UNIVERSIDAD NACIONAL “SIGLO XX”

AREA TECNOLOGÍA
INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA

Práctica № 1, 1er Parcial

Electrónica II
Fecha de emisión: 5 de abril de 2021
Fecha de entrega: 12 de abril de 2021
EJERCICIOS DE REPASO
1. En el circuito del lado derecho, se tiene los siguientes valores: RB = 8 Ω, RG = 5
Ω, R = 60 Ω, IB = 1 A y VG = 24 V. Calcular el voltaje, la corriente y la potencia del
resistor R, (a) empleando el método de las corrientes de malla; (b) aplicando
el método de voltajes de nodo; (c) reduciendo el circuito por transformación
de fuentes, y (d) utilizando el teorema de superposición. [Resp.: 16.976 V;
282.93 mA; 4.8029 W]
2. Del uso de la función de probabilidad de Fermi–Dirac para predecir la
neutralización de carga resulta la ecuación estática para la corriente del diodo: 𝐼𝐷 = 𝐼𝑜 (𝑒 𝑉𝐷 ∙𝑞/(𝑘∙𝜂∙𝑇) − 1).
Sabiendo que el diodo es de germanio 𝜂 = 1, la temperatura de la unión p-n 𝑇 = 295.5 K, la constante de
Boltzman 𝑘 = 1.38 × 10−23 J/K, la carga del electrón 𝑞 = 1.6 × 10−19 C, el voltaje ánodo cátodo 𝑉𝐷 =
0,3 V y la corriente de saturación 𝐼𝑜 = 4 μA, calcular (a) la corriente del diodo; (b) graficar la curva
característica del diodo elaborando una tabla de valores 𝑉𝐷 versus 𝐼𝐷 , asumiendo valores del voltaje
ánodo cátodo desde −0.1 V hasta 0.5 V con incrementos de 0.1 V. [Resp.: (a) 524,92 mA; (b) hipérbole]
3. Los datos de laboratorio para el diodo de silicio (𝜂 = 2) descrito por 𝐼𝐷 = 𝐼𝑜 (𝑒 𝑉𝐷 ∙𝑞/(𝑘∙𝜂∙𝑇) − 1) muestran
que 𝐼𝐷 = 1.5 mA cuando 𝑉𝐷 = 0.4 V, y 𝐼𝐷 = 85 mA cuando 𝑉𝐷 = 0.7 V. Hallar (a) la temperatura para el
cual los datos son tomados, y (b) la corriente de saturación. [Resp.: (a) 158,11°C; (b) 6,97 μA]
4. Considérese un rectificador de onda completa de puente de 4 diodos ideales con carga resistiva pura y
fuente de c.a. 𝑣𝑠 = 40 cos(314𝑡) V. (a) Hallar el valor medio de voltaje en la carga; (b) dibujar dos
periodos de la onda del voltaje de un diodo. Mostrar el circuito. [Resp: (a) 80/π V; (b) 2 pulsos (-)]
5. El diodo zener del siguiente circuito regulador de voltaje tiene 𝑣𝑍 = 𝑉𝑍 = 10 V a un mínimo 𝑖𝑍 = 21 mA.
Si 𝑉𝑏 = 12 ± 1.5 V y 𝑅𝐿 varía desde 220 Ω a 1.5 kΩ, (a) hallar el valor máximo de 𝑅𝑆 para mantener la
regulación, y (b) especificar la capacidad de potencia mínima del diodo zener. [R.: (a) 7.52 Ω; (b) 4.59 W]

6. Calcular la corriente en los instantes 0 s, 5 ms, 10 s en los circuitos RL (𝑖𝑆 = 10 A, 𝐼0 = 5 A) y RC:

[Resp.: RL, 5 A; 8.16 A; 9.97 A; RC, -2.4 A; -1.06 A; -642.3 mA]

7. Hallar la impedancia equivalente de la red a 50 Hz:
25mH
15Ω
Zeq
5Ω

2mH
120mF

[Resp.: 3,75+j7,87 Ω]
8. Obténgase el valor eficaz de las funciones sinusoidales: (a) 𝑣(𝑡) = 310 × cos(377 ∙ 𝑡 − 50°) V, (b) 𝑖(𝑡) =
30 − 70cos(314 ∙ 𝑡 + 20°) A. [Resp.: (a) 219,2 V; (b) 57,88 A]
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9. En un circuito de conexión serie RLC, con R = 10 Ω, L = 15 mH y C = 100 μF, el fasor de voltaje del
resistor es de 150 V con fase de 30°. Suponiendo la frecuencia de 50 Hz, calcular los fasores de voltaje
del inductor y del capacitor. [Resp.: 70,69/120° V; 477,46/–60° V]
10. Una carga equilibrada Y de 10∠–36,87° Ω por fase se alimenta de una red 3ϕ de secuencia inversa
400/690 V. Hallar la corriente de línea y la potencia compleja absorbida. [R: 40 A; 38,4–j28,8 kVA]
11. Sea el cuadripolo de parámetros de impedancia 𝑍11 = 6 Ω, 𝑍12 = −2 Ω, 𝑍21 = −2 Ω, 𝑍22 = 1 Ω. Obtener
los parámetros híbridos correspondientes. [Resp.: ℎ11 = 2 Ω, ℎ12 = −2, ℎ21 = 2 y ℎ22 = 1 S]
12. Siguiendo el método de separación de variables, obtener la solución particular de la ecuación
diferencial: (a) 𝑥𝑦 ′ − 8𝑦 = 0; (b) 𝑑𝑦 = 𝑥(2𝑥𝑑𝑦 − 4𝑦𝑑𝑥), 𝑦(2) = 7. [R: 𝑦 = 𝐶𝑥 8 ; 𝑦 = 2𝑥 2 − 1]
13. Resolver las siguientes ecuaciones diferenciales lineales: (a) 𝑦 ′′ + 9𝑦 = 10𝑒 𝑥 por cálculo operacional;
(b) 𝑥 2 𝑦 ′′ − 4𝑥𝑦 ′ + 4𝑦 = 2𝑥 2 por Cauchy; (c) 𝑦 ′ − 𝑦 = 1 − 2𝑡, 𝑦(0) = 1 por Transformada de Laplace.
[Resp.: (a) 𝑦 = 𝐶1 sin 3𝑥 + 𝐶2 cos 3𝑥 + 𝑒 𝑥 ; (b) 𝑦 = 𝐶1 𝑥 4 + 𝑐2 𝑥 − 𝑥 2 ; (c) 𝑦 = 1 + 2𝑡]
14. Elaborar una tabla de símbolos versus las gráficas de características estáticas de corriente y voltaje de
los dispositivos electrónicos: Diodo, diodo zener, transistor BJT npn, transistor JFET canal n.
15. Un transistor BJT npn tiene 𝛼 = 0,99, 𝐼𝐵 = 25 µA y 𝐼𝐶𝐵𝑂 = 200 nA. Hallar (a) la corriente dc del
colector; (b) la corriente dc del emisor, y (c) el error porcentual en la corriente del emisor cuando la
corriente de fuga 𝐼𝐶𝐵𝑂 es despreciada. [Resp.: (a) 2,495 mA; (b) 2,52 mA, y (c) 0,794%]
16. El siguiente circuito ilustra un método para polarizar un transistor BJT de amplificador CB usando una
sola fuente. El transistor es un dispositivo de Si (𝑉𝐵𝐸𝑄 = 0,7 V), 𝛽 = 99, y 𝐼𝐵𝑄 = 30 µA. Hallar (a) 𝑅2 , y
(b) 𝑉𝐶𝐸𝑄 . [Resp.: (a) 3,36 kΩ; (b) 6,06 V]

17. El método de autopolarización del JFET, ilustrado en el siguiente circuito, tiene un conjunto de
parámetros de puerta cortocircuitada del peor caso, que produce el siguiente gráfico. Sea VDD = 24 V, RD
= 3 kΩ, RS = 2 kΩ, y RG = 10 MΩ. Hallar (a) el rango de IDQ esperado; (b) el rango de VDSQ esperado.
[Resp.: (a) 0,7 mA a 1,4 mA; (b) de 17 V a 20,5 V]

Ing. Freddy Lovera

DOCENTE DE LA MATERIA