Formación de bandas de energía de

los niveles atómicos del diamante

Zona de Brillouin
Semiconductor en un campo eléctrico externo
MOVIMIENTO DE CARGAS EN CAMPOS MAGNÉTICOS

+q r r r r r
v B F = qv × B
r r r
ma = qv × B
r r
r a⊥v
F aceleración centrípeta
v2
a=
r
2
v
m = qvB
r

La carga efectúa un m.c.u

mv
r=
qB

v rqB qB
w= = =
r mr m
Resonancia ciclotrónica
Masa efectiva en función de Eg
Medida de la masa efectiva por resonancia
ciclotrónica para el Ge
 Estructura electrónica del Si y el Ge

Si a=5.43 Å, Ge a=5.64 Å
Estructura energética del Ge y el Si

a) Ge b) Si
Estructura energética del InSb
Estructura energética del GaAs y AlAs
Estructura energética del InAs y InP
Teoría elemental de estados locales

Representación esquemática del Si intrínseco

Estados locales de impurezas para el Ge y el Si
Nivel de Fermi
Llenado de los niveles de impurezas
Integral de Fermi-Dirac F1/2 en función de η
Concentración de electrones en función de η
Concentración de huecos en Si dopado con B (desde 0 hasta 1021 cm-3) en función
de la temperatura
Concentración de portadores en Si, Ge y GaAs en función de la temperatura.
Variación de Eg en función de la temperatura para el Ge.
Posición de EF (en unidades KT) en función de la temperatura para el InSb.