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PRESENTADO POR:
Transistor BJT
LED, por sus siglas en inglés como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz
es un diodo que emite luz visible o invisible (infrarroja) cuando se energiza. En
cualquier unión p–n polarizada en directa se da, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unión, una recombinación de huecos y electrones. Esta
recombinación requiere que la energía procesada por los electrones libres se
transforme en otro estado. En todas las uniones p-n semiconductoras una parte de
esta energía se libera en forma de calor y otra en forma de fotones. En diodos de
Si y Ge el mayor porcentaje de la energía convertida durante la recombinación en
la unión se disipa en forma de calor dentro de la estructura y la luz emitida es
insignificante.
Región de corte
Región de Saturación
1 Resistencia de 1KΩ
1 Resistencia de 390Ω
2 Resistencias de 10K Ω
1 LED
2 Transistor 2n2222A
3 Diodos
EQUIPOS
1 Fuente de Voltaje DC
Protoboard
1 Multimetro
PROCEDIMIENTO
Figura No. 1
2.- Medir los valores de: Ic; Ie; Vbe; Vbc y VCE.
3.- Cerrar Sw1 y medir Ib; Ic; Ie; Vbe; Vbc VCE.
4.- Determinar la condición del Transistor en cada una de las situaciones
anteriores.
Figura No.2
VA VB VD1 VD2 VD3 Vo Condición (Q1)
0V 0V 0,52v 0,52v 0,09 5v Corte
v
0V 5V 0,52v -4,48v 0,11 5v Corte
v
5V 0V -4,48v 0,52 0,11 5v Corte
5V 5V -3,77v -3,77v 0,53 0 Saturación
v
Tabla No. 1
Figura No. 3
Swich cerrado
Swich Abierto
Simulaciones de la figura No.2
Cuando VA Y VB = 0
Cuando VA=5v Y VB= 0
VA= 0V Y VB=5V
VA=5V Y VB=0
VA Y VB = 5V
ANEXOS
Conclusión