UNIVERSIDAD TECNICA

ESTATAL DE QUEVEDO
Facultad de Ciencias de la Ingeniería
Escuela de Ingeniería Eléctrica
Nivel VII

SEMANA 2

ELECTRONICA DE POTENCIA

ING. MILTON CUENCA CABRERA, MSC

mcuencac@uteq.edu.ec
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo

Ánodo Dispositivo electrónico mas básico

Unión de un material tipo P y otro tipo N

i
+ P Este semiconductor formado con silicio con
V N
aleación de un material tipo P o tipo N
-
La flecha del símbolo es la que nos indica que
Cátodo para esa dirección de corriente va a circular
corriente y para la otra dirección no.

Sus terminales son Ánodo (A) y Cátodo (K)

SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo
Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
semiconductor
N
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo - Polarizaciones

Ánodo
Directa:

i Efecto de Recombinación: Hueco en un lado y

+ P
electrones en el otro
V N
Hay movimiento de carga positiva con carga
- negativa hacia la unión
Cátodo
Hay corriente dentro del diodo circulando, por lo
que el diodo permite conducir electricidad.
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo - Polarizaciones

Ánodo
Indirecta o Inversa:

- i=0 Las cargas positivas y negativas tienden a irse a

P
las partes de afuera, en dirección contraria a la
V unión PN.
N

+
La corriente que circula por el diodo se aproxima
a cero.
Cátodo
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo Ideal – Curva V-I
i
En polarización directa, la caída de
tensión es nula, sea cual sea el valor
de la corriente directa conducida
i
Ánodo
+
curva característica
V
V
Cátodo
-
En polarización inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensión inversa aplicada
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo – Curva característica V-I – Polarización Directa

i
(recta)
+ P
V N i [mA] pendiente = 1/rd
1
- (exponencial)

0
-1 1 V [V]
V
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo – Curva característica V-I – Polarización Indirecta o Inversa

i [A]
i
+ P 0
V N -1 V [V]
-
-0,8
(constante)
SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo – Efecto Avalancha
- +
- +
P + + - - -+
-- + + N
- +
i + V - i [A]
-40 V [Volt.]
La corriente aumenta fuertemente si
se producen pares electrón-hueco
0
adicionales por choque con la red
cristalina de electrones y huecos
suficientemente acelerados por el
campo eléctrico de la zona de -2
transición
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo – Ecuación Característica

• Ecuación característica del diodo:

VD
n VT
iD = IS·(e -1) i [mA]
1
ID : Corriente del Diodo
IS : Corriente superficial de fuga
VD : Voltaje del Diodo
n : Constante de emisión, depende de la 0
fabricación y puede ser 1 para Germanio y 2 para
-1 1 V [V]
V
Silicio
VT : Voltaje térmico
SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo – Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “a” a “b”,
es decir, de conducción
a bloqueo (apagado)
R
i
a b + i
V2 V V1/R
V1 t
-
V t

-V2
SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo – Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
- ts
-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)
ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Diodo – Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “b” a “a”, es decir, de bloqueo conducción (encendido)

R i
i 0,9·V1/R
a b + 0,1·V1/R
V2 V
V1 td
- tr
tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperación directa genera menos problemas reales que el de recuperación inversa
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Ejemplo 1

Se tiene un diodo en el cual cuenta con un VD=0,1[V], la constante de emisión es 1,

el voltaje térmico es 25,7 [mV].
Determinar la corriente del diodo en función de la corriente superficial de fuga.
VD
n VT
iD = IS·(e -1)
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Ejemplo 1

Se tiene un diodo en el cual cuenta con un VD=1,2[V], la corriente del diodo es 300 A
la constante de emisión es 2, el voltaje térmico es 25 [mV].
Determinar la corriente superficial de fuga o de saturación inversa.
VD
n VT
iD = IS·(e -1)
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Ejemplo 1

Se tiene un diodo en el cual cuenta con un VD=1,2[V], la corriente del diodo es 300 A
la constante de emisión es 2, el voltaje térmico es 25 [mV].
Determinar la corriente superficial de fuga o de saturación inversa.
VD
n VT
iD = IS·(e -1)
 SEMICONDUCTORES DE ELECTRONICA DE POTENCIA
Ejemplo 1
Se tiene un diodo en conmutación que pasa de conducción a
bloqueo. El tiempo de recuperación inversa es Trr= 3[μs], la tasa
de caída de la corriente es di/dt=30[A/μs].
Determinar la carga de almacenamiento en sentido inverso
(QRR) y la corriente pico de recuperación inversa (IRR)