Universidad del Cauca - FIET Ing.

Andrés Fernando Ordoñez Hurtado

Programa de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones Circuitos Analógicos III (A)

Lista de Ejercicios Primer Corte - Circuitos Analógicos III

1. Un amplicador posee una ganancia de potencia de 30 dB y el nivel de potencia de salida en el punto de compresión
de 1 dB es igual a 13 dBm. Determine el punto de compresión de 1 dB (Pin,1dB ) del amplicador. Determine el
valor del parámetro α3 si la entrada y la salida del amplicador están adaptados a 50 Ω.
2. Un receptor de RF que opera a una frecuencia de 2.41 GHz emplea un amplicador de bajo ruido con ganancia de
voltaje igual a 14 dB. El receptor detecta una señal deseada con nivel de potencia igual a -77 dBm, y además detecta
dos señales de interferencia con la misma intensidad, en las frecuencias de 2.42 GHz y 2.43 GHz. El amplicador
posee valores de Rin = 50 Ω y RL = 75 Ω.
(a) Determine el valor del parámetro α3 del amplicador para que el punto de compresión a 1 dB del amplicador
Pin,1dB (en potencia) sea igual a -28 dBm.
(b) Si el nivel de potencia de las señales de interferencia se encuentran a 10 dB por debajo del punto de compresión
de 1 dB, determine si la señal deseada a la salida del amplicador (Vout ) sufre de corrupción por causa de la
intermodulación de las dos señales de interferencia.
3. Considere la situación de la siguiente gura, en donde ω1 corresponde a la señal deseada, y ω2 y ω3 son señales
de interferencia, y además se cumple que ω3 − ω2 = ω2 − ω1 . El ltro pasa banda (BPF) proporciona niveles de
atenuación de 17 dB en ω2 y de 37 dB en ω3 . Asuma para el amplicador Rin = 50 Ω y Rout = 200 Ω.

(a) Calcule el valor de VIIP3 (en unidades logarítmicas) del amplicador, si la amplitud del producto de intermod-
ulación que cae en ω1 se encuentra a 26 dB por debajo de la amplitud de la señal deseada a la salida del
amplicador (Vout ).
(b) Si el amplicador posee una ganancia de voltaje de 29 dB, determine el valor de α3 .
4. La relación entre la potencia de entrada y la potencia de salida de un LNA se presenta en la siguiente gura.
Determine el valor del parámetro α3 si la impedancia de entrada del LNA es igual a 50 Ω y la impedancia de carga
es igual a 100 Ω.
Pout

-4 dBm

-5 dBm

-35 dBm
Pin

1
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5. Un amplicador de RF posee una característica de entrada - salida de la siguiente forma:

3
vout (t) = α1 vin (t) + α3 vin (t),

donde α3 = 4000 V−2 . Determine la ganancia de voltaje de pequeña señal del amplicador de tal forma que la
potencia en el punto de intercepción de tercer orden IIP3 sea igual a -25 dBm, si tanto la entrada como la salida
están adaptadas a 50 Ω.
6. Un LNA detecta una señal deseada a una frecuencia de 3.65 GHz con nivel de potencia de -90 dBm , y dos señales
interferentes a frecuencias de 3.64 GHz y 3.63 GHz con niveles de potencia de -50 dBm y -45 dBm, respectivamente.
Determine el valor de IIP3 (en dBm) de tal forma que la amplitud del producto de intermodulación que afecta al
LNA se encuentre 25 dBm por debajo del valor de la amplitud de la señal deseada a la salida del amplicador. En
este caso Rin = 100 Ω y RL = 50 Ω
7. Explique de manera general el funcionamiento del transceptor representado por el diagrama en bloques de la siguiente
gura, indicando la funcionalidad de cada uno de los bloques. Basado en la referencia bibliográca Transceiver
Architecture Selection: Review, State-of-the-Art Survey and Selection disponible en Google Classroom, indique el
tipo de transceptor, y en cuál sistema de comunicaciones inalámbricas podría utilizarse este transceptor.

8. Explique el funcionamiento de un receptor de Rechazo de Imagen.

9. Explique detalladamente el funcionamiento de un receptor de arquitectura Hartley.
10. Explique detalladamente el funcionamiento de un receptor de arquitectura Weaver.
11. Explique detalladamente el fenómeno de Fuga de la señal del Oscilador Local (LO Leakage ), mencionando los posibles
problemas que esto puede generar en un transceptor de RF y analice para cuál tipo de receptor es más nocivo este
fenómeno.
12. Un un receptor GSM debe operar en la banda de frecuencias entre 925 MHz y 960 MHz. Determine el rango de
frecuencias en que se debe sintonizar el o los osciladores locales (LO) del receptor y el rango de frecuencias imagen,
en el caso de:
(a) Un receptor heterodino simple con frecuencia intermedia IF = 71 MHz.
(b) Un receptor heterodino dual con frecuencias intermedias IF1 = 250 MHz e IF2 = 10.7 MHz.
13. Investigue en la literatura cientíca acerca de los sistemas RF-over-Fiber. Enumere las ventajas de esta tecnología
y describa mediante un diagrama en bloques su funcionamiento.

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14. Determine la impedancia equivalente del siguiente circuito a una frecuencia de 250 MHz mediante transformación
de impedancias.

25 Ω

6 pF 2 kΩ

30 nH

15. Un estudiante de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones de la Universidad del Cauca está diseñando una red
de adaptación de impedancias para transformar RL de 5 Ω a un valor RIN de 50 Ω usando una red L pasa baja, a
una frecuencia de 1.74 GHz. Para justicar su diseño el estudiante presenta los siguientes resultados.
50.0

S11
25.0 4.0m 100.0

10.0m

0.53 pF 20.0m
200.0
TP 3
10.0
40.0m

80.0m 500.0

200. ZIN ZL
TP 4 DP 1

RIN=50 Ω 10 nH RL=5 Ω 500.0

200.0m 200.0
2.47 GHz
100.0
4.0m -14.83 dB
80.0m 50.0

25.0
TP 2

40.0m 10.0 10.0m

20.0m

(a) Menciones al menos 3 razones (una por gráca) por las cuales los resultados presentados son incorrectos.
(b) Diseñe analíticamente una red de adaptación de impedancias para corregir los errores del estudiante.
(c) Verique los resultados obtenidos en el literal (b) a través de simulación.
16. Diseñe una red de adaptación de impedancias L pasa alta para transformar una impedancia de carga ZL = 110−j80 Ω
a un valor de ZIN = 75 Ω a una frecuencia de operación de 980 MHz.

Red de
ZL
Adaptación

ZIN

17. Determine analíticamete los valores de C1 , C2 y L1 para transformar la resistencia de 450 Ω a un valor de 50 Ω, a
una frecuencia de operación de 780 MHz.
L1

C1 C2 RL=450 Ω

RIN=50 Ω

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18. Diseñe una red de adaptación de impedancias tipo Pi de tal forma que sea posible transformar una resistencia de
150 Ω a un valor de 5 kΩ, a una frecuencia de 1.26 GHz, garantizando un ancho de banda total de 10.
19. Un amplicador de RF posee una resistencia de salida RO = 250 Ω y una capacitancia de salida en paralelo
CO = 2 pF. El amplicador se debe conectar a una resistencia RA = 5 Ω mediante la red de adaptación de
impedancias conformada por L y C a una frecuencia de 900 MHz, como se muestra en la siguiente gura.
L rL

CO C RA

RO

(a) Determine los valores de L y C asumiendo un factor de calidad innito del inductor (rL = 0).
(b) Si el inductor posee un factor de calidad QL igual a 20, determine el valor correspondiente de rL del inductor
calculado previamente. De qué forma este valor afecta la calidad de la adaptación de impedancias?
(c) Determine los nuevos valores de L y C tomando en consideración el factor de calidad nito del inductor
(QL = 20).
20. Determine analíticamente el punto de operación del transistor y las expresiones para obtener la ganancia de voltaje,
la impedancia de entrada y la impedancia de salida de los amplicadores de la siguiente gura.
VDD = 15 V
15 V

39 kΩ 2.2 kΩ 40 MΩ 3 kΩ
CO
vo
1 kΩ CI vi
vo
β = 200 VT0= 3.5 V
k = 2.5 mA/V2 50 Ω
vi
30 Ω 10 Ω 3.7 kΩ RL = 4.7 kΩ
vs 5 kΩ 20 MΩ 500 Ω
vs
200 Ω CE

21. En el amplicador de la siguiente gura, determine analíticamente el punto de operación del transistor y las expre-
siones para obtener la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y la impedancia de salida. Demuestre cuál es
el efecto de eliminar el condensador CE del circuito sobre la ganancia del amplicador.
VCC = 12 V

8.2 kΩ
500 kΩ
vo

100 Ω CI CO
vi

3 kΩ
vS
1.8 kΩ
CE

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22. Encuentre la expresión del voltaje de ruido de salida (vn,out

2 ) del circuito de la siguiente gura. Determine el valor
máximo de vn,out
2 medido en V /Hz, y la frecuencia a la cual ocurre este valor si L1 = 50 nF, C1 = 80 pF, R1 = 0.65 Ω
2

y R2 = 1.95 Ω, a una temperatura de 80◦ C. Compare el resultado teórico con el resultado de simulación, usando
para ello la herramienta AWR.

L1 C1

vn,out2

R1 R2

23. Determine la gura de ruido total (NFTOT ) del receptor de la siguiente gura. Si el receptor es utilizado en un
sistema GSM cuyo ancho de banda es igual a 200 kHz, y debe soportar una SNR a la salida de 10 dB, determine el
valor de la sensibilidad del receptor.

NF2=1.75dB NF3=12dB NF5=7dB

NF1=3dB NF4=3dB
AP2=15dB AP3=4dB AP5=25dB

24. Determine la relación señal a ruido a la salida del receptor de la siguiente gura, de tal forma que la sensibilidad del
receptor sea igual a 15.85 µV. El receptor opera bajo el estándar 3G UMTS típico.

NF2 = 1.89 dB NF3 = 16 dB NF5 = 8 dB

NF1 = 3 dB NF4 = 3 dB
AP2 = 19 dB AP3 = 8 dB AP5 = 48 dB