REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO

“SANTIAGO MARIÑO”
EXTENSIÓN BARCELONA

SEGUNDO CORTE

DISEÑO DE OSCILADORES

Semestre 2021-2

Autor: WILFREDO SALAZAR

C.I.: 16.717.525

PUERTO LA CRUZ, DICIEMBRE 2021

1.- Diseñar y simular en el multisim un Oscilador BJT de onda senoidal por el método de
corrimiento de fase, para una frecuencia F0 de 10 Khz.

 Escoger el transistor de su preferencia y descargue el datasheet.

 Escoja el voltaje VCC
 Consideraciones de diseño: Ieq = 2 ma, VE = VCC/10, Av > - 29

 C = C1= C3 = C4 = C5, C2 = 3000*C

 R = R5 = R6 = Rth//β*re, R1 <= (β *R3)/10, re=26mv/Ieq, Rth=R1//R2,
debe cumplirse que β*re>R.

R3=500Ω

R2=51KΩ

β ⋅ R3
R1 ≤
10

200 ⋅500
R1 ≤ ≤ 10 kΩ
100

R1 ⋅ R 2
Rth = =9,09 kΩ
R 2 + R1

R th β ⋅ r e
R= =1,98 kΩ
Rth + β 1 ⋅r e
 1
C= =3,28 nF
f 0 ⋅2 π ⋅ √ 6 ⋅ R

C 2=3000 ⋅ C=9,84 µF

V1
R2 R4 12V
51kΩ 540Ω XMM2

C3
XSC1

3.28nF Ext Trig

+
C1 C4 C5 Q1 _
A B
BC547BG + _ + _

3.28nF 3.28nF 3.28nF

XMM1

R5 R6 R1 C2
R3
1.98kΩ 1.98kΩ 9.75kΩ 9.84µF
500Ω
2.- Diseñar y simular en el multisim un Oscilador Colpitts BJT de onda senoidal, para una
frecuencia F0 de 10 Khz.

 Escoja el transistor de su preferencia  y descargue su datasheet.

 Escoja el voltaje de polarización Ve.

 Consideraciones de diseño, Ieq = 2 ma, VE = Ve/10, R2>0.1*β*R1, C7=C5=5*C,

L4=10H, C2=B*C1, C=C1//C2, Av=10, Av= 1.1*(C1/C2), Av*B ≥ 1.

1
B≥ =0,1
Av

C 2=0,11 C1

B=0,11
C=C 1+C 2

C1=500pF

R1=20kΩ

C2=55pF

C=500pF+ 55pF
C=555 pF

C7=C5=5*C

C7=C5=2775pF

( ) =0,46 H
2
1
f 0⋅ 2 π
L 3=
C
R2 >0 , 1⋅ β ⋅ R1 >400 kΩ

V1
L4
R3
10H 10V
332kΩ
C5

C7 2775pF XSC1
Q1
BC547BG
Ext Trig
2775pF +
R2 _
A B
401kΩ _ _
R1 + +

20kΩ
XMM1

L3
0.46H
C2
C1
55pF
500pF