HTTP: WWW-ACALONSOLUCIONES.GOM/RFH ACALON.RFH + CURSD 2005 ‘TEMA 6: DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES 6.1. Teoria bandas. Conductores y aistantes. En los atomos aislados, es decir, tan alejados de otros que no sea apreciable le interaccion con estos, los electrones corticales estan distribuidos energeticamente segtin valores discretos que vienen determinados por ias soluciones de la ecuacién fundamental de la Mecénica Cuantica que es fa Ecuacién de Schrédinger (E S.) (Schrodinger y Dirac, Nobel de Fisica en 1933). A cada electron cortical corresponden 4 ndmeros denominados niimeros cudnticos: n, |, m, y m,. El numero cuantico n determina el nivel energético 0 Io que es fo mismo su mayor 0 menor alejamiento del ndcleo. La energia de los electrones es negativa (hay que aportar energia para desligarlos del étomo) y mayor energia equivale a mas alejamiento del nucleo, Asi pues, los electrones stlo pueden poseer unos niveles energéticos determinados, y cualquier otra energia estaria ‘prohibida’. Este modelo de niveles de energia discretos, esté de acuerdo con las observaciones sobre emision y absorcion de luz en gases incandescentes, donde se observan espectros discretos. En un sdlido cristalino existe una distribucién regular de atomos en el espacio, que constituye la llamada red cristalina, En algunos solidos esta cistribucion regular se manifiesta microscépicamente en formas geométricas llamadas cristales, (cuarzo, diamante, .) En los s6lidos cristalinos, las interacciones entre los étomos de la red hacen que el problema de la distribucion energétice de los electrones sea muchisimo mas complicado que ‘en un tomo aislado pero, dentro de los postulados de la M.C., resulta razonable supcner que los niveles permitidos al conjunto de electrones del sdlido, se acumulan en bandas de energia separadas unas de otras por intervalos 0 bandas de energia prohibidas. La emision de luz por sdlidos incandescentes es un hecho experimental que avala la anterior hipétesis. Dentro de cada banda permitida os niveles estarian tan préximos entre si, que las consideraremos bandas permitidas continuas. Si suponemos un sélido cristalino a le temperatura de 0 K (situacién inalcanzable), los electrones ocuparian los niveles de energia permitidos ms bajo posibles. Cabrian dos posibilidades: 1. Labanda permitida de mayor energia esta ocupada parcialmente. 2. La banda permitida de mayor energia esta totalmente vacta y todas las demas estén llenas, La banda de mayor energia, tanto si estd vacia 6 parcialmente llena, se llama banda de conduccton, mientras que la siguiente de menor energta la llamaremos banda de valencia. En el primer caso, los electrones de la banda de conduccién pueden tomar energla de un campo eléctrico aplicado y pasar 2 niveles superiores compatibles con el principio de ‘exclusion de Paull incrementando su momento cinético, La interaccién con particulas del cristal podra dar lugar 2 saltos de energia a la inversa, Esto supone desde luego el abandono del cero absoluto y la aparicién de un desplazamiento de la carga eléctrica, es decir una corriente. El material por tanto seria un conductor. Tal es el caso de los metales. En el segundo caso, en las bandas totalmente lena no son posibles las interacciones que supongan saltos de unos nivelesHTTP://WWW ACALONSOLUGIONES.COM/RFH ACALON.RFH + CURSO 2005, 2 otros, segtin el principio de exclusién. Las interacciones posibles implicarian saltos a la banda de conduccién (que esta totalmente vacial, pero la cantidad de energla necesaria serla muy grande y el proceso no puede darse cerca del cero absolute. Por lo tanto, a bajas temperaturas, el material tiene un comportamiento de aislante, Es el caso de los materiales no metalicos con enlaces cristalinos covalentes, La distincién clara entre metales y no metales @ bajas temperaturas desaparece ‘cuando nos alejamos del cero absoluto. En efecto, la agitecién térmica permite los saltos desde la banda de valencia a la de conduccién, con lo que ésta aparece parcialmente ocupada como en los metales En los metales a temperaturas de trabajo, un aumento de la temperatura se traduce en un aumento de la agitacién térmica, lo que a su vez produce una mayor frecuencia de las interacciones entre electrones y particulas y por consiguiente, una disminucién del recorride ‘medio de los electrones entre choques, una disminuicion de ia velocidad media de los mismos y finalmente una disminucion de ta conductivided. En los materiales cristalinos no metalicos, un incremento de le temperatura aumenta la probabilidad de saltos desde la banda de valencia a la de conduccion. Al quedar ambas parciaimente ocupadas, ya son posibles los intercambios de energia entre niveles de la misma banda. A la vez aumenta la agitacion térmica como en los metales. Se trata de los mecanismos opuestos y no se puede afirmar si la conductividad aumentaré 0 disminuird, De hecho puede cocurtir lo uno por otro, segun el orden de magnitud de la temperatura, En los metales, ios electrones que ocupan la banda de conduccién son los electrones no ligados a Stomos individuales y constituyen lo que suele denominarse gas de Fermi, La imagen no cuéntica (clasica) seria la de una especie de plasma de electrones en el que estén inmersos los atomos jonizados (enlaces metdlicos). El resto de los electrones ligados a dtomos individuales ocuparian las bandas inferiores (totalmente lenas), 6.2, Semiconductores. Electrones y huscos. 6.2.4 Semiconductores intrinsecos. El semiconductor mas importante es sin duda el silicio (Si) de ntimero atomic 14 y Perteneciente al grupo IV-A de la clasificacion periédica, grupo al que también pertenecen el carbono (C, niimero atémico 6) y el germanio (Ge, nimero atémico 32). Los elementos de este ‘grupo se ceracterizan por poseer en la titima capa cuatro electrones. Cristalizan todos ellos en ‘el mismo sistema y la celda y unitaria es un tetraedro regular con un electron cade vértice y uno ms en el centro. El enlace covalente consiste en la comparticion de los cuatro electrones de valencia de cada étomo con los cuatro atomos contigues para simular asi una estructura con ‘ocho electrones en la capa més extema, que corresponde a un estado cristalino de gran estabilidad,HITTPL/[viioW. ACALONSOLUGIONES, COM/RFH ADALON.RFH + CURSO 2005 La anchura de la banda prohibida es muy diferente para estos tres materiales, Para el carbono (estructura diamante} es de unos 13 eV, la del silencio es de 1,1 eV aproximadamente y le del germanio 0.7 eV. La del carbono resulta tan grande que la probabilidad de satos entre banda de valencia y banda de conduccién es practicamente nula y el material es un aisante, Para el germanio y silicio el valor es tal que Ie probabilidad no es nula y ademas depende fuertemente de la temperatura. Por ello estos dos materiales que forman parte del grupo de los amados semiconductores Como hemos visto, fuera del cero absoluto, tanto en la banda de conduccién como en la banda de valencia existen electrones y niveles desocupados, por io que, al aplicar un campo eléctrico, se puede producir una absorcién de energla por parte de los electrones y por lo tanto Un arrastre de los mismos. Hay por lo tanto una corriente eléctrica en la que intervienen las bandas de conduccién y de valencia, En la banda de conduccién el mecanismo es andlogo al que se explica la conductividad de los metales. En la de valencia, el mecanismo puede interpretarse de forma diferente, Cade nivel desocupado corresponde al abandono de un election que ha pasado a la banda de conduccion, 0 dicho de otra forma, a la rotura de un enlace covalente. Si en la banda de valencia, un electron cambia de nivel como consecuencia de su afrastre por un campo eléctrico, 0 sea, un electron de un enlace covalente intacto lo abandona y pasa a completar otro previamente roto, podriamos describir este mcanismo como silo que se desplazara fuese el enlace roto en lugar del electrén, Naturaimente el enlace roto, que corresponde a un nivel desocupado, se desplaza en sentido contrario a los electrones. Resulta conveniente considerar al enlace roto como une carga eléctrica mévil, a la que denominaremos un hueco, e interpretar la corriente eléetrica como formada por dos tipos de portadores: los electrones de la banda de conduccion (cargas méviles negativas) y los huecos de le banda de valencia (cargas méviles positivas).HYTPL/AWww. AGALONSOLUSIONES.caM/RFH ASALON.RFH + cUREO 2005 Shared electrons: of a covalent, ond, Estamos suponiendo un crista! sin impurezas ni defectos. Un semiconductor asi se denomina semiconductor intrinseco. Los portadores de corriente existen, segin lo explicado, por parejas. Estamos suponiendo que tenemos energia térmica, es decir que no estamos en el cero grados kelvin. Entonces, un electrén de la banda de valencia puede incrementar su energia tomandola de la agitacién térmica y pasando a la banda de conduccién donde existen niveles desocupades. Asi se crea una pareja de portadores electrén-hueco. Este mecanismo '8@ denomina generacion de pares y naturalmente dependera ce la temperatura. El proceso inverso, es decir, la pérdida de energia de un electron de la banda de conduccién pasando a la de valencia, se puede considerar como la aniquilacién de un par elactrén-hueco y se denomina recombinacién de pares. La recombinacién es un mecanismo de tipo estadistico y por lo tanto dependera de! nimero de electrones libres y del numero de huecos. Generacion y recombinacién son mecanismos antagonicos y la densidad de electrones, n, y de huecos, p, en situacién de equilibrio se establecerén cuando las tasas degeneracién y recomendacién sean iguales. Liamaremos nj al numero de pares en un semiconductor intrinseca, naturalmente dependers de la temperatura, T, y en este caso se veriicard nepan(T) hn wp ‘Ponstante| Densidad] ">. 9] Bande Material | ay gtemtvt ey Orem) dered | by | aa] fuslon | prohbide . x10" m °c ey) S| 1360 480 [RGIS | 843 | ite | 23S | ae | Tat Ge | 3900 | f900 | 43 | S66 | 16 ( 632 | o36 | Ger 6.2.2 Semiconductores extrinsecos, Tipos Ny P. Los semiconductores reales no son nunca putos sino que tienen impurezas, es decir no todos los dtomos son del elemento base (Si por ejemplo). Sin embargo, se intenta que las impurezas incontroladas sean sumamente escasas, para lo cual el proceso de fabricacién debe set extraordinariamente cuidadosa. Por el contrario, se afiaden impurezas de determinado tipoHITTR: WWW. ACALONSOLUGIONES.COM/RFH AGALON.RFH > cuRSO ZOD en proporciones cuidadosamente controtadas. Asi se tienen dos tipos de semiconductores \impurificados, denominados extrinsecos. 6.2.2.1 Semiconductores tipos N. Cuando las impurezas afiadidas son predominantemente del grupo V-A de la tabla periddica (fésforo (P], arsénico (As), antimonio (Sb)), el semiconductor se denomina tipo N y las impurezas se denominan donantes. Los atomos de este grupo poseen en su ultima capa 5 electrones. As! por ejemplo, si un atomo de Si, por ejemplo, es sustituido por un atomo de As , tras formar los 4 enlaces covalentes con los 4 atomos de Si vecinos, queda un electron del tomo de As sin emparajar y por lo tanto tan débilmente ligado al tomo de As. que a temperatura poco por encima dei 0 K quedara libre, es decir, ocupando un nivel de la BC. ‘Como esto ocurrira con cada atomo de impureza de As, en la BC tendremos, ademas de los clectrones debidos a la generacién de pares, un electrén por cada atomo de impureza donate, 0 sea, que tendremos mas electrones en la BC que huecos: n > p. Asi pues, los portadores mayoritarios son los electrones y ios minoritarios son los huecos. En la practica, en los SC tipo N los electrones de la BC son en su mayoria donados por los étomos de impureza donante, hasta €l punto que se puede suponer que n =Nd, siendo Nd la densidad de impurezas donantes (n° de atomos de impureza en 1 cm), 6.2.2.2 Semiconductores tipos P. Cuanco las impurezas afiedidas son predominantemente del grupo Ill-A de fa tabla periédica (aluminio (Al), gallo (Ge), indio (In)), el semiconductor se denomina tipo P y las impurezas se denominan aceptantes. Los atomos de este grupo poseen en su ultima capa 3 electranes. Asi por ejemplo, si un dtomo de Si, es sustituido por un atomo de Ga , tras formar los 4 enlaces covalentes con los 4 étomos de Si vecinos, queda un enlace sin completar. A temperatura poco por encima del 0 K lo ocuparé un electron de la BV, que dejaré un hueco la BV. Como esto ocurriré con cada atomo de impureza de Ga, en la BV tendremos, ademas de los huecos debidos a la generacién de pares, un hueco por cada atomo de impureza aceptante, © sea, que tendremos mas huecos en la BV que electrones en la BC: p>n. Asi pues, los portadores mayoritarios son los hueces y los minoritarios son (os electrones. En ‘a practica, en los SC tipo P, los huecos son en su mayoria debidos a los atomos de impureza aceptante, hasta el punto que se puede suponer que p *Na , siendo Na la densidad de impurezas aceptantes (n® de atomos de impureza por cm’). Como hemos dicho la tasa de generacién de pares, af), (n° de pares electrén-hueco generados por unidad de tiempo) es Unicamente dependiente de la temperatura, El proceso antagonista, la recombinacién o aniquilaci6n de pares, es probabilstico y por lo tanto la tasa de pares electrén-hueco aniquilados por unidad de tiempo, seré proporcional al producto n.p. Cuando ambos mecanismos estén equilibrados n.p = a(T), con independencia del grado de impurificacién. Por lo tanto, para un SC intrinseco, se verificara que n= a{T); y finalmente de las dos relaciones anteriores se deduce la llamada ley de accién de masas:HTTe:/(wnWW, AGALONSOLUBIONES.COM/RFH ACALON.RFH + cuRSG 2005 np. (61) ‘Asi pues, para un SC tipo N real, se puede considerar que n = Nd y porla (6.1) p= nif Nd y naturalmente n >> p; igualmente, para un SC tipo P, px Naynwnt/Nayn< GuRSO 2005 La Ke engloba, ademas de constantes universales, m,"? donde mg es la llamada masa efectiva que no es igual a la masa en reposo de un electrones aislado, si bien no difiere mucho dela, + En/a banda de valencia 2 2 md Sy@) -27 x ™¥ fey -E n 67) Sv) =ky YEv-E ig) en estas, E, es el nivel de energia més alto de la banda de valencia. La K, engloba, ademas de constantes universales, m,** donde m, es la llamada masa efectiva de! hueco que no difiere mucho de ta masa en reposo del electron aislado. 6.5. Probabilidad de ocupaci6n Las ideas de la Mecdnica Cuaintica y la Estadistica de Boltzman nos permitirian deducir 1a expresion de la probabilidad de ocupacién de un nivel E a una temperatura T. Esta expresion No tiene en cuenta si el nivel correspondiente que esté ocupado 6 no. 1 FE. D= =e] tf i 69) para la banda de valencia, teniendo en cuenta que hemos justificado la conveniencia de referimos a los huecos en lugar de 2 los electrones, convendra considerar la probabilidad de que un nivel de este desocupado, que corresponde a la probabilidad de existencia de un hueco: 1 1 LFE,D= mB) E-E tem EF L+exp| B= &T kT (6.10) La expresion (6.9), de la que hemos deducido la (6.10), es la lamada funcién de Fermi. En ella aparece Er, que es una energia que se denomina nivel de Fermi, y que tiene un importante significado de la descripcién del comportamiento de los semiconductores. 6.5.1 Discusién de ta funcién de Fermi. ‘+ extrapolacién al cero absolute (T=0 K) SIE>EF Foo SiE0 Ky SIESEF... 242 F = Oy F =1 son asintotas a cualquier T. (ver figuras) E ie sere 6.6. Localizacién del nivel de fermi, + conductores: Ya hemos dicho que el nivel de Fermi se encuentra en la banda de conduccién. Si extrapolamos al cero absoluto, todos los niveles comprendidos entre E. y E- estaran ocupados, por lo que pare calculer cuantos electrones de la banda de conduccién hay por unidad del volumen bastara integrar la funcién S.(E) entre Ee y Er: 20) = JSC) Ry [YEE = » “R, [JE=Es s-E0) = 25 VEE fe (6.11) Hemos supuesto que Ke sélo depende de la temperatura, por lo que se ha sacado fuera de la integral. Esto es aproximadamente cierto para la banda de conduccién de los metaies. Como la densidad de electrones en la banda de conduccién no depende de laHTTP://WWW AGALONSOLUCIONES.COM/RrH ACALON.RFH cuRso 2005 temperatura, conociendo dicha densidad, N=n(0), podemos localizar el nivel de Fermi a partir de la (6.11): any Ke Ep -Eg (6.12) «© semiconductores: Para empezar, supondremos que las bandas de conduccion y de valencia con sus respectivos portadores electrones y huecos, tienen un comportamisnto simétrica. Mas concretamente supongamos dos intervalos estrechos entre E; y ExtdE en la banda de conduccién y entre Ez y E,-dE en la banda de valencia, tales que E,+ E, = Ect Ey. A ambos les comesponderé la misma densidad de estados y por fo tanto la relacién entre et numero de electrones y de huecos en dichas intervalos energéticos serd: Es-E, én, FET) ire iz} a EHD (EP) kT (613) ‘Si E,-Er y Er-E> son suficientemente mayores que kT, las exponenciales serén mucho mayores {que la unidad y por lo tanto la (6.13) podria escribrse asi doy eo( EE (E+E, 7 dp, 2 (6.14) y podemos escriir: 2E,-(Ej+E,)=2E;-(EgtEy)=2 AE (6.15) ‘en donde:SerTet/w ww. ADALONSOLUSIONES.COM/RFH AGALON.RFH + CURSO 2005 Ect Ey 2 (6.16) es la separacién energética del nivel de Fermi respecto al nivel central de la banda prohibiéa que esta entre las de conduccion y ta de valencia. Luego podremes poner la (8.14) asi dy _ at) AE=Ep- AU = egy { 24E dp) kT 6.17) como la (6.17) es independiente de la pareja de niveles de Ey y Es elegidos, pondremos. poneria fnaimente ast n(T) pt) (6.18) eavacién que nos sida el nivel de Fermi con retacién alas bandas de energla. Si consideramos ademés la ley de accién de masas, podemos escribir la (6.18) ast »( 3) n,(T)_ n(T) AT) PD 1M wig En los semiconductores tipo N, n> p, lo cual implica que A E >0, es decir que el nivel de Fermi se aproxima a la banda de conduccién tanto mas cuanto més fuertemente 2AE LT impurificado esté, Para fuertes impurificaciones seré m= Nay AE wxria(™4] iF (620) En los semiconductores tipo P, p> n, fo cual implica que A E <0, es decir que el nivel de Fermi se aproxima a la banda de valencia tanto mas cuanto més fuertemente impuriicado esté, Para fuertes impurifcaciones sera p= Na y AE=kTIn (=] ® (621) Para los semiconductores intrinsecos, p = n, lo que implica que A E = 0, es decir que el nivel de Fermi esta exactamente en el centro de la banda prohibida. Si se eleva la temperatura, ni(T) orece y tanto nin, como nip tienden a fa unidad, lo que eauivale a decir que los materiales tienden a comportarse come Intrinsecos para tempersturas ‘elevadas. 6.7. La union n-p. La union de un cristal de un semiconductor tipo N con otto tive P tiene un comportamiento que la hace interesante en aplicaciones tanto analogicas como digitales. Esta Unién da lugar a una familia de dispositivos basicos denominados diodos y a otros dispositivosHrTe://Www ADALONGOLUIONES.CaM/RFH AGALDN.RFH - oURSG 20S mas complejos y tecnolégicamente atin mas interesantes, que se denominan transistores de unig. Para descrbir e! comportamiento de la unién N-P, nos basaremos en las propiedades, descritas anteriormente, de los semiconductores intrinsecos y dopados. EI proceso de fabricacion implica dopar una parte de un cristal de forma que se comporte como de tipo Py otra parte del mismo de forma que se comporte como de tipo N. Es decir, en ningiin momento Jas partes N y P estan separadas. Sin embargo, para describir los fenémenos que explican el comportamiento de la unién, resulta pedagdgico suponer que inicialmente los bloques Ny P estén separados y que en algin instante inicial se unen. Hecha esta suposicién, vamos a describir lo que ocurre a partir del instante inicial, 6.7.1 Uni6n en equitibrio, Naturalmente suponemos que cada uno de los bioques esté inicialmente descargado (carga neta cero). Por io tanto entre ambos bloques no hay inicialmente d.¢.p. En el bloque N tenemos abundancia relativa de electrones libres (-), con niveles de energia de la BC (portadores mayoritarios en N) y escasez de huecos (+), (portadores minontarios en N). Andlogamente en e1 bloque P abundan los huecos (+) (mayoritarios en P), y ascasean los electrones libres (-) (minoritarios en P), Por lo dicho, tiende a producirse un fenémeno de tipo To eléctrico sino termodinamico, consistente en la difusion de electrones desde donde abundan (bloque N) hacia donde escasean (bloque P), y andlogamente se difundirian los huecos desde el bloque P al bloque N. Por si sola la difusion daria lugar a una intensidad de corriente (cortiente de difusién), Ip, en el sentido de P > N. ——————__ ‘tuaeaae Corrienté de difusién I, Comiente-de arrastre 1, Figura 8.1 En cuanto hayan transcurrido unos instantes y se haya difundido una cierta cantidad de portadores, segun lo explicado antes, el bloque N, que ha perdido electrones y ha ganado huecos, va cargéndose positivamente y, de la misma forma, el bloque P, que ha perdido huecos y ganado electrones, va cargandose negativamente, Por consiguiente, aparece una did.p. entre Ny P de manera que el N que a mayor potenciat respecto a P. Pero esta dp. produciré un arrastre de cargas negativas (electrones libres) de P->N y positivas (huecos) de NOP. Es decir, tiende a producirse una intensidad de corriente de arrastre, la, que ird en el ‘sentido de NP, 0 sea, sentido contrario ala de la corriente de difuston.HrTeL/Anww. AoaLONgeLUaIONes.com/arH ACALON.RFH - oURSO 2005 Los procesos mencionades, difusion y arrastre, son contrapuestos y llegar un momento en que ambos alcancen un equilbrio dinamico de tal manera que la intensidad de corriante a través de la unin seré: Ip + Iq= 0. Si suponemos que la unién entre los bloques es abrupta, una vez alcanzado el equilibrio, la difusi6n de portadores de cada bioque hacia el otro habré dejado en cada uno de ellos una regién practicamente vaole de portadores. Esas dos regiones, de anchuras Wy y We {Figura 6.2), forman conjuntamente la llamiada zona de deplecién de anchura Wz = Wu + We En la semizona Wy hay una densidad de carga espacial (no mévil) +, mientras que en la ‘semizona Wp habré una densidad de carga espacial (no mévil) - (figura 6.2). En la zona mas impurificada la anchura sera menor. Asi, en el ejemplo de la figura 6.2, como Ng > Na, vernos, que Wa < Wp, Igualmente, a! estar cargado positivamente el bloque N y negativamente el P. aparece una d.d.p. entre los bloques, distribuida en la zona de deplecién, que se’ denomina potencial de contacto, Vo, estando @ mayor potencial el bloque N que el bloque P, como vernos en ta figura 6.3.HITTRY//Mwew AGALONSOLUGINNES.COM/REH AGALON.RFH + CuSO 2005 | } Monee Figura s.3 La suposicién de que la unién es abrupta no es muy realista, ya que los métodos de fabricacion hacen que las impurificaciones varien de forma gradual. Asi pues, los resultados que vayamos deduciendo sélo tienen un valor cualitativo, suficiente por ahora. El potencial de contacto en las uniones de N-P resulta ser vy okT in (MeN € ne (6.22) Para la uniones de Si y para una temperatura de 300 K (unos 27 C), Vo es del orden de 0.7 (V) y la mitad para uniones de Ge. Con las mismas premisas simplificadoras, se Nega a la expresiOn de la anchura de Ia zona de deplecion’ (6.23) siendo «la constante dieléctrica del semiconductor. Para los diodos de Si, VO es del arden de unos 0.7 V. Le zona de deplecién tiene una cierta analogia con un condensador, como se define en Electrostatica, ya que hay 2 cargas enfrentadas iguales y de signos opuestos y un dieléctrico entre ambas. Por ello la union presenta un efecio capacitive, que tiene una gran importancia en el funcionamiento dinamico de los diados. 6.7.2 Unién fuera del equilibrio (polarizada). Acabamos de ver que el equilibrio de la union se produce por la igualacién de la intensidad de corriente de difusién y la intensidad de corriente debida at arrastre (lp = - 14). SI aplicamos una 4.4.p. exterior @ la unién, su efecto primario seré \égicamente romper elHTTR://Mniw AGALONSULUGIONES.COM/REH AGALON.RFH - cuRsO 2005, ‘equilibrio a favor de uno de los dos mecanismos descrtos, Por fo tanto, habré dos formas de Polarizar la unién, segun se favorezca uno u otro mecanismo. 6.7.2.4 Polarizacién directa. Vamos a suponer que aplicamos por medio de una fuente de energia eléctrica una 4.d.p. extema de valor V voltios, de manera que el polo positive de la fuente este mas cerca del logue P y el polo negative, més cerca del bloque N (figura 6.4) —— Corriente neta 1 Ladd.p. exterior V, aplicada se sumara al potencial de contacto, Vp, y el resultado es que el potencial total en la unién serd: Vr = Vo-V, considerando que V > 0. Por lo tanto el mecanismo de arrastre seré menor al ser Vr N. La polarizacién directa favorece por lo tanto el paso de portadores mayoritarios de cada tloque hacia el otro (huecos de P > N y electrones de N -> P. Cuanto mayor sea V, mas se favorece este paso de portadores mayoritarios y como estos son muy abundaites, cabe esperar que la intensidad a través de la union, |, sea creciente con V y que pueda alcanzar valores muy elevados. Los electrones de N pasan a P, por fo que deben ser repuestos por el circuto exterior Unido al polo negative de la fuente, lo que es coherente con ef hecho de que la corriente I ircule del polo positive, @ través de la union, hacia el polo negativo. Los electrones provenientes de N se encuentran en P con abundancia de huecos, por lo que la probabilidad de que se recombinen pares electrén-hueco seré muy elevada, Asi pues, en P van desapareciendo huecos, por que pasan 2 N ylo por que se recombinan con electrones provenientes de N. El circuito exterior unido al polo positive se encarga de reponer huecos capturando electrones de valencia del bloque P, lo que también es coherente con la intensidad circuante 1HTTP WWW. APALONSOLUCIONES.GOM/RFH ACALON.RFH > CURSO 2005 We ‘a tees! Figura 6.5 ‘Como vemos en la figura 6.5, la barrera de potencial, Vr, disminuye respecto Vo, al igual que el campo eléctrico en ta union, E y la anchura de la zona de deplecion. Tambien disminuye respecte al equilibrio ta capacidad de la unién. 8.7.2.2 Polarizacion inversa. ‘Al contrario que lo supuesto anteriormente, aplicames, por medio de una fuente de energia oléctrica, una d.d.p. extema de valor V voltios, de manera que el polo positivo de la ‘fuente esté mas cerca del bloque N y el polo negativo, més cerca del bioque P (figura 6.6). —_——— Corriente neta I Figura 6.6 Ahora tenemos que V; = Vo#V, siendo V >0 y por lo tanto, al ser V; >VO, (Figura 6.7) se ve favorecido el mecanismo de arrastre frente al de ifusi6n, lo que implica que tendremos una intensidad de corriente neta no nula, |, en el sentido del bloque N > P. La polarizacion inversaHT: //wwW, AGALONEOLUGIONES. COM/RFH ACALON.RFH + cURSD 200% favorece por lo tanto el paso de portadores minoritatios de cada bloque hacia el otro (huecos de N2 P y electrons de P > N. Cuanto mayor sea V, més se favorece este paso de portadores minoritarios y como estos son muy escasos, cabe esperar que a intensidad a través de la unibn, |, se sature répidamente con V creciente, sin legar a alcanzar valores elevados. El valor de esta corriente, poco dependiente de la tensién, V, aplicada y fuertemente dependiente de la temperatura, tiene un valor muy pequeo (del orden de los mA) y se denomina corriente de saturacion. La designaremos como IS. Figura 6.7 Como vemos en Ia figura 6.7, la barrera de potencial, Vr, aumenta respecto a Vo, al iguat que el campo eléctrico en la unién, E y la anchura de la zona de deplecion. También ‘aumenta respecto al equilibrio la capacidad de la union. 6.8. El diodo de unién. El dispositivo de estado sélido més simple es en realidad ‘a union NP tal como ha sido descrita de forma simplificada en el 6 7 y que se denomina tecnoldgicamente diodo de union. El comportamiento simplificado corresponde de este diodo idealizado responde a la siguiente cares wo-ned)) denominada ecuacion de Schockley. La representacion grafica la vernos en la figura 6.9(@), En ella observamos que en polarizacién directa el dispositivo se comporta como una resistencia pequefia (casi como un cortocircuito), mientras que en polarizacién inversa el dispositive es como una resistencia muy elevada (casi un circuito abierto) (6.24)LeTTRH//WWW.ACALONSOLUCIONES.OOM/RFH ACALON.RFH - cuRsa 2005 indo diodo @) pol, Directa Figura 68 En las figuras 6.9 (b) y 6.10 (a) y (b), vemos otras aproximaciones del diodo, validas cada una de elias en diferentes circunstancias. El hecho de que en todo caso el diodo presente dos estados tan netamente diferenciados hace que el diodo pueda servir para representar fisicamente los 2 valores de una variable binaria; por ejemplo, el estado de polarizacién directa, que en los circuitos digitales se suele denominar ON, podria representar el valor 1 de una variable booleana, mientras el estado de polarizacién inverse, 0 estado OFF, podria representar ef valor 0 de la misma variable. As! pues, se pueden diseriar circuitos digitales usando diodos de unién; sin embargo, por tratarse de elementos pasivos, su utilidad en este ‘campo es limitada. Modelo Schockiey Pol-inversa Pol. directa, Figura 6.9HIrTet//ww. AGALONSOLUSIONES.caM/RFH AGALON.RFH * CURSO 2005 Figura 6.10 6.8.1 Limitaciones de los diodos reales. Tanto en sentido directo como en sentido inverso, en el diodo se produce una disipacion de energia calorifica, que eleva la temperatura de la union por encima de la temperatura ambiente, A su vez hay una cesién de calor desde el diodo al ambiente, La temperatura alcanzada por la unién se puede cuantificar de forma aproximada por una expresién como esta’ T=T, +8@v) (625) donde T, es la temperatura ambiente, I ia intensidad que circula por el diodo, V la did.p. entre los extremos dei diodo y 0 es la llamada resistencia térmica del diodo. Esta dependera de las, facilidades del circuito para refrigerarse: cuanto menor sea 6 , més potencia podré disipar el diode sin calentarse peligrosamente, Por lo tanto en polarizacion directa habra una intensidad lax: ue NO deberd sobrepasarse para no alcanzar una temperatura excesiva (175 a 200 C). En sentido inverso, la intensidad es muy pequefia (ld), pero crece con la temperatura y si se sobrepasa un cierto valor de d.d.p. Vex. puede producirse un efecto de inestabilidad térmica realimentado que acabe quemando el diodo. Estos efectos y otros que veremos a continuacion no estén descritos por ninguno de los modelos simplficados que hemos visto anteriormente. En polarizacion inversa puede presentarse el llamado efecto avalancha: si la tension inversa aplicada aleanza un determinado valor, el campo eléctrico puede acelerar los pocos electrones libres de la zona de deplecion, que, a su vez, pueden arrancar por colision electrones de valencia. Estos son a su vez acelerados alcanzande gran velocidad y siendo capaces de colisionar y arrancar quevos electrones. Por lo tanto se llega a producir una avalancha de corriente inversa, que en los diodes ordinarios produciria probablemente una excesiva elevacién de la temperatura y su averiaHIrTe:/vew,AGALONSOLUGIONES.COM/RFH ACALON.RFH + cuRsS 2005 6.8.2 Tipos de diodos. ‘Ademas del diodo ordinario, que responderia tendria un comportamiento descrto aproximadamente por uno de los modelos de las figuras 6.9 y 6.10, determinadas variantes de diodos de unién presentan en algunas citcunstancias comportamientos singulares, que pueden aprovecharse en ciertas aplicaciones electronicas. Asi tenemos una amplia gama de diodos: 2 diodes ordinarios © fotodiodos PIN y APD de avalancha © diodos Zenner © diodos tunel diodes emisores de luz LED 2 diodos 0 células fotovonticas + Diodos ordinarios: se aprovecha su comportamiento de casi cortocircuit en sentido directo y casi circuito abierto en inverso. Son ililes por lo tanto, entre otros, en circuitos rectificadores (conversores de c.a. en ¢.c.), en circuitos digitales (matrices de diodes). + Fotodlodes PIN y APD de avalancha: son diodos que trabajan en polarizacién inversa, A través de fibra éptica pueden recibir impulsos luminosos, de forma que, antes de recibir tal Impulso, el numero de electrones libres en la zona de deplecién no es suficiente para desencadenar la avalancha (el fotodiodo no conduce). Al legar el impulso lurninosos, los fotones fiberan electrones y se desencadena la avalancha (el fotodiodo conduce). Naturalmente, estos diodos estan diseftados para soportar sin dafio la avalancha. ‘+ Diodos Zenner: son diodos que trabajan también con polerizacién inversa. Esta produce fen parte un efecto de avalancha, pero ademas hay un paso de portadores por efecto tanel Este efecto, de manera algo simplista, consiste en lo siguiente: supongamos que una particula cargada se mueve hacia una regién en Ia que hay una barrera de potencial de altura V. La energia cinética inicial de fa carga es E<; cuando entra en la barrera de potencial parte de ‘su energia cinética (1/2 mv’) se va transformando en energia potencial, lo que Implica, segiin ta Fisica Clasica, que la energia cindtica, o le que es lo mismo, la velocidad disminuye. Si qV>E., la particula llegara a pararse, es decir, no podré atravesar la regién. El razonamiento anterior correcto segin la Fisica Newtoniana y ta conclusion es que no hay efecto tunel. La Mecénica Cuantica explica el fenémeno de forma totalmente distinta: la particula es considerada no como un corpisculo localizado, sino como una onda (funcién de onda), cuya amplitud representaria una probabilidad de localizacion. Cuando la particula-onda aleanza la barrera de potencial en parte se refleja, (probabilidad de que la particula no pase la barrera), y en parte se refracta, (probabilidad de que la particule atraviese la barrera). Es decir, hay una probabilidad no nula de que la particula pase a través de la barrera (como por un tinel), es decir hay efecto tanel. En este caso la experiencia daria la razén a la Mecénica CuanticaHITRH/WwW ACALONGOLUGIONES.COM/REH ACALON.RFH + CURSO 2005 Figura 6.11 1 Figura 6.12 El diodo zenner presenta une caracteristica | -> V como la que vemos en la figura 8.11. Vemos, que trabajando en la zona zenner, el diodo mantiene una tensién fia, Vz, con independencia de la corriente que circule, 0 sea, es un estabilizador de tension. Sus numerosas aplicaciones en los cirouitos se basan en esta propiedad. ‘+ Diodos tunel: Si los diodos zenner aprovechan el efecto tinel con polarizacion inversa, los diodos tiinel se basan en el mismo efecto, pero trabajando con polarizacién directa, SinHITR:/WWW ACALENBOLUGIONES.COM/RFH AGALON.RFH + GURSO 2005 ‘embargo, para que se manifeste el efecto tunel se fabrican de forma que los bioques N y P estén mucho més dopados que en los diodos ordinarios. El resultado es un ‘comportamiento muy diferente al de los diodos ordinarios (Figura 6.17). Lo mas curioso es la zona de resistencia incremental negativa, es decir una region en la que un incremento positivo de Ie tension V se traduce en un incremento negativo de la intensidad |. Las aplicaciones de los diodos tinel aprovechan precisamente esta zona + Diodos emisores de luz LED: son diodos fabricados con un semiconductor compuesto. ‘Su capsula es transparente para dejar pasar la luz (fotones) emitida cuando se recombinan fen la zona de deplecién huecos y electrones en trénsito. La intensidad de la luz emitida puede modularse variando la tension directa aplicada, El color de la luz depende del semiconductor; ai: ‘Semiconductor Color ‘AsGa infrarrojo PGa verde ‘AsPGa diferentes segin proporcion de As y P Se utiizan para los mandos a distancia por infrarrojos, e indicadores (displays) alfanuméricos, La tecnologia de los LED se esté desarroliando continuamente. Se fabrican ya LED de luz blanca (mezcia de los colores fundamentales rojo, verde y azul) y de intensidad luminosa elevada a precios competitivos, lo que explica que vayan sustituyendo a la luz de incandescencia y fluorescente en iluminacion urbana y domestica y otras aplicaciones. Por ejemplo, estan utlizéndose cada vez mas en pilotos e intermitentes de coches, semaforos y, por supuesto paneles muralas de publicidad o informacién. EI rendimiento (intensidad luminosa/watio) es mucho mayor, pot lo que el consumo energética es mucho menor que en los sistemas tradicionales. EB OR Figura 6.13. Los simbolos de los diodes nombrados son los que vemos en la Figura 6.13) (a) diode ordinario; (b) diodo zenner; (¢) diodo tunel; (a) fotodiodo; (e} LED. 6.9. El transistor de unién. Como dijimos al comienzo del capitulo, combinando 2 uniones N-P se consigue un dispositive con prestaciones mucho mas interesantes todavia que las de los diodos vistos anteriormente, E117 de diciembre de 1847 puede considerarse la fecha en que John Bardeen y Watter Brattain culminan los trabajos que conducen a la invencién del transistor de union. ElHITTR://WWW. AGALONSOLUCIONES. COM/RFH ACALON.REH - cuRSO 2005 transistor consiste en 3 bloques de semiconductor dopados N-P-N 6 P-N-P. El primer transistor era de Ge y tipo P-N-P. Actualmente el semiconductor utilzado es practicamente siempre Si y ‘son mucho mas abundantes los tipos N-P-N que los P-N-P, En las figuras 6.14 y 6.18 vemos la ‘estructura esquematica respectiva de 10s 2 tipos de transistores mencionados. La geometria real de un transistor de los que forman parte de un chip no se parece mucho a ese esquema, ‘que unicamente nos va @ servir para explicar su funcionamiento de forma sencilla zg e E g B B avexavera »)simle creo Feu 6.16 E E Cc ¢ B B a) esquema 'b) simbolo circuito Figure 615 6.9.1 Polarizacién del transistor. Una forma habitual de poiarizar un transistor N-P-N es la que vemos en la figura (6.16), que es una estructura que se conoce como emisor-comun. Cuendo la entrada es baja (0 voltios respecto de tierra), por el colector no pasa corriente y por lo tanto la salida es alta. Cuando la entrada es alta, circula una corriente elevada por la resistencia de colector y por lo tanto la salida es baja, Es decir, el transistor se comporta como una puerta NO. Iguaimente, una forma habitual de polarizar un transistor P-N-P es la que vemos en la figura (8.17), que es una estructura que se conoce como emisor-comun. Cuando la entrada es alta (0 Volos respecto de tierra), por el colector no pasa cortiente y por fo tanto a salida es baja Cuando la entrada es baja, circula una corriente elevada por la resistencia de colector y por lo tanto la salida es ataHITTP:/ (nin, AGALONSDLUGIONES.COM/RrH ACALON-RFH > CURSO 2005 Figura 6.17 6.10, El transistor de efecto de campo (FET). La intensidad de corriente a la entrade de una puerta formada por un transistor NPN como el de las figuras anteriores es bastante alta (impedancia de entrada baja), lo que implica ‘que la salida de una puerta no pueda conectarse @ muchas puertas de tipo NPN. Para que una salida de una puerta pueda llevarse a muchas entradas de otras tantas puertas, seria conveniente de estas entradas precisaran muy poca corriente de entrada (impedancia de entrada muy alta) y esto se consigue con otros dispositivos denominades transistores de efecto de campo. E1 primer FET fue el JFET o transistor de efecto de campo de unién.HIrT:/7yn,AGALONSOLUGIONES.COM/RFH ACALON.RFH + CURSO 2005 6.10.4 El transistor JFET. Su estructura corresponde al esquema de la fig. 6.18, (canal N). En la misma figura vemos su polarizaci6n y su simbolo en los circuitos. D sussidero D sumidero N Vo Von — —o Veg te Vos =e S fuente S fuente Figura 6.18 Tel como vemos en la figura 6.18, la tensién Vos polarize la union puerta-canal en sentido inverso, por lo que la zone de deplecién se adentrara en ol canal estrechéndolo. ‘Ademas, al estar polarizada en sentido inverso la unién G-S, se comprende que la intensidad de corriente de puerta, Ia, se muy pequerta, como se pretendia. Variando el valor de la tensi6n de entrada, Ves, modulamos la anchura del canal y por lo tanto la intensidad de sumidero, Io, y la tensién de salida, Vos, Cuanto mayor sea el médulo de Vs, menor sera el valor de lao . ¥ para un valor de Vos suficientemente grande en médulo (pero negativo), la intensidad Ino se hard cero. Se puede fabricar un JFET con canal tipo P, que funcionarla de forma anaioga, pero con todas las polarizaciones inverlidas y con todas las intensidades con sentidos opuestos a los que vemos en el caso desorito.HTTP //WwwW.ABALONSOLUCIONES.OOM/RFH AGALON.RFH * cURSH 2008 Caracteriticas de salida de un JFET canal N 6.10.2 El transistor MOSFET de empobrecimiento, Su estructura esta representade esquematicamente en la fig 6.19-2 y 6.19-b en la que ‘vemos iguslmente el simbola en los circuitos y la forma de polarizar el dispositive. Entre el terminal metalico de la puerta, G. y el canal N hay una capa alsiante de éxido de silicio (MOS), lo que hace que la corriente de puerta, Ic, sea nula (impedancia de entrada ~ ») 8 G D Sint SiO; metal Figura 6.19-a, Estructura y polarizacién del MOS empobrecimienta canal PHTTe:/7wWv,AALONEOLUSIONES .COM/RFH ACALON.RFH + cuRSO 2005 8 G D 2 z SiP+ SiO, metal Figura 6.19-b, Estructura y polarizacién del MOS empobracimiento canal N Habituatmente se fabrican con el sustrato conectado internamente a la fuente, por fo que el dispositivo se presenta como un triterminal. Variando el valor de la tensién de entrada, Ves. modulamos la anchura del canal y por lo tanto fa intensidad de sumidero, In, y la tension de salida, Vos Tal como vemos en la Fig. 6.20, para un valor tjo de Vos, cuanto mas positiva sea la tensién Vos, mayor serd la intensidad Io circulando desde el sumidero a la fuente (S) al sumidero (D), y de la misma manera, cuanto mas negativa sea Ves, menor sera el valor de Ip Esta intensidad es transportada por los electrones mayoritarios en el Si, tipo N, del canal y esHrTe: WwW. ACALONSOLUCIONES.cOM/aFH. ACALON.RFH > CURSE 2005 positiva (por ser entrante al transistor por D). La tensién Vs, puede ser negativa si camblamos la polarizacion Veo. Para un valor de Vos suficientemente grande en médulo (pero negativo). ta intensidad lp se hara cero. Las caracteristicas de salida del MOSFET de empobrecimiento son por lo tanto similares a las del JFET, salvo que en aquel siempre tentamos que Vos era siempre del mismo signo (Figura 6.20). Figura 6.20 Como vemos, se fabrican 2 tipas de MOSFET de empobrecimiento con complementarios, que funcionarlan de forma andloga, pero con todas las polarizaciones invertidas y con las intensidades con sentidos opuestos, 6.10.3 El transistor MOSFET de enriquecimiento. EI més importante de fos dispositives por la generalidad de su utilzacion en los circuitos digitales y sobre todo en los ordenadores es ©| MOSFET de enriquecimiento, Su estructura esté representada esquematicamente en la fig. 6.21 en la que vernos igualmente el simbolo en los circuitos y la forma de polarizar el dispositive. Entre el terminal metalico de la puerta, G, y el canal N hay, como en el MOSFET de empobrecimiento, una capa aislante de 6xido de silicio (MOS), por lo que la corriente de puerta, Iq, tambien es nula (impedancia de entrada ~ «),MrTRI/fwww, AGALONSOLUSIONES.caM/RFH ACALON-RFH + ouRso 2005 _— —= =o — sin SiNt oO; metal Figura 6.21-2. Estructura de! MOS enriquecimiento canal N s 6 D =a —_ = — SiF Sipe SiO, metal Figura 6.21-b, Estructura del MOS enriquecimiento canal P