Tema 2

Problemas

P2.1 Calcular los parámetros h del circuito de la VCC

figura P2.1. Vcc=12 V
R B1 RC R B1 =760kΩ
R B2 =800kΩ
RB vo
R C=2kΩ
vi
Vi Vo BC547B R E=650Ω
RS R S=1kΩ
R A=10kΩ
CS R E=330Ω
RA RC R B=10kΩ
+
R C=10kΩ
vs ~ CE
R B2 RE
Figura P2.1

Figura P2.4
P2.2 Obtener la AV, AI, AIS, AVS, Zi y Zo, del
circuito de la figura P2.2 cuando ZL=10kΩ, P2.5 Calcular la AVS, AIS, Zi y Zo del amplificador
RS =1kΩ, hi=1100Ω, hr=2.510-4, hf=50, 1/ho= de la figura P2.5 en los siguientes casos:
40kΩ. a) Existe CE,
b) No existe CE.
Rs I1 I2 Nota: hre~0.
IL
hi
+ -1 VCC
ho VCC=10 V
vs V1 + V2
ZL VBB=1.5 V
hfI1 R S=400Ω RC
hrV2
R C=400Ω
vo
R E=100Ω
Figura P2.2
BC547B
+ RS
P2.3 Si un transistor tiene los parámetros {H} de
CE
VBB
E–C hie=1100Ω, hre=2.510-4, hfe=50, 1/hoe= +
vs ~
40kΩ, deteminar los parámetros {H} de B-C y
RE
C-C.
Figura P2.5
P2.4 Para el circuito de la figura P2.4, se pide:
a) Punto de trabajo. P2.6 Calcular la AVS, AIS, Zi y Zo de los
b) AV, AVS, AI, AIS, Zi y Zo. (Nota: hre~0, amplificadores básicos de las figuras P2.6.a,
hoe~0). P2.6.b y P2.6.c.
c) Determinar la amplitud máxima de vs
para que no se produzca un recorte en la
tensión de salida.
d) Repetir el apartado b) y c) en el caso de
conectar al nudo de salida una resistencia
de carga RL=1kΩ (desacoplada mediante
un condensador).
Electronica Básica para Ingenieros

VCC=12 V VCC VDD

R B1 =100kΩ
VDD=15 V
R B2 =180kΩ R B1 R G1
R G1=1MΩ
R E=3.5kΩ
R G2=500kΩ
R L=10kΩ vi 2N5457
R S=10kΩ
R S=600Ω vi VGS (off)≈-1.2V
2N3904
vo
CS vo R G2 R S
RS
+
vs CE RL
~ RE
R B2
Figura P2.7.b

Figura P2.6.a P2.8 Obtener la AV, Zi y Zo del amplificador MOS

de la figura P2.8. Datos: k=33µA/V 2 , VT=1 V,
VCC=12 V VCC W=20µm, L=4µm.
R B1 =160kΩ
R B2 =90kΩ R B1
R E=3kΩ VDD
R S=600Ω vo
vi R G1 RD
2N3906
vo
RS CS
vi
+ VDD=10V
vs R G1=25kΩ
~
R B2 R G2 R G2=25kΩ
R D=2kΩ

Figura P2.b

CE vo RC Figura P2.8
vi 2N3904
VCC=12 V
RB1 =150kΩ VCC P2.9 Obtener el modelo equivalente en tensión del
RB2 =90kΩ
is amplificador Darlington de la figura P2.9.
RE=1kΩ RB1
RC =1kΩ
RS RE RB2 Datos: para ambos transistores hFE=100,
RS =600Ω CB
hie=3kΩ, hfe=250, hoe~0. Repetir el problema
suponiendo que los transistores son BC547A.
Figura P2.6.c

VCC=5 V VCC
P2.7 Calcular la AV, AI, Zi y Zo de los
VBB=3 V
amplificadores basados en JFET de las figuras
IBB=100µA
P2.7.a y P2.7.b. R E=1kΩ

vi vo
VDD ~
+ IBB
VDD=–15 V
RD
R G1=10kΩ R G1 VBB RE
R G2=5kΩ vo
R D=1kΩ vi 2N5460
R S=2.5kΩ VGS (off)≈4.0 V Figura P2.9

R G2 R S P2.10 Calcular la AV, AVS, AI, AIS, Zi y Zo del

CS
amplificador multietapa de la figura 2.10.
Datos: hie=2kΩ, hfe=250, hre~0, hoe~0. Repetir
Figura P2.7.a el problema con hoe=1/40kΩ.
 Tema 2

VCC
VCC
VCC=12 V
RC
RB1 RB3 RC VEE=–5V R B
vo R B=20kΩ
vi R S=5kΩ BC547A
CC
RS R C=5kΩ
RL BC547A vo
CS R E1=1kΩ R S
+ R E2=5kΩ R E21
vs ~ CE
RB2 RB4 vs + R E1
RE1 R E2
~
VEE
VCC =12 V RB1 =100kΩ RB2 =180kΩ RB3 =68kΩ
RB4 =22kΩ RE1=2k2Ω RE2=860Ω RS=600Ω
RL=10kΩ CS =100nF CE=47µF C C=100nF Figura P2.12
RC =2kΩ

Figura P2.10 P2.13 En la figura P2.13 se muestra un amplificador

constituido por dos transistores BC547A
P2.11 Calcular el punto de trabajo y la AV, AVS, AI, acoplados por emisor. Suponiendo que IC1 =
AIS, Zi y Zo del amplificador multietapa de la IC2, se pide:
figura P2.11. a) Determinar el valor de RE necesario
Datos: NPN: hFE=100, hfe=150, hie=4kΩ, para que la tensión en continua de vo
hoe=1/50kΩ; PNP: hFE=80, hfe=130, hie=6kΩ, sea 6V. (Aplicar principio de simetría)
hoe=1/80kΩ b) Si RE=3kΩ, calcular la Av, Zi y Zo del
amplificador.
VCC Nota: hre=hoe=0.
R E2
RC VCC
R B1 vo
VCC=12 V RC
VEE=-5 V
R C=2kΩ vo
CS

vi Q1 Q2
is +
vi ~
R E1
CE RE
RS R B2

VEE
VCC=12 V RB1 =400kΩ RB2 =100kΩ
R C=6kΩ R E1=2kΩ R E2=2kΩ Figura P2.13
R S=10kΩ C S=100nF C E=47µF
Figura P2.11 P2.14 El amplificador de la figura P2.14 está
constituido por dos etapas, una etapa
P2.12 Para el amplificador multietapa de la figura amplificadora básica basada en el N-JFET
P2.12, se pide: 2N5457 y otra en el transistor bipolar
a) Calcular el punto de trabajo. BC547B. Para este circuito, se pide:
b) Obtener directamente del circuito su a) Determinar utilizando gráficas el punto
ganancia aproximada en tensión. de trabajo (IDQ, VGSQ) del transistor
c) Determinar la AV, AVS, AI, AIS, Zi y Zo. NJFET.
Nota: hre=hoe=0. b) Calcular el punto de trabajo del
Electronica Básica para Ingenieros

transistor bipolar (ICQ, IBQ, VCEQ) g) Suponiendo una tensión de entrada vs

c) Obtener la AV, AVS, Zi y Zo sinusoidal, calcular el valor de la
Nota: hre=0. amplitud máxima antes de producirse
recorte y la etapa amplificadora que lo
origina.
VCC Datos: VBE(lin)=0.7 V, hie=5kΩ, hfe=150,
VCC=20 V hoe=1/50kΩ, hre~0.
R B1 RC
R C=3kΩ
vo R S=1kΩ
R B1 =120kΩ
BC547B R B2 =100kΩ
R G=1MΩ
CB R B2 R S=600Ω

2N5457
RS VGS (off)≈-3.5V
CS
+ RG RS CF
vs ~

Figura P2.14

P2.15 La gráfica de la figura P2.15.a contiene la

única información que se conoce sobre las
características eléctricas en DC de los
transistores del amplificador de la figura
P2.15.b. Se pide:
Figura P2.15.a
a) Calcular el punto de trabajo del
transistor Q1. VCC
b) Obtener la recta de carga estática de Q1
y representarla en la gráfica de lafigura RC1 RB5 RC2

P.2.15.a señalando el punto de trabajo RB1 RB2

vo
anterior. RB3 RB4
c) Determinar la relación que debe Q1 Q2 Q3
verificar las resistencias de la primera +
vs ~
etapa amplificadora para que la tensión
V EE
del colector de Q1 (VC1) sea insensible
a variaciones de la tensión de
VCC=10 V VEE=3 V RB1=57.5kΩ
polarización VEE. Nota: buscar la RB2 =1kΩ RB3 =20kΩ RB4 =20kΩ
condición ∂VC1/∂VEE=0. RB5 =5kΩ RC1 =1kΩ RC2 =3kΩ
d) Calcular los puntos de trabajo de los
Figura P2.15.b
transistores Q2 y Q3.
e) Obtener los modelos equivalentes en
tensión de cada una de las etapas
amplificadoras básicas.
f) Obtener el modelo en tensión y
corriente del amplificador completo.