Semiconductores de Nitruro de Galio

Pablo Armas
Faculta de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
pablo.armas@epn.edu.ec

Abstract— Se desarrolla una conceptualización acerca de II. MARCO TEÓRICO

los diferentes tipos de semiconductores que se encuentran
en tendencia de uso y desarrollo tecnológico con la
finalidad de reducir tiempos de conmutación, pérdidas de
energía, optimización de costos y reducción de espacio
físico de los elementos semiconductores.
I. INTRODUCCIÓN
Algunas cualidades que relacionan los dispositivos de
potencia de banda ancha como son los FET de carburo de
silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN), han sido desarrolladas
y adaptadas a las necesidades de forma acelerada en los
últimos años, con tendencias de alto crecimiento y desarrollo
para la próxima década.
La optimización de la tecnología de los FET de potencia de
banda ancha (WBG) ha sido un reto que se ha planteado para
obtener mejores beneficios en su utilización, como son las
transiciones de conmutación más veloces y minimizando las
pérdidas de conmutación, de lo que resulta una alta variación
de voltaje con respecto al tiempo, y se refleja en el control de
la puerta del FET y sin afectaciones a las otras partes que
integran el circuito.
La eficiencia en la conversión de la energía es el desafío
clave para la reducción de pérdidas de potencia debido al
calor, y minimización de emisiones nocivas hacia el medio
ambiente.
La conmutación mediante semiconductores de potencia
que trabajen con altos voltajes permitirá optimizar la
conversión de la energía.
Para obtener un alto rendimiento de los dispositivos WBG
se requiere que los controladores sean capaces de operar a
altas frecuencias proporcionando un voltaje preciso con
rápidas velocidades de apagado y encendido, además de una
buena protección y confiabilidad del elemento.
En la actualidad existen 2 tipos de FET de GaN que han
sido fabricados: los tipo modo E, que son elementos de
mejora, y los tipo D, que son elementos de agotamiento o de
dos matrices regularmente en modo apagado. [1]
En los elementos tipo E se tiene una menor estabilidad y
dificultades respecto a la corriente de fuga de las puertas si se
compara con los elementos tipo D, que tienen un mayor grado
de estabilidad y a que la conducción es simple y firme. [1]

En los últimos años se tiende a la reducción de la En aplicaciones de frecuencias de hasta 1MHz, se realiza
contaminación por emanación de CO2, cuyas condiciones la conmutación mediante FET de GaN tipo cascodo.
están contempladas en las legislaciones gubernamentales de la En la Tabla 1 se detalla los materiales y sus propiedades
mayoría de los países y son ejecutados mediante la presión para la fabricación de los elementos FET.
social. de aquí se parte el requerimiento de la reducción de
elementos y el aumento de la eficiencia para las ramas que
requieren control electrónico, como son la industria TABLA I
automotriz, las telecomunicaciones, la producción de PROPIEDADES DE MATERIALES. [1]
alimentos, la generación eléctrica, etc. Propiedades
Brecha de banda Campo Eléctrico. Movilidad Electrónica
Los FET GaN pueden trabajar a elevadas frecuencias [eV] [MV/cm] [Uo]
proporcionando una muy buena precisión en el voltaje, y cuyo
tiempo de transición de encendido y apagado es relativamente
mínimo con lo que se obtiene un rango superior de protección GaN 3.4 3.5 2000
y confiabilidad. De este detalle parte que se requieren circuitos
de control que sean más críticos para los WBG, por lo que de Sic 3.3 2.2 950
aquí se debe obtener la corrección para que el rendimiento de
los dispositivos sea el más adecuado en la conmutación a muy
altas frecuencias y potencias de trabajo.
Si 1.12 0.23 1.4
Varios fabricantes de semiconductores de potencia han
desarrollado circuitos integrados de controladores de puerta
como una forma de inducir la utilización de los MOSFET de Los elementos FET de GaN tienen la estructura que se
SiC y los FET de GaN. observa en la Figura 1.
 Fig. 1 Estructura FET de GaN. [1]

La compañía Texas Instruments la compañía ya ha

integrado en su producción, elementos FET fabricados con
GaN para bajo voltaje, como lo son los elementos LMG1020
y LMG1205, además del LMG5200 que tiene un Fig. 2 Etapa de potencia monolítica de medio puente de EPC2152. [2]
funcionamiento a 80V y 10A. [2]
Navitas Semiconductor ha sido mencionado como uno de
Este fabricante menciona que mediante los circuitos
los pioneros en proveer elementos tipo GaN para usos de alto
integrados se puede solucionar las necesidades de aplicaciones
voltaje, con modelos que tienen control de hasta 650V, con el
en rangos de potencias de 100W a 100KW con alta eficiencia
elemento NV6115, incluyendo la exterminación del sobre
y confiabilidad del sistema. De aquí se deriva que se ha tenido
impulso transitorio existente en la compuerta, una mínima
la producción de los elementos LMG3410EVM-018,
resistencia de apagado, y carecimiento de inductancia en el
LMG3410-HB-EVM y LMG3411EVM-029. [2]
bucle de la compuerta. Este modelo presenta una optimización
Otros fabricantes como son EPC, Navitas y Power en la computación debido a que las pérdidas en esta etapa son
Integrations, se sienten comprometidos respecto a la casi imperceptibles. Su frecuencia más alta de operación este
producción de los FET de GaN, por lo que se tiene que la 2MHz, y una estructura muy pequeña que permite reducir
compañía EPC ha iniciado el lanzamiento de su propia versión costos de fabricación y espacio físico en los circuitos.
monolítica del LMG5200, que cuenta con algunas funciones También se realizó la fabricación del elemento NV6252, con
adicionales en el mismo integrado. Además, se tiene una una estructura variable de medio puente simétrica y asimétrica
presentación que permite la combinación de dos FET GaN de y un voltaje máximo de 650V, que se observa en la Figura
150 V y 5 A con igual número de controladores de puerta, 3.[2]
ofreciendo un tiempo mínimo de retardo de propagación con
frecuencias de operación de hasta 7 MHz, cuyas etapas de
funcionamiento del elemento se observan en la Figura 2. [2]
Las series que la compañía EPC ha proporcionado a estos
circuitos integrados son EPC2151 y EPC2152, en donde la
principal diferencia entre estos dos elementos radica en la
asimetría de la construcción, más no en su funcionamiento que
está diseñado para trabajar a 80V y 10A. Tienen la capacidad
de interconexión con controladores digitales de tecnología
tipo CMOS cuyos niveles de alimentación son de hasta 12V.
[2]
EPC asegura que su producto tiene ventajas respecto a la
competencia en la optimización operativa, la eficiencia y la
reducción del tamaño a un precio competitivo.
 2020, doi:
10.1109/MELE.2020.2985480.
[2] A. Bindra, “Recent advances
in gate driver integrated
circuits for wide-bandgap
FETs,” IEEE Power Electronics
Magazine, vol. 6, no. 3, pp.
32–38, Sep. 2019, doi:
10.1109/MPEL.2019.2928062.

Fig. 3 El IC GaNFast de dos interruptores. [2]

Existen otras asociaciones de fabricantes que han

conseguido aprovechar los diseños en la obtención de
elementos FET GaN de alto voltaje y potencias de 3.3KW,
como se trata de la asociación entre las compañías Silicon Lab
con Transphorm Inc. [2]

III. CONCLUSIONES
▪ La optimización en la conversión de energía
conlleva a que las nuevas tecnologías se
desarrollen en el propósito de la disminución de
tiempos de conmutación mediante la
implementación de elementos de rápido
accionamiento, tanto en encendido como en
apagado para el control de diferentes niveles de
voltaje.
▪ La minimización de recursos económicos y
espacio físico marca un claro futuro en el que los
elementos utilizados en electrónica de control
sean de tamaño cada vez más reducidos, con
precios accesibles y características mejoradas de
estabilidad y confiabilidad para un sistema.

REFERENCIAS
[1] D. Chowdhury, “Power Gallium
Nitride Technology: The Need
for Efficient Power
Conversion,” IEEE
Electrification Magazine,
vol. 8, no. 2, pp. 6–10, Jun.