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FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO TALLER SIMULACIÓN X CAMPO

GUÍA DE PRÁCTICAS
ESCUELA: INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA CONTROL Y REDES INDUSTRIALES
CARRERA: INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y AUTOMATIZACIÓN
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE POTENCIA 1
DOCENTE: ING. JORGE LUIS HERNÁNDEZ AMBATO PHD

ESTUDIANTE:

PRÁCTICA N: 07

I. TEMA: Rectificadores Monofásicos de Onda Completa Controlados

II. OBJETIVO:
1. Analizar el funcionamiento de circuitos de rectificación de onda completa controlados con
carga de tipo RL y RLE.

III. FUNDAMENTOS TEÓRICOS

Los circuitos de rectificación permiten obtener una señal de voltaje en DC a partir de una
fuente de generación en AC. Otro tipo de los convertidores AC-DC son los rectificadores de
onda completa que presentan un mejor factor de potencia. En el caso de los rectificadores
controlados, es posible ajustar el ángulo de encendido de los elementos de potencia para
controlar el voltaje promedio de salida.

La figura 1a presenta un circuito de rectificación de onda completa controlado con carga RL,
mientras que en la figura 1b se presenta un rectificador similar, pero con carga RLE.

Figura 1.- Circuitos de rectificación de onda completa controlado con carga: a) RL y b) RLE.

Debido a que el elemento de rectificación es un tiristor SCR, es posible controlar el pulso de


encendido para ajustar uno de los varios parámetros de salida como Voltaje Promedio, Voltaje
Efectivo, Corriente de Salida, Factor de Potencia.

Referencias

 Branko, L. D. y Branko B. (2015). Power Electronics – Converters and Regulators.


(12a ed). Suiza: Springer.
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 Hart, Daniel W. (2011). Power electronics. New York – Estados Unidos: McGraw-
Hill Education.

IV. INSTRUCCIONES:

1. Implementar el siguiente circuito de rectificación controlada con carga RL en Multisim NI.


V+
A
PR1
G1 G3 V+ G1 V+ G3
V
PR2
D1 D3 V2 V3
Vac1BT151_500R BT151_500R R1
2.2Ω

V1 L1 0V 5V 0V 5V
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms
48Vrms 2mH
G4 G2
50Hz
0° Vac1 G4 Vac2 G2
D4 D2
BT151_500R BT151_500R V6 V5
Vac2

0V 5V 0V 5V
0.5ms 20ms 0.5ms 20ms

2. Configurar los parámetros de la fuente V2 y V5 como se muestra en la imagen:


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3. Configurar la fuente V3 y V6 de acuerdo a como se muestra en la imagen:

4. Configurar una simulación de Transitorio con los siguientes parámetros: STIME = 0, TSTOP =
100ms, INITIAL CONDITIONS = “Set to Zero”.
5. Si al momento de ejecutar la simulación se generan errores de convergencia, en la ventana de
configuración de la simulación de Transitorio, en la pestaña “Opción de Análisis” seleccionar
la opción “Usar configuraciones personalizadas…” y dar click en el botón “Personalizar…” y
ajustar la siguiente configuración:
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6. Ejecutar la simulación y guardar las formas de onda resultantes.


7. Aumentar el valor de la inductancia de carga en un orden de magnitud y ejecutar nuevamente
la simulación y guardar las formas de onda resultantes.
8. Agregar una fuente de voltaje DC en el lado de la carga para formar una carga del tipo RLE y
ajustar su voltaje a 10V.
9. Configurar las fuentes V2-V5 y V3-V6 para generar un retardo en la generación de los pulsos
de encendido de 6ms y 16ms, respectivamente. Además, reiniciar el valor de la inductancia de
carga a 2 mH.
10. Ejecutar la simulación y guardar las formas de onda.
11. Aumentar el valor de la inductancia de carga en un orden de magnitud y ejecutar nuevamente
la simulación y guardar las formas de onda resultantes.

V. LISTADO DE EQUIPOS, MATERIALES Y RECURSOS:


1. NI Multisim 14.1
2. Computador
3. Cuaderno de apuntes
4. Calculadora

VI. ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:


1. A partir de la simulación realizada comentar las formas de onda obtenidas y correlacionar los
valores teóricos y simulados para Vo, Vorms, Io, Irms y fp.
2. Cuál es el mínimo y máximo valor de retardo que puede ser configurado para garantizar el
encendido de los SCRs.?

VII. RESULTADOS OBTENIDOS:

Colocar en esta sección los resultados obtenidos de la ejecución de las actividades solicitadas en la
sección anterior.
VIII. CONCLUSIONES:

Colocar en esta sección al menos tres recomendaciones relacionadas a la teoría, metodología y


resultados obtenidos.
IX. RECOMENDACIONES:

Colocar al menos dos recomendaciones relacionadas a la simulación y metodología.


Fecha de presentación: dd – mes – año

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Sr(ita). NOMBRE y APELLIDO Ing. Jorge Hernández Ambato, PhD
Estudiante Profesor

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