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Ecuaciones Cerradas para El Diseño de Amplificadores Clase F Closed Equations For The Design of Class F Amplifiers
Ecuaciones Cerradas para El Diseño de Amplificadores Clase F Closed Equations For The Design of Class F Amplifiers
Resumen Abstract
Este artículo muestra una metodología para This paper shows a methodology for designing
el diseño de amplificadores clase F, basada en class F amplifiers based on closed equations that
ecuaciones cerradas que permiten el cálculo allow the direct calculation of the output matching
directo de la red de acople de salida. Como network. For the sake of proving, a prototype has
demostración, un prototipo ha sido realizado been carried out using the Cree´s device GaN
usando el dispositivo GaN HEMT CGH40010 HEMT CGH40010, obtaining a maximum drain
de Cree, obteniendo una eficiencia de drenaje efficiency of 65 %, small signal gain of 14.2 dB
máxima de 65%, ganancia a pequeña señal de and saturated output power of 41 dBm, using
14.2 dB y potencia de salida en saturación de 41 sinusoidal excitation. The drain voltage and
dBm, usando excitación tipo sinusoidal. Las formas current waveforms are coherent with theory and
de onda obtenidas para el voltaje y la corriente the results in continuous-wave are outstanding.
de drenaje son coherentes con la teoría y los
resultados en onda-continua son sobresalientes. Keywords: GaN-HEMT, power amplifier, high
efficiency, HEMTs, Microwave amplifier.
Palabras clave: GaN-HEMT, amplificador de
potencia, alta eficiencia, HEMTs, amplificador de
microondas.
1
Ingeniero Electrónico, Doctor en Dispositivos Electrónicos, Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia, Colombia.
E-mail: jjmorenorubio@uptc.edu.co
2
Ingeniero de Sistemas, Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia, Colombia. E-mail: javierfrancisco.rodriguez@uptc.edu.co
3
Ingeniero de Sistemas, Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia, Colombia. E-mail: nydia.cely@uptc.edu.co
4
Ingeniero Electrónico, Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia, Colombia. E-mail: edison,angarita@uptc.edu.co
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Dado que en la literatura poco se mencionan los Como puede verse en Colantonio et al, (2009
detalles de diseño de la red de salida cuando se p. 177), el trabajo de ingeniería necesario para
usan dispositivos con empaquetado, en la sección obtener un amplificador clase F consiste en diseñar
II, se muestra una metodología que permite una red de acople de salida, de tal manera que un
calcular inmediatamente la red de acople de salida corto circuito sea presentado al drenaje intrínseco
que conlleva a la síntesis de las cargas tanto a la del dispositivo a la segunda frecuencia armónica,
frecuencia fundamental como al segundo y tercer mientras que un circuito abierto debe ser generado
armónico, buscando las formas de onda deseadas. a la tercera; en realidad teóricamente es una
impedancia real de gran magnitud que depende
Luego, en la sección III, una implementación del ángulo de conducción del drenaje, pero en
en Advanced Design System, ADS, usando un muchos casos simplemente una impedancia con
dispositivo de alta movilidad electrónica es magnitud relativamente grande es una buena
llevada a cabo como forma de probar la eficacia aproximación.
de la metodología y mostrando resultados
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(2)
Figura 1. Red de salida equivalente de un dispositivo tipo Siendo, IMAX la corriente de saturación del
FET empaquetado dispositivo (ver figura 2), y φ es el ángulo de
conducción, el cual depende de la polarización
Los armónicos de mayor orden se consideran (voltaje de compuerta VGG) del dispositivo. Por
cortocircuitados o simplemente se desprecian. La ejemplo, si el dispositivo es polarizado en clase
carga fundamental debe estar dada por la carga del B, φ es igual a π radianes. Téngase en cuenta que,
amplificador de carga sintonizada como se muestra como mostrado en (Cripps, 2006), el ángulo de
en Colantonio et al, (2009 p. 177), multiplicada por conducción debe estar teóricamente entre π y 2π
un factor de 1.15. En otras palabras, la carga ZL del radianes.
amplificador clase F es real y 15% mayor a la carga
del circuito con carga sintonizada. Así
(1)
El valor de ZL dado en la ecuación (1), permite saturación. Esto indica un factor de utilización del
que el dispositivo al ser excitado con una señal 100% del dispositivo.
sinusoidal, tenga una curva dinámica como la
mostrada en la figura 2, exactamente al entrar en
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La red de acople de salida, propuesta en este valor calculado, usando las ecuaciones 1 y 2. Dado
trabajo, es como se muestra en la figura 3. El objetivo que se desea generar una metodología de diseño
de la red es generar en el drenaje intrínseco del para aplicaciones de alta frecuencia, se propone
dispositivo, un cortocircuito al segundo armónico, una red con elementos distribuidos, en este caso
alta impedancia al tercer armónico y finalmente líneas de transmisión.
también sintonizar la componente fundamental al
Figura 3. Red de acople de salida propuesta usando líneas de transmisión, f0 representa la frecuencia fundamental.
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Los valores de VDD y VGG son 28 V y -2.8 V respectiva- La figura 6 muestra los resultados de eficiencia
mente, los cuales presentan una polarización clase de drenaje, ganancia transducida y potencia de
AB cercana a clase B, como lo sugerido por varios salida en función de la potencia disponible desde
autores (Colantonio et al., 2009, p.177)-(Cripps et la fuente de excitación. Como puede notarse una
al., 2006). La figura 5 muestra las formas de onda eficiencia en saturación de 65 % ha sido obtenida,
obtenidas para la corriente y el voltaje de drenaje junto con una ganancia a pequeña señal de 14.2
cuando se entra en saturación. Nótese la tenden- dB y una potencia de salida en saturación de 41
cia del voltaje de drenaje a ser una onda cuadrada dBm (12.6 W).
y el de la corriente a ser una sinusoidal truncada,
como sugiere la teoría sobre amplificadores clase Este resultado es satisfactorio en comparación con
F. el estado del arte para este tipo de dispositivos,
como se muestra en la tabla 1.
El amplificador diseñado está siendo implementado sobre el substrato RF35 de Taconic con espesor de
0.76 mm y constante dieléctrica de 3.5, y un set-up está siendo preparado para su caracterización tanto a
pequeña como gran señal.
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Los autores agradecen al Grupo de Investigación Gao, S., Butterworth, P., Sambell, A., Sanabria, C.,
en Telecomunicaciones, GINTEL, de la UPTC, por su Xu, H., Heikman, S., Mishra, U., & York, R. A. (2006).
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