UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE LA ZONA METROPOLITANA DE

GUADALAJARA

REPORTE DE ACTIVIDAD

Título de la actividad: Investigación 3. Apunte I

Nombre y matrícula del alumno: Jesus Almir Esteban Reyes 5121120035
Cuatrimestre: 3°
Materia: Electrónica Digital
Profesor: José Antonio Gómez Castellanos

Tlajomulco de Zúñiga, Jalisco, a 12 de mayo de 2022

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Tiempo de retardo
La mayoría de los procesos industriales presentan atrasos o retardos en sus dinámicas.
Esto quiere decir que cuando estimulamos un sistema con alguna entrada (por ejemplo,
encendemos una máquina) solo veremos la variación de la variable un tiempo después
de haber aplicado el estímulo.
El tiempo muerto de un sistema puede presentarse por tres factores diferentes:
• Por el tiempo necesario para transportar una determinada masa o energía dentro
del proceso (Esto se conoce como Retardo de Transporte)
• Por el acúmulo de varios sistemas conectados en serie dentro de un proceso
(Esto se conoce como Retardo Aparente)
• por el tiempo necesario para el envío y recepción de información dentro de un
sistema de control.

Disipación de potencia
Puesto que circula corriente desde la fuente de alimentación hacia tierra, pasando por
las resistencias internas de las puertas (ya sean de tipo resistivo o capacitivo), se
consume energía eléctrica que se transforma en energía calorífica. En consecuencia, las
puertas lógicas disipan calor y puede hablarse de potencia consumida que depende del
voltaje de alimentación y de la cantidad de corriente consumida. La expresión genérica
para la potencia es

Fan-in y Fan-out
Fan-in significa que varios módulos llaman a un módulo.

Fan-out significa que un módulo llama a varios módulos.

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Circuitos TTL
Las siglas en inglés significan transistor-transistor logic (lógica transistor a transistor).
Tecnología de construcción de circuitos integrados electrónicos digitales basadas en el
uso de transistores bipolares, es característico el uso de transistores multiemisores. TTL
sucedió a las tecnologías RTL (lógica resistencia-transistor) y DTL (lógica diodo-
transistor).
• Tensión de alimentación: 5 V típica, con rango entre los 4,75V y los 5,25V para la
74 y 4,5 V a 5,5 V para la 54.
• Lógica positiva: el “1” lógico es de mayor tensión que el “0” lógico.
• Rango de temperatura: de 0 °C a 70 °C para la serie 74 y de -55º a 125 °C para la
54.
• Niveles de tensión de entrada para el “0” lógico (VIL): entre 0V y 0,8V.
• Niveles de tensión de entrada para el “1” lógico (VIH): entre 2,4V y VCC
• Velocidad de transmisión entre los estados lógicos: alrededor de 400 Mhz.

Circuitos CMOS
Los circuitos con transistores MOS Complementarios (CMOS) tienen características muy
buenas para la conmutación. Prácticamente consumen potencia cero en espera
(standby), lo que permite altos niveles de integración y los hace ideales para la mayoría
de las aplicaciones Very Large Scale Integration –VLSI (Integración de escala muy
grande).
Características de la lógica CMOS:
• Disipación de baja potencia: La disipación de potencia depende de la potencia de
la fuente de poder, su frecuencia, carga en la salida y el tiempo de arranque. A 1
MHz y a 50pF de carga, la disipación de potencia es típicamente 10nW por
compuerta.
• Retrasos de propagación corta: Depende de la fuente de poder, los retrasos de
propagación son usualmente de 25 ns a 50 ns.
• Tiempos de subida y bajada controlados: Los flancos de subida y de bajada son
usualmente denominados como rampas en lugar de funciones de escalón, y
tardan entre 20% – 40% más que los retrasos de propagación.
• La inmunidad al ruido ronda el 50% o 45% de la oscilación lógica.
• Niveles lógicos serán esencialmente iguales a la fuente de poder, esto debido a la
alta impedancia de entrada.
• Nivel de tensión desde 0 a VDD donde VDD es la fuente de tensión. Un nivel bajo
es cualquier valor entre 0 y 1/3 de VDD mientras que un nivel alto se representa
como cualquier valor entre 2/3 VDD y VDD.
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Bibliografía
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Automático Educación Sitio web: https://controlautomaticoeducacion.com/analisis-de-
sistemas/retardo-o-tiempo-muerto-de-un-sistema/
Miyara, F. (2006). Disipación de potencia. Mayo 12,2022, URL:
http://iie.fing.edu.uy/ense/asign/elpot1/disipadores. pdf-Página, 12.
Mubarak, A., Counsell, S., & Hierons, R. M. (2010, May). An evolutionary study of fan-in
and fan-out metrics in OSS. In 2010 Fourth International Conference on Research
Challenges in Information Science (RCIS) (pp. 473-482). IEEE.
Malvino, A. P., & Leach, D. P. (1993). Principios y aplicaciones digitales. Marcombo.
Anónimo. (2015). Circuitos CMOS. mayo 12, 2022, de NI Sitio web:
https://digital.ni.com/public.nsf/allkb/A829F34E0BACA99786257D9600746CFF#:~:text=
Caracter%C3%ADsticas%20de%20la%20l%C3%B3gica%20CMOS%3A&t