40

tensión de disrupción

hojas de características

efecto de ava-
lancha
 41

a
b

a.
b

light-emitting diode ,

b.
42

banda

banda de conducción

p
 43

pn

p n
a
p n
p n
p b.
n c
p
n
p a n
a p
n
a

a
44

p n
b
p n
p n
n
p
c

d
d.

p
n
n
p b
n
b
 45

n
p
p A

n
B.

temperatura de la unión pn temperatura

ambiente

menos barrera de potencial para temperaturas de

la unión más altas.

la variación de (2.2)

V T
V T

La barrera de poten-
cial de un diodo de silicio varía 2 mV por cada incremento de un grado Celsius.

2 mV °C (2.3)
46

( 2 mV °C) (2.4)

V T

VB

V T

VB

RC

A B
 47

IS
Porcentaje 100% por cada 10°C de incremento (2.5)

Porcentaje 7% por °C (2.6)

banda prohi-
bida

ISL
48

IS

IS

RSL

ISL
 49

ISL