Libro Guía 2 - Introducción Al Conocimiento de Los Materiales y Sus Aplicaciones-74-210

Tema 2
Estructura interna de los materiales.

Sistemas cristalinos
2.1. Introducción
2.2. Estado sólido
2.2.1. Tipos de sólidos cristalinos
2.3. Sistemas cristalinos. Red espacial
2.4. Isomorfismo y alotropía
2.5. Índices de Miller
2.6. Redes cristalinas de los metales
2.6.1. Densidad teórica y parámetros de red
2.6.2. Radio atómico y parámetros de red
2.6.3. Índices de coordinación
2.6.4. Factor de empaquetamiento
2.6.5. Densidades atómicas y parámetros de red
2.6.6. Distancia entre planos reticulares y parámetros
de red
2.7. Intersticios en las redes cristalinas
2.8. Técnicas para caracterizar estructuras internas
2.8.1. Técnicas espectroscópicas
2.8.2. Análisis térmico
2.8.3. Técnicas de difracción
2.9. Cuestiones y ejercicios
2.1. INTRODUCCIÓN
En este tema se inicia la caracterización de los distintos tipos de mate-

riales que más se utilizan en ingeniería y que se han presentado en el tema
anterior. Una vez introducido el concepto de estado sólido y vista su clasi-
ficación en función de su estructura interna, se estudia dicha estructura a
escala atómica, que como se verá es cristalina para gran parte de los mate-
riales como consecuencia de la distribución regular de sus átomos.
Con el estudio de los siete sistemas cristalinos y de las catorce redes se

está en condiciones de conocer las múltiples estructuras internas que carac-
terizan, tanto a los materiales naturales como a los sintéticos. Así, la mayo-
ría de los materiales metálicos presentan estructuras sencillas, como pue-
den ser las cúbicas o la hexagonal compacta; los materiales cerámicos
disponen de una gran variedad de estructuras cristalinas; mientras que los
materiales poliméricos se caracterizan porque sus estructuras son com-
plejas.
Una vez estudiadas las características de los distintos tipos de redes a

través de la descripción de sus posiciones atómicas, de sus direcciones y de
sus planos cristalográficos, se hará hincapié en el conocimiento de sus índi-
ces de coordinación y de su factor de empaquetamiento que se derivan de
la distribución de los átomos en la celda unidad de las distintas redes cris-
talinas y que juegan un importante papel, tanto en el conocimiento de la
formación de aleaciones como en las posibilidades de deformación que pre-
sentan los diferentes tipos de materiales.
Se concluirá este tema con el estudio de las posibles técnicas experi-

mentales que permiten determinar las diferentes estructuras cristalinas,
prestando especial atención a la difracción de rayos X por ser la más utili-
zada.
75
INTRODUCCIÓN AL CONOCIMIENTO DE LOS MATERIALES Y SUS APLICACIONES
2.2. ESTADO SÓLIDO
El estado sólido de la materia se caracteriza por el grado de orden que

presenta cada sólido en su estructura interna. Según este orden interno, los
sólidos se clasifican en cristalinos y amorfos.
Son sólidos cristalinos aquellos cuyos átomos o iones se ordenan for-
mando una determinada estructura interna que se repite sistemáticamente
en todo el material, dando lugar a un orden de largo alcance. En la figura
2.1 se representa en el plano este tipo de orden, en la que los puntos repre-
sentan los átomos, iones o moléculas que se repiten sistemáticamente,
mientras que en la figura 2.2 se representa en el espacio este ordenamien-
to mediante un modelo de esferas rígidas, formado a partir de la agrupa-
ción atómica básica inicial (núcleo que se encuentra en la parte inferior
izquierda de la figura 2.2) que crece al repetirse en el espacio.
Figura 2.1.
Sólidos cristalinos son los materiales metálicos; la inmensa mayoría de

los materiales cerámicos, aunque con estructuras cristalinas que van desde
las más sencillas hasta las que son muy complejas, como por ejemplo las
que presentan los silicatos; y ciertos materiales poliméricos que son par-
cialmente cristalinos, dado que la complejidad de sus estructuras internas
no les permite alcanzar un orden de largo alcance, resultando que muchos
76
ESTRUCTURA INTERNA DE LOS MATERIALES. SISTEMAS CRISTALINOS
Figura 2.2.
de los polímeros más comunes presentan buena parte de su volumen sin

cristalizar.
Son sólidos amorfos aquellos en los que los átomos, iones o moléculas
que los forman se encuentran desordenados o poco ordenados, por lo que
no presentan órdenes de largo alcance. En la figura 2.3 se pueden identifi-
car distintos tipos de átomos, iones o moléculas, que dan lugar a un mate-
rial amorfo, pudiéndose observar sobre el plano su carácter desordenado y
escasamente regular.
El ejemplo más característico de sólido amorfo es el vidrio, que es el
más utilizado para referirse a un material no cristalino. Los vidrios presen-
tan una composición química comparable a la de un material cerámico, si
bien también existen materiales metálicos amorfos, denominados «vidrios
metálicos», que se obtienen en condiciones muy estrictas a través de la soli-
dificación rápida, con velocidades de enfriamiento superiores a 108 °C/s, lo
que no permite su ordenamiento cristalino.
En realidad, la materia no se encuentra totalmente ordenada o desorde-
nada, lo que daría lugar a cristalinidad total o nula, sino que existe una
77
Figura 2.3.
degradación continua del orden en los materiales, induciendo diferentes

grados de cristalinidad. Así, en los materiales inorgánicos con estructura
cristalina y por tanto ordenada se repiten los átomos o los iones enlazados
entre sí, de modo que no aparecen unidades aisladas, lo que confiere a este
tipo de materiales una gran estabilidad; mientras que las débiles uniones
entre moléculas de los materiales orgánicos1 dan lugar a materiales bas-
tante inestables.
1
Materiales orgánicos: son sustancias orgánicas no metálicas formadas, fundamentalmente, por C
e H unidos mediante enlaces covalentes.
78
En general, los materiales tienen tendencia a alcanzar el estado cristali-

no por ser el más estable, si bien en teoría cualquier material cristalino
puede ser fabricado con una estructura amorfa si se solidifica con la sufi-
ciente rapidez desde el estado líquido. Hay que tener en cuenta que la velo-
cidad de enfriamiento desde el estado líquido ejerce un importante papel en
el ordenamiento atómico durante el proceso de solidificación de los mate-
riales, de modo que enfriamientos a velocidades extremadamente bajas
favorecen la formación de sólidos cristalinos.
La temperatura de fusión es la temperatura a la que se debe someterse
el material para que la energía térmica suministrada sea suficiente como
para romper todos los enlaces que dan coherencia al sólido. Los sólidos
amorfos no presentan un punto de fusión en contraste con los sólidos cris-
talinos que tienen una temperatura de fusión perfectamente definida (si
son sustancias puras) o un intervalo (cuando no lo son).
La fractura de un sólido amorfo no es plana sino que presenta forma
«concoidea», que se caracteriza por no seguir planos cristalinos y cuyos
ejemplos más significativos se dan en los vidrios, en los cristales de roca y
en algunas rocas naturales, como es el caso de la cuarcita. En la figura 2.4
se presenta la fractura por flexión de un vidrio. Por el contrario, los sólidos
cristalinos se fracturan a lo largo de los distintos planos de su estructura
cristalina, tal y como puede verse en la figura 2.5, donde se presenta una
micrografía realizada por microscopía electrónica de barrido (SEM)2 que
corresponde a la fractura de un material metálico. La gran diferencia que
existe entre ambos tipos de fractura es consecuencia del orden interno que
presentan los materiales cristalinos frente al desorden de los materiales
amorfos.
Un material cristalino puede presentarse como un solo cristal, denomi-
nándose material monocristalino o monocristal, que se identifica por su
disposición atómica perfecta, es decir sin discontinuidades a lo largo del
mismo; o como un conjunto de cristales que dan lugar a un mate-
rial policristalino, que resulta de la unión de cristales de diferente tamaño,
denominados granos, unidos a través de sus fronteras, disponiendo cada
uno de ellos de una determinada orientación cristalográfica. Las fronteras
2
SEM: son las iniciales tomadas del inglés que corresponden a microscopía electrónica de barri-
do. Mediante esta técnica se obtienen imágenes de la superficie de la muestra a través de los rayos elec-
trónicos reflejados cuando esta es barrida por un haz de electrones.
79
Figura 2.4. Figura 2.5.
de grano se caracterizan por su elevada densidad de defectos de red, fun-

damentalmente dislocaciones, que se estudian en el siguiente tema.
En la figura 2.6 se presenta una micrografía obtenida por microscopía
óptica3 que corresponde a un policristal de acero inoxidable austenítico, en
el que se pueden observar diferentes cristales con sus correspondientes
fronteras de grano, además de un buen número de inclusiones metálicas4
de distintos tamaños.
2.2.1. Tipos de sólidos cristalinos
Dentro de los sólidos cristalinos y según la naturaleza del enlace quími-

co existente entre los átomos o especies químicas que conforman el cristal,
cabe distinguir entre sólidos cristalinos metálicos, iónicos, covalentes y
moleculares.
3
Microscopía óptica: es aquella que se realiza en un microscopio óptico. Mediante esta técnica se
obtienen imágenes de la superficie de la muestra a través de los rayos luminosos que se reflejan en ella.
4
Inclusiones metálicas: son partículas extrañas incrustadas en el interior del grano del material
policristalino de diferente tamaño y morfología, principalmente óxidos, sulfuros y silicatos.
80
Figura 2.6.
Sólidos cristalinos metálicos
Los sólidos cristalinos metálicos presentan un alto empaquetamiento de

átomos unidos por enlaces de tipo metálico, que dan como resultado sóli-
dos opacos5, buenos conductores tanto eléctricos como térmicos, además
de ser dúctiles y maleables como consecuencia del carácter no direccional
del enlace metálico, presentando elevada temperatura de fusión, densidad
y dureza.
En la figura 2.7 se representan a través de redes cúbicas o hexagonales,
diferentes modos de ordenamiento de los átomos en este tipo de sólidos
cristalinos.
Sólidos cristalinos iónicos
El enlace iónico caracteriza este tipo de sólidos, que están formados por
iones ordenados en el espacio y unidos por fuerzas de tipo electrostático.
5
Sólidos opacos: son materiales impermeables a la transmisión de la luz visible.
81
Figura 2.7.
Este tipo de sólidos presenta alto punto de fusión, elevada dureza y una
cierta fragilidad, además de baja conductividad eléctrica; pueden ser trans-
parentes u opacos según la frecuencia de la radiación electromagnética a la
que estén sometidos. Un ejemplo característico de este tipo de sólidos es el
NaCl, cuya estructura se da en un buen número de materiales cerámicos.
Sólidos cristalinos covalentes
Este tipo de sólidos está constituido por átomos ordenados en el espa-

cio según las direcciones propias de los orbitales moleculares de valencia,
resultando ser sólidos muy duros y frágiles, de elevado punto de fusión y
escasa deformación plástica, todo ello debido al carácter direccional del
enlace covalente. La conductividad eléctrica varía sustancialmente de unos
a otros, de forma que el diamante es aislante eléctrico, mientras que el Si o
Ge son semiconductores. Un ejemplo típico de este tipo de materiales lo
constituye el diamante, que es una de las formas alotrópicas del C.
Sólidos cristalinos moleculares
Este tipo de sólidos se forma a partir de la ordenación de moléculas o

macromoléculas que se unen por fuerzas de tipo intermolecular, como son
las de Van der Waals, dando como resultado sólidos blandos de bajo punto
de fusión, aislantes tanto eléctricos como térmicos. En la figura 1.20 se
82
representó el ordenamiento que tiene lugar en este tipo de sólidos, mate-

riales poliméricos, que corresponde a la parte parcialmente cristalina de un
polietileno (C2H4)n, que se presenta de forma esquemática en la figura 2.8,
y en la que además se pueden observar distintas regiones amorfas.
Figura 2.8.
2.3. SISTEMAS CRISTALINOS. RED ESPACIAL
Los materiales metálicos, al igual que la inmensa mayoría de cerámicos,

se caracterizan por ser sólidos cristalinos, de forma que sus átomos se orde-
nan siguiendo un determinado «hábito cristalino». La cristalografía se
encarga de estudiar y sistematizar los diferentes sistemas cristalinos exis-
tentes, caracterizados por las distintas geometrías de la celda unidad que es
el elemento más sencillo escogido para representar a la unidad estructural.
La celda unidad se define mediante los parámetros de red: tres que
corresponden a las longitudes de sus lados a, b, c, y tres ángulos entre los
83
distintos ejes , , , tal y como se puede observar en la figura 2.9, en la que

se representan también los ejes de referencia x, y, z.
Figura 2.9.
La cristalografía establece siete sistemas cristalinos con arreglo a su

grado de simetría, siguiendo la propiedad de que «todos los cristales de una
misma sustancia presentan los mismos elementos de simetría». En la tabla
2.1 se puede observar la relación entre los parámetros de red y las distintas
geometrías de la celda unidad que caracterizan a los siete sistemas crista-
linos.
Dado que los sistemas cristalinos de mayor interés tecnológico son el
cúbico y el hexagonal, se debe observar que mientras las dimensiones del
cúbico están definidas por un único parámetro de red a, las del hexagonal
se definen por dos a y c.
Se puede considerar el cristal como una repetición de la unidad ele-
mental, celda unidad, que dispone de un determinado número de átomos
y de todos los elementos de simetría, de tal forma que repetido tridimen-
sionalmente da origen a un cristal macroscópico. La celda unidad define
la estructura del cristal mediante una determinada geometría y la posición
de los átomos en ella, repitiéndose a lo largo del espacio y dando así lugar
a la red cristalina, tal y como se representa esquemáticamente en la figu-
ra 2.10.
84
Tabla 2.1
Sistemas Relación entre Geometría de la celda
cristalinos longitudes y ángulos unidad
abc
Cúbico
90°
abc
Tetragonal
90°
abc
Ortorrómbico
90°
abc
Romboédrico
90°
abc
Hexagonal
90°; 120°
abc
Monoclínico
90°
abc
Triclínico
90°
85
Figura 2.10.
Un estudio sistemático llevado a cabo por el cristalógrafo francés

Auguste Bravais le permitió definir catorce tipos de redes cristalinas rela-
cionadas con los siete sistemas cristalográficos. En la tabla 2.2 se pueden
observar las catorce redes cristalinas de Bravais.
Por ejemplo, para el sistema cúbico existen tres redes cristalinas: la
cúbica simple, en la que los átomos se disponen en los ocho vértices del
cubo; la cúbica centrada en el cuerpo (cc), que además de presentar un
átomo en cada vértice, tiene un átomo situado en el centro del cubo; y la
cúbica centrada en las caras (ccc), en la que los átomos ocupan los ocho
vértices y los seis centros de las caras del cubo6. Las dos redes tetragonales
son la simple y la centrada en el cuerpo; las ortorrómbicas son la simple, la
centrada en el cuerpo, en las bases y en las caras; las monoclínicas son la
simple y la centrada en las bases.
6
A lo largo de este texto se utilizará la terminología española (cc) en lugar de la terminología anglo-
sajona BCC para la cúbica centrada en el cuerpo; (ccc) en lugar de FCC para la cúbica centrada en las
caras y (hc) en lugar de HC para la hexagonal.
86
Tabla 2.2. Redes cristalinas de Bravais
Tetragonal
Monoclínica
Romboédrica
Cúbica
Ortorrómbica Triclínica
Hexagonal
Es de destacar que la gran mayoría de los metales de interés industrial

cristalizan según la red cúbica centrada en el cuerpo (cc), cúbica centrada
en las caras (ccc) y hexagonal compacta (hc), definiéndose cualquier estruc-
87
tura cristalina de un metal mediante su red cristalina y los valores de los

parámetros de red.
En la tabla 2.3 se presentan, a modo de ejemplo, los diferentes tipos de
estructuras en los que cristalizan algunos metales, sus parámetros de red y
el radio atómico.
Tabla 2.3
Parámetro Radio atómico
Metal Red
de red (nm) (nm)
Cúbica centrada en las caras
Ag a 0,409 0,144
(ccc)
Al a 0,405 0,143
(ccc)
Hexagonal compacta a 0,228
Be 0,120
(hc) c 0,358
Co 0,125
(hc) c 0,407
Cúbica centrada en el cuerpo
Cr a 0,288 0,125
(cc)
Cu a 0,362 0,128
(ccc)
Fe a 0,287 0,124
(cc)
Mg 0,160
(hc) c 0,521
Mo a 0,150 0,136
(cc)
Ni a 0,352 0,124
(ccc)
Tetragonal centrada en el cuerpo a 0,583
Sn 0,151
(tc) c 0,318
Ti 0,146
(hc) c 0,468
Zn 0,133
(hc) c 0,495
Sr a 0,609 0,215
(ccc)
Cs a 0,606 0,263
(cc)
88
2.4. ISOMORFISMO Y ALOTROPÍA
Se dice que dos metales son isomorfos cuando presentan la misma

estructura cristalina. En la figura 2.11 se puede observar como Cu, Al, Ni y
Ag, entre otros, cristalizan en la red cúbica centrada en las caras (ccc), lo
que representa un ejemplo de isomorfismo.
Figura 2.11.
Cuando un metal o un no metal presenta más de una estructura crista-

lina en el estado sólido, en condiciones de presión y temperatura diferen-
tes, se dice que presenta alotropía, siendo Fe, Ti o C ejemplos representati-
vos de elementos alotrópicos. Cada una de las formas cristalinas constituye
un estado alotrópico y el tránsito de un estado a otro tiene lugar a una
determinada temperatura y presión, con variación de energía interna y de
otras propiedades, como por ejemplo la densidad.
Cada estructura cristalina lleva asociada un ordenamiento atómico
determinado que implica un cierto grado de empaquetamiento, por ello se
tendrán propiedades diferentes en función de su ordenamiento. Así, en el
caso del C, la formación de grafito tiene lugar bajo condiciones ambienta-
les en las que es estable, negro, blando y lubricante, propiedades asociadas
a su nivel de ordenamiento y al tipo de unión entre sus átomos; mientras
que la formación del diamante sólo se produce cuando la presión es muy
elevada, resultando ser transparente y enormemente duro, lo que hace
89
suponer que sus átomos se encuentran muy unidos, con un nivel de empa-
quetamiento superior al caso del grafito.
Como se puede observar en la representación mediante esferas rígidas
que se presenta en la figura 2.12, correspondiente al diamante, cada átomo
está unido a otros cuatro dentro de una red muy compacta, lo que le infie-
re las propiedades mencionadas. Mientras que en el grafito los átomos de C
se encuentran ordenados en forma de capas paralelas separadas entre sí a
distancias superiores a las existentes entre los átomos de cada capa, tal y
como se puede apreciar en la figura 2.13. La débil unión entre sus capas
atómicas facilita el deslizamiento entre ellas sin necesidad de estar someti-
do el cristal a grandes esfuerzos, confiriéndole la propiedad de excelente
lubricante.
Figura 2.12.
En general, el estado alotrópico estable a más baja temperatura se deno-

mina , y a los siguientes , , y así sucesivamente. La temperatura a la
cual se produce el cambio alotrópico se denomina «punto o temperatura
crítica».
90
Figura 2.13.
En la figura 2.14 se esquematizan los cambios alotrópicos del Fe, que

presenta estructura cristalina (cc) a temperatura ambiente, denominándo-
se Fe , pasando a 912 °C a (ccc) constituyendo así el Fe , volviendo a (cc)
a 1.394 °C como Fe y alcanzando su temperatura de fusión a 1.539 °C.
Otros ejemplos de metales alotrópicos son Co que pasa de (hc) a tempe-
ratura ambiente, a (ccc) al sobrepasar los 427 °C y Ti que pasa de ser (hc)
a temperatura ambiente, a (cc) al superar los 833 °C.
2.5. ÍNDICES DE MILLER
El interior del cristal puede considerarse como un conjunto de puntos

que coinciden con las posiciones de los núcleos de los átomos que consti-
91
Figura 2.14.
tuyen el mismo. En esta distribución cabe pensar en la existencia de planos

y direcciones cristalográficas cuyas orientaciones o direcciones, respecto de
los ejes cristalográficos o de referencia, dependen de las posiciones de los
átomos que se supone se encuentran situados o pertenecen a dichos planos
y direcciones cristalográficas.
La definición de un plano cristalográfico se hace con respecto a las
intersecciones del mismo con los ejes de referencia, mediante una notación
convencional que permite identificar cada plano de interés dentro del cris-
tal. Dos notaciones son las más usuales, la de Weiss y la de Miller, siendo
esta última la utilizada con mayor profusión en el campo de los materiales,
por lo tanto será la utilizada en este texto.
92
Los índices de Miller, que fueron aportados por el cristalógrafo británi-

co William Hallowes Miller, son una notación cristalográfica que permite
identificar a los diferentes planos y direcciones cristalográficas existentes
en un cristal.
Índices de Miller de planos cristalográficos (h k l)
Para definir un plano reticular o el conjunto de sus paralelos, se utilizan

tres índices de Miller (h k l), según los siguientes pasos:
• Se determinan las intersecciones del plano con los ejes cristalográfi-
cos, de tal forma que el plano no debe contener a ninguno de los ejes.
Las intersecciones se expresan en función del parámetro de red que,
independientemente del valor que tenga, se asocian a la unidad.
• Se calculan los recíprocos de los números resultantes.
• Se buscan los números enteros más pequeños que se encuentren en la
misma relación que los recíprocos.
• Se expresa la notación de Miller para el plano considerado.
Para su mejor comprensión se presenta, a modo de ejemplo, el cálculo
de los índices de Miller del plano reticular sombreado de la figura 2.15.
Figura 2.15.
93
Dado que el plano sombreado corta en el infinito a los ejes x y z, mien-

tras que al eje y lo corta en la distancia unidad (parámetro de red), se obtie-
nen siguiendo el procedimiento anterior los distintos valores que se pre-
sentan en la tabla 2.4.
Tabla 2.4
Procedimiento x y z
Intersección 1
Recíprocos 1/ 1/1 1/
Números 0 1 0
Índices de Miller (010)
Luego (010) es la notación de Miller para el plano del sistema cúbico

considerado en este ejemplo. Esta notación informa de su situación geo-
métrica dentro del cristal y representa no sólo al plano correspondiente en
la celda unidad, sino a todo el conjunto de planos paralelos en el cristal.
Es evidente que si un plano cristalográfico es paralelo a uno de los ejes
de referencia, su intersección será en el infinito y por tanto su índice de
Miller respecto a ese eje será 0. Asimismo, si la intersección se produce en
la parte negativa de un eje su índice será negativo.
Ejercicio 2.1. Determinar los índices de Miller de los planos que se presentan,
mediante las letras A, B, C, D y E, en la figura 2.16.
Figura 2.16.
94
SOLUCIÓN. En primer lugar debe situarse el sistema de referencia o ejes cristalo-

gráficos de tal forma que para determinar los índices de Miller de cada uno de los
planos, este no debe estar contenido en los mismos. En las figuras 2.17a, b, c, d y
e se representan los planos de este ejercicio, así como sus correspondientes índices
de Miller.
Figura 2.17a.
Figura 2.17b.
95
Figura 2.17c.
Figura 2.17d.
96
Figura 2.17e.
Ejercicio 2.2. Determinar los índices de Miller de los planos cristalográficos

representados en la figura 2.18.
Figura 2.18.
SOLUCIÓN. En las figuras 2.19a, b, c y d se representan los planos correspondientes

al ejercicio, así como sus correspondientes índices de Miller.
97
Figura 2.19a.
Figura 2.19b.
98
Figura 2.19c.
Figura 2.19d.
99
Índices de Miller de direcciones cristalográficas [uvw]
De igual manera que existen planos cristalográficos dentro del cristal,

también se tienen direcciones cristalográficas y por lo tanto será necesario
su notación mediante índices de Miller, que se obtienen de una forma direc-
ta determinando las coordenadas del vector cuyo origen corresponde al ori-
gen de coordenadas, representándose dentro de un corchete los valores
correspondientes.
En la figura 2.20 se presentan algunos ejemplos de direcciones cristalo-
gráficas.
Figura 2.20.
Igual que para los planos cristalográficos, la notación de Miller para las
direcciones cristalográficas indica no sólo una dirección dentro de la celda
unidad, sino también la de las familias de direcciones paralelas dentro del
cristal.
Los índices de Miller presentan otras notaciones referidas a planos y
direcciones equivalentes. Así {h k l} representa una familia de planos equi-
valentes, entendiéndose por equivalentes aquellos que tienen la misma den-
sidad atómica superficial, distribución atómica e índices de Miller en valor
absoluto.
En la figura 2.21 se representan sombreados todos los planos de la fami-
lia {100} que son los que corresponden a la base superior (001), a la base
inferior (001苶), al lateral derecho (010), al lateral izquierdo (01
苶0), a la cara
苶00). Es decir: {100} (100) (010) (001)
anterior (100) y a la cara posterior (1
苶00)(01
(1 苶0)(001 苶).
100
Figura 2.21.
Igualmente, 具 uvw典 representa una familia de direcciones cristalográfi-

cas equivalentes, lo que significa igual densidad atómica lineal, distribu-
ción atómica e índices de Miller en valor absoluto.
En la figura 2.22 se representan, mediante distintos vectores, las seis
direcciones cristalográficas correspondientes a los ejes de referencia tanto
Figura 2.22.
101
en sentido positivo como negativo, designándose mediante paréntesis angu-

lares:
苶00] [01
具 100典 [100][010][001] [1 苶0] [001
苶]
Una relación importante, que solo se da en el sistema cúbico, es que los

índices de Miller de las direcciones y de los planos reticulares perpendicu-
lares entre sí tienen los mismos valores. En la figura 2.23 se representa
esquemáticamente esta situación, que sólo se produce para el plano (110) y
la dirección [110].
Figura 2.23.
Índices de Miller-Bravais del sistema hexagonal
En la figura 2.24 se presenta el sistema de coordenadas de cuatro ejes

de la celda unidad del sistema hexagonal. Tres de ellos a1, a2 y a3 se sitúan
en el plano basal, formando ángulos de 120° entre cada uno de ellos; al eje
perpendicular al plano basal se le denomina z y se encuentra localizado en
el centro de la celda unidad. Los parámetros de la celda unidad son a y c,
donde a corresponde a la longitud del lado del hexágono en el plano basal
y c la altura del prisma en la dirección del eje z.
102
Figura 2.24.
El sistema de Miller-Bravais se emplea con el fin de que en los cristales

con simetría hexagonal, tanto los planos como las direcciones tengan los
mismos índices, siendo (hkil) la notación para planos y [hkil] para direc-
ciones. Los índices h, k y l se calculan de la misma manera que en el siste-
ma cúbico. La suma de los índices h y k tiene el valor de i cambiado de
signo: i (h k). Esta igualdad permite obtener el cuarto índice en la
notación Miller-Bravais.
A continuación se presenta el cálculo de los índices de Miller-Bravais
para tres planos diferentes que se encuentran sombreados en la figura 2.25,
Figura 2.25.
103
así como su correspondencia con la notación de Miller, que se encuentran

en las figuras 2.25 a, b y c.
Figura 2.25a.
Figura 2.25b.
104
Figura 2.25c.
En el ejemplo que se presenta en la figura 2.26 se indican los índices de

Miller-Bravais de tres direcciones cristalográficas, siguiendo el mismo pro-
cedimiento de obtención que para los índices de Miller.
Figura 2.26.
105
2.6. REDES CRISTALINAS DE LOS METALES
Los tipos de redes cristalinas más frecuentes en los metales son la red
cúbica centrada en el cuerpo, la red cúbica centrada en las caras y la hexa-
gonal compacta, representando casi el 90% de los mismos, siendo del orden
del 70% los metales que cristalizan en el sistema cúbico.
La celda unidad es un concepto ideal, ya que el cristal se encuentra for-
mado por un conjunto de celdas unidas entre sí y que por lo tanto compar-
ten aristas, vértices y planos. Por ello, cada átomo que se encuentra en un
vértice de una determinada celda estará compartido por varias celdas a la
vez. Cada celda, en función del tipo de red, contendrá un determinado
número de átomos del metal y por tanto una masa que relacionada con el
volumen de la celda, definido a su vez por los parámetros reticulares, per-
mite calcular la densidad del metal.
En la figura 2.27 se puede observar la celda unidad de una estructura
cúbica centrada en las caras (ccc), mediante la representación de los áto-
mos por esferas rígidas, teniendo en cuenta las consideraciones anterior-
mente planteadas, lo que permite una mejor observación del nivel de ocu-
pación (empaquetamiento) de la celda unidad por parte de sus átomos.
Figura 2.27.
106
En el caso de los materiales que cristalizan en el sistema hexagonal, su

distribución atómica no sigue la red de Bravais que se encuentra en la tabla
2.2, sino que lo hace según una red más compleja, ya que presenta tres áto-
mos más que se sitúan en un plano a la mitad del valor del parámetro c, lo
que proporciona un mayor nivel de compactación. Esta estructura cristali-
na se denomina hexagonal compacta (hc), representándose esquemática-
mente en la figura 2.28.
Figura 2.28.
2.6.1. Densidad teórica y parámetros de red
El cálculo de la densidad teórica de un sólido metálico viene dado por

la siguiente expresión:
n Ma
Densidad teórica
NV
donde:
n, número de átomos de la celda unidad.
107
Ma, masa atómica del metal.

N, constante/número de Avogadro (6,023 1023 átomos/mol).
V, volumen de la celda unidad.
Cuando el sólido metálico cristaliza en el sistema cúbico, la densidad

teórica viene dada por la expresión:
n Ma
Densidad teórica
N a3
siendo a el parámetro reticular.
Mientras que para un cristal que cristaliza en el sistema hexagonal, la

densidad teórica es:
n Ma
Densidad teórica
3 兹3苶
N a2c
2
donde a y c son los parámetros reticulares.
Red cúbica centrada en el cuerpo (cc)
Para efectuar el cálculo del número de átomos de esta red hay que tener
en cuenta que los átomos se sitúan en los vértices y en el centro del cubo.
Por ejemplo V, Cr, Mo, Fe( ) y W presentan este tipo de red que se repre-
senta de forma esquemática en la figura 2.29.
El número de átomos n de esta celda unidad se calcula como sigue:
Átomos de los vértices (1/8) 8 1

Átomo centrado en el cuerpo 1
Total átomos/celda unidad 2
2 Ma
En este caso, la densidad teórica será igual a
N a3
108
Figura 2.29.
Red cúbica centrada en las caras (ccc)
Al calcular el número de átomos de esta red se tendrá en cuenta que los

átomos ocupan los vértices y los centros de las caras del cubo, lo que da lugar
a un apilamiento más compacto que en el sistema (cc), siendo esta red carac-
terística de metales tales como Al, Cu, Ni, Co, Pt, Ag, Au, Fe , entre otros.
En la figura 2.30 se representa de modo esquemático este tipo de red
cúbica, con el fin de observar el total de átomos que se encuentran en la
celda unidad.
Figura 2.30.
109
El número de átomos de la celda unidad se calcula como sigue:
Átomos de los vértices (1/8) 8 1

Átomos centrados en las caras (1/2) 6 3
Total átomos/celda unidad 4
4 Ma
Por lo tanto, su densidad teórica será igual a
N a3
Red hexagonal compacta (hc)
Para calcular el número de átomos de la red hexagonal compacta se

debe tener en cuenta que los átomos ocupan los vértices de un prisma hexa-
gonal regular, los centros de las bases y el plano intermedio del prisma,
dando lugar a un apilamiento muy compacto, característico de metales
como Mg, Zn, Be, Co, Zr, Ti . En la figura 2.31 se esquematiza este tipo de
celda unidad.
Figura 2.31.
El número de átomos de la celda unidad se presenta en la tabla 2.5.
110
Tabla 2.5. Total de átomos/celda unidad 6

Átomos vértices (1/6) 6 1
Base superior Átomos totales 1,5
Átomos centrados (1/2) 0,5
Átomos vértices (1/6) 6 1
Base inferior Átomos totales 1,5
Átomos centrados (1/2) 0,5
Plano intermedio Átomos plano intermedio =3
6 Ma
Por tanto, la densidad teórica será:
3 兹3苶
N a2c
2
2.6.2. Radio atómico y parámetros de red
Si se supone que las cortezas electrónicas son esféricas y que los átomos
se encuentran en las posiciones de equilibrio de la red cristalina corres-
pondiente, se puede considerar como radio atómico del elemento a la mitad
de la distancia interatómica, ya que los átomos se suponen tangentes entre
sí como consecuencia de la compactación, de forma que se puede relacio-
nar con el parámetro de red correspondiente.
En la red (ccc) la compactación máxima se produce según la diagonal
de la cara del cubo, es decir para la familia de direcciones cristalográficas
具110典. En este caso el radio atómico es la cuarta parte de 兹2 苶, tal como se
puede ver en la figura 2.32. En definitiva:
a 兹2苶
Ra
4
En dicha figura se encuentra representada la dirección cristalográfi-

ca [110].
En la red (cc), la compactación máxima se produce según la diagonal
principal del cubo, es decir la familia de direcciones cristalográficas 具111典,
resultando que:
a 兹3苶
Ra
4
111
Figura 2.32.
En la figura 2.33 se representa la dirección cristalográfica [111].
Figura 2.33.
En la red (hc) la compactación máxima se produce en el lado del hexá-

gono tal y como se puede observar en el esquema de la figura 2.34, por lo
que:
a
Ra
2
112
Figura 2.34.
2.6.3. Índices de coordinación
La distribución de los átomos en la celda unidad tiene gran importan-

cia, tanto para la formación de aleaciones como en la propia deformación
del material, por lo que conocer el índice de coordinación y el factor de
empaquetamiento es de gran interés.
El índice de coordinación IC es el número de átomos que equidistan de
uno y son sus vecinos más próximos. Observando las celdas unidad que se
presentan en la figura 2.35, y rodeándolas de celdas adyacentes se deduce
que el IC de la red (cc) es 8, tal y como se puede observar en la figura 2.35,
en la que el átomo central equidista de los ocho átomos ubicados en los vér-
tices de la celda, que son sus vecinos más próximos. Así mismo, el IC de la
red (ccc) es 12, ya que se puede encontrar un átomo equidistante a otros
doce que son sus vecinos más próximos.
El índice de coordinación de la red hexagonal compacta es 12, siempre
que la relación de parámetros c/a (altura del prisma hexagonal/arista de la
base) sea igual a 1,633. Algunos metales que cristalizan en este sistema pre-
sentan ciertas desviaciones de este valor. Así por ejemplo, en el Cd y en el
Zn es mayor que 1,633 lo que indica cierta deformación, átomos alargados
113
Figura 2.35.
en la dirección de c; mientras que en el Mg, Co, Zr, Ti o Be la relación es

menor que 1,633, lo que pone de manifiesto una cierta compresión en la
dirección de c. Estos hechos dan lugar a que el índice de coordinación sea 6.
2.6.4. Factor de empaquetamiento
El factor de empaquetamiento o de compactación Fc se define como la

relación entre el volumen que ocupan los átomos y el volumen de la celda
unidad, y viene dado por:
冢冣
4
n R3a
3
Fc
Vcelda
siendo n el número de átomos de la celda unidad.

En el caso de la red (cc), el 68% de la celda unidad está ocupada por dos
átomos y el 32% restante se encuentra vacío, mientras que en la celda (ccc)
los cuatro átomos ocupan el 74% del espacio por lo que su estructura es
más compacta, siendo la máxima que se puede conseguir al ocupar el espa-
cio de la celda unidad con esferas rígidas del mismo tamaño. En la estruc-
tura (hc) los seis átomos de la celda unidad presentan un factor de empa-
quetamiento de 0,74 que es el mismo que en la estructura (ccc).
114
Tanto la estructura (hc) como la (ccc) se forman mediante apilamientos

regulares de planos compactos, diferenciándose únicamente en la secuen-
cia con la que se produce el empaquetado de los mismos, de modo que en
la (ccc) es en el cuarto plano cuando se produce la coincidencia con el pri-
mero, mientras que en la (hc) ocurre lo mismo en el tercer plano. Estas dife-
rencias en la secuencia de empaquetamiento inducen importantes cambios
en las propiedades de los materiales.
Ejercicio 2.3. Calcular cuál de las dos redes (ccc) y (cc) presenta mayor factor de
compactación. Suponiendo que un metal presenta un cambio alotrópico de (cc) a
(ccc) a la temperatura T, calcular la variación de volumen asociada a dicha trans-
formación.
SOLUCIÓN. Cálculo del factor de empaquetamiento para cada una de las redes:
Red (ccc):
El número de átomos por celda es de 4.
El parámetro de red es a.
a兹苶2
El radio atómico y el parámetro de red están relacionados según: Ra .
4
Por lo tanto, el factor de empaquetamiento es:
冢冢冣冣
4 a兹2
4
3
Fc 0,74
4
苶 3
3
a
Red (cc):
El número de átomos por celda es de 2.

El parámetro de red es a.
a兹3苶
El radio atómico y el parámetro de red están relacionados según: Ra .
4
115
Por lo tanto el factor de empaquetamiento es:
冢冢a兹3苶
冣冣
3
4
4
3 4
Fc 0,68
a3
En consecuencia, la red (ccc) tiene un grado mayor de empaquetamiento que la

red (cc).
Para pasar de una red (cc) a una (ccc) a una determinada temperatura
se debe calcular el número de átomos de cada red, así como sus corres-
pondientes radios atómicos para conocer el volumen que ocupan los áto-
mos en cada una de las redes. En la figura 2.36 se representa de forma
esquemática el paso de un tipo de red a otro, y en la tabla 2.6 los volúme-
nes que ocupan los átomos de ambas redes.
Figura 2.36.
Supuesto que el radio atómico permanece constante, la variación de

volumen experimentado en la transformación alotrópica será:
V 6,16R3a 5,66R3a 0,50R3a
V
冢冣
0,50R3a
100 8,2%
Vcc 6,16R3a
116
Tabla 2.6
Red (cc) Red (ccc)
N.o átomos 2 4
a 兹3苶 a 兹2苶
Radio atómico Ra Ra
4 4
4Ra 4Ra
Parámetro de red a a
兹3苶兹2苶
2 4
Volumen por átomo Vátomo 6,16Ra3 Vátomo 5,66Ra3
4Ra 3
冢冣
4Ra 3

兹3苶
冢

兹2苶
冣
Por lo tanto, la contracción de volumen experimentada en esta trans-
formación, al pasar de una red (cc) a una red (ccc), se debe a la distribu-
ción o empaquetamiento de los átomos en la red (ccc), que como se sabe
presenta mayor compactación que la (cc).
Ejercicio 2.4. Justificar la relación entre los parámetros a y c de forma que se cum-
pla la siguiente relación: c/a 1,633 en la red hexagonal compacta (hc).
SOLUCIÓN. En la figura 2.37a se recuerda la estructura de la celda unidad de la red

(hc), mientras que la estructura de dicha celda se representa de modo esquemáti-
Figura 2.37a. Figura 2.37b.
117
co en la figura 2.37b, con la finalidad de obtener la relación geométrica solicitada.

Se puede observar que la distancia entre los átomos
a
O y C es el doble del radio atómico (se recuerda que Ra para este tipo de red).
2
Los cálculos para alcanzar dicha relación son los siguientes:
c
CO a; CP
2
兹苶
冪a莦莦
冢冣
2
2 2 a a 3
PO DO 2

3 3 2 3
冪莦莦莦 a兹3
冢
苶
冣冪莦23
2
CP 兹C
苶O
苶苶2 苶
苶O
P苶2 → CP a2 a
3
c
a
2 冪莦23 → ac 1,633
2.6.5. Densidades atómicas y parámetros de red
Dada la necesidad de conocer la densidad atómica en los planos reticu-

lares, ya que está relacionada directamente con la deformación plástica del
material, es por lo que se calcula la densidad atómica planar (hkl), que se
define como la relación entre el número de átomos a los que corta el área
de un determinado plano dividido por esa área.
Ejercicio 2.5. Calcular las densidades atómicas de los planos (110) y (111) de las
redes (cc) y (ccc).
SOLUCIÓN. En la figura 2.38 se encuentran representados tanto la red (cc) como las
distancias entre centros de átomos para los planos (110) y (111). Lo mismo se pre-
senta en la figura 2.39, para la red (ccc). En las tablas 2.7 y 2.8 se presentan las den-
sidades atómicas calculadas para cada tipo de red.
118
Red (cc):
Figura 2.38.
Tabla 2.7
Planos (110) (111)
o
N. átomos vértices (1/4) 4 1 (1/6) 3 0,5
o
N. átomos centro 1 0
N.o átomos total/superficie 2 0,5
2 átomos 0,5 átomos
Densidad atómica del plano (110) (111)
2a2 a2 兹苶
3

2
Red (ccc):
Figura 2.39.
119
Tabla 2.8
Planos (110) (111)
N.o átomos vértices (1/4) 4 1 (1/6) 3 0,5
N.o átomos lados (1/2) 2 1 (1/2) 2 1
o
N. átomos total/superficie 2 1,5
2 átomos 1,5 átomos
Densidad atómica del plano (110) (111)
2a2 a2 兹苶
3

2
Con el fin de conocer la densidad atómica de ciertas direcciones en la

estructura cristalina es por lo que se estudia la densidad atómica lineal
[uvw], que se define como la relación entre el número de átomos cortados a
través de sus diámetros por una determinada longitud de línea en la direc-
ción requerida, y la longitud determinada por esa línea.
Ejercicio 2.6. Calcular la densidad atómica lineal correspondiente a las direccio-

nes cristalográficas [110] y [111] de las redes (cc) y (ccc).
SOLUCIÓN. En la figura 2.40 y en la 2.41 se presentan los esquemas necesarios para

resolver el ejercicio, y en las tablas 2.9 y 2.10 se presentan los distintos resultados.
Red (cc):
Figura 2.40.
120
Tabla 2.9
Direcciones [110] [111]
N.o átomos vértices (1/2) 2 1 (1/2) 2 1
N.o átomos centro 0 1
o
N. átomos total/longitud 1 2
1 átomo 2 átomos
Densidad atómica lineal [110] [111]
a 兹2
苶 a 兹3
苶
Red (cc):
Figura 2.41.
Tabla 2.10
Direcciones [110] [111]
o
N. átomos vértices (1/2) 2 1 (1/2) 2 1
N.o átomos centro 1 0
o
N. átomos total/longitud 2 1
2 átomos 1 átomo
Densidad atómica lineal [110] [111]
a 兹2
苶 a 兹3
苶
En la tabla 2.11 se presentan aquellos planos y direcciones de máxima

densidad atómica para cada uno de los sistemas cristalográficos más carac-
terísticos de los materiales metálicos.
Los planos y direcciones cristalográficas de máxima densidad atómica
desempeñan un papel fundamental en el mecanismo de deformación plás-
121
Tabla 2.11. Planos y direcciones de máxima densidad atómica

(cc) (110) [111]
(ccc) (111) [110]
(hc) (0001) 苶0]
[112
tica de los materiales, ya que los átomos se encuentran a mayor distancia

entre planos y en consecuencia, la probabilidad de deslizamiento es mayor.
Los deslizamientos de planos causantes de la deformación plástica siguen
direcciones de máxima densidad atómica. Un plano y una dirección de
máxima densidad conforman lo que se denomina sistema de deslizamiento.
Las estructuras (hc) y (ccc) son más compactas que la (cc), observándo-
se que los planos (111) de la (ccc) y los planos (0001) de la (hc) tienen un
orden de empaquetamiento idéntico. Tridimensionalmente ambas estruc-
turas no son iguales, ya que existen diferencias en el orden de apilamiento
de los planos. La estructura (cc) no es compacta y no dispone de planos
compactos, siendo el plano más denso el (110). Sin embargo, sí presenta
direcciones de máxima compactación [111], que son las perpendiculares al
plano (111).
2.6.6. Distancia entre planos reticulares y parámetros de red
En el sistema cúbico, la distancia entre dos planos con los mismos índi-
ces de Miller viene dada por la siguiente expresión:
a
d(hkl)
兹苶
h2 k2苶
l2
donde a es el parámetro de red.

La distancia d representa el espacio entre dos planos paralelos cercanos,
deduciéndose de la anterior expresión que los planos con menores índices
son los más separados. Desde el punto de vista puramente geométrico, se
cumple que los planos cuyos átomos están dispuestos de una manera más
compacta son los que presentan mayor distancia interplanar. En la figura
2.42 se puede observar como en el caso a), al tener un grado de compaci-
dad superior al caso b), su distancia interplanar es mayor.
122
Figura 2.42.
En la figura 2.43 se representa la proyección de tres planos (110) de un

cristal cúbico, resaltando en negrita el correspondiente al sombreado en la
celda unidad, con la finalidad de determinar la distancia entre ellos, en fun-
ción del parámetro de red y de sus índices de Miller, mediante la aplicación
de la expresión anterior.
Figura 2.43.
123
Conocida la distancia interplanar a través de técnicas experimentales

como por ejemplo difracción de rayos X, es posible obtener valores carac-
terísticos del material, tales como los parámetros de red, el radio atómico
o la densidad.
Ejercicio 2.7. Una probeta de un acero inoxidable se somete a un análisis de difrac-

ción de rayos X con el fin de determinar su red cristalina, encontrándose que la dis-
tancia entre los planos (111) es de 0,21 nm. Determinar el tipo de red, sabiendo que
los parámetros de red del Fe y del Fe son 0,286 y 0,363 nm, respectivamente.
SOLUCIÓN:
a a
d(hkl) 0,210 nm
兹苶
h k苶
2 2
l 2
兹苶3
a 0,363 nm ⬅ a Fe
Luego la red corresponde a la del Fe , que es cúbica centrada en las

caras (ccc), por lo que se trata de una acero inoxidable austenítico, ya que
este es el único de los aceros inoxidables que presenta este tipo de red.
2.7. INTERSTICIOS EN LAS REDES CRISTALINAS
Los espacios interatómicos libres dentro de la red cristalina se denomi-

nan intersticios. En ellos se pueden alojar no sólo impurezas sino elemen-
tos de aleación cuyos volúmenes sean del orden del tamaño de los intersti-
cios. En la figura 2.44 se pueden observar los intersticios en la celda unidad
de una red (ccc).
Los átomos se distribuyen de forma diferente en cada tipo de red cris-
talina, generando espacios intersticiales de diferentes tamaños y de distri-
bución variable. Por ejemplo, en la red (ccc) el mayor intersticio se encuen-
tra en el centro geométrico del cubo, tal y como se puede observar en la
figura 2.45.
124
Figura 2.44.
Figura 2.45.
En la red (cc) los intersticios son más pequeños, estando el mayor de

ellos situado en el centro del tetraedro formado por los dos átomos de los
vértices de un lado de la celda unidad y los átomos centrados en el cuerpo
de dicha celda y la situada inmediatamente encima de ella. En la figura 2.46
se representa el esquema de uno de los posibles tetraedros.
125
Figura 2.46.
Ejercicio 2.8. Calcular el diámetro máximo de los átomos que pueden alojarse en
los intersticios de las redes (cc) y (ccc).
SOLUCIÓN. El intersticio mayor de una red (ccc) se representa en la figura 2.47.
Figura 2.47.
126
donde D y R son el diámetro y el radio del elemento base, y d es el diámetro del

intersticio, por lo que:
AB D 兹2
苶
d AB 2R D 兹2
苶 D 0,41D
d
0,41
D
El diámetro máximo de los átomos que pueden alojarse en el intersticio

considerado dependerá del diámetro del elemento base y de la relación
anterior.
El intersticio mayor de la red (cc) se representa en la figura 2.48.
Figura 2.48.
donde R es el radio del elemento base y r es el radio del intersticio.
a
AB
4
r AC R
127
a
AC 兹苶
(CB)2 苶
(AB苶
)2, CB
2
a 兹3苶
R
4
兹苶
冪莦
冢冣莦
冢莦冣 4
2 2
a a 3 a
r
2 4
Por lo tanto, la relación entre los radios/diámetros quedará:
r d
0,29
R D
Así, el diámetro máximo de los átomos que pueden alojarse en el inters-

ticio considerado dependerá del diámetro del elemento base y de la relación
anterior.
2.8. TÉCNICAS PARA CARACTERIZAR ESTRUCTURAS INTERNAS
El conocimiento de la estructura interna de los materiales requiere el

empleo de diferentes técnicas experimentales que permitan obtener infor-
mación en el orden microscópico, naturaleza y fuerza del enlace, paráme-
tros de red, entre otros; además de la determinación de las composiciones
químicas, temperaturas críticas, transformaciones, etc. En la tabla 2.12 se
presentan distintas técnicas que se utilizan para caracterizar las estructu-
ras internas de los materiales.
Tabla 2.12. Caracterización de estructuras internas
Técnicas espectroscópicas Espectroscopía infrarroja, IR
Espectroscopía de resonancia magnética nuclear, RMN
Análisis térmico diferencial, DTA
Calorimetría diferencial de barrido, DSC
Análisis térmico
Análisis termogravimétrico, TGA
Análisis termomecánico, TMA
Difracción de rayos X
Técnicas de difracción Difracción de electrones
Difracción de neutrones
128
2.8.1. Técnicas espectroscópicas
A lo largo de estos temas se ha conocido la importancia que tiene la

naturaleza del enlace tanto en las propiedades como en la clasificación de
los materiales. Un aspecto a considerar en los enlaces químicos es la vibra-
ción continua de los átomos adyacentes producida por uno o varios modos
de vibración. Las técnicas espectroscópicas se basan en detectar la absor-
ción o emisión de radiaciones electromagnéticas de ciertas energías, rela-
cionándolas con los niveles que presentan las distintas transiciones cuánti-
cas que pueden tener lugar, lo que permite realizar análisis, tanto de una
manera cuantitativa como cualitativa.
Si las energías que interesan se encuentran por encima de la luz visible
se utiliza la espectroscopía ultravioleta o de rayos X; no obstante, la vibra-
ción de átomos adyacentes implica energías relativamente bajas y por
tanto, la espectroscopía de infrarrojos (IR) es la más utilizada, junto a otras
espectroscopías como la de espín electrónico o resonancia magnética
nuclear (RMN).
Espectroscopía infrarroja, IR
Como su propio nombre indica, está relacionada con la parte infrarroja

del espectro electromagnético7. La técnica más común es una forma de
espectroscopía de absorción, dándose su mayor aplicación en el control de
calidad de materiales poliméricos, ya que permite conocer el grado de poli-
merización de este tipo de materiales.
Espectroscopía de resonancia magnética nuclear, RMN
Es una técnica que permite analizar muchas estructuras moleculares, ya

que algunos núcleos atómicos sometidos a la acción de un campo magnéti-
co externo absorben radiación electromagnética en la región de las radio-
frecuencias y dado que la frecuencia exacta de esta absorción depende del
7
Espectro electromagnético: es un espectro que abarca todas las radiaciones que van desde los
rayos gamma, 103 nm, hasta las de radiofrecuencia, 105 m.
129
entorno de esos núcleos, se puede utilizar para la determinación de la

estructura de las moléculas en donde se encuentren esos núcleos. Es nece-
sario, para utilizar esta técnica, que los núcleos presenten un momento
magnético distinto de cero, condición que cumplen aquellos núcleos que
tienen número másico8 y número atómico impar. Esta es una técnica de
amplia aplicación en bioquímica, siendo complementaria de la cristalogra-
fía de rayos X, al permitir estudiar la estructura tridimensional de las molé-
culas en fase líquida.
Ejercicio 2.9. Entre dos niveles de energía situados entre sí a 10 eV y representa-

dos en la figura 2.49, se produce una transición electrónica con emisión de radia-
ción. Determinar la región espectral a la que corresponde. Datos: h 6,6256 10-34
J s; c 2,9979 108 m/s; 1 eV 1,6 10-19 J.
Figura 2.49.
SOLUCIÓN. Según la teoría de la física ondulatoria se sabe que:
c
donde c es la velocidad de la luz; la longitud de onda y la frecuencia. Por otro

lado, la ecuación de Planck es:
E h
En la que h es la constante de Planck.
Luego:
8
Número másico: representa la suma de protones y neutrones que se encuentran en el núcleo del
átomo.
130
hc

E
6,625 1034 Js 2,9979 108 m/s

1,24 107 m 124 nm
1,6 1018 J
Resultando que la transición de energía corresponde a una emisión de

radiación que se encuentra en el ultravioleta cercano.
2.8.2. Análisis térmico
El análisis térmico engloba el conjunto de técnicas analíticas que per-

miten el estudio del comportamiento térmico de los materiales, como con-
secuencia de las variaciones que durante los procesos térmicos experimen-
tan en su estructura y en su composición química, tales como fusión,
solidificación, cristalización, oxidación, etc. En la práctica, el análisis tér-
mico hace referencia a la medida en el estado sólido de las propiedades físi-
cas, químicas y mecánicas del material en función de la temperatura.
Las técnicas de mayor aplicación en el campo de los materiales se enu-
meran en la tabla 2.13.
Tabla 2.13. Técnicas de análisis térmico

Técnica Propiedad medida
Análisis térmico diferencial, DTA Temperatura
Calorimetría diferencial de barrido, DSC Entalpía
Análisis termogravimétrico, TGA Masa
Análisis termomecánico, TMA Deformación
Análisis térmico diferencial, DTA
Aplicando esta técnica se puede conocer la diferencia de temperatura

entre la muestra en estudio y el material de referencia, en función del tiem-
po o de la temperatura, cuando se les somete a un programa de temperatu-
ra bajo atmósfera controlada. De esta forma se conoce la temperatura a la
131
que tiene lugar el cambio energético y si el proceso resulta ser endotérmi-

co o exotérmico.
Calorimetría diferencial de barrido, DSC
Es una técnica cuantitativa que permite conocer la temperatura a la que

tiene lugar el cambio energético en el proceso en estudio, así como el calor
involucrado en el mismo.
Si es de flujo de calor, se mide su variación entre la muestra y la refe-
rencia cuando se somete a las muestras a un programa de temperatura bajo
atmósfera controlada. Si es de potencia compensada, se miden las com-
pensaciones de potencia efectuadas para que tanto la muestra en estudio
como la referencia se mantengan a la misma temperatura, al someter a
ambas a un programa de temperatura bajo atmósfera controlada.
Análisis termogravimétrico, TGA
Se basa en la medida de la variación de la masa de una muestra some-

tida a un programa de temperatura bajo atmósfera controlada. Se utiliza
acoplándola a otras técnicas, tales como (DTA) o (DSC).
Análisis termomecánico, TMA
En esta técnica se mide la deformación de una probeta cuando se la

somete a una fuerza constante de tracción, compresión o flexión, a la vez
que a un programa de temperatura en atmósfera controlada.
2.8.3. Técnicas de difracción
Las técnicas de difracción generan información indirecta sobre la

estructura interna del material mediante los patrones de difracción que
producen, los cuales proporcionan características cristalinas tales como
tipo de red, tamaño o parámetro de red, posición o distribución de los áto-
mos, etc.
132
La aplicación de la difracción al estudio de materiales implica longitu-

des de onda de las radiaciones electromagnéticas utilizadas del orden de
0,1 nm, ya que se corresponden con las magnitudes existentes, tales como
parámetros de red o distancias entre planos en las redes cristalinas y per-
miten que la radiación electromagnética pueda introducirse en el interior
del cristal y dar lugar al fenómeno de difracción. En este orden de magni-
tud se encuentran los rayos X, electrones y neutrones.
La difracción de cristales se realiza con difractómetros que están cons-
tituidos básicamente por una fuente generadora de radiación de una deter-
minada longitud de onda, la cual incide sobre la muestra a analizar, reco-
giéndose los haces de radiación difractados sobre el detector que registra
los patrones de difracción.
En la figura 2.50 se representa de modo esquemático el fenómeno de
difracción que experimenta un haz incidente por los planos paralelos situa-
dos entre sí a una distancia d. El ángulo de incidencia es y debe ser igual
al de salida, ya que si no es así la radiación emergente no estaría en fase,
dando lugar a su anulación por interferencia.
Figura 2.50.
La condición necesaria para que las ondas emergentes estén en fase es

que la diferencia de camino recorrido entre ellas sea múltiplo de la longi-
tud de onda de la radiación.
De acuerdo con la figura 2.50 la diferencia de caminos entre ambas
ondas es igual a la suma de los segmentos AB BC 2d sen . La ley de
133
Bragg se cumple cuando un haz de rayos incide sobre la familia de planos

paralelos (hkl) de un cristal con un ángulo , y la onda reflejada por el
segundo plano recorre un camino mayor que la onda reflejada por el pri-
mer plano, dado por ABC.
ABC 2d sen
donde d es la distancia entre los planos (hkl).

Para la mayor parte de los ángulos , las ondas de los planos adyacentes
están desfasadas, causando interferencia destructiva. Sin embargo, las
ondas estarán en fase siempre que se cumpla:
2d sen 2, 3, …
La condición para la producción de líneas de difracción se conoce como

Ley de Bragg:
n 2d sen
de la que se deduce la distancia entre planos (hkl) y como consecuencia de

ello el parámetro de red, el radio atómico, así como otros característicos del
material.
Difracción de rayos X
La radiación de onda corta conocida como rayos X tiene básicamente la

misma naturaleza que la luz o radiación visible. Existen diferentes tipos de
técnicas de difracción de rayos X, pero en todos los casos el resultado es un
patrón de difracción cuyo análisis e interpretación requiere de una base de
datos de patrones de referencia, clasificados según la línea más intensa
para el valor de d.
Mediante la difracción de rayos X también es posible estudiar distintos
aspectos de los materiales, tales como dilatación térmica9, naturaleza de las
soluciones sólidas, fases de una aleación, ablandamiento, endurecimiento,
tensiones en los granos, etc.
9
Dilatación térmica: es una propiedad que indica el grado de dilatación de un material cuando se
calienta. Sus unidades son las recíprocas de la temperatura.
134
Difracción de electrones
Es posible realizar diagramas de difracción con electrones mediante la

generación de los mismos desde una fuente de electrones y su posterior ace-
leración al aplicar una diferencia de potencial determinada. Su longitud de
onda viene dada por la diferencia de potencial aplicado, lo que permite con-
trolar la energía del haz.
La técnica de difracción de electrones se aplica a muestras para el estudio
de estructuras, que deben ser películas muy finas o muestras extraordinaria-
mente diluidas, como son los gases. En definitiva y gracias a la posibilidad de
controlar la energía del haz, la difracción de electrones es diferente a la de
rayos X y a la de neutrones, ya que no se limita solamente al estudio de la geo-
metría de las moléculas en los cristales, sino que lo hace también en gases.
Entre otras muchas aplicaciones, la difracción de electrones permite el
análisis de superficies e investigación de películas originadas por la corrosión.
Difracción de neutrones
Dado que los neutrones presentan longitudes de onda próximas a 0,1 nm,
deben disponer de velocidades muy elevadas. Para ello se necesitan fuentes
capaces de producir neutrones con ese nivel de velocidades, lo que se con-
sigue produciéndolos en los reactores nucleares.
Este tipo de difracción presenta la ventaja, frente a los rayos X, de detec-
tar con excelente precisión la posición de los átomos ligeros como son el
hidrógeno y el deuterio10. Además, permite obtener información sobre las
características magnéticas de los sólidos.
Ejercicio 2.10. Se irradia una muestra de Cr (cc) con rayos X cuya longitud
de onda es 0,154 nm, incidiendo sobre los planos (110) del mismo. Calcular el
ángulo de incidencia de Bragg para una difracción de primer orden. Datos del Cr:
Ma 52,01; 7.190 kg/m3.
10
Deuterio: es un isótopo del H (2H), cuyo núcleo está formado por un protón y un neutrón, sien-
do su número másico 2.
135
SOLUCIÓN. Tal y como se puede apreciar en la figura 2.51, el número de átomos por
celda unidad es de 2.
Figura 2.51.
冪莦莦
2 Ma 2 52,01
a 0,289 nm
N a3 7,19 6,023 10 23
a 0,289
d(hkl) 0,204 nm
兹苶
h k苶
2 2
l 2
兹苶2
n 2d sen
Luego, para una difracción de 1 orden, n 1.

0,154
sen
2 2,204
0,154
arc sen 22°11'27''
2 2,204
Ejercicio 2.11. El Ti presenta a temperatura ambiente una red (hc) cuyos pará-
metros son a 0,2956 nm y c 0,483 nm. A 880 °C experimenta un cambio alo-
trópico, pasando a una red (cc) realizando una difracción de rayos X con una lon-
gitud de onda de 0,0709 nm y un ángulo de incidencia de 8°3744 sobre los planos
(110). Evaluar la variación de volumen experimentada por el Ti al calentarse por
encima de 880 °C.
SOLUCIÓN:
n 2d sen
n 0,0709
d 0,236 nm
2 sen 2 sen 8,629
136
a a
d
兹苶
h k苶
2 2
l 2
兹苶2
acc 0,236兹2
苶 0,333 nm
Vcc 0,037 1027 m3 por cada 2 átomos ⇒
⇒ x 3 11,07 1029 m3 por cada 6 átomos
冢冣
a
6a 兹3
苶
2
Vhc c 10,60 1029 m3 por cada 6 átomos
2
Vcc
Vhc ⇒ aumento de volumen
137
NO
OLVIDE
QUE...
✔ La característica que diferencia a los materiales cristalinos de cualquier
otro tipo de materiales es que su estructura interna agrupa a átomos o
iones según un modelo de repetición periódica.
✔ La estructura del cristal queda definida mediante el conocimiento de la

geometría, simetría, dimensiones y número de átomos de su celda uni-
dad.
✔ Las direcciones y los planos que son perpendiculares entre sí tienen los
mismos índices de Miller en el sistema cúbico.
✔ La inmensa mayoría de los materiales tecnológicos cristalizan en las

redes (cc), (ccc) y (hc). De las características específicas de cada una de
ellas se deducen los parámetros de red, la densidad, el radio atómico, el
factor de empaquetamiento, los planos y direcciones de máxima densi-
dad atómica. Información que permite la mejor comprensión de las
propiedades y en consecuencia de su comportamiento.
138
2.9. CUESTIONES Y EJERCICIOS
1. Relacione el estado sólido amorfo y cristalino con los materiales de uso

general.
2. ¿Qué diferencias más significativas existen entre los materiales amor-
fos y cristalinos?
3. ¿Qué se entiende por monocristal y por policristal?
4. ¿Cómo se define un sistema cristalino y una red cristalina?
5. El Mg presenta una red (hc) cuyo parámetro de red es de 0,321 nm.
¿Está bien definida la red?
6. El Al presenta una red cúbica cuyo parámetro de red es de 0,405 nm.
¿Está bien definida la red?
7. ¿Es correcta la siguiente afirmación?: Ni, Cr y Al son metales isomorfos.
8. Realice un esquema en función de la temperatura de los estados alo-
trópicos del Fe.
9. Cuando algunos de los índices de Miller correspondiente a la notación
de planos cristalográficos es cero ¿qué significado geométrico tiene?
10. Determine los índices de Miller de los planos cristalográficos que se
presentan en la figura 2.52.
Figura 2.52.
139
11. Determine los índices de Miller de las direcciones cristalográficas que

se presentan en la figura 2.53.
Figura 2.53.
12. ¿Cuáles son los índices de Miller de un plano en una red (ccc) que pasa
por y 1/2; z 1 y es paralelo a x? ¿Qué cantidad de átomos contiene
dicho plano?
13. El Ti cristaliza en el sistema (hc), con parámetro de red a 0,295 nm.
¿Cuántos átomos tienen la celda unidad?
14. ¿Cuántos átomos hay en 1 mg de Al metal?
15. Represente en el espacio las siguientes notaciones de Miller.
苶) [113] [2
(103) (230) (111 苶31] (112
苶0) (101
苶1)
16. El W cristaliza en una red (cc) y parámetro de red a 0,31648 nm y

densidad de 19300 kg m3. Calcular: a) su masa atómica, b) su volu-
men atómico, c) su radio atómico.
17. La celda unidad del Al es (ccc), su masa atómica 26,97 g/mol y su den-
sidad 2699 kg m3. Calcular: a) parámetro de red, b) factor de empa-
quetamiento, c) densidad atómica superficial de los planos (100) y (110).
140
18. La distancia entre los planos (220) de un metal (cc) es de 0,2336 nm.
¿Cuál es el parámetro reticular y el radio atómico del metal?
19. El Pt cristaliza en una red (ccc) y un parámetro reticular de 0,393 nm.
Calcule su Ra.
20. ¿Cuál es la densidad del Pb (ccc), si el parámetro reticular es de 0,495
nm y su masa atómica de 207,19 g/mol?
21. ¿Qué índices de Miller les corresponderán a las direcciones cristalográ-
ficas perpendiculares a los planos cristalográficos (111), (110) y (100)?
22. Calcule las densidades atómicas superficiales de los planos más carac-
terísticos de las redes cúbica centrada en el cuerpo (cc) y cúbica cen-
trada en las caras (ccc).
23. Calcule las densidades atómicas lineales de las direcciones más carac-
terísticas de las redes cúbica centrada en el cuerpo (cc) y cúbica cen-
trada en las caras (ccc).
24. Justifique qué red presenta mayor empaquetamiento ¿La cúbica cen-
trada en el cuerpo (cc) o la cúbica centrada en las caras (ccc)?
25. ¿Qué red cúbica presenta mayor cantidad de intersticios y cuál es la
que presenta el menor?
26. ¿Por qué se utilizan los rayos X para el estudio y caracterización de las
redes cristalinas?
27. ¿Qué tipo de información de los materiales se obtiene de las diferentes
técnicas de análisis térmico?
28. Un metal cristaliza en el sistema (hc) cuyos parámetros reticulares son
0,2978 y 0,5617 nm, respectivamente. Calcule el factor de empaqueta-
miento y la densidad atómica superficial de los planos (0001) y (101苶0).
29. Calcule el diámetro máximo de los átomos que pueden alojarse en los
intersticios de las redes (cc) y (ccc).
30. Estime la relación entre parámetros reticulares de los metales isomor-
fos: Ti, Zr, Mg, Co, Zn y Cd y clasifíquelos según su posible plasticidad.
En la tabla 2.14 se presentan los valores de los parámetros de red de
estos metales.
141
Tabla 2.14. Parámetros de red

a (nm) c (nm)
Magnesio 0,3209 0,5209
Cinc 0,2665 0,4947
Cadmio 0,2973 0,5618
Cobalto 0,2507 0,4069
Titanio 0,2950 0,4683
Circonio 0,3231 0,5148
142
Tema 3
Defectos en la estructura cristalina.
Solidificación de metales
3.1. Introducción
3.2. Imperfecciones cristalinas
3.3. Defectos de punto
3.3.1. Defectos puntuales intrínsecos. Vacantes
3.3.2. Defectos puntuales intrínsecos. Intersticiales
3.3.3. Defectos puntuales extrínsecos
3.4. Difusión en el estado sólido
3.4.1. Mecanismos de difusión
3.4.2. Leyes de Fick
3.4.2.1. Primera ley de Fick. Flujo estacionario
3.4.2.2. Segunda ley de Fick. Flujo no estacionario
3.4.3. Factores que influyen en la difusión
3.5. Defectos de línea. Dislocaciones
3.5.1. Tipos de dislocaciones
3.5.2. Caracterización de dislocaciones. Vector de Burgers
3.6. Deformación de cristales
3.7. Defectos de superficie
3.8. Solidificación y cristalización de metales
3.8.1. Proceso de solidificación/cristalización
3.8.2. Fronteras de grano
3.8.3. Morfología de los granos. Metalografía
3.9. Solidificación direccional
3.10. Solidificación rápida. Sinterización

3.11. Defectos producidos durante la solidificación
3.12. Técnicas para la inspección de defectos
3.13. Cuestiones y ejercicios
144
3.1. INTRODUCCIÓN
En este tema se estudiarán dos grandes bloques que permitirán al estu-

diante acercarse al mundo real de los materiales metálicos. Por una parte se
determinan los defectos que inexorablemente existen en las estructuras cris-
talinas, fundamentalmente originados durante la solidificación del material,
aunque muchos de ellos también se forman y desarrollan durante su utiliza-
ción al ser sometidos a todo tipo de esfuerzos. Por otra parte se analizan los
procesos de solidificación y cristalización de los materiales metálicos.
La imposibilidad de obtener materiales que no contengan un cierto
nivel de impurezas químicas hace que, al estar presentes en solución sóli-
da, se altere la estructura regular que en teoría constituiría el material puro.
Al margen de las impurezas, existe un gran número de defectos en la pro-
pia estructura cristalina, lo que origina una importante pérdida del orden
idealmente establecido al constituirse el cristal. Estos defectos pueden ser
puntuales, cuyos exponentes más significativos son las vacantes y los inters-
ticiales; lineales, caracterizados por la formación de dislocaciones que jue-
gan un importante papel en las propiedades mecánicas de los materiales
metálicos; o de superficie, cuyo ejemplo más característico es la frontera de
grano que separa unos cristales de otros en los materiales policristalinos.
El tema concluirá con una sucinta exposición de los defectos macroscó-
picos originados durante la solidificación de los metales, así como de las
técnicas más usuales de inspección de los mismos.
3.2. IMPERFECCIONES CRISTALINAS
La estructura cristalina perfecta en realidad no existe, ya que contiene

diferentes tipos de defectos o imperfecciones de red que destruyen su perio-
145
dicidad y con ello la ubicación ideal de los puntos homólogos del retículo.
Los defectos o imperfecciones en los materiales repercuten directamente
sobre sus propiedades.
Las imperfecciones o defectos cristalinos se clasifican según su geome-

tría y forma en:
• Defectos de punto.
• Defectos de línea.
• Defectos de superficie.
La existencia de estos defectos condiciona el comportamiento general

del material. Por ejemplo, la presencia de defectos de punto permite el
movimiento de átomos mediante el mecanismo de difusión que tiene lugar
durante los tratamientos térmicos; la existencia de defectos de línea facili-
ta la deformación plástica del material y la resistencia a la corrosión se rela-
ciona con la presencia de defectos de superficie.
3.3. DEFECTOS DE PUNTO
Los defectos de punto son los defectos cristalinos más sencillos y se rela-
cionan directamente con los nudos de la red. Este tipo de defectos se origi-
na en una primera etapa durante la solidificación del material, bien por la
posición incorrecta de un átomo en un lugar no adecuado del cristal o por
la ausencia de alguno de ellos en su correspondiente posición de equilibrio.
Además, los cambios de temperatura que tienen lugar durante los calenta-
mientos y enfriamientos del material dan lugar a fluctuaciones en la ener-
gía interna de los átomos lo que provoca su difusión interna, desplazándo-
los de sus posiciones de mínima energía. Por otra parte, también pueden
originarse durante su procesamiento mediante forja, laminación, extru-
sión, etc.
Según su naturaleza los defectos puntuales se clasifican en intrínsecos y

extrínsecos, agrupándose los intrínsecos en las categorías de vacantes o de
intersticiales; mientras que dentro de los extrínsecos se encuentran defec-
tos sustitucionales, además de los intersticiales.
146
DEFECTOS EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA. SOLIDIFICACIÓN DE METALES
3.3.1. Defectos puntuales intrínsecos. Vacantes
Por su carácter intrínseco, se trata de defectos inherentes a la propia red

del material cristalino. Una vacante se produce cuando un átomo no ocupa
su posición de equilibrio en la red, dejando por tanto un hueco en la misma
y generando una distorsión en su entorno. En la figura 3.1 se esquematiza
este tipo de defectos antes y después de que la red se distorsione. En la
parte izquierda se presenta la vacante en un plano de la red no distorsiona-
do, apreciándose únicamente el hueco, vacante, sin que los átomos adya-
centes se hayan visto afectados; mientras que en la parte derecha, como
consecuencia de la existencia de la vacante, los átomos adyacentes se apro-
ximan entre sí para ocupar el hueco generado por la misma, dando lugar a
la distorsión de los planos próximos.
Figura 3.1.
En estado de equilibrio, el número de vacantes que existe en un con-

junto de N átomos por unidad de volumen depende de la temperatura,
pudiéndose calcular mediante la siguiente expresión:
n N e(Ev/kT)
siendo: n, número de vacantes por unidad de volumen

N, número de átomos por unidad de volumen
147
Ev, energía de formación de la vacante (en los metales ⬇ 1 eV)

k, constante de Boltzmann (8,62 105 eV/K)
T, temperatura en K
En buena parte de los metales, la relación entre el número de vacantes
y el de átomos que ocupan correctamente sus posiciones es del orden de
104. Las vacantes que se producen fundamentalmente durante la defor-
mación plástica del metal o mediante variaciones rápidas de temperatura
tienen tendencia a agruparse, dando lugar a la formación de multivacantes
o vacantes múltiples. Las vacantes pueden difundirse a través del cristal
intercambiando posiciones con los átomos, siendo este fenómeno más acu-
sado cuanto más elevada es la temperatura.
3.3.2. Defectos puntuales intrínsecos. Intersticiales
El intersticio es el espacio libre entre los átomos que forman el cristal.

Como es lógico, este espacio intersticial es mucho menor que el propio
volumen del átomo que forma la red, por lo que si un átomo se sitúa de
forma anómala en uno de los espacios interatómicos genera un defecto
puntual de naturaleza intersticial, provocando una zona deformada por dis-
torsión expansiva de los planos cristalográficos que le rodean, tal y como se
puede observar en la figura 3.2, en la que se presenta un esquema de este
tipo de defectos.
Figura 3.2.
148
Este tipo de defectos es poco frecuente como consecuencia del impedi-

mento que el tamaño de los intersticios impone. Se trata de un defecto
intrínseco al material, aunque también puede inducirse en el material
mediante irradiación neutrónica.
3.3.3. Defectos puntuales extrínsecos
Se trata de defectos puntuales de naturaleza externa, consecuencia de la

presencia de átomos de impurezas o extraños al metal base en la red cris-
talina. Si las impurezas se sitúan en los intersticios de la red se denominan
intersticiales. Así, los átomos de elementos de pequeño radio atómico pue-
den alojarse fácilmente en los intersticios sin apenas provocar distorsión en
la red del material, como ocurre en el caso de los no metales H, O, N o C y
de metales como por ejemplo B, cuyos radios atómicos oscilan entre 6,5 y
11,7 nm.
Si la impureza sustituye u ocupa una posición de equilibrio de la red del
metal se considera un defecto sustitucional. Para que esto ocurra la impu-
reza debe tener un tamaño, carga y estructura similar al sustituido. En
cuanto al tamaño, la diferencia entre los radios atómicos de ambos tipos de
átomos no debe superar el 15%. Con respecto a la carga, se requiere que la
diferencia de electronegatividades sea mínima. Por último, para que la
solubilidad en estado sólido sea completa, ambos tipos de elementos deben
presentar estructuras cristalinas similares. En la figura 3.3 se pueden obser-
var de forma esquemática.
A modo de ejemplo se estudian los diferentes tipos de defectos que pue-
den tener lugar al combinarse elementos como Cu, Ni, C, y Fe, cuyos radios
atómicos y electronegatividades se presentan en la tabla 3.1.
Tabla 3.1
Elemento Cu Ni C Fe
Electronegatividad 1,90 1,91 2,55 1,83
Radio atómico (nm) 15,7 16,2 9,1 17,2
Observando la tabla 3.1 se deduce que Cu y Ni pueden sustituirse recí-

procamente en sus respectivas redes, dado que tanto sus electronegativida-
149
Figura 3.3.
des como sus radios atómicos son muy similares y por tanto, si se produce
una aleación entre ambos esta será una solución sólida sustitucional, tal y
como se estudiará en el tema siguiente; mientras que el C será siempre
intersticial en el Fe, puesto que el radio atómico del C es inferior al del Fe,
lo que generará soluciones sólidas intersticiales o también compuestos
intermetálicos, debido a la diferencia de electronegatividades entre ellos.
Figura 3.4.
150
Por otra parte se han caracterizado otros tipos de defectos puntuales,

que son más habituales en los materiales cerámicos, tales como el de
Schottky, que se define como un par de defectos vacante-intersticio, de
manera que se produce la ausencia de los átomos/iones en sus posiciones
de equilibrio; o el de Frenkel, obtenido mediante irradiación con partículas
nucleares, que asocia un par vacante-intersticio de modo que la especie
ocupante del intersticio se sitúa en el intersticio contiguo, generando así un
defecto doble. En la figura 3.4 se presenta un esquema en el que se pueden
observar ambos tipos de defectos.
Ejercicio 3.1. El Na tiene una energía de formación de vacantes de 1 eV. Calcular

el número de vacantes intrínsecas por m3 a 300 K.
Datos:
Ma (Na) 23
Red (cc)
a 0,428 nm
k 1,38 1023 JK1
1 eV 1,602 1019 J
SOLUCIÓN. El número de vacantes por unidad de volumen en función del número

de átomos por unidad de volumen se expresa como:
n N e(Ev/kT)
donde:
Número de átomos por celda en red (cc) 2

Volumen de la celda (0,428 109)3 7,84 1029 m3
Número de átomos/m3 2,55 1028
Resultando que:
1,602 1019 J
n 2,55 1028 e
冢 1,38 10

23
JK1 300 K 冣 3,90 10
11
vacantes/m3
151
3.4. DIFUSIÓN EN EL ESTADO SÓLIDO
La movilidad de las moléculas, iones o átomos se entiende bien en el

estado líquido o gas, pero quizás no tanto en el estado sólido. Pues bien,
también los átomos pueden desplazarse internamente en el estado sólido,
viéndose favorecido este movimiento por la existencia de vacantes e inters-
ticiales que son susceptibles de moverse a través de la red, aunque a veloci-
dades mucho más lentas que las que tienen lugar en el estado líquido. Por
todo ello, para que exista difusión en estado sólido se requiere la presencia
de defectos puntuales en la red.
La difusión puede ser definida como el mecanismo de desplazamiento o
migración de átomos a través de la red cristalina, por la acción de fuerzas
de tipo físico o químico. Es decir, es un fenómeno de transporte que tiene
lugar por el movimiento de los átomos en la red, bien por el mecanismo de
migración de vacantes, que no producen distorsión en la estructura crista-
lina, o bien por un mecanismo intersticial que induce un movimiento de
naturaleza aleatoria en la migración atómica.
La difusión en los materiales metálicos y sus aleaciones es particular-
mente importante, debido por un lado a la naturaleza de su enlace quími-
co no dirigido y por otro a las vibraciones térmicas existentes en el sólido y
a la presencia de los defectos puntuales, siendo de importancia menor o
nula en materiales cerámicos y poliméricos.
Muchos son los procesos industriales basados en el fenómeno de difu-
sión; entre los más destacados se encuentran los tratamientos térmicos y
los tratamientos superficiales, siendo otro ejemplo significativo el dopado
de semiconductores.
3.4.1. Mecanismos de difusión
Los átomos pueden desplazarse por el interior de la red cristalina si la

energía de activación proporcionada por vibración térmica es suficiente y
si existen defectos de red del tipo vacantes o intersticiales para establecer el
camino de la difusión. En los metales, las vacantes siempre están presentes
y dispuestas a facilitar la difusión sustitucional de los átomos, aumentando
su número (n) a medida que se eleva la temperatura.
152
La difusión es un proceso térmicamente activado ya que la velocidad del

proceso aumenta de modo exponencial con la temperatura, según la
siguiente ecuación general:
Q

v De RT
donde:
D, es una constante independiente de la temperatura
Q, es la energía de activación
R, es la constante de los gases
T, es la temperatura absoluta.
La energía de activación Q es la barrera energética que hay que superar
para que tenga lugar el proceso de difusión. Por lo tanto, sólo tendrá lugar
este mecanismo cuando la activación térmica del sistema, consecuencia de
la temperatura aplicada, supere dicha barrera.
Un primer mecanismo de difusión tiene lugar mediante la migración de
vacantes, de tal forma que un átomo puede desplazarse desde su posición
de equilibrio hasta la vacante más próxima, siempre que disponga de la
energía de activación suficiente, generándose un flujo de vacantes en senti-
do contrario a su desplazamiento, tal y como se representa de forma esque-
mática en la figura 3.5.
Figura 3.5.
153
El otro mecanismo de difusión corresponde a los intersticiales, de modo

que las impurezas o elementos de aleación intersticiales pueden desplazar-
se a través de los intersticios de la red cristalina siempre que alcancen la
energía de activación suficiente. Los intersticiales más idóneos son aquellos
que presentan radios atómicos pequeños; tal es el caso del H, C, N, B, etc.
En la figura 3.6 se presenta de forma esquemática el movimiento de átomos
intersticiales en este proceso.
Figura 3.6.
Dado que la energía de activación procede de las fluctuaciones de ener-

gía que origina la agitación térmica, los átomos en los materiales metálicos
vibran en torno a sus posiciones de equilibrio unas 1012 veces por segundo.
A temperaturas elevadas el mecanismo de difusión permite que un átomo
salte de su posición hasta 108 veces por segundo, por lo que incluso en cris-
tales perfectos se produce el desplazamiento de átomos mediante el inter-
cambio de dos átomos vecinos, todo ello a través de mecanismos de auto
difusión.
3.4.2. Leyes de Fick
Las leyes que regulan matemáticamente la difusión en el estado sólido

se deben a Adolf Eugen Fick, fisiólogo alemán que desarrolló las leyes sobre
la difusión para estudiar el flujo sanguíneo.
Se considera una barra de metal como la representada de forma esque-
mática en la figura 3.7, cuya concentración volumétrica de defectos C, varía
154
a lo largo del eje x. Si se aumenta la temperatura, al cabo de cierto tiempo

la concentración de defectos se igualará por desplazamiento o difusión de
los mismos, en sentido de mayor a menor concentración, de forma que aun-
que cualquier átomo tiene la misma probabilidad de moverse de forma ale-
atoria en cualquier dirección, serán los gradientes de concentración de los
distintos defectos los que establezcan el flujo neto de los distintos defectos.
Según sea la naturaleza del flujo de defectos (estacionario o no estaciona-
rio), se establecen las dos leyes de Fick.
Figura 3.7.
3.4.2.1. Primera ley de Fick. Flujo estacionario
Cuando la concentración de defectos es constante con el tiempo se con-

sidera régimen o flujo estacionario. En la figura 3.8 se representan dos sec-
ciones de la barra de un metal formado por planos cristalográficos cuyas
concentraciones en defectos son C1 y C2, siendo C1
C2, en función de la
distancia x1 x2.
En estas condiciones se establece un flujo neto de átomos o defectos
desde el plano de mayor concentración al de menor concentración, defini-
do por la «1.a ley de Fick» mediante la expresión:
dC
J D
dx
155
Figura 3.8.
siendo J, el flujo o número de átomos o defectos que atraviesa la unidad de

área en la unidad de tiempo (n.o át/m2s). Es decir, velocidad de difusión que
冢冣
dC n.o át l
se debe al gradiente de concentración y D, el coeficiente
dx m3 m
de difusión o número de átomos que atraviesa una sección unidad en
la unidad de tiempo, cuando el gradiente de concentración es la unidad
(n.o át m2/s). También se le conoce como difusividad.
El signo negativo indica que la difusión se desarrolla desde elevadas a
bajas concentraciones de defectos/átomos.
El estado estacionario, en el que permanecen invariables las condicio-
nes con el tiempo, no tiene lugar en los materiales de mayor aplicación en
ingeniería, mientras que sí lo tiene cuando el régimen es no estacionario.
3.4.2.2. Segunda ley de Fick. Flujo no estacionario
El flujo no estacionario se presenta cuando la concentración de defectos

varía con el tiempo, siendo este el caso más general en ingeniería de mate-
riales. Un ejemplo se tiene cuando se difunde C a través de la superficie de
una pieza férrea, en la cual la concentración varía con el tiempo en cual-
quier punto conforme se desarrolla el mecanismo de difusión.
156
La «2.a ley de Fick» regula la difusión en las condiciones mencionadas y

en las que el coeficiente de difusión es independiente del tiempo:
∂Cx ∂ ∂Cx
D
∂t ∂x ∂x 冢冣
Si se supone que el coeficiente de difusión es independiente de la con-
centración, la expresión anterior adopta esta otra forma:
∂Cx ∂2Cx
D
∂t ∂x2
Una de las soluciones tecnológicas de esta ecuación es de suma utilidad

para el estudio y resolución de casos prácticos de los procesos de difusión
en ingeniería de materiales. Se trata del caso en que se considera la difu-
sión de defectos por la superficie del sólido cuando la concentración de la
especie (generalmente átomos de C, N, etc) que se difunde a través de la
misma es constante Cs.
Sea una barra sólida cuya concentración inicial en el elemento que se
difunde es C0. Transcurrido un tiempo de difusión t, la concentración del
elemento difundido en la dirección x también cambiará hasta alcanzar el
valor Cx, siendo x la distancia a la superficie, tal y como se representa en el
esquema de la figura 3.9.
Figura 3.9.
La expresión de la solución tecnológica de la «2.a ley de Fick» para esta

condición adopta la siguiente forma:
Cs C x
冢冣
x
erf
Cs C 0 2 兹苶
Dt
157
El cociente que se encuentra entre paréntesis se denomina z, que corres-

ponde a la función de error gaussiana:
x
z
2 兹苶
Dt
Esta expresión permite calcular la concentración a una determinada

distancia de la superficie transcurrido un determinado tiempo, o el tiempo
necesario para alcanzar una determinada concentración. Para ello debe
conocerse el coeficiente de difusión y la función de error gaussiana (z) que
se basa en la integración de la campana de Gauss (erf), función matemáti-
ca acordada para esta solución tecnológica y tabulada en la tabla 3.2.
Tabla 3.2
z erf (z) z erf (z) z erf (z) z erf (z)
0,00 0,0000 0,30 0,3286 0,75 0,7112 1,40 0,9523
0,01 0,0113 0,35 0,3794 0,80 0,7421 1,50 0,9661
0,02 0,0226 0,40 0,4284 0,85 0,7707 1,60 0,9763
0,03 0,0338 0,45 0,4755 0,90 0,7970 1,70 0,9838
0,04 0,0451 0,50 0,5205 0,95 0,8209 1,80 0,9891
0,05 0,0564 0,55 0,5633 1,00 0,8427 1,90 0,9928
0,10 0,1125 0,60 0,6039 1,10 0,8802 2,00 0,9953
0,15 0,1680 0,65 0,6420 1,20 0,9103 2,40 0,9993
0,20 0,2227 0,70 0,6778 1,30 0,9340 2,80 0,9999
La interpolación analítica, con los datos que se presentan en la tabla 3.3,

Y y1 X x1
se realiza del siguiente modo: .
y2 y 1 x2 x1
Tabla 3.3
x y
x1 y1
X Y
x2 y2
158
3.4.3. Factores que influyen en la difusión
El coeficiente de difusión D de un sistema, cuya magnitud indica la velo-

cidad de difusión, depende de diferentes factores.
Temperatura. Cuanto mayor sea la temperatura a la que se produce la
difusión, mayor será la probabilidad de vencer las barreras de energía y por
tanto, mayor será la velocidad de difusión. Puede considerarse que un
aumento de 20 °C en la temperatura duplica el coeficiente de difusión del
sistema. La dependencia de la temperatura con la velocidad de difusión
puede aproximarse mediante la ecuación de Arrhenius:
D D0eQ / RT
siendo:
D, coeficiente de difusión del sistema (m2/s).

D0, factor de frecuencia de dimensiones análogas a D y valor del coe-
ficiente de difusión para temperatura infinita, independiente de la
temperatura.
Q, energía de activación para la difusión, que es la energía requerida
para producir el movimiento mediante difusión de un mol de átomos
(J/mol).
R, constante de los gases 8,314 J/(mol K).
T, temperatura absoluta (K).
Tanto D0 como Q tienen valores característicos para cada sistema de

difusión, presentándose algunos de ellos en la tabla 3.4.
Mecanismo de difusión. Según sea por vacantes o por intersticiales
influirá en el coeficiente de difusión. Así, el C se difunde a través de los
intersticios en el Fe, mientras que el Cu se difunde mediante vacantes en
el Al.
Concentración. La influencia de la concentración sobre la difusión se
explica, por un lado, por la variación de las fuerzas de cohesión afectadas
por la composición química del material; por otro lado por la dirección de
difusión, que no es al azar sino que transcurre en el sentido que provoca un
mayor descenso en la energía interna de red.
159
Tabla 3.4. Valores característicos de difusión

Sistemas D0(m2/s) Q(kJ/mol)
Carbono Hierro (cc) 22,0 105 122
Carbono Hierro (ccc) 2,0 10 5
142
Hierro Hierro (cc) 20,0 10 5
240
Hierro Hierro (ccc) 2,2 10 5
268
Níquel Hierro (ccc) 7,7 105 280
Cinc Cobre (ccc) 3,4 10 5
191
Cobre Aluminio (ccc) 1,5 10 5
126
Cobre Cobre (ccc) 2,0 10 5
197
Carbono Titanio (hc) 51,0 105 182
Estructura cristalina. Los diferentes factores de empaquetamiento, así

como las distancias interatómicas que presentan las diferentes redes cris-
talinas, justifican la mayor o menor facilidad de difusión o coeficiente de
difusión.
Defectos cristalinos. La difusión es mayor en las zonas con mayor
densidad de defectos cristalinos. Así por ejemplo, la difusión es mayor en
las fronteras de grano, defecto superficial, y un número de vacantes en
exceso incrementa la velocidad de difusión.
Ejercicio 3.2. Se desea realizar un tratamiento termoquímico a un engranaje de

acero consistente en introducir C a través de la superficie de la pieza por difusión,
con el fin de aumentar su contenido en C (cementación). Se parte de una compo-
sición media en C del 0,25% y se persigue obtener un contenido en C de 0,40% a 3
104 m de la superficie, teniendo en cuenta que la concentración de C en la super-
ficie de la pieza es del 1%. Calcular el tiempo necesario de tratamiento de la pieza,
si la temperatura a la que se realiza el tratamiento es de 940 °C.
En la figura 3.10 se presenta el esquema correspondiente al tratamiento de carbu-

ración o cementado.
SOLUCIÓN. En la figura 3.11 se presenta la distribución de composiciones en C de

los dientes del engranaje.
160
Figura 3.10.
Figura 3.11.
161
Es necesario conocer el coeficiente de difusión D, del sistema C en Fe (ccc) a 940

°C, para lo que se aplica la ecuación de Arrhenius:
D D0 eQ / RT
donde:
D0 2,0 105 m2/s

Q 142 kJ/mol
R 8,314 J/(mol K)
T 940 273 1.213 K
142.000

D 2,0 105 e 8,314 1.213 2,0 105 e14,08 1,53 1011 m2/s
Aplicando la solución tecnológica de la «2.a ley de Fick»:
Cs C x
冢冣
x
erf
Cs C 0 2兹苶Dt
siendo:
Cs 1%
Cx 0,40%
C0 0,25%
x 3 104 m
D 1,53 1011 m2/s
t¿
Sustituyendo los valores anteriores en la última expresión, resulta:
1 0,40 3 104
erf
1 0,25 2兹D 苶t 冢冣
3 104
0,8 erf
2兹D冢苶t 冣
0,8 erf (z)
Interpolando en la tabla 3.5, que es una parte de la 3.2.
162
Tabla 3.5
z erf (z)
0,75 0,7112
0,80 0,7421
0,85 0,7707
0,90 0,7970
z 0,8000
0,95 0,8209
1,00 0,8427
1,10 0,8802
1,20 0,9103
1,30 0,9340
Y y1 X x1 0,8000 0,7970 z 0,90

→
y2 y1 x2 x1 0,95 0,90
z 0,91
0,30 103
冢
z
2兹D苶t 冣
0,30 103
冢
0,91
2兹苶1,53 苶1011t苶冣
se obtiene que: t 1.795 s.
3.5. DEFECTOS DE LÍNEA. DISLOCACIONES
Los defectos cristalinos denominados dislocaciones son defectos aso-

ciados principalmente a la deformación mecánica. Cuando se considera el
movimiento de los átomos de un plano con respecto a otro en un cristal se
produce un cizallamiento o cortadura caracterizado por el desplazamiento
relativo de los mismos. Pues bien, los esfuerzos teóricos necesarios para
163
producir dicho desplazamiento frente a los reales discrepan fuertemente,

siendo estos últimos muy inferiores a los teóricos. Estas diferencias se jus-
tifican por la existencia de defectos lineales o dislocaciones en la red que
son los causantes de la debilidad observada.
Por ejemplo, para un metal como el Cu la tensión crítica de cortadura
teórica es del orden de 1.000 MPa, mientras que la real para deslizar planos
atómicos entre sí es de un orden de magnitud menor, 100 MPa. En la figu-
ra 3.12 se presenta de forma esquemática el deslizamiento entre dos planos.
Figura 3.12.
3.5.1. Tipos de dislocaciones
Fundamentalmente existen dos tipos de dislocaciones:

• Dislocaciones en arista o borde.
• Dislocaciones helicoidales.
En la práctica se presentan en la mayoría de los casos como una com-
binación de ambos tipos, denominándose dislocaciones mixtas.
Dislocaciones en arista
Este tipo de dislocaciones puede considerarse como un plano insertado

en el interior del cristal que provoca una deformación local de la red. En la
figura 3.13 se presentan las posiciones de los átomos después de formarse
una dislocación en arista. En ella se puede observar cómo las tres filas infe-
riores constan de cinco columnas, mientras que las tres superiores dispo-
nen de seis. Esto es consecuencia de la formación de una nueva columna a
164
Figura 3.13.
partir de la tercera fila, que es la causante de la distorsión que tiene lugar

en la red cristalina representada.
Las dislocaciones suelen designarse mediante una T invertida (⬜) que
representa el borde de un semiplano extra de átomos, pudiéndose conside-
rar como planos extras en el interior de la red del cristal.
Dislocaciones helicoidales
Este tipo de dislocaciones se puede definir como planos en forma de

escalera de caracol en el interior del cristal. Su nombre procede del apila-
miento en espiral de planos cristalinos a lo largo de la línea de dislocación
(). En la figura 3.14 se presenta de forma esquemática este tipo de dislo-
caciones, de modo que a la izquierda se puede observar el plano de desli-
zamiento por el que deslizan ambas partes del cristal, mientras que el resul-
tado de este deslizamiento, con la consiguiente formación de la dislocación
helicoidal, se presenta en la parte derecha. En ella se puede observar la
rampa del plano superior que se repite en los planos intermedios y se debe
imaginar su correspondencia hasta el plano inferior de la figura.
165
Figura 3.14.
La deformación plástica de los metales y sus aleaciones es posible gra-

cias a la existencia de las dislocaciones y a su movimiento interno, el cual
puede ilustrarse de forma esquemática mediante el «desplazamiento del
gusano» en la figura 3.15.
Es importante observar que sólo es necesario aplicar un «pequeño»
esfuerzo cortante para que la dislocación de un paso. Es decir, se desarro-
lla un cizallamiento «paso a paso» que a la larga coincidirá con la defor-
mación total producida en el cristal.
3.5.2. Caracterización de las dislocaciones. Vector de Burgers
Las dislocaciones se caracterizan mediante el vector de Burgers, deter-

minándose mediante el circuito de Burgers que se realiza «paso a paso»
alrededor de la dislocación o defecto. El cristal sin defecto tendrá un cir-
cuito de m n pasos y no será necesario cerrarlo con ningún vector, ya que
se cierra en el punto inicial. En un cristal con dislocaciones será necesario
para cerrar el circuito un vector desplazamiento de cierre bᠬ que caracteri-
za el defecto en la estructura cristalina y se denomina vector de Burgers.
Johannes Martinus Burgers fue el primero en utilizar un vector de cierre
166
Figura 3.15.
167
para caracterizar una dislocación. En la figura 3.16 se puede observar este

hecho, de modo que en la parte superior falta un espacio ⏐bᠬ⏐ para cerrar el
circuito de átomos cuando se ha producido una dislocación en arista.
Figura 3.16.
Si sólo es necesario un vector para cerrar el circuito, la dislocación será

sencilla o unitaria; por el contrario la necesidad de dos o más vectores
implica la existencia de dislocaciones múltiples. Dado que la energía de una
dislocación es función del vector de Burgers, cuanto mayor sea este vector
mayor energía será necesaria comunicar a la dislocación para que se des-
place a través del cristal.
Las dislocaciones se pueden definir también mediante las orientaciones
relativas existentes entre la línea de dislocación () y el vector de Burgers
(bᠬ). Cuando el vector de Burgers y el de la línea de dislocación son perpen-
diculares, la dislocación se define como en arista, mientras que cuando son
paralelos la dislocación es helicoidal, encontrándose representados ambos
casos en la figura 3.17. En dicha figura se puede observar el paralelismo
168
existente entre el vector de Burgers y la línea de la dislocación en la parte

izquierda (dislocación helicoidal) y la perpendicularidad que presentan
ambos en la dislocación representada en la parte derecha (dislocación en
arista).
Figura 3.17.
Como se ha mencionado anteriormente, las dislocaciones se presentan

en el cristal de forma mixta y se producen bien durante la solidificación del
material metálico, como consecuencia de la liberación de tensiones o rela-
jaciones producidas, o bien durante deformaciones posteriores de otra
índole.
Las dislocaciones se mueven con mayor facilidad en planos de máxima
densidad atómica ya que la distancia entre átomos es menor, por lo que el
deslizamiento «paso a paso» será más fácil que en los planos de menor den-
sidad atómica. En la figura 3.18 se puede observar, en la parte izquierda,
que la distancia da correspondiente a un plano de alta densidad es inferior
a la distancia db, parte derecha de la figura, que se corresponde con un
plano de baja densidad.
Las dislocaciones necesitan de planos de deslizamiento de máxima den-
sidad para moverse más fácilmente. Un plano de deslizamiento se define
mediante el vector de Burgers y la línea de dislocación. En el caso de las dis-
locaciones en arista existe sólo un plano que contenga a ambos vectores,
mientras que en el caso de las dislocaciones helicoidales cabe la posibilidad
169
Figura 3.18.
de un mayor número de planos que los contengan, lo que justifica la mayor

movilidad de las dislocaciones helicoidales frente a las dislocaciones en
arista.
En la figura 3.19 se presenta una completa representación de lo expues-
to para el sistema cristalino cúbico.
Otro factor a tener en cuenta en el mecanismo de movimiento de las dis-
locaciones es la red cristalina. Así, las dislocaciones en su movimiento pue-
Figura 3.19.
170
den cambiar de plano mediante el mecanismo denominado de movimiento

cruzado, que permite a la dislocación pasar de un plano a otro, siempre que
estos planos de máxima densidad se crucen entre sí, lo que ocurre prefe-
rentemente en la red (ccc) y (cc) en los planos (111) y (110), respectiva-
mente.
En la figura 3.20 se muestran dos de los posibles planos de máxima den-
sidad atómica de las redes (ccc) y (cc) y su intersección.
Figura 3.20.
Por otra parte, este mecanismo de movimiento cruzado no tiene lugar

en la red (hc), cuyo plano de deslizamiento es el (0001). Tal y como se
puede observar en la figura 3.21 las posibilidades de cruce son mínimas, ya
que los planos de máxima densidad atómica son paralelos. Este hecho jus-
tifica la mayor deformabilidad que presentan los materiales que cristalizan
en la (ccc) y (cc) frente a los que cristalizan en la (hc).
Otro mecanismo característico del movimiento de dislocaciones, en este
caso en arista, es el de trepado que se ve generalmente favorecido por tem-
peraturas suficientemente elevadas y que permite a las dislocaciones, en
presencia de vacantes, trepar por el cristal y salvar los obstáculos presentes
en su movimiento, tal y como se puede observar en la figura 3.22.
En la figura 3.23 se representa de forma esquemática el movimiento de
las dislocaciones a través de la red y el trepado que se produce cuando se
encuentran con un obstáculo.
171
Figura 3.21.
Figura 3.22.
En general, las dislocaciones y su movimiento tendrán un carácter posi-

tivo para el material cuando interese facilitar la deformación plástica,
mientras que será negativo si lo que interesa es aumentar la resistencia
mecánica. En cristales puros puede haber del orden de 103 dislocaciones
por cm2.
172
Figura 3.23.
Si el objetivo es aumentar la resistencia mecánica del cristal deberá blo-

quearse el movimiento de las dislocaciones mediante diferentes mecanis-
mos, como por ejemplo introduciendo partículas u obstáculos (precipita-
dos finos) en el interior del cristal que actúen de freno o impidan su
movimiento; o aumentando la densidad de dislocaciones de manera que se
autodificulten sus movimientos.
De hecho, la deformación en frío de un material metálico hace que a
medida que esta aumenta se haga más difícil la deformación del mismo
debido al importante aumento de la densidad de dislocaciones, adquirien-
do lo que se denomina en el campo de los materiales acritud. Es decir,
mayor resistencia mecánica y dureza acompañada de menor ductilidad.
3.6. DEFORMACIÓN DE CRISTALES
La deformación plástica de un cristal se produce a través del desliza-

miento de planos cristalográficos de alta densidad siguiendo direcciones
cristalográficas preferentes, de forma análoga al deslizamiento que experi-
mentan las cartas de una baraja. Existen otros mecanismos de deformación
menos probables, como es el maclaje o la combinación de ambos.
Cuando un cristal se somete a grandes esfuerzos, aparece un escalón
sobre su superficie que indica el desplazamiento relativo de una parte del
cristal respecto del resto. Si se aumenta el nivel de esfuerzo aparecerá otro
y así sucesivamente hasta la fractura del mismo. La investigación de este
comportamiento ha demostrado que el deslizamiento se produce en ciertos
planos y a lo largo de determinadas direcciones, que son los ya menciona-
173
dos planos y direcciones de máxima densidad atómica del cristal que for-
man los sistemas de deslizamiento, característicos de cada tipo de red cris-
talina. En la tabla 3.6 se presentan los sistemas de deslizamiento de las
estructuras cristalinas más comunes.
Tabla 3.6. Sistemas de deslizamiento

Estructura Plano de Dirección de Número de sistemas
Ejemplos
cristalina deslizamiento deslizamiento de deslizamiento
(ccc) (111) [110] 12 Al, Cu, Ni
(cc) (110) [111] 12 Fe, Mo, W
(hc) (0001) 苶0]
[112 3 Mg, Ti, Zn
La red (ccc) presenta 12 sistemas de deslizamiento, cuatro planos (111)

y las tres direcciones contenidas en cada uno de ellos, que son las [110]. La
gran plasticidad que presentan los materiales que cristalizan en el sistema
(ccc) se debe, por un lado al gran empaquetamiento existente en los planos
y direcciones de máxima densidad atómica, y por otro a la gran probabili-
dad que existe de que los sistemas de deslizamiento se encuentren orienta-
dos preferentemente en la dirección del esfuerzo externo y que se activen
las tensiones de cizalladura que son las causantes de la deformación del
cristal.
La red (cc) presenta peor comportamiento frente a la deformación, dado
que no dispone de sistemas de deslizamiento plenamente definidos debido
a que no existen planos totalmente compactos, aunque sí direcciones. En
este caso cualquier plano que contenga una dirección de máxima densidad
puede actuar como plano de deslizamiento.
La red (hc) sólo tiene tres sistemas de deslizamiento, un sólo plano de
máxima densidad atómica y tres direcciones contenidas en el plano, siendo
además todos ellos paralelos; por lo que no se cruzan entre sí y consecuen-
temente no se deforman con facilidad, presentando un comportamiento
poco dúctil ante la deformación.
La observación microscópica de la deformación por deslizamiento se
manifiesta mediante la aparición de bandas de deformación que se corres-
ponden con un grupo de líneas aproximadamente paralelas, consecuencia
de los escalones producidos por el deslizamiento relativo entre planos. En
174
la figura 3.24 se presenta una micrografía óptica en la que se puede apre-

ciar una elevada densidad de bandas de deformación con diferentes direc-
ciones propia de la deformación por deslizamiento.
Figura 3.24.
La deformación por maclaje es el mecanismo fundamental de la defor-

mación de ciertos cristales, sobre todo aquellos que cristalizan en la red
(hc) y en ocasiones también en (cc). Su característica es el cizallamiento de
los planos, de tal manera que los átomos desplazados frente a los no des-
plazados son imágenes especulares o simétricas respecto de un plano de
referencia, denominado plano de macla. El origen de las maclas se puede
encontrar no sólo en las tensiones mecánicas que tienen lugar durante la
deformación del material, sobre todo en los materiales cuya red es (hc) y
(cc), sino también en las tensiones térmicas, como por ejemplo durante el
recocido en los materiales cuya red es (ccc). En la figura 3.25 se presentan
maclas, tanto de forma esquemática como a través de una micrografía que
corresponde a un acero inoxidable austenítico.
175
Figura 3.25.
Las maclas se originan bajo la acción de fuerzas cortantes que cambian

la orientación de la red en la zona afectada que es un volumen determina-
do del cristal y cuya deformación es uniforme. El maclaje a su vez reorien-
ta partes del cristal favoreciendo así la deformación por deslizamiento,
siendo su manifestación microscópica una banda ancha dentro del cristal
con los bordes paralelos y dado que se ha producido una determinada reo-
rientación reticular, su evidencia es constante y no desaparece por efecto
del pulido del material.
3.7. DEFECTOS DE SUPERFICIE
Los defectos de punto y de línea se encuentran en el propio cristal o red

cristalina que crece en todas las direcciones hasta llegar a un límite, que
puede ser la propia superficie del material o la superficie entre los múltiples
cristales, también denominados granos, que constituyen el material, lo que
permite establecer los denominados defectos de superficie:
• La propia superficie del cristal o superficie libre.
• Las superficies ínter cristalinas o fronteras de grano.
La superficie libre de un cristal es en sí misma un defecto debido a que
los átomos superficiales de la red cristalina no están sometidos a las mis-
176
mas fuerzas que los interiores, ya que se encuentran con una mayor ener-
gía debido a que los enlaces de los átomos superficiales no han tenido lugar
en su totalidad, de forma que aumenta la energía superficial del cristal.
El defecto de superficie más importante en el campo de los materiales
es la frontera de grano, superficie en la que se encuentran los cristales o
granos adyacentes con diferentes orientaciones de red en un material poli-
cristalino. Es decir, formado por una gran cantidad de cristales o granos y
que representa a la inmensa mayoría de los materiales metálicos utilizados.
Los materiales monocristalinos no presentan defectos superficiales del tipo
frontera de grano, ya que están formados por un solo cristal, utilizándose
fundamentalmente en el campo de los semiconductores en la industria elec-
trónica.
En la figura 3.26a se presenta una micrografía óptica de un acero inoxi-
dable austenítico, en la que se pueden observar los bordes o fronteras de
grano. Asimismo, en la figura 3.26b se presenta una micrografía que corres-
Figura 3.26a Figura 3.26b
177
ponde a un punto triple, que es consecuencia de la confluencia de tres gra-

nos con diferentes orientaciones, obtenida por microscopía electrónica de
transmisión, TEM1.
El conocimiento de la microestructura de los materiales policristalinos
(tamaño y morfología de los cristales, fronteras de grano, precipitados,
inclusiones, etc) se alcanza una vez conocidos los mecanismos de solidifi-
cación y cristalización que se presentan a continuación.
3.8. SOLIDIFICACIÓN Y CRISTALIZACIÓN DE METALES
Los materiales metálicos pueden presentase en estado sólido, líquido,

gas y plasma, en función de la temperatura y presión a la que se encuen-
tren. En la tabla 3.7 se muestran, a modo de ejemplo, los datos correspon-
dientes al cinc.
Tabla 3.7. Estados de agregación del cinc

Estado T.a (ºC) Observaciones
Sólido 20 Las fuerzas del enlace metálico mantienen la cohesión de la
estructura cristalina.
Líquido 420 La energía absorbida provoca la ruptura de los enlaces, la
estructura cristalina desaparece, el cinc funde y se convierte
en líquido.
Gas 920 La energía aportada hace que los iones metálicos se liberen.
El metal se vaporiza y el gas es eléctricamente neutro.
Plasma 15.000 Se desprenden electrones de los átomos gaseosos convirtién-
dose en iones gaseosos.
La gran mayoría de los materiales metálicos se obtiene en la industria

por fusión y posterior solidificación hasta obtener formas acabadas, como
por ejemplo una pieza moldeada; o semiacabadas, como es el caso de
tochos bandas, etc, listas para su transformación posterior. Además, exis-
ten otros procesos industriales para fabricar piezas de materiales metálicos,
como por ejemplo la sinterización o compactación térmica de polvos de
material.
1
TEM: son las iniciales en ingles de microscopía electrónica de transmisión y corresponde a la téc-
nica que permite obtener imágenes a un elevado número de aumentos, utilizando la transmisión de una
fracción de electrones que atraviesa la muestra.
178
Conocer el proceso de solidificación reviste gran importancia ya que las

propiedades del material van a depender en gran medida de las tensiones
internas generadas durante el proceso, de la morfología de los cristales for-
mados, de su tamaño, composición química, etc.
3.8.1. Proceso de cristalización/solidificación
Se entiende por cristalización el proceso por el cual, fundamentalmen-

te, átomos y/o iones se ordenan para formar una red cristalina determina-
da, lo que tiene lugar durante la solidificación o cambio de estado líquido
a sólido.
Para que la cristalización/solidificación tenga lugar es necesario que la
temperatura descienda hasta alcanzar la temperatura de solidificación pro-
pia de cada sistema o material. A dicha temperatura la energía de los áto-
mos es lo suficientemente baja como para que las fuerzas de cohesión sean
más fuertes que las de vibración (de origen térmico), por lo que los átomos
pueden ordenarse, alinearse y formar la red cristalina correspondiente.
Este proceso tiene lugar en dos etapas:
• Nucleación de los gérmenes o embriones.
• Crecimiento de los cristales en forma de dendritas2.
En la figura 3.27 se presentan de forma esquemática ambos procesos.
Figura 3.27.
2
Dendrita: es una estructura producto del crecimiento del núcleo cristalino en forma ramificada o
arborescente que se produce durante la solidificación del líquido.
179
La nucleación es el primer proceso que tiene lugar cuando se produce el

cambio de estado de líquido a sólido mediante la formación de partículas
microscópicas (embriones) que dan lugar a los núcleos y su posterior cre-
cimiento hasta consolidar el sólido. La nucleación del sólido cristalino
puede ser homogénea o heterogénea.
Nucleación homogénea
En este tipo de nucleación los embriones se generan por el acercamien-

to entre sí de los átomos de metal presentes en el seno del líquido, dando
lugar a la formación del núcleo. Para ello se requieren elevados subenfria-
mientos, que son descensos de temperatura por debajo de la que se reque-
riría para solidificar el metal o aleación en estado de equilibrio. La veloci-
dad de enfriamiento influye directamente en el grado de subenfriamiento,
de forma que a mayor velocidad de enfriamiento, mayor será el subenfria-
miento necesario para alcanzar el estado sólido.
La nucleación homogénea de un metal puro durante la solidificación
implica cambios de dos tipos de energías; la energía libre volumétrica que
se libera por la transformación líquido-sólido y la energía superficial reque-
rida para formar las nuevas superficies de los cristales.
La ordenación sólida más elemental de átomos se denomina embrión o
germen y se desarrolla en el primer momento de la solidificación, siendo su
estado metaestable3. Es decir, aparecen y desaparecen constantemente en
el seno del líquido, hasta que algunos de ellos alcanzan un determinado
tamaño que les consolida como núcleos de solidificación estables, siendo
necesario para ello que su radio sea superior a un radio crítico. El radio crí-
tico del núcleo de solidificación homogénea se expresa como:
2Tf
r*
Hf T
siendo:
3
Estado metaestable: es un estado que, a efectos prácticos, se mantiene estable con el tiempo, pero
sin llegar a representar un verdadero equilibrio.
180
r*, radio crítico.

, energía libre superficial.
Hf, calor latente de fusión.
T, cantidad de subenfriamiento necesario para la nucleación.
Tf, temperatura de solidificación.
Ejercicio 3.3. Calcular el número de átomos de Al, con un parámetro de red (ccc)
de 0,405 nm, contenidos en un núcleo estable de solidificación cuyo radio crítico
es de 0,99 nm.
SOLUCIÓN. Se parte de la consideración: Vnúcleo número de átomos Vátomo.
Volumen de la celda de aluminio a3, luego Vcelda a3 0,066 nm3

Volumen de un núcleo de radio crítico Vnúcleo
4
Vnúcleo r*3 4,06 nm3
3
Volumen por átomo Vátomo, considerando que la red (ccc) contiene 4 átomos por
celda:
V 0,066
Vátomo celda
1,66 102 nm3
4 4
Por lo que, finalmente:
Vnúcleo
Número de átomos 245 átomos de Al
Vátomo
Nucleación heterogénea
Este tipo de nucleación tiene lugar a partir de cualquier superficie ajena

a la propia aleación o metal, como pueden ser la superficie de impurezas
presente en la aleación, o la superficie de las paredes del molde, que dismi-
nuyen la energía libre necesaria para la formación de núcleos estables. En
181
los procesos industriales no suelen darse subenfriamientos importantes, ya

que son inferiores a 10 °C, por lo que el tipo de nucleación más usual es la
heterogénea.
Para que tenga lugar la nucleación heterogénea es necesario que el agen-
te de nucleación, como puede ser una impureza insoluble o el propio
molde, sea mojado por el líquido al solidificar. La nucleación se produce
sobre el agente de nucleación ya que la energía superficial es menor que si
el núcleo se formara en el propio líquido puro y por tanto, el cambio de
energía libre total para la formación de un núcleo estable será también
menor y en consecuencia el tamaño crítico del núcleo será menor.
La velocidad de nucleación es el número de núcleos que se origina por
unidad de volumen y tiempo, condicionando el futuro del material puesto
que está directamente relacionada con la obtención de una determinada
cantidad de núcleos, los cuales se convertirán en granos o cristales. Si la
velocidad de nucleación es elevada, el número de núcleos generados es ele-
vado, de forma que al crecer los granos resultantes serán pequeños (micro-
estructura de grano fino), mientras que cuando la velocidad de nucleación
es baja, el número de núcleos es pequeño y, en consecuencia, después del
crecimiento el tamaño de grano será grande (microestructura de grano
grueso). En la figura 3.28 se representan esquemáticamente las dos posibi-
lidades mencionadas.
La velocidad de crecimiento de los cristales es la velocidad de desarro-
llo de los núcleos formados, teniendo lugar en los metales en forma den-
Figura 3.28.
182
drítica o arborescente, de modo que se intuyen los espacios interdendríti-

cos donde solidifica el último líquido presente. En la figura 3.29 se puede
observar un esquema de dendritas y de los espacios interdendríticos.
Figura 3.29.
Por tanto, el tamaño y la forma del grano del material policristalino

dependen de las velocidades de nucleación y crecimiento a las que tiene
lugar el proceso de cristalización. En la figura 3.30 se presenta el corres-
pondiente esquema del proceso de cristalización de las dendritas. De forma
que en a) se presentan los núcleos de cristalización con la incipiente for-
a) b) c)
Figura 3.30.
183
mación de dendritas, en b) el crecimiento de las dendritas y en c) la consti-

tución de los granos con sus correspondientes fronteras.
3.8.2. Fronteras de grano
Las superficies de encuentro de los cristales o granos al crecer y finali-

zar la cristalización del sólido se denominan fronteras, bordes o límites de
grano. Son regiones que presentan anchuras no superiores a unos cuantos
diámetros atómicos y sus empaquetamientos atómicos son inferiores a los
del interior del grano.
La estructura de un borde de grano a escala microscópica depende de la
orientación existente entre los granos adyacentes, tal y como puede obser-
varse en la microfotografía de la figura 3.31. Así mismo, se distingue entre
granos de ángulo pequeño (unos pocos grados) y de ángulo grande (mayo-
res de 37°), tal y como puede observarse en la misma figura, donde 1 deno-
ta un ángulo pequeño y 2 uno grande.
Figura 3.31.
184
Un borde de grano de ángulo pequeño puede estar constituido por una

serie de dislocaciones de arista localizadas dentro del plano en el que sitúa
la frontera de grano, tal y como se representa en la figura 3.32, producien-
do una desorientación pequeña entre los granos adyacentes.
Figura 3.32.
Los bordes de grano de ángulos grandes son bastante más complejos,

aunque también se puede encontrar una tendencia a presentar zonas con
cierta correspondencia entre los átomos que constituyen los granos adya-
centes. Esto significa que ciertos átomos que se encuentran a lo largo del
borde de grano son comunes a ambas redes.
185
En la figura 3.33 se presenta un borde de grano de austenita, corres-

pondiente a un acero inoxidable austenítico, obtenido mediante observa-
ción a través del microscopio electrónico de transmisión, TEM. En él se
puede ver una muestra de las dislocaciones presentes.
Figura 3.33.
Las fronteras de grano en un material metálico son las regiones de máxi-

ma energía en el material debido a la acumulación de gran cantidad de
defectos de punto, defectos lineales, impurezas, etc. Por ello, ante un medio
corrosivo, el ataque es más intenso a lo largo de las fronteras de grano que
en el resto del material. De igual manera, la fusión, transformaciones de
fase, difusiones, etc, se inician antes en las fronteras de granos que en la
matriz del cristal.
Las propiedades mecánicas de un material dependen del tamaño de
grano. Así por ejemplo, los materiales de grano fino presentan una mayor
186
resistencia mecánica que los de grano grueso, debido al impedimento que

ejercen sus múltiples fronteras de grano al movimiento de las dislocaciones
que son causantes de la deformación mecánica. Se debe recordar que la
cantidad de fronteras de grano, cuando este es de tamaño pequeño, es muy
superior a cuando el grano es grande.
3.8.3. Morfología de los granos. Metalografía
Cuando un metal solidifica en un molde de arena o metálico, se produ-

cen normalmente dos formas o tipos de granos, equiaxiales o columnares.
Cuando la nucleación y el crecimiento en el metal líquido durante el
proceso de solidificación tiene lugar de tal manera que el grano crece de
forma similar en todas las direcciones, se obtienen granos equiaxiales o sin
orientación preferente. Generalmente, se puede observar este tipo de gra-
nos cuando las condiciones de enfriamiento tienen lugar en moldes de
arena o cerca de las paredes de los moldes metálicos.
Los granos columnares presentan una orientación preferente, de forma
que el crecimiento se desarrolla predominantemente en una determinada
dirección, generalmente a partir de pocos núcleos orientados preferente-
mente y cuando existen gradientes térmicos importantes.
En la figura 3.34 se muestran las morfologías de ambos tipos de granos
obtenidos al solidificar el metal líquido en un molde metálico.
Figura 3.34.
187
Metalografía
La metalografía es una técnica que estudia la formación de las estruc-

turas de los metales y de sus aleaciones mediante técnicas de microscopía
y difracción, lo que permite el conocimiento de las diferentes microestruc-
turas, posibilitando la evaluación de las múltiples situaciones en las que
estos se pueden encontrar. La técnica más utilizada es el análisis metalo-
gráfico, cuyo esquema se presenta en la figura 3.35.
Figura 3.35.
La observación metalográfica se realiza en el microscopio óptico de

reflexión, en el que la luz incide perpendicular a la superficie de la probe-
ta, previamente pulida y químicamente atacada. De este modo, el ataque
químico pone de manifiesto la microestructura del material: cristales con
sus fronteras de grano, fases presentes, constituyentes, precipitados, inclu-
siones, etc. En este tipo de microscopio metalográfico no se pueden obser-
var las dislocaciones, por lo que es necesario recurrir a la microscopía elec-
trónica de transmisión.
En el microscopio óptico de reflexión la luz reflejada cambia de ángulo,
lo que permite visualizar los granos con distintas intensidades de luz refle-
jada, producto de sus diferentes orientaciones. Por ejemplo, las líneas oscu-
188
ras se corresponden con las fronteras de grano o de macla o con bandas de

deformación que se encuentran en el interior de los granos y no pueden
atravesar sus fronteras; cuando se observa alguna línea que atraviesa varios
granos no corresponde a la microestructura del material, sino que se trata
de un defecto originado y no eliminado durante el proceso de desbaste y/o
pulido. Los puntos oscuros de diferentes tamaños se corresponden con los
precipitados presentes en el cristal o en sus límites. En la figura 3.36 se pre-
senta el esquema correspondiente a la observación mediante un microsco-
pio metalográfico.
Figura 3.36.
Existen diferentes métodos normalizados para la determinación del

tamaño de grano una vez obtenida la micrografía. Uno de ellos es el méto-
do de patrones ASTM4 que consta de una serie de ocho patrones para ace-
ros, numerados del 1 al 8. Estos patrones se comparan con la micrografía
efectuada a los mismos aumentos (100), asignando a la misma el índice
ASTM n, correspondiente a dicho tamaño de grano. En la figura 3.37 se
presentan los 8 patrones para aceros.
4
ASTM: Son las siglas correspondientes con la normativa americana «Asociación de normaliza-
ción de ensayos de materiales».
189
Figura 3.37.
El cálculo del número de granos y el tamaño de grano medio se obtiene

aplicando la siguiente expresión:
N 15,5 2n1
190
siendo N, el número de granos por mm2 y n el índice ASTM correspondiente

a cada tamaño de grano.
Ejemplo 3.4. Se determina el tamaño de grano utilizando patrones ASTM a par-

tir de una micrografía obtenida a 100 aumentos (100). Se pide calcular el índice
de patrón que se habrá utilizado si el número de granos por mm2 es de 992.
SOLUCIÓN. Se aplica la expresión:
N 15,5 2n1
En este caso: 992 15,5 2n1 por lo que n 7.
Otro método para la determinación del tamaño de grano consiste en

acotar una región de la micrografía mediante una circunferencia de radio
Figura 3.38.
191
conocido, tal y como se puede observar en la figura 3.38. Se cuenta el

número de granos cortados n, y el número de granos interiores a ella p, y
se aplica la fórmula siguiente:
Scircunferencia
苶
Sgrano
(n 0,67p)N 2
donde N es el número de aumentos de la micrografía.
Ejemplo 3.5. Suponiendo que la micrografía anterior se ha realizado a 100

aumentos y el diámetro de la circunferencia es de 45 mm calcular el tamaño medio
de grano.
SOLUCIÓN. Tal y como se puede observar en la figura 3.39, el número de granos

interiores al círculo es de 11 y el número de granos cortados por el círculo de 14,
por lo que:
Scircunferencia (22,5)2
苶grano
S 0,007 mm2
(n 0,67p)N2
Figura 3.39.
192
3.9. SOLIDIFICACIÓN DIRECCIONAL
Su objetivo es obtener cristales o granos en una dirección preferente de

la pieza, con el fin de mejorar sus propiedades. Como ejemplo se puede
considerar la mejora del comportamiento bajo fluencia en álabes5 de turbi-
na mediante la solidificación direccional que permite dirigir los granos
columnares paralelos a la fuerza centrífuga que se presenta durante el ser-
vicio de la pieza.
En la fabricación convencional, los álabes presentan una microestruc-
tura de granos equiaxiales orientados al azar cuando se efectúa la colada en
molde cerámico, tal y como se puede observar en la figura 3.40.
En la solidificación direccional, el molde se precalienta y se mantiene
dentro de una campana de paredes refractarias con la parte inferior del
mismo refrigerada. A continuación, se introduce el metal o aleación fundi-
Figura 3.40.
5
Álabe: es cada una de las paletas curvas de una rueda hidráulica o de una turbina.
193
da en el interior del molde y se retira lentamente del interior de la campa-

na, de tal forma que la nucleación se produce en la pared fría o base del
molde y el crecimiento tiene lugar siguiendo el gradiente en forma colum-
nar. El resultado es un álabe con mayor resistencia a la corrosión, menor
longitud de fronteras de grano, mayor estabilidad dimensional, mejor com-
portamiento bajo fluencia, y por tanto mayor vida útil. En la figura 3.41 se
presenta este tipo de solidificación.
De igual forma se podría fabricar el mismo álabe como un monocristal,
aplicando este procedimiento de solidificación y seleccionando un solo
núcleo o cristal que se introdujera en el molde donde creciera hasta conso-
lidar el estado sólido sin fronteras de grano. En la figura 3.42 se represen-
ta esta situación.
Figura 3.41.
194
Figura 3.42.
3.10. SOLIDIFICACIÓN RÁPIDA. SINTERIZACIÓN
La solidificación rápida se conoce como el proceso de fabricación

mediante la consolidación de polvos de material. El material en forma de
polvo se obtiene por enfriamiento rápido del material fundido cuando se
dirige un chorro del mismo sobre una rueda que gira rápidamente en un
medio refrigerado, obteniéndose el material en forma de partículas sólidas.
En la figura 3.43 se presenta un esquema de este proceso.
Este polvo puede ser conformado mediante extrusión en caliente (figu-
ra 3.44) o compactado dentro de un molde mediante el proceso de sinteri-
zación (figura 3.45).
195
Figura 3.43.
Figura 3.44.
196
Figura 3.45.
3.11. DEFECTOS PRODUCIDOS DURANTE LA SOLIDIFICACIÓN
Todos los metales y aleaciones se contraen durante el enfriamiento pro-

duciendo una disminución de volumen durante su solidificación, con la
excepción de algunos metales como el Bi y el Sb en menor grado, los cua-
les experimentan una cierta expansión durante la solidificación, lo que per-
mite desarrollar aleaciones de Bi con otros metales, que en adecuadas pro-
porciones originan aleaciones que no sufren contracciones durante la
solidificación.
La contracción producida durante la solidificación es la causa de la pre-
sencia de determinados defectos en las piezas obtenidas por moldeo, como
es el caso de rechupes y grietas. Sin embargo, existen otros defectos origi-
nados durante la solidificación, entre los que destacan inclusiones gaseosas
y segregaciones.
Rechupes
Los rechupes son cavidades en forma de embudo o cono originadas

como consecuencia de la contracción sufrida durante la solidificación y
197
suelen encontrarse en la zona de la pieza que solidifica en último lugar. En

la figura 3.46a se representa de forma esquemática la evolución de la soli-
dificación de un metal puro en molde abierto. En moldes cerrados, cuando
la superficie de la pieza solidifica antes que el núcleo de la misma, la con-
tracción origina un rechupe interno, tal y como se esquematiza en la figu-
ra 3.46b.
Figura 3.46a.
Figura 3.46b.
Además de estos rechupes se originan otros que se pueden considerar

microrechupes, que son consecuencia de la solidificación ínterdendrítica
que origina cavidades no oxidadas muy pequeñas por lo que son fácilmente
eliminables mediante forja. Estos microrechupes son característicos de las
aleaciones metálicas en las que existen amplios intervalos de solidificación.
198
Grietas
Cuando se impide la contracción del metal durante la solidificación se

producen tensiones internas capaces de originar grietas o microgrietas, que
afectan notablemente al comportamiento mecánico del material. Estas pue-
den clasificarse como superficiales o internas.
Las grietas superficiales se originan como producto de la concentración
de las tensiones en la zona periférica o externa de la pieza. Generalmente
son poco profundas, perpendiculares a la tensión que las produce y de pare-
des oxidadas. Mientras que las grietas internas aparecen en el interior de las
piezas en las que el núcleo solidifica en último lugar, pudiendo ser longitu-
dinales o transversales.
Inclusiones gaseosas
Como consecuencia de la liberación de los gases disueltos en el proceso

de solidificación se producen defectos denominados sopladuras, poros o
inclusiones gaseosas, que afectan de manera importante a las propiedades
mecánicas del material. En general, todos los metales en estado fundido
disuelven cantidades variables de gases, H2, O2, N2, CO2, etc, procedentes de
las atmósferas de los hornos o de reacciones químicas, fundamentalmente.
Segregaciones
Las segregaciones se originan por la falta de uniformidad en la distri-

bución de los aleantes y su formación depende, entre otras causas, de las
diferentes afinidades químicas que existen entre los elementos aleantes, de
los gradientes de temperatura y presión que se presentan en la masa en soli-
dificación, de los desprendimientos gaseosos y de los efectos de la difusión.
3.12. TÉCNICAS PARA LA INSPECCIÓN DE DEFECTOS
La detección e inspección de defectos en las piezas metálicas, tales

como poros, microgrietas, etc, forma parte de los ensayos de materiales, y
199
dentro de ellos de los denominados no destructivos (ensayos que no produ-

cen daño al objeto examinado). El empleo de este tipo de ensayos es muy
importante ya que la existencia de defectos en los materiales puede causar
graves inconvenientes en el funcionamiento o servicio de los mismos. En la
tabla 3.8 se presentan algunos de los ensayos no destructivos más usuales.
Tabla 3.8. Ensayos no destructivos.

• Ensayo de partículas magnéticas
Defectos superficiales • Ensayo de líquidos penetrantes
• Ensayos por métodos eléctricos
• Radiografia industrial de rayos X
Defectos internos • Gammagrafía
• Inspección por ultrasonidos
Partículas magnéticas
Aunque los defectos superficiales pueden ser detectados por métodos

visuales, los defectos internos requieren técnicas más refinadas. Para el
caso de grietas superficiales muy finas que se encuentran en materiales
metálicos magnéticos y que escapan de la inspección visual, los ensayos
mediante partículas magnéticas son muy eficaces.
La aplicación de finas partículas magnéticas sobre la pieza bajo un
campo magnético posibilita la manifestación de grietas imperceptibles al
acumularse sobre las mismas las partículas aplicadas. Este ensayo se basa
en que en todos los imanes las líneas de fuerza fluyen desde un polo a otro,
siendo el flujo magnético la fuerza que atrae a otros materiales magnetiza-
bles hacia los polos magnéticos.
Si el imán es completamente cerrado, el flujo magnético está contenido
en su totalidad dentro del círculo, ya que no existen polos, por lo que este
imán no atraerá a otros materiales ferromagnéticos6, encontrándose el
correspondiente esquema en la figura 3.47.
6
Materiales ferromagnéticos: son aquellos materiales metálicos que tienen un momento magnéti-
co permanente en ausencia del campo externo aplicado, poniendo de manifiesto grandes magnetiza-
ciones permanentes. Ejemplos más destacados son: Fe , Co y Ni.
200
Figura 3.47.
Pero si este imán tuviera una grieta en su superficie exterior, se inte-

rrumpiría el flujo uniforme de las líneas de fuerza, teniendo que salir algu-
nas de ellas, dando lugar a la creación de un campo magnético con sus
correspondientes polos. Las líneas de fuerza que se ven forzadas a salir del
imán, como resultado de la presencia de la grieta, se conocen con el nom-
bre de fugas de flujo. En la figura 3.48 se representa el imán con la grieta
superficial. De esta forma, si se depositaran partículas magnéticas sobre el
imán, serían atraídas por los polos creados por las grietas, dando lugar a la
formación de un grupo de partículas en esa zona, lo que constituye una
indicación de la presencia de este tipo de defectos.
Figura 3.48.
201
Líquidos penetrantes
Para materiales no magnéticos, el ensayo de líquidos penetrantes susti-

tuye al de partículas magnéticas en la detección de defectos superficiales.
Este método de ensayo sirve para detectar discontinuidades que afloran
a la superficie en sólidos no porosos, puesto que al aplicar el líquido sobre
la superficie de la muestra penetra en las discontinuidades por capilaridad.
Una vez que se elimina el exceso de líquido de la superficie de la muestra,
el líquido contenido en las discontinuidades sale al exterior con la ayuda del
revelador, pudiendo observarse en su superficie.
Las etapas básicas del ensayo son la limpieza y preparación de la super-
ficie de la muestra, la aplicación del penetrante, la eliminación del exceso
de líquido, el revelado y la inspección. En esta última etapa se ilumina la
pieza con una lámpara de luz ultravioleta, revelando el líquido fluorescen-
te la existencia de grietas. En la figura 3.49 se puede observar un esquema
de las diferentes etapas.
Figura 3.49.
Métodos eléctricos
Uno de los métodos eléctricos más extendidos se basa en la aplicación

de corrientes de Foucault7 para la inspección de defectos superficiales. Este
7
Corrientes de Foucault: corriente eléctrica inducida en la masa de un material conductor por un
campo magnético variante.
202
método utiliza una bobina que se alimenta por corriente alterna inducien-
do corrientes de Foucault y a su vez se emplea para explorar dichas corrien-
tes. Un cambio en la lectura al palpar la superficie de la pieza indicaría la
existencia de un defecto que altera la resistencia eléctrica del material. En
la figura 3.50 se presenta un esquema de este método.
Figura 3.50.
Radiografía por rayos X y gammagrafía
La detección de defectos internos requiere de técnicas más potentes,

siendo la más utilizada industrialmente la radiografía de rayos X basada en
su poder de penetración. Las fuentes generadoras de rayos X son tubos
Figura 3.51.
203
electrónicos que requieren consumo eléctrico para su utilización. Al irra-

diar una pieza, la existencia de poros o defectos internos implica una varia-
ción en la absorción de los mismos y en consecuencia se detecta en la
correspondiente radiografía con diferente contraste, tal y como se puede
observar en la figura 3.51.
En la figura 3.52 se presenta una radiografia de un cordón de soldadu-
ra en la que se puede observar como los defectos aparecen mucho más
ennegrecidos como consecuencia de la menor absorción de la intensidad de
la radiación.
Figura 3.52.
La gammagrafía se basa en el mismo principio que la radiografía por

rayos X, sólo que la fuente de generación de rayos es isotópica, generán-
dose mediante un proceso espontáneo e irreversible que se deriva de cier-
tas reacciones nucleares, no consumiendo energía eléctrica y perdiendo
actividad emisora con el paso del tiempo. La gammagrafía se utiliza en
aquellos casos que requieran mayor poder de penetración, como por ejem-
plo en piezas de gran espesor. En aplicaciones industriales presenta gran-
des ventajas frente a la radiografía industrial por su facilidad para despla-
zar la fuente generadora de radiación y, en consecuencia, permite
efectuar radiaciones in situ.
204
Ultrasonidos
La técnica de inspección más moderna está basada en los ultrasonidos.

La utilización de ensayos por ultrasonidos permite detectar los distintos
tipos de discontinuidades, mediante la atenuación del flujo que las ondas
ultrasónicas experimentan al interaccionar con los defectos presentes en el
material.
Los ultrasonidos son ondas acústicas cuyo campo de frecuencias, supe-
rior a 20 kHz, se encuentra por encima de la zona audible. Sus aplicaciones
dentro del ámbito de los materiales se pueden localizar en distintos campos,
entre los que destacan el control de calidad de materiales estructurales.
El equipo de ultrasonidos consta de un generador de pulsos de ondas
ultrasónicas que mediante un palpador8 (transmisor-receptor) se aplican a
la pieza a inspeccionar detectando las discontinuidades presentes. En la
figura 3.53 se presenta de forma esquemática el equipo necesario para efec-
tuar este tipo de ensayos, en el que destacan los dos transductores9.
Figura 3.53.
8
Palpador: es la unidad básica del equipo de ultrasonidos, cuya misión es tanto transmitir como
recibir la señal ultrasónica al estar en contacto con el material a inspeccionar.
9
Transductores: son dispositivos que convierten un tipo de energía en otro distinto.
205
NO
OLVIDE
QUE...
✔ Los defectos puntuales se clasifican en intrínsecos, inherentes a la red
del material, y extrínsecos, de naturaleza externa a la propia red. Los
intrínsecos pueden ser vacantes e intersticiales, cuya presencia genera
gran distorsión en la red. Entre los extrínsecos cabe destacar los inters-
ticiales, átomos de pequeño radio atómico que se alojan en los intersti-
cios de la red, y los sustitucionales, en los que los átomos extraños ocu-
pan posiciones de equilibrio, existiendo apenas distorsión en la red. En
ambos casos los tamaños de los radios atómicos y los valores de elec-
tronegatividad tienen influencia en la formación de defectos puntuales.
✔ El fenómeno de difusión se lleva a cabo bien mediante la migración de

vacantes que tiene lugar al desplazarse un átomo desde la posición de
equilibrio hasta la vacante más próxima, o bien mediante el desplaza-
miento de intersticiales a través de la red cristalina; en ambos casos
siempre que alcancen la energía de activación suficiente. Las leyes de
Fick regulan la difusión según la naturaleza del flujo de defectos, de
forma que la primera ley corresponde a un flujo estacionario, mientras
que la segunda lo hace según el no estacionario, caso más general en los
materiales.
✔ Las dislocaciones, defectos existentes en la red cristalina, son las cau-

santes de la deformación mecánica de los materiales. La distorsión que
tiene lugar en las redes de los materiales cuando experimentan defor-
mación, origina un cambio en las posiciones de los átomos dando lugar
a la formación de nuevas dislocaciones. Estas pueden ser en arista, heli-
coidales o la combinación de ambos tipos.
206
3.12. CUESTIONES Y EJERCICIOS
1. Diferencie entre defecto puntual extrínseco e intrínseco.

2. Calcule el número de vacantes intrínsecas por metro cúbico en el Cu
puro a 400 °C. Datos: Ev (Cu) 0,90 eV; k 8,62 105 eV/K;
Ma (Cu) 63,54; Ra (Cu) 0,128 nm.
3. En los sólidos policristalinos, ¿dónde se produce una mayor difusión?
4. ¿De qué variables depende el coeficiente de difusión?
5. ¿Cómo se clasifican las dislocaciones en función de la línea de disloca-
ción y el vector de Burgers?
6. Relacione el movimiento de las dislocaciones y el tipo de red cristalina.
7. ¿Cuándo interesa obstaculizar o multiplicar dislocaciones?
8. En un proceso industrial se difunde Ni y C en Fe (ccc). Determine: a) el
mecanismo de difusión para ambos sistemas. b) La distancia de pene-
tración de Ni y C desde la superficie del Fe, transcurridos 40 minutos,
en una pieza de sección circular de 50 mm de diámetro a la tempera-
tura de 1.000 °C. Los datos se presentan en la tabla 3.9.
Tabla 3.9
Datos Cs (%) Cx (%) D0 (m2s1) Q (Jmol1)
Ni en Fe (ccc) 1 0,2 5 105 275.880
C en Fe (ccc) 1 0,2 2,1 105 141.284
9. ¿Cuál es la diferencia entre monocristal y policristal?

10. ¿Cuál será el radio crítico de un núcleo homogéneo de Cu cuando soli-
difica si el subenfriamiento es 0,2 veces la temperatura de solidificación?
11. ¿Qué diferencias existen entre los granos equiaxiales y los columnares?
12. ¿Por qué las fronteras de grano se observan fácilmente en un micros-
copio?
13. Para la determinación del tamaño de grano de un material metálico se
han utilizado patrones ASTM. La micrografía es (100) y el índice del
patrón resultante de 6. Calcule el tamaño medio de grano.
207
14. En una micrografía (200) se acota una región circular de 40 mm de

radio. El número de granos interiores es de 45 y el número de inter-
secciones del circulo con los periféricos es de 25. Calcule el tamaño
medio de grano del material. En caso de haber utilizado patrones
ASTM ¿qué índice se habría utilizado?
15. ¿Qué técnicas se utilizan para la investigación y evaluación de las grie-
tas internas en una pieza?
16. ¿Qué etapas comprende la fabricación de un material por solidificación
rápida?
17. ¿Qué efectos produce en un material una velocidad de nucleación lenta?
18. Un engranaje de acero al C 0,2% es cementado a 927 °C durante 8 ho-
ras. La atmósfera cementante aporta una concentración en la superfi-
cie de la pieza de 1,25% C. ¿A qué profundidad la concentración en C
será del 0,5%?
Datos: D0 2,7 105m2/s, Q 1,5 eV.
19. ¿Qué ventajas presenta la solidificación direccional sobre la equiaxial
aplicado a un álabe de una turbina?
20. Para una determinada aplicación se utiliza un acero. Se dispone de uno
cuyo análisis metalográfico muestra un tamaño de grano ASTM 3 y
otro un tamaño de grano ASTM 8. ¿Cuál de ellos se elegiría si la resis-
tencia mecánica a temperatura ambiente es importante?
21. Esquematice las diferentes etapas necesarias para realizar un análisis
metalográfico.
22. ¿Por qué la red (cc) presenta un peor comportamiento a la deformación
que la (ccc)?
23. ¿Qué pone de manifiesto las bandas de deslizamiento observadas en la
superficie de un material?
24. ¿Cuántos sistemas de deslizamiento se encuentran en los materiales
con red (cc)?
25. Si las fronteras de grano pueden considerarse como una fuente de
vacantes, ¿qué tamaño de grano será más favorable para aquellas alea-
ciones que trabajen a altas temperaturas?
208
26. ¿Por qué la fusión de un material policristalino comienza por las fron-
teras de grano?
27. ¿Por qué se origina un rechupe interno y cómo puede detectarse?
28. ¿En qué estructura de Fe se produce con mayor facilidad la difusión de
átomos de C, en la red (cc) o en la (ccc)?
29. ¿Por qué las dislocaciones helicoidales son más móviles que las de
arista?
30. ¿Qué relación existe entre el movimiento de trepado de las dislocacio-
nes en un material y la fluencia del mismo?
209

Libro Guía 2 - Introducción Al Conocimiento de Los Materiales y Sus Aplicaciones-74-210

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Tema 2

Estructura interna de los materiales.

En este tema se inicia la caracterización de los distintos tipos de mate-

Con el estudio de los siete sistemas cristalinos y de las catorce redes se

Una vez estudiadas las características de los distintos tipos de redes a

Se concluirá este tema con el estudio de las posibles técnicas experi-

2.2. ESTADO SÓLIDO

El estado sólido de la materia se caracteriza por el grado de orden que

Sólidos cristalinos son los materiales metálicos; la inmensa mayoría de

de los polímeros más comunes presentan buena parte de su volumen sin

degradación continua del orden en los materiales, induciendo diferentes

En general, los materiales tienen tendencia a alcanzar el estado cristali-

Figura 2.4. Figura 2.5.

de grano se caracterizan por su elevada densidad de defectos de red, fun-

2.2.1. Tipos de sólidos cristalinos

Dentro de los sólidos cristalinos y según la naturaleza del enlace quími-

Sólidos cristalinos metálicos

Los sólidos cristalinos metálicos presentan un alto empaquetamiento de

Sólidos cristalinos iónicos

Sólidos cristalinos covalentes

Este tipo de sólidos está constituido por átomos ordenados en el espa-

Sólidos cristalinos moleculares

Este tipo de sólidos se forma a partir de la ordenación de moléculas o

representó el ordenamiento que tiene lugar en este tipo de sólidos, mate-

2.3. SISTEMAS CRISTALINOS. RED ESPACIAL

Los materiales metálicos, al igual que la inmensa mayoría de cerámicos,

distintos ejes , , , tal y como se puede observar en la figura 2.9, en la que

La cristalografía establece siete sistemas cristalinos con arreglo a su

Un estudio sistemático llevado a cabo por el cristalógrafo francés

Tabla 2.2. Redes cristalinas de Bravais

Es de destacar que la gran mayoría de los metales de interés industrial

tura cristalina de un metal mediante su red cristalina y los valores de los

2.4. ISOMORFISMO Y ALOTROPÍA

Se dice que dos metales son isomorfos cuando presentan la misma

Cuando un metal o un no metal presenta más de una estructura crista-

En general, el estado alotrópico estable a más baja temperatura se deno-

En la figura 2.14 se esquematizan los cambios alotrópicos del Fe, que

2.5. ÍNDICES DE MILLER

El interior del cristal puede considerarse como un conjunto de puntos

tuyen el mismo. En esta distribución cabe pensar en la existencia de planos

Los índices de Miller, que fueron aportados por el cristalógrafo británi-

Índices de Miller de planos cristalográficos (h k l)

Para definir un plano reticular o el conjunto de sus paralelos, se utilizan

Dado que el plano sombreado corta en el infinito a los ejes x y z, mien-

Luego (010) es la notación de Miller para el plano del sistema cúbico

SOLUCIÓN. En primer lugar debe situarse el sistema de referencia o ejes cristalo-

Ejercicio 2.2. Determinar los índices de Miller de los planos cristalográficos

SOLUCIÓN. En las figuras 2.19a, b, c y d se representan los planos correspondientes

Índices de Miller de direcciones cristalográficas [uvw]

De igual manera que existen planos cristalográficos dentro del cristal,

Igualmente, 具 uvw典 representa una familia de direcciones cristalográfi-

en sentido positivo como negativo, designándose mediante paréntesis angu-

Una relación importante, que solo se da en el sistema cúbico, es que los

Índices de Miller-Bravais del sistema hexagonal

En la figura 2.24 se presenta el sistema de coordenadas de cuatro ejes

El sistema de Miller-Bravais se emplea con el fin de que en los cristales

así como su correspondencia con la notación de Miller, que se encuentran

En el ejemplo que se presenta en la figura 2.26 se indican los índices de

2.6. REDES CRISTALINAS DE LOS METALES

En el caso de los materiales que cristalizan en el sistema hexagonal, su

2.6.1. Densidad teórica y parámetros de red

El cálculo de la densidad teórica de un sólido metálico viene dado por

Ma, masa atómica del metal.

distintos ejes , , , tal y como se puede observar en la figura 2.9, en la que

Átomos de los vértices (1/8) 8 1

Átomos de los vértices (1/8) 8 1

Luego la red corresponde a la del Fe , que es cúbica centrada en las

donde c es la velocidad de la luz; la longitud de onda y la frecuencia. Por otro