Electroquímica, termoelectricidad y conducción no óhmica 1253

(c) Según la ecuación [33.37],

V 178 5 V
7 60.8 mA
Como la resistencia de un dispositivo de thirita disminuye rápidamen-
te al aumentar la diferencia de potencial, este sistema puede ser de utili-
dad para salvaguardar equipos eléctricos contra aumentos repentinos de
tensión. Por ejemplo, supongamos que se conecta el equipo a tierra a tra-
vés de una resistencia de thirita.- En condiciones normales, la diferencia
de potencial que aparece aplicada a la resistencia de thirita es pequeña,
de modo que la resistencia es relativamente grande y la mayor parte de la
corriente circula por el equipo eléctrico. Sin embargo, si de repente se
produce una elevación de potencial en el circuito, se produce asimismo
un repentino incremento de diferencia de potencial en la thirita, cuya re-
sistencia disminuirá rápidamente, con lo que la mayor parte de la co-
rriente se desviará a tierra a través de ella en lugar de pasar por el equipo
que se quiere proteger. Cuando cesa la anomalía en el potencial, la re-
sistencia de la thirita recupera su valor original y la corriente circula de
nuevo preferentemente por el equipo eléctrico.

33.5 Conducción no-óhmica: electrones en la materia

Una conducción no-óhmica en la que interviene el flujo de electrones a
través de la materia se produce en las sustancias denominadas semicon-
ductores. Las conductividades de las sustancias comprenden un intervalo
muy amplio que se extiende desde 10—16 mho/m para la goma hasta 108
mho/m para el cobre. No existe ninguna diferencia nítida física entre los
aislantes (no conductores) y los conductores (metales). La misma sustan-
cia que es un aislante a bajas temperaturas puede resultar un conductor a
temperaturas suficientemente altas. (Esto se debe a que una energía ciné-
tica media de las partículas más elevada dentro de una sustancia produce
una fracción mayor de electrones de valencia que realmente pueden con-
siderarse libres para cambiar sus posiciones en el cristal bajo la influencia
de un campo eléctrico aplicado.)
Podemos definir los conductores como aquellas sustancias (metales)
que conducen cantidades significativas de corriente a temperaturas nor-
males con diferencias de potenciales que poseen los valores normales en
un laboratorio. Análogamente, podemos definir los aislantes como aque-
llas sustancias que no conducen corrientes de valor significativo a tempe-
raturas normales con las diferencias de potencial normales en un labora-
torio. La conducción en los metales es óhmica en condiciones normales;
la conducción en los aislantes es despreciable en condiciones normales.
1254 Electroquímica, termoelectricidad y conducción
Quedan entonces ciertas sustancias en las que se produce una conducción
no-óhmica (y no despreciable) en condiciones normales. Estas sustancias
son los semiconductores, que pueden agruparse en dos categorías:
1 compuestos metálicos (como los óxidos de hierro, cobre, zinc y
aluminio; sulfuros de plomo y hierro y otros muchos compues-
tos);
2 elementos «frontera» (boro, silicio, selenio y germanio) que caen
aproximadamente en la frontera que existe entre los metales y los
no metales en la tabla periódica (ver apéndice G).
En los dispositivos electrónicos actuales el silicio y el germanio son los
dos semiconductores más importantes y en el estudio siguiente nos referi-
remos exclusivamente a ellos.
Se observa conducción no-óhmica en los compuestos metálicos cuan-
do se prepara el compuesto de modo que tenga un exceso de uno de los
constituyentes —por ejemplo, un exceso de zinc en el sulfuro de zinc.
Análogamente las propiedades no-óhmicas de los elementos frontera se
ven grandemente influidas por el dopado— la adición de pequeñas canti-
dades de impurezas seleccionadas de modo que sean semejantes, pero no
totalmente idénticas, a las moléculas del semiconductor en cuanto a su
estructura electrónica exterior. Estas impurezas adquieren unas posiciones
en la estructura cristalina del semiconductor de forma tal que producen
un exceso o defecto local de electrones. La figura 33.22a muestra esque-
máticamente cómo el átomo de germanio (Ge) en un cristal de germanio

Ge": "• Ge-/ *• Ge- G e- '• Ge- *• Ge-

\ Electrones ^ Electrón extra

f \ de valencia /^~~\
Gc^ * (Ge-J « Ge- compartidos Ge-; ' ( As 5 *) * G e -

Ge- : Ge- : Ge- Ge- [ Ge- [ Ge-

%¡¡v' «S2# SéSP
(a) Germanio puro (b) Germanio tipo n
Fig. 33.22 Distribución de electrones en un cristal de germanio
puro comparte sus cuatro electrones de valencia con cuatro electrones de
valencia procedentes de átomos de germanio vecinos. Si el cristal está do-
pado con arsénico (As), que tiene cinco electrones de valencia, entonces
cada átomo de arsénico que ocupe el lugar de un átomo de germanio en
la estructura del cristal tiene un electrón de valencia «extra» que no se
comparte con los átomos de germanio vecinos (ver figura 33.226). Así,
pues, este exceso de electrones está en relativa libertad para moverse en
un campo eléctrico aplicado. Este tipo de semiconductor dopado se deno-
mina semiconductor tipo-n porque los portadores de carga son negativos.
Electroquímica, termoelectricidad y conducción no óhmica 1255
Los átomos de impureza se denominan en este caso donadores porque
proporcionan un exceso de electrones.
Por otra parte, el indio (In) tiene sólo tres electrones de valencia. Si el
germanio se dopa con indio en vez de utilizar el arsénico, existe una defi-
ciencia de electrones compartidos cerca de los átomos de indio (ver figura
33.23). En este caso, bajo la acción de un campo eléctrico aplicado, un
electrón procedente de un átomo vecino será capaz de «saltar» dentro del
«hueco» que existe en la proximidad del átomo de indio. Esto hace que
quede un hueco en otro punto, el cual a su vez se verá rellenado por un
electrón ligado que pasará a ocuparlo procedente de otro átomo vecino y
así sucesivamente. El efecto del movimiento de los electrones ligados es
exactamente como si los propios huecos se moviesen en el sentido del
campo aplicado y, por tanto, los huecos pueden considerarse como por-
tadores cargados positivamente con q = +e. Un semiconductor de esta
clase se denomina semiconductor tipo-p (considerando a los huecos como
portadores de cargas positivas) y los átomos de impureza se denominan
aceptadores porque (aunque sean neutros) pueden aceptar electrones en
sus estructuras electrónicas exteriores.
Campo aplicado
E

Ce J * Ge4 ' Ge 4 Ge 4 í * Ge- ' Ge 4

Ce' Ge- * In' Ge-

• • v° Hut-'«> • • •• ••
Movimiento del electrón./^ e - hueco G e - ' Ge-
MovimientoGdel
Ge 4 ' ' G e - * Ge-
(a) Hueco en la estructura exterior de un (b) Movimiento del hueco por transferencia
átomo de indio de un electrón bajo la acción de un campo
eléctrico aplicado
Fig. 33.23 Huecos en un cristal de germanio con impurezas o «dopado»

Apliquemos a continuación este modelo de huecos-electrones a un diodo

de unión, formado por la unión de un semiconductor tipo p y otro tipo n
(ver figura 33.24). Seguiremos un razonamiento análogo al utilizado en el
estudio de la FEM Peltier (ver sección 33.3). La difusión inicial de electro-
nes y huecos en sentidos opuestos a través de la unión crea una densidad
de carga espacial a cada lado de la unión. Esta región no neutra se deno-
mina zona de extinción de portadores, porque el número de portadores
móviles de carga se extingue dentro de ella cuando los huecos y los elec-
trones se «anulan» entre sí; la zona es del orden de 1 /¿m de anchura. El
campo electrostático E' creado por estas cargas espaciales aumenta hasta
que detiene a la difusión de portadores y se alcanza el equilibrio. La ba-
1256 Electroquímica, termoelectricidad y conducción no

tipo-p

Huecos móviles

Región de
carga
Densidad de carga espacial
•E'

Distribución del potencial

Fig. 33.24 Diferencias de potencial a través de un diodo de unión

rrera de diferencia de potencial Vb se debe a E'. Como se observó en el
caso de la FEM Peltier, podemos unir los extremos opuestos de un diodo
mediante un hilo conductor y mantenerlos a una temperatura diferente
de la que existe en la unión de los semiconductores y generar así una FEM
térmica. Sin embargo, en la mayoría de las aplicaciones de interés tene-
mos que ocuparnos de los semiconductores en dispositivos de control.
Consideremos lo que ocurre cuando aplicamos un campo externo a
través de la unión del diodo conectando una fuente de FEM de potencial
Kcomo se indica en la figura 33.25. Cuando el sentido de la FEM es el
que se ve en la figura 33.25a, el campo externo aplicado a la unión se
opone al campo E'; así hace desplazar a los electrones en exceso hacia el
interior del semiconductor tipo p y empuja a los huecos hacia el interior
del semiconductor tipo n, creando así una corriente convencional equiva-
lente / a través de la unión en el sentido del movimiento del hueco. En
este caso, se dice que tiene polarización directa. En ausencia de cualquier
resistencia externa, se produce en la unión casi toda la caída de potencial
externa V, de modo que el campo de polarización directa disminuye la
barrera de potencial efectivo en la unión desde Vb hasta V'b = Vb — V,
Electroquímica, termoelectricidad y conducción no óhmica

v V

/
•II
p n P
la) Polarización directa (b) Polarización inversa

Fig, 33.25 Rectificador de unión de semiconductores tipos n y p: I' < I

siendo V el potencial suministrado por la FEM, activando así la difusión
adicional a través de la unión. Por otra parte, si la FEM se dirige en la
forma indicada en la figura 33.256, el campo aplicado mueve a los hue-
cos hacia la izquierda y a los electrones hacia la derecha, alejándolos de
la unión. Así se impide o inhibe la recombinación y, como no se generan
nuevos portadores de carga en la unión, únicamente circula a través de la
unión una corriente inversa muy pequeña / ' < /. En este caso se dice
que el diodo tiene polarización inversa. El potencial aplicado V incre-
menta la barrera de potencial de la unión a V'b = Vb + V, inhibiendo así
la difusión a través de la unión. Por consiguiente, igual que el dicho tubo
de vacío, el diodo de unión puede utilizarse como rectificador.
La característica del diodo de unión es

/
[33.46]
en donde V es la diferencia de potencial de polarización directa (que se
toma negativa si la polarización es inversa), 77 es un factor de corrección
(aproximadamente 1 para el germanio y 2 para el silicio), k es la constan-
te de Boltzmann y K0 = r¡kT/e. La característica se ha representado en la
figura 33.26o. Para V > VQ positivo, la corriente crece exponencialmente
con V. En el caso de polarización inversa {V < 0), el término exponen-
cial disminuye rápidamente cuando / tiende a — 1 0 . Los valores típicos
para el germanio a temperatura ambiente (T = 300 K) son del orden de
I0 = 1 ¡iA y VQ = 25,9 mV. La figura 33.266 muestra el gráfico de la ca-
racterística en la forma acostumbrada, habiéndose ampliado la escala de
corriente negativa en el caso de la polarización inversa.

La resistencia dinámica puede calcularse como

1258 Electroquímica, termoelectricidad y conducción no
///„

50

/, mA
40 40

30 30

20
20

10

-0.2 -OI
_J L_

oí o.2 0.3 y/y,

-0.5 nA

(a) Característica del diodo normalizada

I. nA

(b) Valores típicos de la característica de un diodo de germanio

Fig. 33.26 Características de un diodo de semiconductores

Así, pues, en el caso de ciertos valores típicos, obtenemos las siguientes

resistencias dinámicas para cada tipo de polarización
V = 0,2 V / = 2,25 mA Rr 89 Q polarización directa
V = - 0 , 1 V / = -0,98 nA Rr = 102 000 ü polarización inversa
Si el potencial de polarización inversa es suficientemente grande como
para generar un campo del orden de 10 MV/m en la unión, entonces un
portador de carga puede acelerarse lo suficiente por la acción del campo
entre colisiones que puede en una de ellas liberar a otro electrón compar-
tido, el cual a su vez se verá acelerado de forma que puede adquirir ener-
gía suficiente para romper otro enlace covalente. Por tanto, el número de
portadores de carga puede incrementarse rápidamente en un efecto ava-
lancha y la unión del diodo «se rompe» y resulta conductora.
Electroquímica, termoelectricidad y conducción no óhmica 1259
A continuación consideremos el problema de construir un triodo se-
miconductor. Podemos considerar el triodo de vacío como dos diodos en
sentido opuesto, es decir, «espalda contra espalda». La placa y la rejilla
forman un diodo de polarización directa. Como la polarización de la reji-
lla respecto al cátodo es negativa, la rejilla y el cátodo forman un diodo
de polarización inversa, inhibiendo el flujo de corriente convencional
procedente de la placa y así proporciona el mecanismo de control. Apli-
quemos esta analogía al diodo de unión creando un transistor de unión
como si se uniesen «espalda contra espalda» dos diodos de unión (ver fi-
gura 33.27). Queremos que el flujo de corriente sea controlado, pero no
cortado, de modo que tendremos que hacer la región tipo n (conocida
como base), existente entre los dos segmentos tipo p, de espesor muy
pequeño para reducir al mínimo la recombinación de los portadores de
carga dentro de la base. El segmento tipo p de la izquierda de la figura
33.27 se denomina emisor, el segmento tipo p de la derecha se denomina
colector.
Lo normal es que la corriente que sustrae la base de muy pequeño es-
pesor sea muy reducida de modo que la corriente de huecos IE que pasa a
través del emisor es aproximadamente igual a la corriente Ic que pasa por
el colector. Así, pues, la razón entre las potencias producidas por los dos
componentes es

[33.48]

20 (im

Base

(a) Transistor de unión tipo-pnp

Emi R, R, Colector
A/VW-A/VV

I o Base
(b) Red equivalente utilizando dos
diodos de unión tipo-pn

Fig. 33.27 Un transistor de unión y un circuito análogo con dos diodos de unión pn
en funcionamiento opuesto
1260 Electroquímica, termoelectricidad y conducción
La potencia de salida es mucho mayor que la potencia de entrada, lo cual
nos sugiere que podemos utilizar el transistor como la base de un disposi-
tivo de control análogo al que se obtenía utilizando el triodo de tubo de
vacío. El nombre de «transistor» es de hecho una abreviatura de «power-
transfer resistor» (resistencia de transferencia de potencia). Recuérdese
que el transistor actúa como una válvula; la potencia se obtiene a partir
de una batería externa o de alguna otra fuente de FEM. El segundo prin-
cipio de la termodinámica nos impide así la conversión directa de la ener-
gía térmica de los electrones de valencia en potencial eléctrico.
El transistor de la figura 33.27 se dice que es del tipo pnp. También
es posible construir un transistor tipo npn, con la base construida con un
semiconductor tipo p y el colector y el emisor hechos con semicon-
ductores tipo n. De hecho, el transistor de unión tipo npn es el de em-
pleo más común. Como podemos evitar algunos signos menos y algunos
problemas conceptuales al estudiar los sentidos de las corrientes, conside-
raremos únicamente transistores tipo npn en la sección siguiente. La figu-
ra 33.28 muestra los símbolos utilizados ordinariamente para representar
los dispositivos de semiconductores en los diagramas de circuitos. En los
símbolos que representan transistores, la flecha indica el sentido del flujo
de corriente convencional a través de la unión emisor-base. En las aplica-
ciones corrientes por la base circula sólo el 1 °7o de la corriente.

Emisor Colector Emisor Colect

(a) Transistor tipo pnp (b) Diodo de unión (c) Trans¡stor ,¡po npn

Fig. 33.28 Símbolos utilizados en los diagramas de circuitos

Los transistores fueron inventados en 1948 en los Estados Unidos por

John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley, quienes compartie-
ron en 1956 el Premio Nobel de Física por su descubrimiento. Los tran-
sistores han demostrado ser mucho más estables, compactos y fiables que
los tubos de vacío y sus necesidades de potencia son mucho menores por-
que no necesitan ninguna calefacción. También resultan más baratos en
su fabricación en cantidad. Así, pues, el descubrimiento de los transisto-
res condujo a una revolución de largo alcance en la electrónica. Compa-
rando dos aparatos de radio de tipo medio construidos en 1945 con tubos
de vacío y en la actualidad con transistores, puede decirse que su tamaño
y su precio se han reducido aproximadamente por diez (teniendo en cuen-
ta el alza en el coste de la vida). Un ordenador grande típico de la década
de los 50 ocupaba varias salas grandes, requería grandes cantidades de
potencia y necesitaba unos sistemas de refrigeración muy complejos y
Electroquímica, termoelectricidad y conducción no óhmica 1261
amplios para eliminar el calor generado en los tubos de vacío. En la ac-
tualidad puede conseguirse una gran potencia de cálculo y una gran capa-
cidad de memoria en un pequeño microordenador, basado en una simple
pastilla o «chip» que contiene un elevado número de transistores fabrica-
dos a la vez en una pequeña lámina u oblea de silicio del tamaño de una
uña (o incluso menor). Estos microordenadores se consiguen ahora a
unos precios tan bajos que hace que sean una necesidad corriente en los
centros escolares, laboratorios e industrias y está encontrando una utili-
zación cada vez más amplia en los utensilios caseros, en ciertos juegos e
incluso como ordenadores programables aislados.
Antes de abandonar el tema general de la conducción no-óhmica en
la materia, mencionaremos algunas de las características generales de la
conducción en los gases, aunque cualquier estudio detallado está fuera
del objetivo de este libro. Como un gas en condiciones normales está
compuesto por moléculas neutras, siendo así no conductor, deben indu-
cirse de alguna manera en el gas las cargas portadoras de la corriente
antes de que pueda actuar como conductor. Esto puede hacerse de tres
modos:
1 por efecto de las colisiones entre partículas en movimiento muy
rápido que golpean a los electrones de las moléculas neutras libe-
rándolos de las mismas;
2 mediante el efecto de la radiación electromagnética, como la luz,
que puede ionizar ciertas moléculas si la radiación posee la fre-
cuencia apropiada;
3 mediante la introducción de partículas cargadas procedentes de
una fuente exterior.
Una vez inducidas las cargas en el gas, puede explicarse una diferencia de
potencial V entre los terminales del tubo de descarga gaseosa, como ocu-
rre en los anuncios luminosos de neón o en una lámpara fluorescente.
Las partículas ionizadas se aceleran al moverse desde un terminal hacia el
otro bajo la influencia del campo (ver figura 33.29). Cuando V < VA la
conducción está garantizada por las cargas inducidas creadas inicialmente
(o presentes de modo natural). Si V > VA, las partículas cargadas ad-
quieren energía suficiente, acelerándose por el campo entre colisiones de
forma que pueden ionizar las moléculas neutras cuando chocan contra
ellas. Por tanto, se origina un efecto avalancha en el que se producen
cada vez más partículas cargadas por las colisiones sucesivas de las partí-

v Fig. 33.29 Característica de una descarga en gases

 Electroquímica, termoelectricidad y conducción
culas originales y de las de nueva creación. Una vez iniciado el efecto
avalancha, la corriente aumenta rápidamente y la caída de potencial en el
tubo disminuye (es decir, se necesita menos trabajo para que una carga
determinada se mueva a lo largo del tubo). Sin embargo, si la diferencia
de potencial externa se incrementa aún más, la corriente dentro del tubo
tiende gradualmente a un nuevo valor de saturación. Por ello, la caracte-
rística del tubo de gas puede tener varios valores diferentes de / = f(V)
para un valor determinado de V. El punto real de funcionamiento depen-
de, así, de la historia previa de funcionamiento del tubo y en este sentido
puede decirse que dicho tipo de tubo tiene memoria.
El tema de los dispositivos no lineales es muy complejo. Sin embargo,
su importancia teórica y práctica es inestimable y el estudio que sigue a
continuación servirá para proporcionar algunos fundamentos generales
para estudios futuros y para despertar la curiosidad del lector. En su ple-
no y real sentido, gran parte de los triunfos más inspirados de la t e c n o l o -
gía moderna se deben a la explotación inteligente de la no linealidad en
circuitos eléctricos.

33.6 Circuitos de transistores

Los transistores pueden conectarse y polarizarse de varias maneras dife-
rentes. Normalmente uno de los terminales del transistor es común —es
decir, se conecta a la vez al terminal de entrada y al de salida. En la figu-
ra 33.30 se ve una disposición simplificada de emisor común. En esta
configuración, el emisor es la fuente de portadores de carga, el colector

n Unión con
'. polarización
*"* inversa
V
-••"««ÍK* • ^n'°n c°n

• polarización
directa
Jk, = 0

(a) Circuito amplificador (b) Polarización de la unión del transistor

Fig. 33.30 Disposición de emisor común

recibe la mayor parte de los mismos y la base actúa como una válvula
para controlar su flujo. Así resulta una dependencia complicada entre la
corriente del colector Ic y la diferencia de potencial Vc aplicada al tran-
sistor. (El terminal de emisor está conectado a tierra.) A su vez, el poten-
cial Vc depende sensiblemente de la corriente IB que se extrae por la base.
Electroquímica, termoelectricidad y conducción no óhmica
La figura 33.31 muestra el conjunto resultante de curvas característica*
lc = f(Vc, IB), con algunos de los valores típicos para el germanio.
Consideremos la configuración de la figura 33.30 en un caso en el que
y ce = 9 V y i?¿ = 1 kfl. Podemos dibujar la característica de la línea de
carga Ic = (Vcc — VC)RL entre los grupos (9 V, 0) y (0, 9 mA) como se
ve en la figura 33.31. Entonces el punto de funcionamiento Q para una
corriente de base de IB = 20 ¡JLA está en (7V, 2 mA), en donde la línea de
carga corta a la característica adecuada. Por tanto, la potencia transferi-
da a la carga es
PL - RJl = 4mW
Supongamos a continuación que cierta fuente externa de FEM produce
una variación en IB hasta valer 60 ¡IA (el triple del valor anterior de la co-
rriente de la base). El nuevo punto de funcionamiento Q' está en (4V, 5
mA), de modo que la variación AIC de la corriente del colector es
Ale ~ 5 — 2 = 3 mA. De aquí que la potencia cedida a la carga sea
ahora
P'L = RJ'J = 25 mW

Por tanto, triplicar el valor de IB produce un incremento superior a seis

veces la potencia consumida por la carga.
Para comprobar que el transistor es realmente un dispositivo de con-
trol efectivo, necesitaremos determinar cuánta potencia adicional se gasta
en la base cuando la corriente IB se varía a 60 ¡IA. En primer lugar, ob-
sérvese que la unión base-emisor está polarizada directamente —es decir,
el potencial positivo VB tiende a ayudar al movimiento de los electrones
desde el emisor tipo n a la base tipo p. Por consiguiente, podemos esti-
mar el potencial a partir de la característica del diodo de unión ideali-

10 Is = IOOMA

8 8 0 MA

I i l l l L_2i I ».
0 2 4 6 8 10 Vc, V

Fig. 33.31 Función característica de salida correspondiente a un transistor tipo npn

con emisor común (ver figura 33.30)
 Electroquímica, termoelectricidad y conducción
zado. Si tomamos como típicos los valores I0 = 1 /¿A y V0 = 25,9 mV,
entonces la ecuación [33.46] para V = VB predice
VB - 79 mV para/ fl - 20 fiA
VB - 106 mV para/ B 60 mA
Por tanto, el consumo incrementado de potencia en la malla base-emisor
vale solamente
APB m (106 X 60 - 79 X 20) nW = 4.78 MW
Aunque este cálculo no es exacto, nos da una idea del orden de magnitud
del control hecho posible a través del empleo del transistor. Una buena
medida de este control es el cociente
m üinW *. 4375 f33 491
APB 4.78 MW l 33 - 49 J
Otras medidas útiles de la efectividad de este amplificador con emisor
común son sus ganancias. La ganancia de corriente es
. A/ c 3 mA
A, = = = 75 Í33.501
' AIB 40 M A 1 J

y la ganancia de tensión es
RLAIC 3V ...
^ = ~Air- * 2TrnV = U 1 '33-5IJ
.siendo AK^ la variación de Finalmente', existe la ganancia de poten-
cia:
AP = AVA, « 75 X 111 = 8300 [33.52]
La ecuación [33.52] es comparable pero no es la misma que la ecuación
[33.49]. Como la unión colector-base posee polarización inversa, la
mayor parte de la variación de potencial en la malla de salida aparece a
través de esta unión. En la unión base-emisor únicamente aparece una
variación relativamente pequeña, siendo dicha unión común a ambas ma-
llas; de aquí que exista una ganancia de tensión significativa. La varia-
ción de la corriente del colector correspondiente es de acuerdo con ello
mucho mayor que la pequeña variación de corriente de la malla de entra-
da, de modo que la ganancia de potencia es muy grande. Varios circuitos
de transistores pueden disponerse en cascada, de modo que la salida de
un circuito forma la entrada del siguiente y así sucesivamente. Entonces
la ganancia global de la cascada completa es el producto de las ganancias
individuales de sus transistores componentes.
Otros dos tipos de circuitos de transistores fundamentales son el de
base común y el de colector común (o seguidor de emisor, «emitter-
follower»). La figura 33.27 muestra un transistor tipo pnp en un circuito
con base común. Como hemos visto las corrientes del emisor y del colee-
Electroquímica, termoelectricidad y conducción no óhmica 1265

Unión con
polarización
directa
Unión con
polarización
inversa

(a) Circuito (b) Polarización fíg. 33.32 Disposición de colector común

tor son aproximadamente iguales, de modo que no existe ninguna ganan-

cia significativa de corriente. Sin embargo, la unión base-colector posee
polarización inversa, mientras que la unión emisor-base tiene polariza-
ción directa. Así, pues la ganancia de potencia a través de una resistencia
de carga situada en la malla base-colector (salida) será del orden de mag-
nitud de R/Rf > 1, de modo que existe una moderada ganancia de po-
tencia, aunque Ic = IE. Normalmente la ganancia de potencia en el caso
de una configuración de base común es uno o dos órdenes de magnitud
menor que la ganancia de potencia en el caso de la configuración de emi-
sor común.
La figura 33.32 muestra una disposición con colector común. Como
la unión base-colector común en ambas mallas tiene polarización inversa,
la mayor parte de la variación de potencial a través del transistor a p a r e c e
en esta unión y, por ello, la ganancia de tensión es aproximadamente la
unidad. Es decir, como la variación de potencial en la unión base-emisor
es esencialmente despreciable, cualquier variación de potencial que se
produzca en la malla de entrada constituirá la casi totalidad de la varia-
ción de potenciaf que aparece en la malla de salida. Sin embargo, existe
una ganancia de corriente en esta configuración, de modo que la ganan-
cia de potencia no es la unidad.
Estos tres tipos de circuitos de transistores con un electrodo común
difieren en sus resistencias de entrada y de salida —que son las resisten-
cias equivalentes medidas entre los terminales del transistor en las mallas
de entrada y de salida, respectivamente —y lo mismo ocurre con sus
ganancias. La tabla 33.3 nos da una comparación entre los órdenes de
magnitud correspondientes a estas tres configuraciones.
Otro tipo importante de transistor es el transistor de efecto de campo
o FET («field-effect transistor»). En este transistor, la corriente circula a
través de un canal semiconductor que está limitado por uniones con otros
semiconductores; los semiconductores que lo rodean y sus uniones con el
canal forman la puerta (gate en inglés) que controla el flujo de corriente
a través del canal. Obsérvese que en este caso la corriente fluye junto a
las uniones en lugar de pasar a su través. La figura 33.33c muestra un
transistor de este tipo denominado FET de canal N, en el que el canal
 Electroquímica, termoelectricidad y conducció
Tabla 33.3 Propiedades de las configuraciones de los transistores
(valores de los órdenes de magnitud)
Propiedad Emisor común Base común Colector común
Ganancia de corriente 100 1 100
Ganancia de tensión 100 100 1
Ganancia de potencia 10,000 100 100
Resistencia de entrada 1000Q 100 Q 100,000 Q
Resistencia de salida 100,000 fí 1,000,000 fi 100 ü
está formado por un material tipo n y la puerta está formada por un ma-
terial tipo p. Los electrones fluyen desde el extremo negativo (la fuente,
«source») a través del canal tipo n al extremo positivo (el drenaje,
«drain»). Si la puerta se polariza negativamente respecto al canal, enton-
ces las uniones que rodean el canal poseen polarización inversa, de modo
que los portadores de carga se ven alejados de las uniones para formar
zonas de extinción alrededor de ellas, como se ha indicado. Dentro de es-
tas zonas, la separación de cargas da origen a grandes campos localizados
que inhiben el flujo de los portadores de tipo n —de modo que producen
el efecto de reducir o constreñir el canal. Si se aumenta la polarización
negativa de la puerta se incrementa el tamaño de las zonas de extinción,
inhibiéndose aún más el flujo de la corriente de drenaje ID. Pequeños
cambios en el potencial de la puerta VG dan origen a g r a n d e s c a m b i o s en
ID, de modo que en este transistor s e v e r i f i c a u n a a m p l i f i c a c i ó n n o t a b l e .
El efecto es semejante en principio al funcionamiento del circuito del
triodo de la figura 33.21, en el cual la rejilla se encuentra polarizada ne-
gativamente respecto al cátodo. Sin embargo, en la región de funciona-
miento normal de un FET, la corriente de drenaje ID depende casi por
completo del potencial de la p u e r t a VG y e s c a s i c o m p l e t a m e n t e i n d e p e n -
diente del potencial de drenaje VD. Es posible construir también un F E T

vo > o
v
T °
Drenaje

(a) Transistor (b) Diagrama del circuito

Fig. 33.33 Transistor con efecto de campo y canal N (FET)

Electroquímica, termoelectricidad y conducción no óhmica 1267
con canal P, en el que el canal se construye con material tipo p y la puer-
ta con material tipo n. La figura 33.33¿> muestra el símbolo convencional
de un FET canal P.

33.7 Redes equivalentes de transistores

Como ejemplo de aplicación de la electrónica supongamos que se desea
tomar una señal de pequeña amplitud variable con el tiempo (como las
ondas de radio detectadas por una antena) y amplificarla hasta conseguir
una señal de mayor amplitud sin modificar la forma de la señal —es de-
cir, sin distorsión. De aquí que posean un particular interés las variacio-
nes de los potenciales y de las corrientes a través de la carga. Es posible
crear una caja negra con cuatro terminales que sirva para representar el
efecto producido por cualquier circuito de transistores en dichas variacio-
nes sobre porciones razonablemente grandes de la superficie característica
en regiones de la misma en donde es aproximadamente plana. Así, pues,
podemos crear un modelo linealizado de funcionamiento del transistor en
un intervalo determinado de tensiones y corrientes al cual podamos apli-
car entonces la teoría de los circuitos lineales estudiadas en los capítulos
31 y 32.
Consideremos el circuito de transistores como una caja negra, como
se ve en la figura 33.34, con variables de entrada

iB = h + h vB = yB + vb [33.53]
y variables de salida
'c = Ic + »c üc = vc + »c [33.54]
en donde las letras mayúsculas representan el punto de funcionamiento
del circuito lB, Vc, Ic, a las que ahora debemos añadir la magnitud VB
(porque la ecuación del diodo de unión no es exactamente válida para el
caso de la unión base-emisor con polarización directa), y las corrientes y
potenciales totales vienen dados por iB, vB, ic y vc; las cantidades ib, v0,
ic y vc representan las variaciones de los valores totales respecto a los va-
lores constantes del punto de funcionamiento.

Fig. 33.34 Red con un transistor en emisor común

considerada como una caja negra con cuatro terminales