sondas deposición deberemos ver la
caída de voltaje del diodo.
Paso 3. Comprobar la unión entre C2E1 y E2. Con la sonda positiva (+) en C2E1 y la
negativa (+) en E2, se deberá ver un circuito abierto. Si se le da la vuelta a las sondas, se verá la
caída del diodo de protección de nuevo.
Paso 4. Conectar una batería de 6v con el terminal positivo (+) a la puerta G1 y el terminal
negativo a E1. Usando el multímetro en modo diodo, se debería de ver la caída de tensión del
diodo en ambos sentidos, se posiciona las sondas entre C1 y C2E1 y viceversa.
Paso 5. Ahora conectar la batería (+) en G2 y (-) en E2. De igual manera que antes, se
debería ver en ambos sentidos la caída de voltaje de un diodo entre C2E1 y E2.
Si todos los pasos están bien, significa que el IGBT está Bueno.
98
Subtema 4.3 Aplicaciones de Dispositivos de Potencia.
Aplicaciones del SRC
Interruptor estático en serie
En la figura 4.3.1a se muestra un interruptor estático en serie de media onda. Si el
interruptor está cerrado como se muestra en la figura 4.3.1b, durante la parte positiva de la señal
de entrada fluirá un corriente de compuerta y el SCR se encenderá. El resistor R1 limita la
magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se enciende, el voltaje del ánodo al
cátodo (VF) se reducirá al valor de conducción, y la corriente de compuerta se reduce en gran
medida con una pérdida mínima en el circuito de la compuerta. Para la región negativa de la
señal de entrada, el SCR se apagará puesto que el ánodo es negativo con respecto al cátodo. Se
incluye el diodo D1 para impedir una inversión en la corriente de compuerta. Las formas de onda
para el voltaje y la corriente de la carga resultantes se muestran en la figura 4.3.1b. El resultado
es una señal rectificada de media onda a través de la carga. Si se desea una conducción de menos
de 180°C, el interruptor se puede cerrar a cualquier desfasamiento durante la parte positiva de la
señal de entrada.
Figura 4.3.1. Interruptor estático en serie de media onda

99
Control de fase de resistencia variable
En la figura 4.3.2a se muestra un circuito capaz de establecer un ángulo de conducción de
entre 90° y 180°C. El circuito es semejante al de la figura 4.3.1, excepto por la adición de un
resistor variable y la eliminación del interruptor. La combinación de los resistores R y R1
limitará la corriente de compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada. Si R1 se
establece a su valor máximo, es posible que la corriente de compuerta nunca alcance una
magnitud de encendido. A medida que R1 se reduce a partir de su valor máximo, la corriente de
compuerta se incrementará a partir del mismo voltaje de entrada. De esta forma, se puede
establecer la corriente de compuerta de encendido requerida en cualquier punto entre 0° y 90°,
como se muestra en la figura 4.3.2b. Si el valor de R1 es bajo, el SCR se encenderá casi de
inmediato, y el resultado será la misma acción que se obtuvo con el circuito de la figura 4.3.1a
(conducción durante 180°C). Sin embargo, como se indicó antes, si R1 se incrementa, se
requerirá un mayor voltaje de entrada (positivo) para encender el SCR. Como se muestra en la
figura 4.3.2b, el control no se puede ampliar más allá del desfasamiento de 90° puesto que la
entrada alcanza su valor máximo en este punto. Si no se enciende con éste y con valores menores
de voltaje de entrada en la pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma respuesta
en la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la señal. La operación en este caso
normalmente se conoce en términos técnicos como control de fase de resistencia variable de
media onda. Es un método efectivo de controlar la corriente rms y por consiguiente la potencia
suministradas a la carga.
100
Figura 4.3.2 Control de fase de resistencia variable de media onda.
Regulador de carga de baterías
Una tercera aplicación de gran uso del SCR es un regulador de carga de baterías. En la
figura 4.3.3 se muestran los componentes fundamentales del circuito. Como se indica en la
figura, D1 y D2 establecen una señal rectificada de onda completa a través del SCR1 y la batería
de 12 V que se va a cargar. A voltajes bajos de la batería, el SCR2 está “apagado” por razones
que se explicarán en breve. Con el SCR2 abierto, el SCR1 que controla el circuito es
exactamente el mismo que el control de interruptor estático. Cuando la entrada rectificada de
onda completa es lo bastante grande para producir la corriente de encendido requerida en la
compuerta (controlada por R1), el SCR1 se encenderá y la batería comenzará a cargarse. Al
inicio de la carga, el bajo voltaje de la batería dará por resultado un bajo voltaje VR determinado
por el sencillo circuito de divisor de voltaje. A su vez, el voltaje VR es demasiado pequeño para
provocar conducción en el Zener de 11.0 V. En el estado “apagado” el Zener es efectivamente un
circuito abierto, y mantiene el SCR2 en el estado “apagado” puesto que la corriente de
compuerta es cero. Se incluye el capacitor C1 para impedir que cualquier voltaje transitorio en el
circuito encienda accidentalmente el SCR2. El voltaje no puede cambiar instantáneamente a
través de un capacitor. De esta manera, el C1 evita que los efectos transitorios afecten al SCR. A
101
medida que continúa la carga, el voltaje de la batería se eleva a un punto en el que VR es
suficientemente alto para encender tanto el Zener de 11.0 V como el SCR2. Una vez que el
SCR2 se enciende, la representación de cortocircuito de éste dará por resultado un circuito
divisor de voltaje determinado por R1 y R2 que mantendrán V2 a un nivel demasiado pequeño
para encender el SCR1. Cuando esto ocurre, la batería está totalmente cargada y el estado de
circuito abierto del SCR1 interrumpirá la corriente de carga. Por tanto, el regulador recarga la
batería siempre que el voltaje se reduce e impide que se sobrecargue cuando está totalmente
cargada.
Figura 4.3.3 Regulador de carga de batería

102
Controlador de temperatura
En la figura 4.3.4 aparece un diagrama esquemático de un control de calefactor de 100 W
que utiliza un SCR. Está diseñado para que el calefactor de 100 W se encienda y apague por
medio de termostatos. En esta aplicación, el SCR sirve como amplificador de corriente en un
elemento de conmutación de carga. No es un amplificador en el sentido de que amplifique el
nivel de corriente del termostato. En cambio, es un dispositivo cuyo más alto nivel de corriente
es controlado por el comportamiento del termostato.
Debe quedar claro que la red en configuración de puente está conectada a la fuente de ca
por medio del calentador de 100 W. Esto producirá un voltaje rectificado de onda completa a
través del SCR. Cuando el termostato se abre, el voltaje a través del capacitor se cargará a un
potencial de encendido de compuerta mediante cada pulso de la señal rectificada. El producto
RC determina la constante de tiempo de carga y disparará el SCR durante cada semiciclo de la
señal de entrada, lo que permite un flujo de carga (corriente) hacia el calentador. A medida que
se eleva la temperatura, el termostato conductor pondrá en cortocircuito el capacitor y así se
elimina la posibilidad de que el capacitor se cargue al potencial de encendido y active el SCR1.
El resistor de 510 kÆ mantendrá entonces la corriente a un nivel muy bajo (menos de 250 mA) a
través el termostato.
103
Figura 4.3.4 Controlador de temperatura.
Sistema de iluminación de emergencia
Otra aplicación del SCR se muestra en la figura 4.3.5. Es un sistema de iluminación de
emergencia de una sola fuente que mantendrá la carga de una batería de 6 V que garantice su
disponibilidad y que también proporcione energía de cd a un foco cuando haya una baja de
potencia. A través de la lámpara de 6 V aparecerá una señal rectificada de onda completa debido
a los diodos D3 y D1. El capacitor se cargará a un voltaje un poco menor que la diferencia entre el
valor pico de la señal rectificada de onda completa y el voltaje de cd a través de R2 establecido
por la batería de 6 V. En todo caso, el cátodo del SCR1 está a un nivel más alto que el ánodo y el
voltaje de compuerta al ánodo es negativo, lo que garantiza que el SCR no sea conductor. La
batería se carga por conducto de R1 y D3 a un ritmo determinado por R1. La carga sólo ocurrirá
cuando el ánodo de D3, es más positivo que su cátodo. El nivel de cd de una señal rectificada de
104
onda completa garantizará que el foco permanezca encendido cuando la potencia esta
activa. Si la energía fallara, el capacitor se descargará a través de D3, R1 y R3 hasta que el cátodo
del SCR sea menos positivo que el ánodo. Al mismo tiempo, la unión de R2 y R3 se hará positiva
y establecerá un voltaje suficiente de compuerta al cátodo para activar el SCR. Una vez activado,
la batería de 6 V se descarga a través del SCR, energiza la lámpara y mantiene su iluminación.
Una vez que se recupera la energía, el capacitor se recarga y restablece el estado no conductor
del SCR1 como se describió antes.

105
Figura 4.3.5 Circuito de alumbrado de respaldo automático.

106
Aplicaciones del DIAC
Detector de proximidad
El uso del diac en un detector de proximidad se muestra en la figura 4.3.6. Observe el uso
de un SCR en serie con la carga y el transistor de monounión programable conectado
directamente al electrodo de detección o sensor.
Figura 4.3.6 Detector de proximidad o interruptor de tacto.
Cuando una persona se aproxima al electrodo de detección, la capacitancia entre el
electrodo y la tierra se incrementa. El UJT programable (PUT) es un dispositivo que se
encenderá (entrará al estado de cortocircuito) cuando el voltaje en el ánodo (VA) sea por lo
menos de 0.7 V (para silicio) mayor que el voltaje de compuerta (VG). Antes de que el
107
dispositivo programable se encienda, el sistema es en esencia como se muestra en la figura
4.3.7 A medida que el voltaje de entrada se eleva, el voltaje VG en el diac lo hará como se
muestra en la figura hasta que alcanza el potencial de encendido. Luego se encenderá y su voltaje
se reducirá sustancialmente, como se muestra.
Figura 4.3.7 Efecto de un elemento capacitivo en el comportamiento de la red de la figura 4.3.6.
Observe que el diac es en esencia un circuito abierto hasta que se enciende. Antes de que
se introduzca el elemento capacitivo, el voltaje VG será igual a la entrada. Como se indica en la
figura, puesto que tanto VA como VG siguen la entrada, VA nunca puede ser mayor que VG por
0.7 V y encender el dispositivo. Sin embargo, a medida que se introduzca el elemento capacitivo,
el voltaje VG comenzará a retrasarse con respecto al voltaje de entrada en un ángulo cada vez
más grande, como se indica en la figura. Existe por consiguiente un punto establecido donde VA
puede exceder a VG por 0.7 V y hacer que el dispositivo programable se encienda. Se establece
una intensa corriente a través del PUT en este momento y se eleva el voltaje VK y el SCR se
enciende. A través de la carga fluirá una corriente intensa que reacciona ante la presencia de la
persona que se aproxima.

108
Control de potencia con el triac
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac, de
forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna. Estos
sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable, calefacción eléctrica
con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.
Figura 4.3.8 Circuito de control de potencia
La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la
figura 4.3.8, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la
tensión de disparo del DIAC, produciéndose a través de él la descarga de C, cuya corriente
alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conducción. Este mecanismo se produce una vez en el
semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor
de R variando como consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la
tensión media aplicada a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia.
109
Aplicaciones del Triac
Una aplicación fundamental del triac se presenta en la figura 4.3.9. En esta capacidad, controla la
potencia de ca suministrada a la carga encendiéndose y apagándose durante las regiones positiva
y negativa de la señal senoidal de entrada. La ventaja de esta configuración es que durante la
parte negativa de la señal de entrada se obtendrá el mismo tipo de respuesta ya que tanto el diac
como el triac se pueden encender en la dirección inversa. La forma de onda resultante de la
corriente a través de la carga aparece en la figura 4.3.9. Si modificamos el resistor R, podemos
controlar el ángulo de conducción.
Figura 4.3.9 Aplicación de un triac: control de fase (potencia).
Aplicaciones del IGBT

110
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los
Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de
potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente
conscientes de eso: Control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de
soldadura, iluminación de baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la circuitería de los
automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero también de los electrodomésticos
del hogar mediante la interconexión de diversos IGBT que controlan los motores eléctricos.
Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrónica
realmente potentes y con velocidades de conmutación de hasta 20KHz. El IGBT ha estado en
todo momento con nosotros y han sido claves en el desarrollo de la electrónica de potencia.
Sistema de alimentación ininterrumpida

111
Figura 4.3.10 Circuito con IGBT en un sistema de alimentación ininterrumpida.
En el SAI, los IGBT son los encargados de conmutar la corriente continua que ataca las
tres fases del primario del transformador, siendo por lo tanto los responsables de convertir la
energía procedente de la red (o en caso de fallo de ésta, de las baterías), en una de tipo pulsante
que recorre los bobinados primarios, y que es convertida en alterna en el secundario por la acción
del propio transformador.

112
CONCLUSIÓN
A lo largo de la historia los dispositivos nos han ayudado a optimizar todos los procesos
productivos de bienes y servicios, al avanzar en la ciencia y la tecnología vemos que estos son
indispendsables para su desarrollo. Notamos que absolutamente todo lo que nos rodea tiene
algún componente electrónico, he ahí la importancia de su estudio y desarrollo

113
BIBLIOGRAFIA
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2018, de electronica Sitio web: https://ingenieriaelectronica.org/fototransistor-definicion-
modos-y-simbologia/
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web: http://www.educachip.com/tipos-de-transistor/
 Lilen, H. (1991). Tiristores y triacs. Barcelona: Marcombo.
 Floyd Thomas L. (2008) Dispositivos Electrónicos. Editorial Limusa, Prentice Hall.
 Triac Funcionamiento, Aplicaciones, Circuitos y Comprobación. (2018). Recuperado el 2
de junio de 2018, de http://www.areatecnologia.com/electronica/triac.html

114
 Echeverry. (2018). Kits de electrónica y circuitos.: Cómo probar un TRIAC.
Recuperado el 2 de junio de 2018, de https://www.kitelectronica.com/2016/02/como-
probar-un-triac.html
 FLOYD, THOMAS L. (2008). Dispositivos electrónicos (8ava. Edición). México.
Pearson Educación.
 Tiristor funcionamiento. (2018). Recuperado de: http://mrelbernitutoriales.com/tiristor-
scr/

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1

INSTITUTO TECNOLOGICO DE MINATITLAN

JOSÉ SEVILLA MORFIN

UNIDAD 4 “OPTOELECTRÓNICA Y DISPOSITIVOS

CLYDE YAMIR POBLETE SÁNCHEZ

JUAN CARLOS PEREZ ROMERO

ALDAHIR ALBERTO VELAZQUEZ RODRIGUEZ

CRISTIAN IRIDIAN GONZALEZ CADENA

JOSE ARMANDO ARMAS DE LA CRUZ

SUBTEMA 4.1.1 FOTODIODO 9

La optoelectrónica es el estudio y la aplicación de electrónica a los dispositivos de esa fuente

para detectar y controlar la luz, generalmente se considera un subcampo de la fotonica .

gamma, rayos X, ultravioleta y rayos infrarrojos además de la luz visible.

Algunos aspectos destacados de la historia de la optoelectrónica son los siguientes:

• Primera observación de electroluminiscencia de cristales de SiC en el año 1907

Por el capitán Henry Joseph Round (Inglaterra).

• Algunas décadas más tarde, en 1927, Oleg Vladimirovich Losev (Rusia

Imperial) observó la emisión de luz a partir de óxido de zinc y diodos

Rectificadores de cristal de carburo de silicio utilizado en receptores de radio

Cuando eran atravesados por una corriente eléctrica.

Un año más tarde, Robert Hall inventó el láser de inyección de semiconductores.

• Primera transmisión utilizando fibras de vidrio inventada por Corning glass e

Instalada por AT&T en 1983, desde New York a Washington, D. C., a 45

Megabits por segundo.

El mercado de la optoelectrónica está creciendo cada año en todo el mundo, con un

Crecimiento del 30% anual desde 1992.

La Optoelectrónica permite generar, transportar y manipular datos a muy alta velocidad.

Las principales aplicaciones de la optoelectrónica se centran en el campo de las

comunicaciones, incluyendo comunicaciones de fibra óptica y sistemas láser. Sin embargo,

las aplicaciones de la optoelectrónica se extienden a nuestra vida cotidiana, incluyendo los

campos de la informática, la comunicación, el entretenimiento, los sistemas de información

óptica, la educación, el comercio electrónico, la vigilancia del medio ambiente, la salud y el

transporte. Los dispositivos optoelectrónicos también son importantes en aplicaciones de

defensa que incluyen el tratamiento de imágenes de infrarrojos, radar, sensores de aviación y

armas guiadas ópticamente.

Que el alumno aprenda reconozca y aplique dispositivos optoelectrónicos y de potencia,

sus partes, funcionamiento y su conexión.

Tomando en cuenta que se tienen conocimientos previos, acerca de principios y teoremas de

positivas y negativas, resistencia, potencia, voltaje, etc.

Identificar en circuitos eléctricos dispositivos optoelectrónicos simplemente analizando su

SUBTEMA 4.1 DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS.

responden a una frecuencia específica de radiación.

Un fotorresistor o fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye

fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en

patillas. En la siguiente imagen se muestra su símbolo eléctrico.

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de

emitida por un diodo

LED que satura un

componente optoelectrónico, normalmente en forma de fototransistor o fototriac

transforman la energía eléctrica en energía luminosa.

energía luminosa en energía eléctrica

Es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente eléctrica proporcional a la

cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).

Un fotodiodo es un dispositivo semiconductor de unión pn o pin que consume energía de

al terminal negativo de la batería y el lado n está conectado al terminal positivo de la batería.

sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga.

en el nivel de iluminación sobre el fotodiodo.

se comportaría como un diodo semiconductor normal. (Recuerde, el fotodiodo trabaja en

A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad

final de este apunte.

La corriente de un diodo con polarización inversa es pequeña debido a sus portadores

La cantidad de éstos dependerá de la temperatura y de la luz que incida en la unión.

detecta ningún efecto fotoeléctrico (transformación de la luz en electricidad). En cambio, si la

El fotodiodo es un dispositivo de unión p-n semiconductor cuya región de operación se