Dispositivos Electrónicos (DE)

Entrega 1.

1. Un semiconductor tiene una estructura cristalina fcc con una constante de red a = 5.5 Å.
Calcule el número de átomos por unidad de volumen.

2. Explique qué le ocurre a un electrón que ya está en la banda de conducción y gana una
pequeña cantidad de energía, por ejemplo por la absorción de un fotón. Explique su
comportamiento utilizando el diagrama de bandas de la figura.
e-

e- Eph Termalización

EC EC

EV EV
3. La concentración intrínseca del silicio es 1010 cm-3 a 300K. ¿Cuál sería su valor si la
temperatura T se incrementara a 800 K? (considere Eg=1.12 eV, kB=8.62×10-5 eV/K)

4. Un trozo de silicio tiene una densidad de impurezas aceptadoras de NA=1016 cm-3. Si le

añadimos impurezas donadoras con densidad ND=3·1016 cm-3, ¿cuál sería el valor final de la
concentración de electrones en equilibrio térmico a 300 K? ¿Y a 800 K?(considere ni= 1010 cm-3,
kB=8.62×10-5 eV/K. Puede utilizar el resultado del ejercicio anterior)
5. Los portadores de carga se mueven en un semiconductor de forma similar a las moléculas de
gas en un container cerrado. Consideremos dos casos: un semiconductor intrínseco y otro
semiconductor con NA=ND >> ni. Piense en la conductividad para ambos casos a la misma
temperatura, ¿qué semiconductor tendrá mayor conductividad y por qué? (Nota: tenga en cuenta la
atracción electrostática que producen las impurezas ionizadas)

6. La distribución de los electrones a lo largo de la energía a partir del borde de la banda de

conducción, nE(E), viene dada por el producto entre la densidad de estados, gc(E) = A(E-Ec)1/2, y la
función de Fermi-Dirac, F(E), qué puede ser aproximada por la expresión de Boltzman F(E) =
exp[-(E-EF)/kBT] para EF << Ec. Represente esquemáticamente nE(E) y calcule el nivel de energía
respecto a EC donde nE(E) es máxima.
7. Encuentre la fracción de impurezas donadoras ionizadas a T = 200 K sabiendo que la
distancia entre el nivel de Fermi y el nivel de energía de las impurezas es: ED-EF = 0.1 eV.
Considere kB = 8.62x10-5 eV/K y utilice la función de Fermi-Dirac.

8. Un trozo de silicio a 300 K tiene una densidad de electrones de n=1016 cm-3. ¿Cuál sería el
valor de la densidad de huecos p a 450 K? Considere ni(300 K) = 1010 cm-3, ni(450 K)= 3.3x1013
cm-3.
9. Indique qué le ocurre al nivel de Fermi de un semiconductor extrínseco cuando aumenta la
temperatura, ¿estará más cerca de la banda de valencia, de la banda de conducción o del centro del
bandgap? ¿Por qué?

10. Le aplicamos un campo eléctrico constante a un semiconductor. Explique en qué dirección

se moverán los electrones y los huecos respecto al campo eléctrico e indique la dirección de las
corrientes. ¿Dependerán estas últimas de si el material es tipo p o tipo n?
11. Tenemos un campo eléctrico E en una región de un semiconductor donde n = ND = 1015 cm-
3
. Calcule la densidad de corriente de arrastre de dichos electrones para dos valores del campo: E =
102 V/cm, and E = 105 V/cm. (Datos: µn = 1500 cm2/Vs; vsat = 107 cm/s.)

12. Un semiconductor en equilibrio térmico tendrá siempre Jn = Jn|diff + Jn|drift =0 y Jp =Jp|diff +

Jp|drift = 0. Imagine que tenemos un semiconductor en estas condiciones con un dopado no uniforme
como el que se presenta en la figura que determina la densidad de electrones n(x)= ND(x). Como no
podemos tener corriente neta de electrones, ¿en qué sentido apuntara el campo eléctrico necesario
para compensar la corriente de difusión? Justifique su respuesta.

n(x)= ND(x)