INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE RIOVERDE

TRABAJO DE INVESTIGACIÓN

“Semiconductores”

Carrera: Ingeniería informática

Presenta:
Juan Alberto Camacho Cabrera
Número de control: 20220012

Docente: M.E. María Salomé Herrera Vargas

Rioverde, S.L.P 1 de septiembre de 2021

ÍNDICE DE CONTENIDO
INTRODUCCION...........................................................................................................3
2.1 Conductores..........................................................................................................4
Orbitales estables......................................................................................................4
La parte interna..........................................................................................................4
Electron libre..............................................................................................................4
2.2 Semiconductores..................................................................................................5
Germanio....................................................................................................................5
Silicio..........................................................................................................................5
2.3 Cristales de silicio.................................................................................................5
Enlaces covalentes....................................................................................................5
Saturacion de valencia...............................................................................................6
El hueco.....................................................................................................................6
Recombinacion y tiempo de vida...............................................................................7
Ideas principales........................................................................................................7
2.4 Semiconductores intrinsecos..............................................................................7
Flujo de electrones libres...........................................................................................8
Flujo de huecos..........................................................................................................8
2.5 Dos tipos de flujos................................................................................................8
2.6 Dopaje de un semiconductor ..............................................................................9
Aumento del numero de electrones libres.................................................................9
Aumento del numero de huecos................................................................................9

2.7 Dos tipos de semiconductores extrincecos.......................................................9

Semiconductor tipo n...............................................................................................10
Semiconductor tipo p...............................................................................................10
CONCLUSION............................................................................................................11
REFERENCIAS...........................................................................................................12
INTRODUCCION

Semiconductores

Los semiconductores son la base de la electrónica, pues son los que han permitido
tener prácticamente todos los aparatos electrodomésticos y electrónicos que usamos
hoy en día.

Un semiconductor es un material intermedio entre un conductor y un aislante. El cobre

por ejemplo es un buen conductor ya que posee un electrón en su última capa de
valencia; Un aislante por el contrario es un material que no tiene electrones libres y
presenta una gran resistencia al movimiento de los electrones.

Un semiconductor por lo tanto es aquel material que posee electrones libres en su

última capa de valencia pero que también posee una conductividad eléctrica inferior a
las de un conductor. El elemento semiconductor más usado es el silicio.
2.1 CONDUCTORES
El cobre es un buen conductor, la razón de esto es por su estructura atómica. El núcleo
del átomo contiene 29 protones. Cuando un átomo de cobre tiene una carga neutra,
quiere decir que hay 29 electrones dispuestos alrededor del núcleo de forma similar a
como están dispuestos los planetas alrededor del sol. Los electrones se mueven en
distintos orbitales o capas.

2.1.1 Orbitales estables

El núcleo positivo atrae a los electrones de los orbitales. La razón por la que estos
electrones no se caen hacia el núcleo es la fuerza centrífuga creada por el movimiento
circular. Esta fuerza centrífuga es exactamente igual a la atracción ejercida por el
núcleo, por lo que el orbital es estable.

Mientras más lejana es la órbita de un electrón, menor es la atracción del núcleo. En los
orbitales más alejados, los electrones se mueven más lentamente, lo que da lugar a
una fuerza centrífuga menor.

2.1.2 La parte interna

En electrónica, lo único que importa es el orbital exterior el cual se denomina “orbital de
valencia”. Este orbital controla las propiedades eléctricas del átomo. En un átomo de
cobre, la parte interna es el núcleo (+29) y los tres primeros orbitales (-28).

La parte interna de un átomo de cobre tiene una carga neta de +1, ya que contiene 29
protones y 28 electrones internos. El electrón de valencia se encuentra en el orbital
exterior alrededor de la parte interna y tiene una carga neta de +1. A causa de ello, la
atracción que siente el electro de valencia es muy pequeña.

2.1.3 Electrón libre

Dado que la atracción entre la parte interna y el electrón de valencia es muy débil, una
fuerza externa puede fácilmente arrancar este electrón del átomo de cobre. Esta es la
razón por la que se suele denominar al electrón de valencia como electrón libre.
Incluso la tención más pequeña puede hacer que los electrones libres se muevan de un
átomo al siguiente. Dicho esto, los mejores conductores son la plata, el cobre y el oro.

2.2 SEMICONDUCTORES
Los mejores conductores tienen un electrón de valencia, mientras que los mejores
aislantes tienen ocho electrones de valencia. Un semiconductor es un elemento con
propiedades entre las de un conductor y un aislante. Por lo tanto, los mejores
semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.

2.2.1 Germanio
El germanio es un ejemplo de semiconductor. Tiene cuatro electrones en su orbital de
valencia. Anteriormente el germanio era el único material adecuado para la fabricación
de dispositivos semiconductores. Sin embargo, estos dispositivos de germanio
presentaban una importante desventaja; que era su excesiva corriente inversa. Más
tarde el silicio comenzó a utilizarse dejando obsoleto al germanio en la mayoría de las
aplicaciones electrónicas.

2.2.2 Silicio
Después del oxígeno, el silicio es el elemento más abundante en la tierra. Un átomo de
silicio aislado tiene 14 protones y 14 electrones. El primer orbital contiene 2 electrones y
el segundo 8 electrones. Los 4 electrones restantes se encuentran en el orbital de
valencia. Los 4 electrones de valencia nos indican que el silicio es un semiconductor.

2.3 CRISTALES DE SILICIO

Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un sólido, lo hacen según un
patrón ordenado denominado “cristal”. Cada átomo de silicio comparte sus electrones
con cuatro átomos vecinos, de tal forma que tiene ocho electrones en su órbita de
valencia.

2.3.1 Enlaces covalentes

Cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo central. De esta forma, el átomo
central tiene 4 electrones adicionales, lo que da un total de ocho electrones en el orbital
de valencia. Los electrones dejan de pertenecer a un único átomo. Esta misma idea
también es válida para los demás átomos de silicio. En otras palabras, cada átomo de
un cristal de silicio tiene cuatro vecinos.

Cada parte interna del electrón tiene una carga de +4, la parte interna central y la que
se encuentra a un lado atraen al par de electrones que hay entre ellas con fuerzas
iguales y opuestas. Estas fuerzas ejercidas en sentidos opuestos son las que hacen
que los electrones de silicio se mantengan unidos.

Puesto que cada uno de los electrones compartidos está siendo atraído por fuerzas con
sentidos opuestos, el electrón se convierte en un enlace entre las partes internas
opuestas, por lo que a este tipo de enlace químico se denomina “enlace covalente”.

2.3.2 Saturación de valencia

Cada átomo de un cristal de silicio tiene ocho electrones en su órbita de valencia. Estos
ocho electrones proporcionan una estabilidad química que da como resultado un cuerpo
compacto de material de silicio. Nadie sabe exactamente por qué el orbital exterior de
todos los elementos tiene una predisposición a tener ocho electrones. Cuando de forma
natural no existen ocho electrones en un elemento, la tendencia natural del mismo es la
de combinarse y compartir electrones con otros átomos para tener ocho electrones en
su orbital de valencia.

Cuando el orbital de valencia tiene ocho electrones, se “satura” porque ya no puede

entrar ningún otro electrón mas en dicha orbita. Estableciendo esto como ley, tenemos:

Saturación de valencia: n= 8

Los ocho electrones de valencia se denominan “electrones ligados” porque se

mantienen fuertemente unidos por los átomos. A causa de estos electrones ligados, un
cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura ambiente, es decir,
aproximadamente 25°C.

2.3.3 El hueco
Cuando la temperatura ambiente se encuentra por encima del cero absoluto (-273°C),
la energía termina del aire circulante hace que los átomos de un cristal de silicio vibren.
En un cristal de silicio, las vibraciones de los átomos ocasionalmente pueden hacer que
se desligue un electrón del orbital de valencia. Cuando esto ocurre, el electrón liberado
gana la energía suficiente como para pasar a un orbital de mayor nivel energético. En
dicho orbital, el electrón es un electrón libre.

La salida del electrón deja un vacío en el orbital de valencia que se denomina hueco.
Este hueco se comporta como una carga positiva porque la pérdida del electrón da
lugar a un ion positivo. El hueco atraerá y capturara cualquier electrón que se encuentre
en la vecindad inmediata. Los huecos permiten a los semiconductores hacer toda clase
de cosas que son imposibles en los conductores.

Para aumentar el número de huecos y de electrones libres, es necesario dopar el

cristal.

2.3.4 Recombinación y tiempo de vida

En un cristal de silicio puro, la energía térmica crea el mismo número de electrones
libres y huecos. La recombinación es la unión de un electrón libre y un hueco.

El intervalo de tiempo entre la creación y la desaparición de un electrón libre se

denomina tiempo de vida.

2.3.5 Ideas principales

En cualquier instante, en un cristal de silicio puede ocurrir lo siguiente:
1. Por efecto de la energía térmica pueden crearse algunos electrones libres y huecos.
2. Otros electrones libres y huecos pueden recombinarse.
3. Existen temporalmente algunos electrones libres y huecos a la espera de
recombinarse.

2.4 SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un
semiconductor intrínseco si cada átomo del cristal es un átomo de silicio.
2.4.1 Flujo de electrones libres
Supongamos que la energía térmica ha dado lugar a la creación de un electrón libre y
de un hueco. El electrón libre se encuentra en un orbital de mayor energía en el
extremo derecho del cristal. Puesto que la placa está cargada negativamente, los
electrones libres son repelidos hacia la izquierda. Estos electrones libres pueden pasar
de un orbital al siguiente de mayor nivel hasta llegar a la placa positiva.

2.4.2 Flujo de huecos

El hueco atrae a un electrón de valencia, lo que provoca que el electrón de valencia
caiga en el hueco.

Cuando el electrón de valencia se desplaza hacia la izquierda, se crea un nuevo hueco

y así sucesivamente desplazándose en el sentido opuesto, actuando de la misma
manera que una carga positiva.

2.5 DOS TIPOS DE FLUJOS

Un semiconductor intrínseco, tiene el mismo número de electrones libres que de
huecos. Esto se debe a que la energía térmica crea los electrones libres y los huecos
por pares. La tensión aplicada forzara a los electrones libres a moverse hacia la
izquierda y a los huecos hacia la derecha. Cuando los electrones libres llegan al
extremo izquierdo del cristal, entran en el cable externo y fluyen hacia el terminal
positivo de la batería.

Por otro lado, los electrones libres que se encuentran el terminal negativo de la batería
se desplazaran hacia el extremo derecho del cristal. En este punto, entran en el cristal y
se recombinan con los huecos que llegan al extremo derecho del cristal. De esta forma,
se produce un flujo constante de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.

Los electrones libres y los huecos se mueven en direcciones opuestas, por lo tanto la
corriente en un semiconductor es el efecto combinado de los dos tipos de flujos. A
menudo tanto los electrones como los huecos se denominan “portadores”, ya que
transportan la carga de un lugar a otro.

2.6 DOPAJE DE UN SEMICONDUCTOR

Una forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es mediante le
dopaje. El dopaje consiste en añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco con el
fin de alterar su conductividad eléctrica. Un semiconductor dopado se denomina
semiconductor extrínseco.

2.6.1 Aumento del número de electrones libres

El primer paso consiste en fundir el cristal de silicio puro. De este modo se rompen los
enlaces covalentes y el estado del silicio pasa de solido a líquido. Para incrementar el
número de electrones libres, se añaden los átomos pentavalentes al silicio fundido. Los
átomos pentavalentes tienen cinco electrones en el orbital de valencia. Algunos
ejemplos de átomos pentavalentes son el arsénico, en antimonio y el fosforo. Puesto
que estos materiales donaran un electrón adicional al cristal de silicio, a menudo se les
denomina impurezas donadoras.

Cada átomo pentavalente o átomo donante de un cristal de silicio produce un electrón

libre. Cuantas más impurezas se añaden, mayor es la conductividad. Un semiconductor
débilmente dopado presenta una resistencia alta, mientras que un semiconductor
fuertemente dopado presenta una resistencia baja.

2.6.2 Aumento del número de huecos

Para obtener un exceso de huecos, se utiliza una “impureza trivalente”, es decir, una
impureza cuyos átomos solo tengan tres electrones de valencia. Algunos ejemplos son
el aluminio, boro y galio.

Un átomo trivalente se denomina también “átomo aceptor”, porque cada uno de los
huecos con que contribuye puede aceptar un electrón libre durante la recombinación.

2.7 DOS TIPOS DE SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

Un semiconductor se puede dopar para tener un exceso de electrones libres o un
exceso de huecos; por tanto, existen dos tipos de semiconductores dopados.

2.7.1 Semiconductor tipo n

El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se denomina
semiconductor tipo n, donde “n” hace referencia a negativo. Dado que la cantidad de
electrones libres supera al de huecos en un semiconductor de tipo n, los electrones
libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios.

A causa de la tensión aplicada, los electrones libres se desplazan hacia la izquierda y

los huecos hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno
de los electrones libres del circuito externo entrar en el semiconductor y se recombina
con el hueco.

2.7.2 Semiconductor tipo p

El silicio que ha sido dopado con un átomo trivalente se denomina semiconductor de
tipo p, donde p hace referencia a positivo. Puesto que la cantidad de huecos supera a
la de electrones libres, los huecos serán los portadores mayoritarios y los electrones
libres serán, en este caso, los portadores minoritarios.

A causa de la tensión aplicada, los electrones libres se desplazan hacia la izquierda y

los huecos hacia la derecha.
CONCLUSION
Los dispositivos semiconductores son de gran importancia en la electrónica pues su
desarrollo significo un gran avance tecnológico y hoy en día es indispensable para todo
equipo electrónico. Podemos encontrar semiconductores intrínsecos y extrínsecos,
funcionando estos últimos de acurdo a ciertas especificaciones en el dopado, las cuales
dividen a los semiconductores en dos tipos P y N.
REFERECIAS

Bibliografía
Bates, A. M. (2007). Principios de electrónica. McGraw-Hill.