PREINFORME LABORATORIO I:

ACTIVIDAD DE REPASO
Brandon Styven Rosero Moran Maria Camila Oviedo Michael David Figueroa Arce.
ARMENIA-QUINDIO
Universidad Del Quindío
Brandons.roserom@uqvirtual.edu.co mcoviedom@uqvirtual.edu.co mdfigueroaa@uqvirtual.edu.co.
Resumen- En el presente informe se analizará el frecuencia que conseguían sus componentes en este
comportamiento de los diferentes análisis,
circuitos conformados por distintas
características del transistor el cual se hará su En los transistores BJT la IC es una función directa del
parte teórica y se comprobará con su parte nivel de IB. Para el FET la corriente ID será una
experimental, igualmente se procederá hacer estos función del voltaje VGE aplicado al circuito de
mismos procedimientos al aplicar los conceptos entrada. En cada caso la corriente del circuito de salida
del diseño de circuitos transistores para la controla un parámetro del circuito de entrada: en un
lograr obtener su respuesta en frecuencia. caso un nivel de corriente, y en el otro un voltaje
Este trabajo contiene componentes aplicado. Así como hay transistores bipolares npn y
como obtener el comportamiento de pnp, también existen transistores de efecto de campo de
la curva característica de entrada y salida para canal n y de canal p. Sin embargo, es importante tener
un transistor BJT y FET, así como analizar tanto en en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo
DC y en AC el cual se comprobará de forma bipolar; el prefijo “bi” indica que el nivel de
experimental en la herramienta de multisim, conducción es una función de dos
finalmente se montaron y analizaron circuitos
De esta forma las ganancias de voltaje de ca típicas
con diferentes valores de transistores
para amplificadores de BJT son mucho mayores que
anteriormente inspeccionados con el datasheet.
para los FET siendo así más estables a la temperatura
que los BJT, y en general son más pequeños que los
BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de
I. INTRODUCCIÓN circuitos integrados (CI). En lo que respecta a los JFET
Para el desarrollo del presente laboratorio se identificó estos se dividen en el transistor de efecto de campo de
la problemática, en el cual se proponen diferentes unión (JFET).
circuitos en el que se usan los transistores; para
solucionarlos se hará uso de conceptos para el diseño II. MÉTODOS E INSTRUMENTOS
de circuitos anteriormente vistos y se analizará el
comportamiento de los diferentes tipos de transistores A. Amplificador con tecnología BJT
empleados para de esa forma ver el funcionamiento y configuración emisor común
la respuesta en frecuencia que estos presentan, para el
Para el siguiente circuito:
circuito se realizó la caracterización que se presenta en
un transistor BJT hallando sus respectivas curvas
características, para los dos circuito se buscó realizar
un análisis matemática en AC y DC, y las respuestas en
 𝐼𝐶
𝐼𝐵=
𝛽

𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐶 ( +𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐵𝐸
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 ( +𝑅𝐸 )
𝛽
2.086 − 0.7
= +𝑅𝐸 = 𝐼𝐶
3.304
400 + 200

[𝐼𝐶 = 6.655𝑚𝐴]
La malla de salida (2)
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
Figura 1 (Circuito 1) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Si 𝐼0 = 0
𝑉𝐶𝐶 (𝑅1)
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
4𝑋103 + 19𝑋103
12(4𝑋103 ) Si 𝑉𝐶𝑐 = 0
𝑉𝐵𝐵 = = 2.086𝑉
4𝑋103 + 19𝑋103
𝑉𝐶𝐶 12𝑣
(4𝑋103 )(19𝑋103 ) 𝐼𝐶 = = . 10𝑚𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 1200 𝛺
𝑅𝐵 = 𝑅1 //𝑅2 = = 3.304𝐾𝛺
(4𝑋103 ) + (19𝑋103 )

Se realizó el análisis en DC en donde los capacitores de 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 12𝑉 − (6.655𝑚𝐴)(200𝛺 + 1𝑘𝛺)
acoplamiento y de paso desaparecen se comportan 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 4.04𝑣
como un circuito abierto ya que está asociado a la
reactancia de los capacitores ya que se asume que la
frecuencia es muy alta y la reactancia es 0 de esta. Análisis en AC

Los Capacitores se comportan como corto y las fuentes en

DC se remplazan por tierras.

Figura 2 (Modelo en DC)

Malla de salida (1)
Primero la malla de entrada (1) 0 = 𝐼𝐶 𝑅𝑝 + 𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐸 𝑅𝑒

𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵. 𝐼𝐵. + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸. 𝐼𝐶. Las relaciones de la las corrientes que refleja la carga.
𝐼𝐸≈ 𝐼𝐶
 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 (𝑅𝑝 + 𝑅𝐸 )

Sumatoria de voltajes y corrientes

𝑇𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 + 𝐼𝐶

𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 ´ − 𝐼𝐶𝑄 (1)

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 ´ + 𝑉𝐶𝑄 (2)

La función de transferencia del emisor común
Las ecuaciones (1)Y(2) se remplazan en la recta de carga.
[𝑠 2 ]
𝑉𝐶𝑒 ´ − 𝑉𝐶𝑄 = (𝐼𝐶 ´ − 𝐼𝐶𝑄 )(𝑅𝑃 + 𝑅𝐸 ) 𝐴𝑣 (𝑆) = [𝐴𝑣 ]
(𝑆 + 𝑊𝑖 )(+𝑊0 )
𝑅𝑃 = 𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 = 500𝛺
Polos y ceros los da los capacitores de acople.
Cuando 𝑉𝐶𝐸 ´ = 0
Se analiza el capacitor de entrada, por lo tanto
−𝑉𝐶𝑄 = (𝐼𝐶 ´ − 𝐼𝐶𝑄 )(𝑅𝑃 + 𝑅𝐸 )
𝐶0 = 𝐶2 = 𝐶𝑜𝑟𝑡𝑜
𝑉𝐶𝑄 4.014v
𝐼𝐶 ´ = + 𝐼𝐶𝑄 = + 6.655Ma 𝜏1 = 𝐶1 𝑅𝐸𝑄
𝑅𝑃 + 𝑅𝐸 700
𝐼𝐶 ´ = 12.38𝑚𝐴 𝑅𝐸𝑄 = 𝑅𝐵 ||(ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑖𝑐 )

Para cuando 𝐼𝐶 ´ = 0 Rad

𝑅𝐸𝑄 = 315.25 = 50.173𝐻𝑧
Seg
𝑉𝐶𝐶 ´ = 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝑃 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝑄
1
𝑉𝐶𝐶 ´ = 6.655𝑚𝐴(500 + 200) + 4.014𝑉 𝑤1= = 𝜏𝑞 = 𝐶1
𝜏𝑎
𝑉𝐶𝐶 ´ = 8.672𝑚𝐴 1 1
𝑤1= = = 500 𝑅𝑎𝑑/𝑆𝑒𝑔
Para graficar se sacan los puntos tanto de DC Y AC, se 𝜏𝑎 (1𝑚𝑓)(2𝑘𝛺)
observa punto de operación del transistor. 𝐹𝑜 = 79.5 + 𝐻𝑧
En AC Se remplaza en la función de transferencia
𝐼𝐶 ´ = 12.38𝑚𝐴 [𝑠 2 ]
𝐴𝑣 (𝑆) = [𝐴𝑣 ]
𝑉𝐶𝐶 ´ = 8.672𝑚𝐴 (𝑆 + 𝑊𝑖 )(+𝑊0 )

EN DC [−2. .452𝑠 2 ]
𝐴𝑣 (𝑆) = [𝐴𝑣 ]
(𝑆 + 500)(𝑆 + 315)
𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
𝐼𝐶 = 10𝑚𝐴
Análisis en frecuencia

• Baja Frecuencia
 𝐶1𝑏 = 25𝑝𝐹
𝐹𝑇 = 300𝐻𝑧
Se halla 𝐶𝐵𝐸 𝑌 𝐶𝐵𝐶 en siguiente:

𝐶𝐵𝐸 = 𝐶𝑏 + 𝐶𝐽𝐶
𝐼𝐶𝑄
𝐶𝑏 =
2π. Ft. Vt
6.685𝑚𝐴
𝐶𝐵 = = 136.40𝑃𝑓
2π(300m)(28mV
𝐶𝑏
𝐶𝐽𝐶 =
3 VBE
√1 − 𝑉
𝐽

25𝑃𝑓
𝐶𝐽𝐶 = = 45.428𝑃𝑓
El modelo hibrido en pequeña señal √1 − 0.7v
3

0.6v
𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐶𝐶𝑄 − 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐵𝐶 = 3.3144𝑣
𝐶𝐵𝐸 = 𝐶𝑏 + 𝐶𝐽𝐶

𝐶𝐵𝐸 = 136.40𝑃𝑓 + 45.428𝑃𝑓 = 181.828𝑃𝑓

10𝑃𝑓 10𝑃𝑓
𝐶𝐵𝐶 = = = 5.36𝑃𝑓
√1 − 3.314v
3
3 VBc
√1 − 𝑉 0.6v
𝐽

Se trabaja con frecuencia alta para que los capacitores

26𝑚𝑉 400(26𝑚𝐴) parásitos tomen acción donde su capacitancia toma su
ℎ𝑖𝑒 = 𝛽 = = 1.56𝑘𝛺
𝐼𝐶𝑄 6.655𝑚𝐴 función así.

Se divide en 2 el circuito hibrido de pequeña señal.

Figura 4 ()
Capacitancias parasitas, teniendo en la 𝐼𝐶𝑄 = 6.655

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 4.014𝑉
𝑉𝐽 = 0.6𝑉

𝐶𝑑1 = 10𝑝𝐹
 Figura 4 () 𝑉0 = 𝐼0 (𝑅𝑃 )
𝐼0 = −𝐼𝐶 = −𝛽𝐼𝐸
Siguiente hacemos el teorema de Miller. [𝑉0 = −𝛽𝐼𝐵 (𝑅𝑃 )]

Para 𝑉𝐼

𝑉𝐼 = 𝐼𝐵 (ℎ𝑖𝑒 ) + 𝐼𝐵 (𝛽𝑅𝐶 )

𝑉𝐼 = (ℎ𝑖𝑒 ) + (𝛽𝑅𝐶 )𝐼𝐵

Figura 4 ()
𝑉0 −𝛽(𝑅𝑃 )
𝐴𝑣= = = [−2.452]
𝑉𝐼 ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸

𝐼0 −𝛽(𝑅𝐶 )
𝐴𝐼= => 𝐼0 =
𝐼𝐼 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿
Corriente para 𝐼𝐵
𝐼1 . 𝑅𝐵
𝐼𝐵 =
ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑖𝑒 + 𝑅𝐵
Reemplazando 𝐼𝐵
Figura 4 ()
𝐼1 . 𝑅𝐵 − 𝛽𝑅𝐶
𝐼0 =
(ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑖𝑒 +𝑅𝐵 )(𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )
𝐼0 −𝛽𝑅𝐵 𝑅𝐶
𝑉1 =
𝐼1= 𝐼𝐼 (ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑖𝑒 +𝑅𝐵 )(𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )
𝑍1 −400(3.304kΩ)(1kΩ)
Para hallar 𝑍𝑖𝑛 ((1.502kΩ) + (400)(200𝛺) + (3.304𝑘𝛺))(200𝛺)
𝐼0
= [−7.706]
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐸 ||(𝐻𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸 ) 𝐼𝐼

𝑍𝑖𝑛 = 3.304𝑘𝛺||(1.562𝑘𝛺 + (400)(200𝛺) 1 𝑉1 − 𝑉2

Z= 𝐼1=
𝑍𝑖𝑛 = [3.172𝑘𝛺] SC Z

Para hallar 𝑍𝑜𝑢𝑡 apagamos la fuente de voltaje. 𝑉1 𝑉2

𝐼1=(1 − )
Z 𝑉1
𝑉1
𝐼1= (1 − 𝐴𝑣 )
Z
Igualando las ecuaciones
𝑉1 𝑉1
= (1 − 𝐴𝑣 )
Z Z
1 1 1
[Z = ] => = (1 − 𝐴𝑣 )
SC 𝑧1 Z

Figura 3 (Zout)
1 1
[ = (1 − 𝐴𝑣 )]
1 1
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑐 = 1𝑘𝛺 S𝑐1 SC
Las ganancias:
𝑉0 Se iguala y se elimina S y queda lo siguiente:
𝐴𝑣= ∶ 𝑉0 = 𝐼0 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) 𝐶1 = C(1 − 𝐴𝑣 ) = 𝐶𝑚2
𝑉𝐼
𝑅𝑃 = (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) = 500𝛺
 1 1 1 PUNTO 2:
= (1 − )
𝑧1 Z 𝐴𝑣
Despejamos
1
𝐶2 = C (1 − ) = 𝐶𝑚0
𝐴𝑣
𝐶𝑚1 = 𝐶𝐵𝐶 (1 − 𝐴𝑣 )
1
𝐶𝑚0 = 𝐶𝐵 (1 − )
𝐴𝑣

𝑉𝐷𝐷 = 10𝑉
𝑅1 = 840𝑘Ω
𝑅2 = 1.3MΩ
𝑅3 = 𝑅𝑆 = 2𝑘Ω
𝐶𝑇1 = 𝐶𝐵𝐶 + 𝐶𝑚1 𝑅4 = 𝑅𝐿 = 10𝑘Ω
𝐶𝑇0 = 𝐶𝐶𝐸 + 𝐶𝑚0 𝐶1 = 1𝜇𝐹

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐵 ||ℎ𝑖𝑒 𝐶2 = 1𝜇𝐹

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 7.5𝑚𝐴 𝑉𝑝 = −5𝑣
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
Análisis en DC:

𝑇ℎ1 = 𝐶𝑇1 𝑅𝐸𝑄

𝑇ℎ1 = 𝐶𝑇0 𝑅𝐸𝑄0 .

1
𝑊ℎ=
𝑇ℎ1
1
𝑊ℎ0=
𝑇ℎ0
𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝑅1 10𝑣 ∗ 840𝑘Ω
1 𝑉𝐺𝐺 = = = 510.28𝑘Ω
𝐴𝑣 ||(¿ ) = 𝐴𝑣 . 𝑅1 + 𝑅2 1.3𝑀Ω + 840𝑘Ω
(𝑆 + 𝑊ℎ1 ) + (𝑆 + 𝑊ℎ0 ) 840𝑘Ω ∗ 10.3𝑀Ω
𝑅𝐺 = 𝑅1||𝑅2 = = 510.28𝑘Ω
840𝑘Ω + 840𝑘Ω

La función de transferencia, se hace la suma de su

transferencia original. Lvk en la malla de entrada:

𝑉𝐺𝐺=𝐼𝐺𝑅𝐺+𝑉𝐺𝑆+𝐼𝐷𝑅𝑆
𝑉𝐺𝐺−𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝑅𝑠
(1)
Para ID:
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠𝑠(1 −
𝑉𝐺𝑆
) (2) 𝑉𝐷𝑆 ′ = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝑉𝐷𝑆 => 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝑝

= 𝑉𝐷𝑆 ′ − 𝑉𝐷𝑆𝑄 (2)

(1) = (2)
LVK en la malla de salida:
𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
= 𝐼𝐷𝑠𝑠 (1 − ) 𝑉𝐷𝑆 = −𝐼𝐷(𝑅𝑠||𝑅𝐿) (3)
𝑅𝑠 𝑉𝑝
Reemplazando (1) y (2) en (3)
3.93 − 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
= 7.5𝑚𝐴 (1 − ) 𝑉𝐷𝑆 ′ − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = −(𝑅𝑠||𝑅𝐿)(𝐼𝐷 ′ − 𝐼𝐷𝑄)
2𝑘Ω −5𝑣
Para la recta dinámica:
Resolviendo:
Cuando VDS’=0
VGS1=-1.886v
𝑉𝐷𝑆𝑄
VGS2=-9.78v 𝐼𝐷’ = + 𝐼𝐷𝑄 = 5.1486𝑚𝐴
𝑅𝑠||𝑅𝐿
Por lo tanto, en (1):
Cuando ID’=0
3.93𝑣 − (−1.886𝑣)
𝐼𝐷 = = 2.908𝑚𝐴 = 𝐼𝐷𝑄 𝑉𝐷𝑆 ′ = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑄(𝑅𝑠||𝑅𝐿) = 9.031
2𝑘Ω
Recta Dinámica y Recta de carga:
Lvk en la malla de salida:

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑅𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 10 − (2𝑘Ω)(2.908𝑚𝐴) = 4.184𝑣 = 𝑉𝐷𝑆𝑄
Para la recta de carga:

Cuando VDS=0
𝑉𝐷𝐷
𝐼𝐷 = = 5𝑚𝐴
𝑅𝑆
Cuando ID=0

𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 = 10𝑣

Análisis AC

𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷𝑆 ′ − 𝑉𝐷𝑆𝑄

𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 9.031𝑣 − 4.184𝑣
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 4.847𝑣

𝐼𝐷 ′ = 𝐼𝐷𝑄 + 𝐼𝐷 => 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 (1)

Análisis en Pequeña Señal: 1
𝐹𝑐(𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎) = = 13.26𝐻𝑧
2𝜋 ∗ 𝐶2 ∗ (𝑅𝑠 + 𝑅𝐿)
𝜔2 = 2𝜋 ∗ 𝐹𝑐(𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎) = 83.333 𝑟𝑎𝑑/𝑠
Respuesta en alta Frecuencia

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐺 = 510.28𝑘Ω
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑠 = 2𝑘Ω
2𝐼𝐷𝑠𝑠 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = (1 − ) = 1.868𝑚𝑠
|𝑉𝑝| 𝑉𝑝
𝑉𝑜
𝐴𝑣 = 𝐶𝑟𝑠𝑠 = 4𝑝𝐹
𝑉𝑖
Donde: 𝐶𝑖𝑠𝑠 = 1.2𝑝𝐹

𝑉𝑜 = 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆(𝑅𝑠||𝑅𝐿) 𝐶𝑔𝑑 = 𝐶𝑟𝑠𝑠 = 4𝑝𝐹

𝑉𝑖 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆(𝑅𝑠||𝑅𝐿) 𝐶𝑔𝑠 = |𝐶𝑖𝑠𝑠 – 𝐶𝑔𝑑| = 2.8𝑝𝐹

Entonces: 𝐶𝑑𝑠 = |𝐶𝑜𝑠𝑠 – 𝐶𝑔𝑑| = 4 𝑝𝐹

𝑔𝑚(𝑅𝑠||𝑅𝐿)
𝐴𝑣 = = 0.757
1 + 𝑔𝑚(𝑅𝑠||𝑅𝐿)

𝐼𝑜
𝐴𝑖 =
𝐼𝑖
Donde:
𝑅𝑇𝐻𝑖 = 𝑅𝐺 = 510.28𝑘Ω
𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 ∗ 𝑅𝑠
𝐼𝑜 = 𝐶𝑀𝑖 = 𝐶𝑔𝑑(1 − 𝐴𝑣) = 0.972𝑝𝐹
𝑅𝑠 + 𝑅𝐿
𝑉𝑖 𝑉𝐺𝑆(1 + 𝑔𝑚𝑅𝑠) 𝐶𝑖 = 𝐶𝑀𝑖 + 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶1 = 1µ𝐹
𝐼𝑖 = =
𝑅𝐺 𝑅𝐺 1
𝑓𝐻𝑖 = = 311.896𝑚𝐻𝑧
Entonces: 2𝜋 ∗ 𝑅𝐺 ∗ 𝐶𝑖
𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝑠 ∗ 𝑅𝐺 𝑅𝑇𝐻𝑜 = 𝑅𝑆||𝑅𝐿 = 1.666𝑘Ω
𝐴𝑖 = = 33.5427
(1 + 𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝑆)(𝑅𝑆 + 𝑅𝐿) 1
𝐶𝑀𝑜 = 𝐶𝑔𝑑 (1 − ) = 1.284𝑝𝐹
𝐴𝑣
𝐶𝑜 = 𝐶2 + 𝐶𝑑𝑠 + 𝐶𝑀𝑜 = 1µ𝐹
a. Respuesta en Baja Frecuencia
1
𝐴𝑣 𝑠2 𝑓𝐻𝑜 = = 95.53𝐻𝑧
= 2𝜋 ∗ 𝐶2 ∗ (𝑅𝑠 + 𝑅𝐿)
𝐴𝑣𝑚 (𝑠 + 𝜔1)(𝑠 + 𝜔2)
1
𝐹𝐶(𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎) = = 311.896𝑚𝐻𝑧
2𝜋 ∗ 𝐶1 ∗ 𝑅𝐺
𝜔1 = 2𝜋 ∗ 𝐹𝑐(𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎) = 1.959 𝑟𝑎𝑑/𝑠
V. CONCLUSIONES
● De esta manera se da a entender que la
polarización del transistor influye mucho en el
punto de operación, debido a dicha polarización
se puede estar obteniendo una buena excursión
simétrica sin embargo no hay que omitir las
especificaciones de dicho transistor y de igual
manera el voltaje de alimentación que pueda
conectar a sus terminales.