POLARIZACION DE

TRANSISTORES
Auxiliar: Univ. Jhonny Calani Siñani
Docente: ing. David Molina
Electrónica 1 (ETN - 503) G-A
EL TRANSISTOR
• Son dispositivos de tres terminales, existen 2 tipos:
• Transistores bipolares
• Transistores unipolares
• Estos se caracterizan por la composición de la corriente en sus
terminales.
• T. bipolares, la I están formado por el movimiento de 2 tipos de
portadores, n (electrones) y p (huecos).
• T. Unipolares, únicamente por el movimiento de un portador n o
p.
• En el T. bipolar la corriente de salida se controla por la corriente
de entrada.
• En el T. Unipolar la corriente de salida se controla con la tensión
en la entrada.
ANALOGIAS
• EL TRASISTOR BIPOLAR:
• EMISOR (E)
• BASE (B)
• COLECTOR (C)
• EL TRANSISTOR UNIPOLAR:
• FUENTE (S)
• COMPUERTA (G)
• DRENADOR (D)

• 𝐸 ≈ 𝑆; 𝐵 ≈ 𝐺; 𝐶 ≈ 𝐷 → 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝑆 ; 𝐼𝐵 ≈ 𝐼𝐺 ; 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐷 ; 𝑉𝐶𝐸 ≈ 𝑉𝐷𝑆
• 𝑇𝑂𝑃𝑂𝐿𝑂𝐺𝐼𝐴𝑆: 𝐵𝐶 ≈ 𝐺𝐶; 𝐸𝐶 ≈ 𝑆𝐶; 𝐶𝐶 ≈ 𝐷𝐶
EL TRANSISTOR BIPOLAR

• Los transistores bipolares son dispositivos de tres capas y se

forman por la unión de 3 semiconductores de Ge o Si
disponiéndose una capa de tipo N entre dos de tipo P, o una capa
de tipo P entre 2 de tipo N, se componen de 2 junturas llamadas
junturas de emisor (JE) y juntura de colector (JC). Estos
dispositivos tienen 3 terminales denominadas: Base (B), Emisor (E)
y colector (C).
• El parámetro natural que se define para estudiar a los
transistores bipolares, es el parámetro eficiencia de corriente de
transistor
𝒅𝑰𝑪
• 𝜶𝑭𝑩 = ; 𝑽𝑪 = 𝒄𝒄𝒕𝒆
𝒅𝑰𝑬
• Ecuación fundamental:
• 𝑰𝑪 = −𝜶𝑭𝑩 𝑰𝑬 + 𝑰𝑪𝑩𝑶 BC es reemplazar 𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩
• 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 + 𝜷 + 𝟏 𝑰𝑪𝑩𝟎 EC
• CARACTERISTICA V-I EC
• Región activa: La corriente de colector depende proporcionalmente de
la corriente inyectada en el emisor.
• Región de saturación: La corriente de colector depende
exponencialmente de la tensión colector base.
• Región de corte: La corriente de colector es nula.
• Tensión de arranque Vy: Es la tensión de polarización directa aplicada a
la JE para el que la corriente de entrada deja de valer cero o sea
apreciable.
• Tensión de corte en la entrada VBEcort: Es la mínima tensión de
polarización inversa aplicada a la JE para el que la corriente en la
entrada tomo el valor de cero o la corriente de colector toma el valor de
la corriente inversa de saturación (IC=ICBO).
• Tensión activa en la entrada VBEact : Es la tensión de polarización
directa aplicada en la entrada para el que el transistor trabaja en la
zona lineal como amplificador.
• Tensión de saturación VBEsat, VCEsat : Es la máxima tensión aplicada en la
entrada o la mínima tensión aplicada en la salida del transistor para el
que las corrientes en sus terminales tomen el máximo valor.
TOPOLOGIAS BASICAS

• Topología BC: la señal de entrada se aplica en el terminal del

emisor y la salida se obtiene en el terminal del colector.
• Topología EC: la señal se aplica en el terminal base, y la salida se
obtiene en el terminal colector.

• Topología CC: la señal se aplica en el terminal base, y la salida se

obtiene en el terminal del emisor.

E-B-C
EC: *E inB outC
BC: inE *B outC
CC: outE inB *C
FACTORES DE ESTABILIDAD

• Polarizar un transistor significa determinar las corrientes de

continua de la base emisor y colector adecuadas para una
aplicación en particular. Estas se encuentran relacionadas con la
ecuación fundamental y presentan variaciones con la temperatura
y dispersión del fabricante 3 a 1 para 𝛽 (ganancia de I).
• El análisis de estos factores me ayuda en comparar con eficiencia
los circuitos de polarización para una adecuada aplicación.
• 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐶𝐵0 , 𝐼𝐵 , 𝛽)
• 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )
• Por lo tanto la Ic resulta:
• 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐶𝐵0 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝛽)
• La variación de la Ic se la puede expresar como:
𝒅𝑰𝑪 𝒅𝑰𝑪 𝒅𝑰𝑪
∆𝑰𝑪 = ∆𝑰 + ∆𝑽 + ∆𝜷
𝒅𝑰𝑪𝑩𝑶 𝑪𝑩𝟎 𝒅𝑽𝑩𝑬 𝑩𝑬 𝒅𝜷
𝒅𝑰𝑪
• 𝑺𝑰𝑪𝑩𝟎 = ; 𝑽𝑩𝑬 = 𝒄𝒕𝒕𝒆 𝒚 𝜷 = 𝒄𝒕𝒕𝒆
𝒅𝑰𝑪𝑩𝑶
𝒅𝑰
• 𝑺𝑽𝑩𝑬 = 𝑪 ; 𝑰𝑪𝑩𝟎 = 𝒄𝒕𝒕𝒆 𝒚 𝜷 = 𝒄𝒕𝒕𝒆
𝒅𝑽𝑩𝑬
𝒅𝑰𝑪
• 𝑺𝜷 = ; 𝑰𝑪𝑩𝟎 = 𝒄𝒕𝒕𝒆 𝒚 𝑽𝑩𝑬 = 𝒄𝒕𝒕𝒆
𝒅𝜷
• Resultando la ecuación de dispersión:
• ∆𝑰𝑪 = 𝑺𝑰𝑪𝑩𝟎 ∆𝑰𝑪𝑩𝟎 + 𝑺𝑽𝑩𝑬 ∆𝑽𝑩𝑬 + 𝑺𝜷 ∆𝜷
De la ecuación se concluye, para que el incremento de Ic sea nulo debe
suceder que las variaciones deben ser cero o los factores de estabilidad
deben ser nulos.
• La primera condición es imposible que se cumpla porque depende
de los parámetros físicos intrínsecos al transistor, pero los factores
de estabilidad si se pueden aproximar a la condición cero, porque
estos dependen de los elementos de los circuitos externos al
transistor.
• Si se garantiza la estabilidad para las variaciones de 𝐼𝐶𝐵0 ,
automáticamente queda estabilizada para las variaciones de
𝑉𝐵𝐸 𝑦 𝛽.
• 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 + 𝜷 + 𝟏 𝑰𝑪𝑩𝟎
• Se deriva esta ecuación respecto a IC se obtiene:
𝟏+𝜷
• 𝑺𝑰𝑪𝑩𝟎 = 𝒅𝑰
𝟏−𝜷 𝒅𝑰𝑩
𝑪
• Cuando este valor sea elevado no se analiza los demás
parámetros, pero si es de valor pequeño en este caso
analizaremos los otros parámetros.
CIRCUITOS DE POLARIZACION

• POLARIZACION FIJA POLARIZACION DE EMISOR

R18(2)
VALUE=12V
R16(2)
VALUE=12V

R18 R19
R16 R17

Q10
NPN

Q9
NPN

R22
POLARIZACION COLECTOR BASE AUTOPOLARIZADO
R20(2)
R25(2) VALUE=12V

R25
R20 R21

R26

Q12 Q11
NPN NPN

R27
R24 R23
• Escape térmico:
• Los procesos de elevación de temperatura establecen un
desplazamiento del punto de trabajo sobre las características V-I de
salida del transistor, analizaremos este desplazamiento con respecto a
las graficas de potencia de disipación constante.

• Si trazamos la recta de carga en el eje de VCE a la mitad (VCE/2) se

observa que cualquier desplazamiento ya sea por incremento o
reducción de la IC po problemas térmicos el punto de trabajo se
aproxima a una característica de menor disipación.
• Por tanto:
𝑉𝐶𝐶
• 𝑉𝐶𝐸 < → 𝐼𝐶 ↑→ 𝑃𝐷 ↓
2
𝑉𝐶𝐶
• 𝑉𝐶𝐸 > → 𝐼𝐶 ↑→ 𝑃𝐷 ↑
2
CRITERIOS DE DISEÑO (AUTOPOLARIZADO):
• PARA MAXIMA EXCURSION SIMETRICA
• 𝑉𝐶𝐸 = 0.5𝑉𝐶𝐶
• 0.4𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶
• 0.1𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸
• ESTABILIDAD:
• 𝛽𝑅𝐸 = 10𝑅𝐵
𝑅𝐶
• 𝑅𝐸 ≈
4
EJERCICIOS

• Identificar las topologías:

• EJERCICIO:
• Diseñe un circuito de polarización fija para un TR NPN, con la
característica V- I que se muestra en la figura, para un punto de
trabajo de (6V, 2mA) asuma VCC=12V, finalmente halle el factor
de estabilidad SICB0 y trace la recta de carga
• Datos:
• Q (VCE, IC)
• VCE=6V
• IC= 2mA RB RC

• VCC=12V
• INCOGNITAS VCC
12V Q1
• RB Y RC NPN

• RECTA DE CARGA
• SICBO
• 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩
∆𝐼𝐶 4𝑚−3𝑚
• 𝛽= = = 100
∆𝐼𝐵 30𝑢−20𝑢
• LVK
RB RC
• ME: −𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0…(1)
• MS: −𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0…(2) VCC VCC
12V Q1 12V
• EFT: 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ……(3) NPN

• LCK: 𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪 → 𝑰𝑬 ≈ 𝑰𝑪 … … … … … … . (𝟒)
• De (3)
2𝑚
• 𝐼𝐵 = = 20𝜇𝐴 … . . 𝑒𝑛 1
100
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
• 𝑅𝐵 = = 565𝑘Ω
𝐼𝐵
• De 2: Rc=(Vcc-Vce)/Ic=3kΩ
𝑉𝐶𝐸 → 𝐼𝐶 = 0 𝑉𝐶𝐸 = 12𝑉
• Recta de carga:𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 → 𝑉𝐶𝐸 = 0 𝐼𝐶 = = 4𝑚𝐴
𝑅𝐶
• FACTOR DE ESTABILIDAD:
𝟏+𝜷
• 𝑺𝑰𝑪𝑩𝟎 = 𝒅𝑰
𝟏−𝜷 𝒅𝑰𝑩
(+)

𝑪
𝑑 𝒅𝑰𝑩
• −𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0 => =0 en Sicbo

+1.98
𝑑𝐼𝑐 𝒅𝑰𝑪

mA
𝟏+𝜷
• 𝑺𝑰𝑪𝑩𝟎 = = 𝟏𝟎𝟏
𝟏
RB RC
565k 3k

Q1
NPN
+6.05
Volts
• Diseñe un circuito auto polarizado para un TR NPN, con un
beta=200, para un punto de trabajo de (6V, 2mA) asuma VCC=12V,
finalmente halle el factor de estabilidad SICB0 y trace la recta de
carga.
• Datos:
• Q (VCE, IC) R20(2)
VALUE=12V

• VCE=6V
• IC= 2mA
R20 R21
• VCC=12V
• INCOGNITAS
Q11
• RB Y RC NPN

• RECTA DE CARGA
• SICBO R24 R23
• Aplicando thevenin:
RC

RBB Q13 VCC

NPN

VBB

RE

𝑅2
• 𝑉𝐵𝐵 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 … … (𝛼)
𝑅1 +𝑅2
𝑅1 ∗𝑅2
• 𝑅𝐵𝐵 = … … … … (𝛽)
𝑅1 +𝑅2
• LVK
• ME: −𝑉𝐵𝐵 + 𝑅𝐵𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 0……..(1)
• MS: −𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 0…(2)
• EFT: 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ……(3)
• LCK: 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 → 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 … … … … … … . (4)
• De (3)
2𝑚
• 𝐼𝐵 = = 10𝜇𝐴
200
• Como se tiene más incógnitas que ecuaciones por criterios de
diseño:
• 𝐼𝐶 𝑅𝐸 = 0.1𝑉𝐶𝐶 … … … . 𝛾
• 0.1 𝛽 + 1 𝑅𝐸 = 𝑅𝐵 … … … … … . (𝛿)
 0.1∗12
• De 𝛾 ∶ 𝑅𝐸 = = 600Ω
2𝑚
• En 𝛿 ∶ 𝑅𝐵𝐵 = 0.1 201 600 = 12.06𝑘Ω
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸 −𝑅𝐸 𝐼𝐸 12−6−600∗2𝑚
• En (2): 𝑅𝐶 = = = 2.4𝑘Ω
𝐼𝐶 2𝑚
• En (1): 𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 12.06𝑘 ∗ 10𝑢 + 0.7 + 600 ∗
2𝑚 = 2.02𝑉
𝑅2 𝑅1 𝑅𝐵𝐵
• En 𝛼 : 𝑉𝐵𝐵 = ∗ 𝑉𝐶𝐶 𝑀𝑈𝐿𝑇𝐼𝑃𝐿𝐼𝐶𝐴𝑁𝐷𝑂 ∗ → 𝑉𝐵𝐵 = ∗ 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 𝑅1
12.06𝑘
• → 𝑅1 = ∗ 12 = 71.64𝑘Ω
2.02
• En (𝛽):
1 1 1 1 1 −1
• = + → 𝑅2 = − = 14.5𝑘Ω
𝑅𝐵𝐵 𝑅1 𝑅2 𝑅𝐵𝐵 𝑅1
Recta de carga

4.5

10.8
 (+)

• CALCULO DEL SICB0:

𝟏+𝜷
𝑺𝑰𝑪𝑩𝟎 =

+1.85
𝒅𝑰𝑩

mA
𝟏−𝜷
𝒅𝑰𝑪
R1 R2
𝒅() 71.64k 2k4
• −𝑉𝐵𝐵 + 𝑅𝐵𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 0……..(1)
𝒅𝑰𝑪
𝑑𝐼𝐵 𝑑𝐼𝐵 𝑅𝐸
• 𝑅𝐵𝐵 + 𝑅𝐸 = 0 → = − Q3
𝑑𝐼𝐶 𝑑𝐼𝐶 𝑅𝐵𝐵 NPN +6.43
Volts
𝟏+𝜷 𝟏+𝟐𝟎𝟎
• 𝑺𝑰𝑪𝑩𝟎 = 𝒅𝑰 = 𝑹 = 𝟏𝟖. 𝟑𝟔
𝟏−𝜷 𝒅𝑰𝑩 𝟏+𝟐𝟎𝟎∗𝑹 𝑬
𝑪 𝑩𝑩
R3 R4
14k5 600