CIRCUITOS

INTEGRADOS (CI)

ING. RAÚL ROJAS REÁTEGUI

1. DEFINICION

Un circuito integrado o Cl, es un componente

electrónico en el cual todos los componentes, incluidos
como: transistores, diodos, resistencias, condensadores
y alambres de conexión, los cuales se fabrican e
interconectan completamente sobre un chip o pastilla
semiconductora de silicio.
2.- INVENTOR
El primer CI fue desarrollado en 1958 por el
ingeniero Jack Kilby justo meses después de haber
sido contratado por la firma Texas Instruments. Se
trataba de un dispositivo de germanio que integraba
seis transistores en una misma base
semiconductora para formar un oscilador de
rotación de fase.

En el año 2000 Kilby fue galardonado con el Premio

Nobel de Física por la contribución de su invento al
desarrollo de la tecnología de la información.
 3.- CLASIFICACIÓN SEGÚN EL TIPO DE
SEÑAL
3.1.- Circuitos integrados analógicos: Pueden constar
desde simples transistores encapsulados juntos, sin unión entre
ellos, hasta dispositivos completos como amplificadores,
osciladores o incluso receptores de radio completos.

3.2.- Circuitos integrados digitales: Pueden ser desde

básicas puertas lógicas (and, or, not) hasta los más complicados
microprocesadores.
4.- CLASIFICACIÓN SEGÚN EL TIPO DE ENCAPSULADO

4.1.- DIP (Dual In-line PacRage):

El pin 1 se identifica mediante una ranura o un punto grabado
en la parte superior de la cápsula. La numeración de los pines
se realiza en sentido anti horario tal como muestra el gráfico.
4.2.- FLAT-PACK:
 El material con el que se fabrican es cerámico.
 La numeración de sus patillas es exactamente
igual al anterior.
 Sus terminales tienen forma de ala de gaviota.
 La distancia entre patillas es de 1,27mm, la mitad

que en los DIP.

4.3.- SOIC (Small Outline Integrated
Circuit) .-
 Circuito integrado de pequeño contorno.
 La terminación de las patillas es en forma de ala de
gaviota.
 Se sueldan directamente sobre las pistas de la
placa de circuito impreso, en un área denominada
footprint.
 La distancia entre patillas es de 1,27mm (0,05").
 La numeración de los pines es exactamente igual a
los casos anteriores.
4.4.- PLCC (Plastic Lead Chip Carrier) :
 Se emplea en generalmente montados en zócalos,
esto es debido a que por la forma en J que tienen sus
terminales.
 Se fabrican en material plástico.
 La numeración posee el punto de inicio en uno de los
lados del encapsulado, que coincide con el lado de la
cápsula que acaba en chaflán, y la numeración
continua en sentido antihorario.
 La distancia entre terminales es de 1,27mm
5.- CLASIFICACIÓN SEGÚN LA
ESCALA DE INTEGRACIÓN

De acuerdo a su complejidad, tos circuitos integrados digitales se

clasifican en 4 categorías llamadas SSI, MSI, LSI y VLSI. Esta
clasificación se fundamenta en la cantidad de compuertas
utilizadas para implementar la función propia del chip- Como
sabemos, las compuertas son los bloques constructivos básicos
de todos los circuitos digitales.
5.1.- SSI (Small Scale Integranon =
Integración en pequeña escala):
Comprende los chips que contienen menos de 13 compuertas.
Ejemplos: compuertas y flip-flops. Los CI SSI se fabrican
principalmente empleando tecnologías TTL, CMOS y ECL. Los
primeros circuitos integrados eran SSI.
5.2.- MSI (Medium Scale Integranon =
Integración en Mediana Escala):
Comprende los chips que contienen de 13 a 100
compuertas. Ejemplos: codificadores, registros,
contadores, multiplexores, decodificadores,
demultiplexores. Los Cl MSI se fabrican empleando
tecnologías TTL, CMOS y ECL.
5.3.- LSI (Large Scale Integration = Integración
en alta escala):
Comprende los chips que contienen de 100 a 1000 compuertas.
Ejemplos: memorias, unidades aritméticas y lógicas (ALU's),
microprocesadores de 8 y 16 bits. Los Cl LSI se fabrican
principalmente empleando tecnologías TTL, NMOS y PMOS.
5.4.- VLSI (Very Large Scale Integration =
integración en muy alta escala):
Comprende los chips que contienen más de 1000 compuertas.
Ejemplos: microprocesadores de 32 bits, microcontroladores,
sistemas de adquisición de datos. Los Cl VLSl se fabrican también
empleando tecnologías I2L, NMOS Y PMOS.
4.- PROCESO DE FABRICACIÓN DE UN CI
Una vez sintetizado, el silicio se funde en una atmósfera inerte y se
cristaliza en forma de barras cilíndricas de hasta 10cm de diámetro
y 1m de largo.

Cada barra se corta en pastillas de 0.25 a 0.50mm de espesor y

las superficies de estas últimas se pulen hasta quedar brillante.
Para fabricar un chip, en las pastillas de silicio primero se procesan
para hacer transistores (agregando impurezas como fósforo o
arsénico a determinadas regiones de la pastilla). Las conexiones
se realizan a través de líneas metálicas
Método Czochralski de crecimiento del lingote.

1.414 ºC
Cada rasgo se forma sobre la pastilla rociando en las regiones
seleccionadas un químico protector sensible a la luz llamado
photoresist, el cual forma una película muy delgada sobre la
superficie de la pastilla. La pastilla es entonces bombardeada con
luz, mediante un proyector deslizante muy preciso llamado alineador
óptico.

Mediante un proceso de revelado, el químico (fósforo, arsénico o

metal) se deposita en las regiones descubiertas por la luz e ignora
las encubiertas por la máscara. Estas últimas zonas aún
permanecen recubiertas de " photoresist".