Universidad Nacional de Misiones

Cálculos de potencia en
Amplificadores Clase A y B con
BJTs
Polarización con divisor resistivo o auto-polarización

VCC R2
VB  VCC
VCC
R1  R2

R1 R2
RB 
R1 RC
R1  R2 R1 RE

 VB  VBE 
IB 
RB     1 RE
R2 RE R2 RC

VCC  VCE  I C  RC  RE   0

 RE
   1 RE  RB   RE  10 RB  RB 
10
Polarización con divisor resistivo o auto-polarización VCC

R1 R2
RB 
R1  R2
R1 RC


VCC R2
VB  IB
R1  R2
RE
R2 RE
IE

RB

VB  VBE IB VBE
IB 
RB     1 RE
VB

   1 RE
Polarización con divisor resistivo – Método aproximado

Si  RE  10 R2  I B I 2  I1  I 2
VCC

VCC R2 R1 R2
VB  RB 
R1  R2 R1  R2
R1 I1 RC

IB
B  VCC RB RB
R1  R2 
VB VB
I2 1
R2 RE VCC
VE
VE  VB  VBE IE 
RE

I CQ  I E ; VCEQ  VCC  I CQ  RC  RE 
Señales compuestas en un circuito con BJT (CC + CA)

vB  VB  vb  t 
vCE  VCE  vce  t   vC  vE
vEN  VEN  ven  t 

R1 RC
CC
RS CB iC
VCC
RL
vS
R2 RE CE

iC  I C  ic  t 
Señales compuestas en un circuito con BJT (CC + CA)

iC
iC  I C  ic  t   I CQ  I c max sin t
1 R  RL
  C
VCC RCA RC RL iC
RC  RE
RCC I c max

RCA  RC / / RL I CQ

Q
I CQ t

1

RC  RE

VCC
vCE

VCEQ I CQ RCA
Polarización MES + estabilidad

iB  I BQ  ib  t  iC  I CQ  ic  t  iE  I EQ  ie  t  vCE  VCEQ  vce  t 

hFE RE
RB  X CB  X CE  X CC  0
10

VCEQ VCEQ
ic  vce RCA  0 iC max  I CQ   2 I CQ  I CQ 
RCA RCA

VCC  VCEQ  I CQ  RC  RE  VCEQ  I CQ RCA

VCC RCA VCC

I CQ 
VCC

VCC VCEQ  I CQ RCA  
RCA  RC  RE RCC  RCA RCC  RCA 1  RCC
RCA
Potencia media disipada o suministrada por un dispositivo lineal o no lineal

Donde vA es la tensión instantánea total aplicada o entregada por el dispositivo.

T
1 Donde iA es la corriente instantánea total que circula o entregada por el dispositivo.
P   vA iA dt
T 0 Donde T es el período de una componente periódica variable con el tiempo de vA o
de iA .

vA  VA  va  t  ; iA  I A  ia  t 

Donde VA e IA son los valores medios y vA(t) e iA(t) son las componentes de corriente alterna de valor medio
cero.

T T T
1 1 1
P   Va  va  t    I a  ia  t   dt   Va I a dt   Va ia  t  dt 
T 0 T 0 T 0
T T T Por definición de las
1 1 1
 a   a  
respectivas señales de
 v t I dt  v i
a a dt  V I
a a  va ia dt componente de alterna.
T 0 T 0 T 0

La potencia media suministrada o disipada por un dispositivo consiste en la suma de la potencia de los
términos de continua y la de los de alterna.
Potencia y rendimiento en un amplificador de clase A con BJT
Potencia media disipada en la carga VCC

iC  I C  ic  t 
iC
PL  i RL  PLcc  PLca
2
C
RL RE

T
vS
1 2
PLca   ic RL dt Q
T 0

ic  t   Iˆc cos t
RE
Suponiendo señal senoidal

T ˆ
I 2 T
Iˆc2 RL
1 ˆ2 c RL
  I c RL cos tdt  0 1  cos 2t  dt  2
2
PLca
T 0 2T

2 2
I RL V
Para MES Iˆc  I CQ  PLcamax  CQ
 CC

2 8 RL
Potencia y rendimiento en un amplificador de clase A con BJT
Potencia media suministrada por la fuente de alimentación

T VCC
1
PCC   VCCiC dt 
T 0 iC

T RL RE
1
  VCC  I C  ic  t   dt  vS
T 0
Q
 VCC I CQ
RE
VCC
I CQ 
2  RL  RE 
Con corriente de colector para MES

2 2
V V
PCC  
CC CC

2  RL  RE  2 RL
Potencia y rendimiento en un amplificador de clase A con BJT
Potencia media disipada en el colector
VCC
T
1
PQ   vCE iC dt  iC
T 0 RL RE
vS

T Q
1
  VCC  iC  RL  RE   iC dt 
T 0 Potencia de RE
continua y de
Potencia de alterna disipada
alimentación sobre los resistores
T T
1 1 2
  VCCiC dt   iC  RL  RE  dt 
T 0 T 0

Iˆ2  R  R  V 2 Disipación de colector es

 VCC I CQ  I CQ
2
 RL  RE   c L E  CC máxima en ausencia de
señal
2 4 RL
Potencia y rendimiento en un amplificador de clase A con BJT
Eficiencia y rendimiento VCC

Iˆc2 RL iC
PLca
  2 RL
PCC VCC I CQ vS

Con corriente de colector para MES Q

vCE
2
ˆI  I  VCC    V / 8RL  0, 25 CC
c CQ max 2
2 RL V / 2 RL CC

Relación entre la potencia disipada en el transistor y la potencia de corriente alterna en

la carga
2
PQmax V / 4 RL
 CC
2
2
PLcamax V / 8RL
CC
Potencia y rendimiento en un amplificador de clase B con BJT


1 Ic
iC(Q1)  iC(Q2)  
2 0
I c sin  d  

2
2I c 2VCC I c 2VCC
 I CC =  PCC =  PCCmax =
   RL
2
2
I V I R V
PL  I LrmsVLrms  I Lrms RL    PLmax  CC
2 L L L L

2 2 2 RL

2 2
2 I LVCC I RL 2V LVCC V
2 PQ  PCC  PL    
L L

 2  RL 2 RL

d (2 PQ ) 2VCC d (2 PQ ) 2VCC V L
  I L RL y  
dIL  dV L  RL RL
Potencia y rendimiento en un amplificador de clase B con BJT

2VCC 2VCC
IL  y VL 
 RL 

2
2VCC
2 PQ  2
 RL

I LV L
PL  VL  
  2     max   78,5 %

PCC 2 I LVCC 4  VCC  4


PQmax 2
VCC /  2 RL 2 1
Fm   2  2   20 %
PLmax VCC / 2 RL  5
Distorsión por cruce

Distorsión por
Zona muerta cruce (crossover)
(dead zone)
Minimización de la distorsión por cruce

AO con ganancia
unitaria y con
realimentación serie
shunt

AO con ganancia de lazo abierto del orden de 100 000,

tensión base emisor de 0,7 V, la zona muerta se reduce a unos
±7 µV
Simulación

Apreciar la distorsión
por cruce
Circuitos con transistores bipolares BJT – Clase B
Objetivos: Familiarizarse con el funcionamiento básico de los transistores bipolares. Adquirir destreza en los cálculos de circuitos de
polarización con BJTs para funcionamiento en Clase B. Disipación de potencia. Rendimiento. Clase B en simetría complementaria y
cuasi-complementaria.
1a. Explique el funcionamiento del circuito amplificador clase B de simetría complementaria y cuasi-complementaria.
1
b. Describa sus ventajas y desventajas. c. Deduzca la expresión de la potencia máxima consumida a la fuente de
alimentación. d. Ídem para la potencia disipada en cada transistor. e. Ídem para el rendimiento y el factor de calidad. f.
Aplique las expresiones anteriores para el circuito 1. Simule con R1 = R4 = 10 kΩ, R2 = R3 = 680 Ω, C1 = C2 = 10 µF,
RL = 100 Ω. Q1 = 2N2222A, Q2 = 2N2907A, +VCC = 10 V y -VCC = -10 V. g. Si quisiera armar este circuito pensando
en un parlante de 8 Ω como carga y usando un BD139 y un BD140 sin disipador ¿Cuál será la máxima potencia que
puedo disipar en el parlante? h. Realice los cálculos necesarios para implementar el circuito anterior y que funcione.

2. Determinar la potencia de alimentación, la potencia de salida y la eficiencia de un circuito en clase B que

proporciona a una carga de 16 Ω una señal de pico a pico de 40 V con una alimentación de VCC  VCC  30 V

3. Deduzca las expresiones de la corriente y tensión para la cual la potencia disipada en los transistores es máxima.

4. Determine la potencia máxima de contínua, la potencia máxima sobre la carga y la máxima disipación en los 2
transistores si la alimentación es de VCC  VCC  20 V y la carga es de 4 Ω.

5. En un amplificador clase B alimentado con VCC  VCC  12 V se desea conocer la eficiencia cuando la tensión
sobre la carga es Vpp = 20 V y cuando es Vpp = 10 V.

6. En el circuito 2, +VCC = 15 V y -VCC = -15 V, RL = 10 Ω, R1 = R2 = 100 Ω. Calcular la potencia de alimentación de

CC, la potencia de salida, la potencia manejada por cada transistor y la eficiencia del circuito para una señal de
entrada senoidal con Virms de 9 V. Simular y registrar sus comentarios.

3
7. Calcule las magnitudes básicas del circuito 3 en cuanto a polarización y disipación
de potencia. Simule el circuito verificando primero las tensiones en los nodos y
luego aplique la fuente VSIN como V2 seteando Voff = 0, Vampl = 0.04V y freq =
1k. Normalmente R6 es un preset, pruebe modificar dicho valor y compruebe su
efecto en la salida de CC (emisores de Q3 y Q4). Aproveche para ensayar respuesta
en frecuencia de este circuito.
Circuito amplificador de potencia de Clase B con BJTs
Objetivos: Ensayar en el laboratorio un circuito de Clase B. Minimizar la distorsión de cruce por cero con AO. Practicar el montaje de transistores de potencia
en disipador de calor.

Cada grupo recibirá un disipador, dos transistores de potencia, un kit de montaje, y los demás componentes para armar el circuito anterior. Procederán a buscar
información de los transistores y del disipador en función de la forma, sus dimensiones, etc. Sabiendo que la alimentación del sistema es ±12 V, determinar (para
una frecuencia de 1 kHz):
a) Máxima potencia disipada en la carga.
b) Potencia disipada en cada transistor.
c) Potencia entregada por la fuente.
d) Resistor de excitación de base.
e) Implementar el circuito, trabajar con el generador de funciones con forma de onda senoidal, sin componente de continua y modificando la amplitud de
excitación conforme la experiencia. Medir temperatura ambiente y temperatura de la carcaza de uno de los transistores para diferentes potencias esperando
que se estabilice. Comenzar con 25 %, 50 %, 75 % y potencia máxima.
f) Simular y comparar resultados.
Implementación práctica – Montaje transistores TO-3

1. Aislante termoconductor de mica

2. Separador de plástico

1
3. Arandela plana

5 4. Tuerca

2 5. Tornillo
7
3 6. Arandela de presión
6
4
7. Arandela de fijación del cable soldado

8
8. Pasta térmica
Implementación práctica – Montaje transistores TO-3

1. Tome cada transistor, limpie la superficie de

contacto de grasitud dejada por el manoseo.
2. Coloque pasta térmica.
3. Coloque el aislador de mica.
4. Vuelva a colocar pasta térmica.
5. Coloque el conjunto transistor/mica en posición
de montaje.
6. En el orificio más cercano al extremo externo pasta térmica
coloque el separador de plástico, la arandela
plana, la arandela de cableado, la arandela de
presión y la tuerca.
7. En el orificio que da al otro transistor (hacia el
centro del disipador) coloque el otro separador de
plástico, su arandela de presión y la tuerca.
8. Proceda a afirmar con la presión aconsejada por el
personal de cátedra presente.
9. Mida con un multímetro aislación eléctrica entre
el transistor y el disipador.
10. Proceda de igual manera con el otro transistor.
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